CN113823713B - 一种激光辅助改善led芯片ito表面发花的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，本发明首先配制含有金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠等的清洗溶液，并将溶液加热，然后将芯片发花面朝上浸入清洗溶液中，同时确保溶液处于旋转状态，以便将芯片表面污染物快速溶解、去除；调整脉冲激光束焦距、能量，将脉冲激光束垂直投射至芯片表面，在激光束作用下，芯片表面有机污染物可快速软化、分解，同时在清洗溶液中溶解；清洗完毕后，将LED芯片洗涤去除表面残留清洗溶液，然后烘干即可得到表面洁净的LED芯片。该方法可彻底去除LED芯片表面污染、发花，适合批量生产，对芯片表面无损伤，使芯片生产良率提高，且方法简单易行，成本投入低。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，属于LED芯片制造技术领域。
背景技术
LED(发光二极管)芯片是一种固态的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势，广泛应用于照明、显示屏、交通信号灯、汽车灯以及特种照明灯。ITO(氧化铟锡)导电薄膜具有高的穿透率和低的面电阻率，广泛应用于LED领域，作为LED芯片工艺中的透明导电层，用于电流扩展、提升电光转换效率。
LED芯片生产过程中涉及多步工艺过程，如外延片制作及处理、蒸镀ITO导电薄膜、光刻胶掩膜图形、蒸镀P型电极、芯片减薄、去蜡清洗、蒸镀N电极、切割、测试、封装等多个工步作业，每步过程中又细分很多环节，各环节需要借助不同设备、溶液、方法实现不同的目的。在所有的工艺过程中，每一步都对芯片外观质量有不同的影响，即外观检验是必不可少的。芯片表面质量轻则影响产品最终外观，直接导致产品降档，重则影响芯片的性能，导致产品报废。其中，芯片减薄、去蜡清洗是关乎芯片外观质量、性能质量的重要环节，在这一环节中，芯片表面极易出现表面发花的现象。因芯片表面蒸镀ITO导电薄膜，该表面在前光刻工序中易出现残留胶膜，胶膜在芯片减薄工艺过程中的高温作用下与蜡及活性导电层发生相互作用并扩散，产生难以清洗的有机污染物，粘附在ITO薄膜表面，外观表现为芯片表面色泽不一致，污染区域发白，导致芯片发花异常，在后续电极蒸镀过程中易出现掉电极现象，影响产品质量和良率。采用常规有机溶液、无机溶液清洗工艺无法去除，原因为污染物经过高温加热后物性已发生变化，已非常规有机污染物。另因导电层活性较高，也无法使用强酸或强碱溶液来进行清洗，否则将直接破坏或溶解活性层。
中国专利文献CN109986412A公开了一种改善LED晶片研磨划伤的表面处理方法。该方法采用润滑剂(氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠或醋酸钠)和去离子水配制研磨液；设置研磨液用量和铸铁盘转速，使研磨液均匀布满铸铁盘表面，然后放置修整环，再次开启铸铁盘转速和研磨液，对铸铁盘表面进行修复，修复完成后继续进行LED晶片减薄制程的研磨作业。该方法可有效解决研磨划伤异常，提高产品良率，保证正常生产。但是该方法仅适用于LED晶片研磨划伤的处理，不适用于ITO表面污染、发花问题的处理。
中国专利文献CN111092011A公开了一种改善LED芯片表面污染的处理方法，该方法包括以下步骤：(1)将芯片先后置于无水乙醇溶液和去离子水中清洗刷洗；(2)将芯片先后置于乙酸水溶液和去离子水中清洗、刷洗；(3)将芯片置于酸、去离子水、氟化物组成的混合溶液中清洗，然后取出置于去离子水下冲洗；(4)将芯片置于清洗机中进行高压去离子水清洗、氮气吹干；(5)将芯片取出置于加热台上烘烤，彻底去除水汽。该专利文献借助毛刷，经过多种无机酸溶液刷洗，对于本发明所述ITO表面污染、发花问题不适用，原因为：溶液含有强酸、强碱对ITO薄膜有腐蚀、溶解，且不能有效去除污染，改善发花问题。
中国专利文献CN106350296B公开了一种高效环保LED芯片清洗剂及使用方法，该清洗剂的组成为：炔二醇类表面活性剂、氟碳类表面活性剂、咪唑啉类两性表面活性剂、乳化剂、缓蚀剂、螯合剂、增溶剂和超纯水等。该方法主要针对LED芯片抛光后的清洗，只能去除常规有机污染物、颗粒物，且清洗剂组成类别多，某些清洗剂成分还存在污染问题，该方法不能用于本发明所述的芯片表面清洗，仅能用于常规清洗。原因为：本发明所述芯片表面已经经过光刻和减薄工艺，光刻工艺本身残留的光刻胶在减薄高温加热下更增加了清洗难度，且它所含的清洗剂成分对活性ITO薄膜存在腐蚀损伤。
由于ITO薄膜材料不耐酸碱腐蚀，无法使用强酸、强碱清洗，而常规有机、无机溶液清洗无明显改善，一旦出现表面污染，芯片只能报废。因此，目前暂无有效的清洗方法。
发明内容
基于以上技术缺陷，本发明提供了一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，本发明首先配制含有金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠等的清洗溶液，并将溶液加热，然后将芯片发花面朝上浸入清洗溶液中，同时确保溶液处于旋转状态，以便将芯片表面污染物快速溶解、去除；调整脉冲激光束焦距、能量，将脉冲激光束垂直投射至芯片表面，在激光束作用下，芯片表面有机污染物可快速软化、分解，同时在清洗溶液中溶解；清洗完毕后，将芯片取出依次放入纯水、丙酮、无水乙醇溶液中清洗，去除表面残留清洗溶液，然后再进行烘干即可得到表面洁净的LED芯片。该方法可彻底去除LED芯片表面污染、发花，适合批量生产，对芯片表面无损伤，有效提高芯片表面质量，使芯片生产良率提高，增加生产效益，且方法简单易行，成本投入低。
本发明的技术方案是：一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，配制至少含有金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠的清洗溶液，并将清洗溶液加热，将LED芯片发花面朝上浸入清洗溶液中，同时确保清洗溶液处于旋转状态；将脉冲激光束垂直投射至LED芯片表面进行清洗；清洗完毕后，将LED芯片洗涤、烘干即可得到表面洁净的LED芯片。
进一步的，上述清洗溶液中金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠的质量浓度分别为：金刚砂1-2％、碳酸氢钠5-10％、硫化钠3-5％、醋酸钠1-3％。
进一步的，上述清洗溶液中还含有醇类有机溶剂10-15％，其中醇类有机溶剂为异丙醇、乙醇、丁二醇中的任一种或者两种以上的混合溶剂，优选乙醇。
进一步的，上述清洗溶液中还含有表面活性剂5-10％，其中表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、聚乙二醇400中的任一种或者两种，优选十二烷基硫酸钠。
进一步的，上述清洗溶液中还含有清洗剂1-3％，所述清洗剂为四氯乙烯、溴丙烷、异丙醇中的任一种或者两种以上的混合。
进一步的，上述清洗溶液的加热温度为：加热至60-90℃。
进一步的，上述LED芯片洗涤为：依次经过纯水冲洗、丙酮清洗和无水乙醇清洗。
进一步的，上述金刚砂的粒度为15-25μm。
优选的，本发明的具体步骤如下：
S1：按下述质量百分含量取各原料配置清洗溶液：金刚砂1-2％、碳酸氢钠5-10％、硫化钠3-5％、醋酸钠1-3％、醇类有机溶剂10-15％、清洗剂0-3％、表面活性剂5-10％和纯水余量；
S2：将配置后的清洗溶液加热至60-90℃，同时确保清洗溶液处于旋转状态；
S3：将待清洗的LED芯片正面(发花面)朝上浸入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.05-0.5J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行芯片表面清洗5-15分钟；
S6：清洗完毕后将芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，得到表面洁净的LED芯片。
优选的，所述步骤S2使清洗溶液处于旋转状态可以采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围100-1000转/分钟。
优选的，所述步骤S6的烘干为热氮烘干，烘干温度40-80℃，烘干时间1-5分钟。
本发明的技术原理是：
1、清洗溶液的配制
配制含有金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠、醇类有机溶剂、清洗剂、表面活性剂和纯水的混合溶液。其中金刚砂的作用是在激光烧蚀作用下，颗粒发生碎裂并产生多棱角微纳米级颗粒，在溶液旋转带动下，对芯片表面已发生软化、破裂的污染物进行微观刮除，金刚砂是清洗液的重要组分之一。碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠的作用是借助激光照射制造出常规方法不能达到的弱碱性环境，在激光照射下，溶液中产生的氢离子、氢氧根离子、碳酸根离子更为丰富，活性更高，对芯片表面不同性质污染物溶解作用效果优于常规溶液。无水乙醇等醇类有机溶剂在溶液中的作用是辅助清洗芯片表面易溶解的常规有机物成分，属于非重要组分。十二烷基硫酸钠等表面活性剂是作为表面活性剂对软化、破裂的污染物进行表面活化，避免污染物在激光作用下再次发生积聚。四氯乙烯等清洗剂的作用是对顽固性有机污染物如已发生高温碳化的有机物进行有机强清洗，增强清洗效果，避免清洗后产生零散的表面黑点(碳化物)。
2、清洗溶液与脉冲激光辅助烧蚀手段结合
上述清洗溶液结合脉冲激光辅助烧蚀手段，芯片表面有机污染物可快速软化、分解，同时在清洗溶液中溶解。芯片表面污染区在激光照射下，污染物发生微观软化、破裂，部分直接发生气化溶解于溶液中。
3、彻底清洗
清洗完毕后，将LED芯片取出依次放入纯水、丙酮、无水乙醇溶液中清洗并烘干，去除表面残留清洗溶液。该方法可彻底去除芯片表面污染、发花，适合批量生产，对芯片表面无损伤，有效提高芯片表面质量，使芯片生产良率提高，增加生产效益，且方法简单易行，成本投入低。
本发明的有益效果是：本发明采用清洗溶液与脉冲激光辅助烧蚀手段结合，可彻底去除LED芯片表面污染、发花，且对芯片表面无损伤。清洗液的配方简单，清洗方法简易，成本投入低，适合大批量LED芯片的清洗，不仅能有效提高LED芯片表面质量，使芯片生产良率提高，还提高了生产效益。
附图说明
图1为本发明激光辅助改善LED芯片ITO表面发花方法的工艺流程图；
图2为本发明脉冲激光束的操作示意图；
图3为红光LED芯片清洗前照片；
图4为红光LED芯片清洗后照片。
具体实施方式
为了能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本发明进行详细阐述。
如图1所示，本发明激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液，将金刚砂、碳酸氢钠、硫化钠、醋酸钠、醇类有机溶剂、清洗剂、表面活性剂和纯水混合配制清洗溶液；清洗溶液的原料及重量比为：金刚砂1-2％、碳酸氢钠5-10％、硫化钠3-5％、醋酸钠1-3％、醇类有机溶剂10-15％、清洗剂0-3％、表面活性剂5-10％和纯水余量；
S2：将配置后的溶液加热至60-90℃，同时确保溶液处于旋转状态；
S3：将待清洗的LED芯片正面朝上浸入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.05-0.5J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间5-15分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
本实施例使用的LED芯片为经过外延片清洗、表面ITO蒸镀、ITO图形刻蚀、蒸镀P型电极、芯片减薄、去蜡清洗工序得到的红光LED芯片，因芯片表面蒸镀ITO导电薄膜，该表面在ITO图形刻蚀工序中出现残留胶膜，胶膜在芯片减薄工艺过程中的高温作用下与蜡及活性导电层发生相互作用，产生难以清洗的有机污染物，粘附在ITO薄膜表面，外观表现为芯片表面色泽不一致，污染区域发白，导致芯片发花异常，如图3所示。
进一步的，金刚砂的粒度为15-25μm。
进一步的，保持溶液旋转状态的方式为：在溶液底部放置磁棒，在清洗液和容器底部放置磁力搅拌器，开启搅拌器后，磁棒会发生持续旋转，带动溶液旋转，旋转速率通过控制磁力搅拌器来设定，搅拌转速100-1000转/分钟。
进一步的，脉冲激光束可采用波长为248-1024nm固体或气体激光器，脉冲频率10-50Hz，激光能量密度为0.05-0.5J/cm2。
所述步骤S6的烘干为热氮烘干，烘干温度40-80℃，烘干时间1-5分钟。
如图2所示，配制清洗溶液装入容器中，LED芯片正面朝上浸入清洗溶液中，脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，开启脉冲激光进行芯片表面清洗。
红光LED芯片清洗前后的照片分别如图3和图4所示，从图3可以看出：许多有机污染物粘附在ITO薄膜表面，外观表现为芯片表面色泽不一致，污染区域发白，如图4可以看出：经激光辅助清洗液清洗LED芯片后，其污染物清除，表面颜色一致，为均匀的粉红色。
具体实施例
实施例1：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将1份金刚砂、10份碳酸氢钠、5份硫化钠、2份醋酸钠、12份无水乙醇、2份四氯乙烯、10份十二烷基硫酸钠和58份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至80℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.3J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间10分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干(烘干温度60℃，烘干时间3分钟)处理，去除残留清洗溶液。
实施例2：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液，按质量份，将1份金刚砂、5份碳酸氢钠、3份硫化钠、1份醋酸钠、15份无水乙醇、5份十二烷基硫酸钠和70份纯水配置成混合溶液；
S2：将配置后的溶液加热至65℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围300转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.1J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间12分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干(烘干温度50℃，烘干时间5分钟)处理，去除残留清洗溶液。
实施例3：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液，按质量份，将2份金刚砂、10份碳酸氢钠、5份硫化钠、3份醋酸钠、14份无水乙醇、3份四氯乙烯、9份十二烷基硫酸钠和54份纯水配置成混合溶液；
S2：将配置后的溶液加热至70℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围400转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.4J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间6分钟。
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干(烘干温度55℃，烘干时间4.5分钟)处理，去除残留清洗溶液。
对比例1：不使用激光辅助：
一种改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将1份金刚砂、10份碳酸氢钠、5份硫化钠、2份醋酸钠、12份无水乙醇、2份四氯乙烯、10份十二烷基硫酸钠和58份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至80℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中，清洗时间10分钟；
S4：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
对比例2：不使用金刚砂：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将10份碳酸氢钠、5份硫化钠、2份醋酸钠、12份无水乙醇、2份四氯乙烯、10份十二烷基硫酸钠和59份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至80℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.3J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间10分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
对比例3：不使用碱性清洗剂(碳酸氢钠、硫化钠和醋酸钠)：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将1份金刚砂、15份无水乙醇、5份四氯乙烯、10份十二烷基硫酸钠和69份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至80℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.3J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间10分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
本发明实施例1-3、对比例1-3与常规清洗方法的效果对比如下表1所示。清洗效果表征方法说明：各例子均使用的是6.2mil(157μm)红光LED芯片，将芯片放于光学显微镜下，借助光学显微镜目镜格栅(视野中格栅每个方格边长40μm，不随放大倍数而变化)，在同一放大倍数下，透过格栅方格计算视野内污染区域占有的方格数(不足半格不计，超过半格按1格计)，清洗效果百分比＝(清洗前污染区域方格数-清洗后污染区域方格数)/清洗前污染区域方格数×100％。
从表1的对比结果可以看出：由于ITO薄膜材料不耐酸碱腐蚀，使用强酸、强碱清洗处理差且表面导电层被溶解，而常规有机、无机溶液清洗，清洗前后效果无明显改善。实施例1和3采用激光辅助清洗液清洗LED芯片后，其污染物清除，表面颜色一致(参见图4)，而实施例2不使用清洗剂四氯乙烯，顽固性有机污染物清洗不够彻底，处理效果为98％。对比例1-3分别不使用激光、金刚砂、碱性清洗剂(碳酸氢钠、硫化钠和醋酸钠的组合)，其清洗效果较差，说明本发明的各个条件协同增效才能达到100％的清洗效果。
表1本发明实施例1-3、对比例1-3与常规方法效果对比
实施例4：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将1份金刚砂、8.5份碳酸氢钠、4.5份硫化钠、1.5份醋酸钠、10.5份无水乙醇、3份四氯乙烯、10份聚乙二醇400和61份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至75℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.2J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间9分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
实施例4表面活性剂采用聚乙二醇400，其对红光LED芯片的清洗效果为100％，从成本考虑，表面活性剂选择十二烷基硫酸钠更能节省成本。
实施例5：
一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，具体包括以下步骤：
S1：配置清洗溶液：按质量份，将1份金刚砂、10份碳酸氢钠、5份硫化钠、2份醋酸钠、12份异丙醇、2份四氯乙烯、10份十二烷基硫酸钠和58份纯水配置成混合清洗溶液；
S2：将配置后的溶液加热至80℃，同时确保溶液处于旋转状态(采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速范围500转/分钟)；
S3：将待清洗的红光LED芯片正面朝上放入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.3J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗，清洗时间10分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，去除残留清洗溶液。
实施例5醇类溶剂采用异丙醇，其对红光LED芯片的清洗效果为100％。但异丙醇刺激性气味更大一些，选用乙醇更合适。
Claims (6)
1.一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，
包括如下步骤：
S1：按下述质量百分含量取各原料配置清洗溶液：金刚砂1-2％、碳酸氢钠5-10％、硫化钠3-5％、醋酸钠1-3％、醇类有机溶剂10-15％、清洗剂0-3％、表面活性剂5-10％和纯水余量；
S2：将配置后的清洗溶液加热至60-90℃，同时确保清洗溶液处于旋转状态；
S3：将待清洗的LED芯片发花面朝上浸入清洗溶液中；
S4：脉冲激光束垂直LED芯片表面，调节激光焦距、光斑大小至完全覆盖LED芯片，调节激光能量密度为0.05-0.5J/cm2；
S5：开启脉冲激光进行LED芯片表面清洗5-15分钟；
S6：清洗完毕后将LED芯片取出依次进行纯水冲洗、丙酮清洗、无水乙醇清洗、烘干处理，得到表面洁净的LED芯片。
2.如权利要求1所述的一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，所述醇类有机溶剂为异丙醇、乙醇、丁二醇中的任一种或者两种以上的混合溶剂。
3.如权利要求1所述的一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、聚乙二醇400中的任一种或者两种。
4.如权利要求1所述的一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，所述清洗溶液中含有清洗剂1-3％，所述清洗剂为四氯乙烯、溴丙烷、异丙醇中的任一种或者两种以上的混合。
5.如权利要求1所述的一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，所述步骤S2使清洗溶液处于旋转状态采用磁力搅拌器来实现，搅拌转速100-1000转/分钟。
6.如权利要求1所述的一种激光辅助改善LED芯片ITO表面发花的方法，其特征是，所述步骤S6的烘干为热氮烘干，烘干温度40-80℃，烘干时间1-5分钟。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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