CN112033557A - 一种高灵敏度绝对温度测量电路 - Google Patents

一种高灵敏度绝对温度测量电路 Download PDF

Info

Publication number
CN112033557A
CN112033557A CN202011039246.1A CN202011039246A CN112033557A CN 112033557 A CN112033557 A CN 112033557A CN 202011039246 A CN202011039246 A CN 202011039246A CN 112033557 A CN112033557 A CN 112033557A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
film transistors
source
gate
sensitivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011039246.1A
Other languages
English (en)
Inventor
王凯
许忆彤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Zhiwei Innovation Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
National Sun Yat Sen University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Sun Yat Sen University filed Critical National Sun Yat Sen University
Priority to CN202011039246.1A priority Critical patent/CN112033557A/zh
Publication of CN112033557A publication Critical patent/CN112033557A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements

Abstract

本发明公开了一种高灵敏度绝对温度测量电路，包括两个漏极和栅极短接薄膜晶体管、对两个薄膜晶体管进行偏置的电源，以及外接差分放大器；所述差分放大器的两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接，对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理后输出。所述电源可以采用恒压源或恒流源，薄膜晶体管可以是单栅或双栅结构。该温度传感器电路抗干扰能力强、线性度好、灵敏度高、测温范围宽、生产工艺简单以及价格成本低。

Description

一种高灵敏度绝对温度测量电路
技术领域
本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种高灵敏度绝对温度测量电路。
背景技术
大多数物理、电子、化学、机械和生物系统都对温度表现出某种形式的依赖性，因此，温度测量成为了许多应用中的关键技术。目前，大多数集成温度传感器主要基于p-n结二极管、双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)以及金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。
利用p-n结扩散电流的温度特性制成的温度传感器具有架构简单的特点，测温灵敏度在1-3mV/℃，但由于p-n结二极管中还存在包括表面体内复合电流等非理想电流，会在测量温度过程中引入噪声，且不管是单个p-n结二极管(图1)还是两个p-n结二极管的电路结构(图2)，都只能使用恒流源作为电源，而且都会存在p-n结二极管对光比较敏感的情况，使用过程中需要做特别处理以去除环境光的影响，这使得p-n结二极管在温度传感器中的使用受到限制。
将BJT的基极与集电极短接而得到的温度传感器能够消除非理想电流带来的噪声，同时，基于单个BJT的温度传感器(图3)虽然具有较高的测温灵敏度(2mV/℃)，但其测量结果会受工艺扩散等因素的影响；而基于两个BJT的温度传感器(图4)虽然消除了由工艺差异引起的性能变化，却大大降低了其测温灵敏度(～200μV/℃)。因此，基于BJT技术的温度传感器并不能同时兼顾抗干扰能力和测温灵敏度的性能，并且其工艺不能完全地与传统CMOS工艺兼容，集成度较低，并不适合于大面积生产。
基于MOSFET的温度传感器(图5)虽然其制备工艺与CMOS完全兼容，器件面积小，有利于大面积集成，但工作在亚阈值区的MOSFET温度传感器，虽然测温灵敏度比较高，但测温范围比较小，不超过100℃；而工作在饱和区的MOSFET温度传感器，虽然测温范围比较大，能达到BJT温度传感器的测温范围，但测温灵敏度却受限。因此，基于MOSFET技术的温度传感器并不能同时兼顾测温范围和测温灵敏度的性能。
发明内容
为了克服上述技术缺陷，本发明提供了一种高灵敏度绝对温度测量电路，即集成温度传感器电路，其抗干扰能力强、线性度好、灵敏度高、测温范围宽、生产工艺简单以及制造成本低。
为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：
一种高灵敏度绝对温度测量电路，包括：
两个薄膜晶体管，任一薄膜晶体管的漏极和栅极短接；
电源，对两个薄膜晶体管进行偏置；
外接差分放大器，其两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接，对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理后输出。
与现有技术相比，本发明的高灵敏度绝对温度测量电路，其抗干扰能力强、线性度好、灵敏度高、测温范围宽、生产工艺简单以及价格成本低。该温度传感器电路主要由两个漏极和栅极短接的薄膜晶体管组成，对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分以得到输出电压信号，有效地消除了由工艺等因素造成的薄膜晶体管本身的差异；两个薄膜晶体管可以分别工作于亚阈值区，使电输出与温度具有良好的线性关系，并且具有较高的测温灵敏度和较大的测温范围。同时，电源可根据实际应用场合选择恒压源或恒流源，使得该温度传感器电路更具灵活性和实用性。
所述薄膜晶体管结构可以采用单栅和双栅两种，电源可以根据实际应用场合选择恒压源或恒流源，薄膜晶体管结构不同以及选择的电源不同，温度传感器电路的接法略有不同，以下为几种可选的设计方案。
可选的，所述两个薄膜晶体管均为单栅薄膜晶体管，有源层材料相同，有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。单栅薄膜晶体管TFT的制备工艺简单，集成度更高，不仅降低了生产成本，而且适合大面积制备。
可选的，所述电源为恒压源，其通过两个支路的负载电阻分别与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个单栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地。
可选的，所述电源为两个电流大小不同的恒流源，它们分别直接与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个单栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地。
可选的，所述两个薄膜晶体管均为双栅薄膜晶体管，它们的有源层材料相同，有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。双栅薄膜晶体管组成的温度传感器电路则能利用顶栅对底部阈值电压的调控作用来调节薄膜晶体管的源漏电流大小，使温度传感器具有更高的灵敏度。
可选的，所述电源为恒压源，其通过两个支路的负载电阻分别与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个双栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地，顶栅极分别接外置偏压电路。
可选的，所述电源为两个电流大小不同的恒流源，它们分别直接与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个双栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地，顶栅极分别接外置偏压电路。
可选的，所述两个薄膜晶体管均为单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管，它们的沟道长宽比可以相同，也可以不同。当同一电路中的两个薄膜晶体管物理尺寸不一致特别是沟道尺寸不一致时，其测温灵敏度也会受到影响。为了提高该温度传感器电路的测温灵敏度，可以根据实际使用情况，设计不同的两个薄膜晶体管沟道宽长比。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
图1为现有的单p-n结二极管温度传感器的电路图；
图2为现有的双p-n结二极管温度传感器的电路图；
图3为现有的单BJT温度传感器的电路图；
图4为现有的双BJT温度传感器的电路图；
图5为现有的MOSFET温度传感器的电路图；
图6为实施例1的恒压源偏置下的单栅TFT集成温度传感器电路图；
图7为实施例1的恒压源偏置下的单栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果示意图；
图8为实施例2的恒流源偏置下的单栅TFT集成温度传感器电路图；
图9为实施例3的恒压源偏置下的双栅TFT集成温度传感器电路图；
图10为实施例3的恒压源偏置下的双栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果(不同R2阻值)示意图；
图11为实施例3的恒压源偏置下的双栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果(不同VTG偏压)示意图；
图12为实施例4的恒流源偏置下的双栅TFT集成温度传感器电路图；
图13为实施例5的恒压源偏置下的单栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果示意图；
图14为实施例5的恒压源偏置下的双栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例提供了一种高灵敏度绝对温度测量电路，电源采用恒压源，薄膜晶体管采用单栅结构，即提供一种恒压源偏置下的单栅TFT(薄膜晶体管)集成温度传感器电路。
请参阅图6，其为本实施例的恒压源偏置下的单栅TFT集成温度传感器电路图。该电路由一个恒压源、两个电阻、两个单栅薄膜晶体管组成。其中，单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的有源层材料相同，可以是非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体的一种，两个单栅薄膜晶体管的物理尺寸也相同。该电路中，恒压源作为电源，通过两个支路的负载电阻R1和R2分别连接到TFT1和TFT2的漏极，TFT1和TFT2的漏极分别与各自的栅极短接，而源极则连接到电源的负极(或接地)，TFT1和TFT2的栅源电压VGS1和VGS2则分别接到后端差分放大器的两个输入端，经过差分和放大等处理后进行输出。
在测温过程中，通过选取合适的电压源大小和电阻阻值，使单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2工作于亚阈值区。图6所示电路的最终输出电压Vout为：
Figure BDA0002706117490000041
其中，IDS1和IDS2分别为流过两个支路的电流，，VT1和VT2分别为薄膜晶体管TFT1和TFT2的阈值电压。因此，输出电压Vout与温度T的线性因子即测温灵敏度S为：
Figure BDA0002706117490000042
当R1≠R2时，则有IDS1≠IDS2，即流过两个支路的电流不一致，此时，图6所示电路的输出电压Vout与温度T成线性关系，灵敏度如式(2)所示，与薄膜晶体管本身的阈值电压VT、ID0等参数无关；且当IDS1与IDS2相差越大，测温灵敏度越大，故为了获得较大的灵敏度，应调整电阻R1和R2的大小，使薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作在亚阈值区的前部和后部。而为了保证薄膜晶体管TFT1和TFT2工作于亚阈值区，电阻R1和R2的阻值需与TFT亚阈值区沟道电阻大小匹配。
图7为实施例1的恒压源偏置下的单栅TFT集成温度传感器TCAD混合电路仿真结果示意图。从图7可以看出在-10～140℃范围内，该传感器电路的输出电压Vout与温度具有良好的线性关系，且其灵敏度基本大于1mV/℃，甚至通过调节电源和电阻，其灵敏度能到达2mV/℃，远大于其他类型的差分温度传感器如双p-n结二极管温度传感器、双BJT温度传感器，甚至是其他类型的差分温度传感器灵敏度的十倍左右。同时，该集成温度传感器电路具有150℃的测温范围，比其他工作于亚阈值区的MOSFET温度传感器的测温范围大了33％左右。
综上所述，该温度传感器电路具有抗干扰性好、灵敏度高、测温范围宽的特点。
实施例2
本实施例提供了另一种高灵敏度绝对温度测量电路，电源采用恒流源，薄膜晶体管采用单栅结构，即提供一种恒流源偏置下的单栅TFT(薄膜晶体管)集成温度传感器电路。
请参阅图8，其为本实施例的恒流源偏置下的单栅TFT集成温度传感器电路图。
该电路由两个恒流源和两个单栅薄膜晶体管组成。与实施例1中的温度传感器电路不同的是，图8所示的温度传感器电路采用两个电流大小不相等的恒流源作为电源，分别直接地接到两个单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的漏极，而单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的栅极与各自的漏极短接，源极则连接到电源的负极(或接地)，TFT1和TFT2的栅源电压VGS1和VGS2则分别接到后端差分放大器的两个输入端，经过差分和放大等处理后进行输出。同样地，单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的有源层材料相同，可以是非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体的一种，两个单栅薄膜晶体管的物理尺寸也相同。
在测温过程中，通过选取合适的恒流源电流大小，使单栅薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作于亚阈值区，电路最终输出电压和测温灵敏度与式(1)、式(2)相同。因此，当IDS1≠IDS2，即恒流源电流大小不相等时，图8所示电路的输出电压Vout与温度T成线性关系，灵敏度如式(7)所示，与薄膜晶体管本身的阈值电压VT、ID0等参数无关；且当IDS1与IDS2相差越多，测温灵敏度越大，故为了获得较大的灵敏度，应调整恒流源的电流大小，使薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作在亚阈值区的前部和后部。
因此，该集成温度传感器电路具有抗干扰性好、灵敏度高、测温范围宽的特点；并且电源可以采用恒压源、恒流源两种偏置方式，使得电路更具灵活性和实用性；而单栅薄膜晶体管TFT的制备工艺简单，集成度更高，不仅降低了生产成本，而且适合大面积制备。
实施例3
本实施例提供了一种高灵敏度绝对温度测量电路，电源采用恒压源，薄膜晶体管采用双栅结构，即提供一种恒压源偏置下的双栅TFT(薄膜晶体管)集成温度传感器电路。
请参阅图9，其为本实施例的恒压源偏置下的双栅TFT集成温度传感器电路图。该电路由一个恒压源、两个电阻、两个双栅薄膜晶体管组成。其中，双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的有源层材料相同，可以是非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体的一种；两个双栅薄膜晶体管的物理尺寸也相同。电路中，恒压源作为电源，通过两个支路的负载电阻R1和R2分别连接到TFT1和TFT2的漏极，TFT1和TFT2的漏极分别与各自的底栅极短接，顶栅极分别接到外置偏压电路，而源极则连接到电源的负极(或接地)，TFT1和TFT2的栅源电压VGS1和VGS2则分别接到后端差分放大器的两个输入端，经过差分和放大等处理后进行输出。
在测温过程中，通过选取合适的电压源大小和电阻阻值，使双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2工作于亚阈值区。当R1≠R2时，则有IDS1≠IDS2，即流过两个支路的电流不一致，此时，图9所示电路的输出电压Vout与温度T成线性关系，灵敏度如式(2)所示，与薄膜晶体管本身的阈值电压VT、ID0等参数无关；且当IDS1与IDS2相差越多，测温灵敏度越大，故为了获得较大的灵敏度，除了调节电阻R1和R2的阻值大小，还能调节双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的顶栅偏压VTG1和VTG2，使薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作在亚阈值区的前部和后部。而为了保证薄膜晶体管TFT1和TFT2工作于亚阈值区，电阻R1和R2的阻值需与TFT亚阈值区沟道电阻大小匹配。
图10和图11分别为恒压源偏置下的不同R2阻值以及不同顶栅偏压VTG偏置的双栅薄膜晶体管集成温度传感器电路的TCAD混合电路仿真结果示意图。从TCAD仿真结果图可以看到，在-10～150℃范围内，该电路传感器的输出电压Vout与温度具有良好的线性关系，且其灵敏度基本大于1mV/℃，甚至通过调节电阻和薄膜晶体管的顶栅偏压VTG，其灵敏度能接近3mV/℃，总体上高于单栅薄膜晶体管的集成温度传感器的测温灵敏度；同时，该集成温度传感器具有160℃的测温范围，也高于单栅薄膜晶体管的集成温度传感器的测温范围。
综上所述，该集成温度传感器电路具有抗干扰性好、灵敏度高、测温范围宽的特点。
实施例4
本实施例提供了一种高灵敏度绝对温度测量电路，电源采用恒流源，薄膜晶体管采用双栅结构，即提供一种恒流源偏置下的双栅TFT(薄膜晶体管)集成温度传感器电路。
请参阅图12，其为本实施例的恒流源偏置下的双栅TFT集成温度传感器电路图。该电路由两个恒流源和两个双栅薄膜晶体管组成。其中，双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的有源层材料相同，可以是非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体的一种；两个双栅薄膜晶体管的物理尺寸也相同。与发明内容3中的温度传感器电路不同的是，图8所示的温度传感器电路采用两个电流大小不相等的恒流源作为电源，分别直接地接到两个双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2的漏极，而薄膜晶体管TFT1和TFT2的底栅极与各自的漏极短接，源极连接到电源的负极(或地)，顶栅极则分别接到外置偏压电路，TFT1和TFT2的栅源电压VGS1和VGS2分别接到后端差分放大器的两个输入端，经过差分和放大等处理后进行输出。
在测温过程中，通过选取合适的恒流源电流大小，使双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作于亚阈值区，该集成传感器电路的最终输出电压和测温灵敏度与式(1)、式(2)相同。因此，当IDS1≠IDS2，即恒流源电流大小不相等时，图12所示电路的输出电压Vout与温度T成线性关系，灵敏度如式(2)所示，与薄膜晶体管本身的阈值电压VT、ID0等参数无关；且当IDS1与IDS2相差越多，测温灵敏度越大，故为了获得较大的灵敏度，可调整恒流源的电流大小，也可直接调整双栅薄膜晶体管的顶栅偏压VTG1和VTG2，使双栅薄膜晶体管TFT1和TFT2分别工作在亚阈值区的前部和后部。
因此，基于双栅薄膜晶体管的集成温度传感器不仅具有较好的抗干扰性能，而且双栅薄膜晶体管的设计也提高了该集成温度传感器的灵敏度和测温范围，使其同时具有抗干扰性好、灵敏度高、测温范围宽的特点；并且电源可以采用恒压源、恒流源两种偏置方式，使得电路更具灵活性和实用性；而双栅薄膜晶体管TFT的制备工艺简单，集成度更高，不仅降低了生产成本，而且适合大面积制备。
实施例5
实施例1～4的集成温度传感器线路设计，都是基于同一个电路中的两个薄膜晶体管物理尺寸一致的前提。而当同一电路中的两个薄膜晶体管物理尺寸不一致特别是沟道尺寸不一致时，其测温灵敏度也会受到影响。本实施例与实施例1～4的区别在于，两个薄膜晶体管的沟道长宽比不同，其他的电路结构相同，即可以是实施例1～4的任一种电路结构，此处不再赘述。
对于薄膜晶体管TFT1和TFT2沟道长宽比不同的集成温度传感器电路，则最终输出电压Vout为：
Figure BDA0002706117490000071
其中，ID01和ID02与薄膜晶体管器件的沟道宽长比有关：
Figure BDA0002706117490000072
因此，输出电压Vout与温度T的线性因子即测温灵敏度S为：
Figure BDA0002706117490000081
当W1/L1＝W2/L2时，则式(5)与式(2)相同；当W1/L1≠W2/L2时，则测温灵敏度S与薄膜晶体管TFT1和TFT2的沟道宽长比的比值有关，即当W1/L1<W2/L2时，测温灵敏度S增大；当W1/L1>W2/L2时，测温灵敏度减小。
图13和图14分别为薄膜晶体管TFT2不同沟道宽长比即不同W2/L2的单栅和双栅集成温度传感器的TCAD仿真结果示意图，此仿真结果验证了以上的理论推测。因此，为了提高该温度传感器的测温灵敏度，还可以根据实际使用情况，将两个薄膜晶体管TFT1和TFT2的沟道宽长比设计得不一致。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，包括：
两个薄膜晶体管，任一薄膜晶体管的漏极和栅极短接；
电源，对两个薄膜晶体管进行偏置；
外接差分放大器，其两个输入端分别与两个薄膜晶体管的栅源电压连接，对两个薄膜晶体管的栅源电压进行差分放大处理。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述两个薄膜晶体管均为单栅薄膜晶体管，有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。
3.根据权利要求2所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述电源为恒压源，其通过两个支路的负载电阻分别与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个单栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地。
4.根据权利要求2所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述电源为两个电流大小不同的恒流源，它们分别直接与两个单栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个单栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地。
5.根据权利要求1所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述两个薄膜晶体管均为双栅薄膜晶体管，有源层材料为非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化物半导体中的任一种。
6.根据权利要求5所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述电源为恒压源，其通过两个支路的负载电阻分别与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个双栅薄膜晶体管的源极与恒压源负极连接或接地，顶栅极分别接外置偏压电路。
7.根据权利要求5所述的高灵敏度绝对温度测量电路，其特征在于，所述电源为两个电流大小不同的恒流源，它们分别直接与两个双栅薄膜晶体管的漏极连接；所述两个双栅薄膜晶体管的源极分别与恒流源负极连接或接地，顶栅极分别接外置偏压电路。
CN202011039246.1A 2020-09-28 2020-09-28 一种高灵敏度绝对温度测量电路 Pending CN112033557A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011039246.1A CN112033557A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种高灵敏度绝对温度测量电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011039246.1A CN112033557A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种高灵敏度绝对温度测量电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112033557A true CN112033557A (zh) 2020-12-04

Family

ID=73574609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011039246.1A Pending CN112033557A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种高灵敏度绝对温度测量电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112033557A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113867468A (zh) * 2021-10-14 2021-12-31 电子科技大学 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器
CN114791751A (zh) * 2022-05-10 2022-07-26 京东方科技集团股份有限公司 一种温度信号采集电路、发光基板及显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113867468A (zh) * 2021-10-14 2021-12-31 电子科技大学 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器
CN113867468B (zh) * 2021-10-14 2022-10-14 电子科技大学 一种基于mos管的低功耗、高电源抑制能力温度传感器
CN114791751A (zh) * 2022-05-10 2022-07-26 京东方科技集团股份有限公司 一种温度信号采集电路、发光基板及显示装置
CN114791751B (zh) * 2022-05-10 2024-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种温度信号采集电路、发光基板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10599176B1 (en) Bandgap reference circuit and high-order temperature compensation method
US6437550B2 (en) Voltage generating circuit and reference voltage source circuit employing field effect transistors
US6107868A (en) Temperature, supply and process-insensitive CMOS reference structures
US4529897A (en) Analog switch device having threshold change reducing means
Rahaman et al. A high performance operational amplifier using coplanar dual gate a-IGZO TFTs
KR100808726B1 (ko) 정전류 회로
JP6109904B2 (ja) バンドギャップリファレンス回路および回路を製造する方法
CN112033557A (zh) 一种高灵敏度绝对温度测量电路
Chen et al. A new high-gain operational amplifier using transconductance-enhancement topology integrated with metal oxide TFTs
Shabanpour et al. A 70° phase margin OPAMP with positive feedback in flexible a-IGZO TFT technology
Chen et al. Thin-film transistors with the fringe effect and the correction factor for mobility extraction
Zhao et al. High-gain transparent inverters based on deuterated ZnO TFTs fabricated by atomic layer deposition
CN110879625B (zh) 一种超低线性灵敏度的cmos电压基准电路
CN212391136U (zh) 一种高灵敏度绝对温度测量电路
CN111796624B (zh) 一种超高电源纹波抑制比cmos电压基准电路
KR101092265B1 (ko) 바이어스 발생기
Mei et al. A common drain operational amplifier using positive feedback integrated by metal-oxide TFTs
CN217590753U (zh) 一种面向离子敏检测应用的基于tft的运算放大电路
Rodrigues et al. High speed operational amplifier using a-InGaZnO TFTs with negative capacitance
Papadopoulos et al. In-Panel 31.17 dB 140kHz 87µW Unipolar Dual-Gate In-Ga-Zn-O Charge-Sense Amplifier for 500dpi Sensor Array on Flexible Displays
CN113281551B (zh) 一种电流检测电路及方法
Bestelink et al. 49dB depletion-load amplifiers with polysilicon source-gated transistors
US10593744B2 (en) Multiple subthreshold swing circuit and application to displays and sensors
CN212302330U (zh) 一种基准电压产生电路
CN213402949U (zh) 一种电压共源放大电路及多级放大电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210420

Address after: 518048 l8-01-c130, block B, baocubic Jewelry City, 198 Xin'an 4th Road, Liutang community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: Shenzhen Zhiwei Innovation Technology Co.,Ltd.

Address before: 510275 Xingang West Road, Guangdong, Guangzhou, No. 135, No.

Applicant before: SUN YAT-SEN University

TA01 Transfer of patent application right