CN113823665A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113823665A
CN113823665A CN202110956604.3A CN202110956604A CN113823665A CN 113823665 A CN113823665 A CN 113823665A CN 202110956604 A CN202110956604 A CN 202110956604A CN 113823665 A CN113823665 A CN 113823665A
Authority
CN
China
Prior art keywords
driving circuit
region
pixel
sub
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110956604.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113823665B (zh
Inventor
李超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202211596518.7A priority Critical patent/CN115768168A/zh
Priority to CN202110956604.3A priority patent/CN113823665B/zh
Priority to PCT/CN2021/116829 priority patent/WO2023019653A1/zh
Priority to US17/605,067 priority patent/US20240055435A1/en
Publication of CN113823665A publication Critical patent/CN113823665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113823665B publication Critical patent/CN113823665B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置;显示面板包括主显示区、透光显示区及过渡显示区,显示面板包括位于主显示区的多个第一像素、位于透光显示区和过渡显示区的多个第二像素、位于主显示区且用于驱动多个第一像素的多个第一像素驱动电路、位于过渡显示区多个第二像素驱动电路,以及反射件,多个第二像素驱动电路形成用于驱动多个第二像素的多个驱动电路岛,反射件包括位于驱动电路岛上的多个第一反射部;通过在显示面板的过渡显示区的像素驱动电路岛上设置多个第一反射部,能够使得主显示区和过渡显示区的反射率趋于一致,从而提高显示面板的显示均一性。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板为了保证屏下摄像头区域的摄像效果,将屏下摄像头区域采用透明显示设计。传统的 OLED显示面板包括正常显示区、透光显示区以及设于正常显示区和透光显示区之间的过渡显示区,透光显示区的像素的驱动电路和连接驱动电路的信号走线设置在过渡显示区内,以使得透光显示区能够实现显示的同时具有较高的透光率,正常显示区中设置有多个阵列的像素以及对应的驱动电路,以实现显示。然而,此种设计中由于驱动透光显示区的像素和过渡显示区的像素发光的驱动电路集中在一起,形成了像素驱动岛,导致过渡显示区的像素驱动岛处和正常显示区的金属密度排布差异较大,从而导致像素驱动岛与正常显示区的反射率差异较大,影响显示的均一性。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,以解决现有的OLED显示面板的正常显示区和驱动电路岛的反射率差异较大,影响OLED显示面板的显示均一性的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示面板,包括主显示区、透光显示区及过渡显示区,所述过渡显示区设于所述主显示区和所述透光显示区之间,所述显示面板包括:
多个第一像素,位于所述主显示区;
多个第二像素,位于所述透光显示区和所述过渡显示区;
多个第一像素驱动电路,位于所述主显示区且用于驱动多个所述第一显示像素;
多个第二像素驱动电路,位于所述过渡显示区且形成用于驱动多个所述第二像素的多个驱动电路岛;以及
反射件,包括位于所述驱动电路岛上的多个第一反射部。
在本发明的一些实施例中,所述反射件还包括位于所述主显示区的多个第二反射部,所述第二反射部的单位面积占比为A,第一反射部的单位面积占比为B,所述A与所述B的差值的绝对值小于或等于11.29%,
在本发明的一些实施例中,所述过渡显示区与所述主显示区之间的亮度差异的百分比小于0.5%。
在本发明的一些实施例中,所述过渡显示区包括第一子过渡区和第二子过渡区,所述第一子过渡区设置于所述第二子过渡区与所述透光显示区之间,所述第二子过渡区设置于所述主显示区和所述第一子过渡区之间,所述第二子过渡区还包括用于设置多个所述驱动电路岛的驱动电路岛区、以及位于所述驱动电路岛之间的非驱动电路岛区;其中,所述反射件包括位于所述非驱动电路岛区的多个第三反射部以及位于所述第一子过渡区的多个第四反射部,所述第三反射部的单位面积占比为C,所述A与所述C的差值的绝对值小于2%,所述 A与所述D的差值的绝对值小于2%,所述C与所述D的差值的绝对值小于2%。
在本发明的一些实施例中,所述透光显示区靠近所述第一子过渡区的边界为弧形边界,所述第一子过渡区靠近所述第二子过渡区的边界包括两相对的第一弧形边界,所述第二子过渡区靠近所述主显示区的边界包括两相对的第二弧形边界,所述第一弧形边界的曲率小于所述第二弧形边界的曲率。
在本发明的一些实施例中,所述第二反射部的图案、所述第一反射部的图案、所述第三反射部的图案、所述第四反射部的图案均相同或相似。
在本发明的一些实施例中,多个所述第二反射部等间距分布,多个所述第一反射部等间距分布,多个所述第三反射部等间距分布,多个所述第四反射部等间距分布。
在本发明的一些实施例中,所述反射件设置于所述第一像素与所述第一像素驱动电路之间以及所述第二像素与所述第二像素驱动电路之间,至少部分所述第二反射部电性连接所述第一像素驱动电路与所述第一像素,至少部分所述第一反射部电性连接所述第二像素驱动电路与所述第二像素。
在本发明的一些实施例中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路包括:第一金属层,包括所述第一像素驱动电路的源极和漏极,以及所述第二像素驱动电路的源极和漏极;所述第一像素和所述第二像素包括:阳极层,设置于所述第一金属层上,所述阳极层包括第一阳极和第二阳极;其中,所述反射件设置于所述阳极层和所述第一金属层之间,所述反射件的部分所述第二反射部通电性连接所述第一阳极与所述第一像素驱动电路的源极或漏极,所述反射件的部分所述第一反射部电性连接所述第二阳极与所述第二像素驱动电路的源极或漏极。
在本发明的一些实施例中,所述反射件的材料包括层叠的ITO/Ag/ITO复合膜层、层叠的Ti/Al/Ti复合膜层、钼金属层中的任意一种。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示面板和感光元件,所述感光元件与所述显示面板的透光显示区对应设置。
本发明的有益效果为:通过在显示面板的过渡显示区的像素驱动电路岛上设置多个第一反射部,能够使得主显示区和过渡显示区的像素驱动电路岛处的反射率趋于一致,从而提高显示面板的显示均一性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的平面示意图;
图2为本发明实施例提供的过渡显示区与主显示区交界处的像素排布示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的局部放大示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的过渡显示区的结构示意图;
图5为图3中C-C处的剖面示意图;
图6为第二反射部和第一反射部的密度优化前的模拟显示图;
图7为第二反射部和第一反射部的密度优化后的模拟显示图。
具体实施方式
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参阅图1,本发明实施例提供一种显示面板100,包括主显示区103、透光显示区101以及过渡显示区102,所述过渡显示区102设于所述透光显示区 101和所述主显示区103之间,所述主显示区103用于常规显示,所述透光显示区101在实现显示的同时具有高的透明度,以使得光线透过,因此所述主显示区103的面积远远大于所述透光显示区101的面积。
在本发明的实施例中,所述透光显示区101的形状为圆形,在其他实施例中,所述透光显示区101还可为方形、菱形、椭圆形等其他形状。所述过渡显示区102环绕所述透光显示区101,所述主显示区103环绕所述过渡显示区102,所述过渡显示区102的形状为环形,具体可为圆环形,在其他实施例中,所述过渡显示区还可为方环形、椭圆环形。
请参阅图2,图2为过渡显示区和主显示区交界处的像素排布示意图。所述显示面板100包括多个第一像素11、多个第二像素12。其中,所述第一像素 11位于所述主显示区103,所述第二像素12位于所述过渡显示区102和所述透光显示区101。任一所述第一像素11包括第一红色子像素11a、第一绿色子像素11b、第一蓝色子像素11c,任一所述第二像素12包括第二红色子像素12a、第二绿色子像素12b、第二蓝色子像素12c。
所述主显示区103设置有多个第一像素重复单元103A,所述过渡显示区 102和所述透光显示区101设置有多个第二像素重复单元102C。在相同面积内,所述主显示区103包含的第一像素重复单元103A的数量与所述过渡显示区102 和所述透光显示区101包含的所述第二像素重复单元102C的数量相等,即所述主显示区103和所述过渡显示区102以及所述透光显示区101具有相同的像素密度(Pixel Per Inch,PPI),能够降低所述主显示区103的显示画面与所述过渡显示区102和所述透光显示区101的显示画面的整体显示差异。
所述第一像素重复单元103A和第二像素重复单元102C的排布方式相同,排布方式包括各个子像素的排布规律、排布距离等。所述第一像素重复单元 103A和所述第二像素重复单元102C均采用pentile的排列方式,以所述第一像素重复单元103A为例,所述第一像素重复单元103A采用4×4的矩阵排列方式,相邻行的子像素错位排列,相邻列的子像素错位排列,所述第一像素重复单元103A包括两个第一红色子像素11a、四个第一绿色子像素11b、两个第一蓝色子像素11c,第一红色子像素11a和第一蓝色子像素11c位于同行且依次交替分布,第一绿色子像素11b和第一红色子像素11a、第一蓝色子像素11c呈交替行排布。
进一步地,所述显示面板还包括驱动多个所述第一像素11发光的多个第一像素驱动电路、用于驱动所述第二像素12发光的多个第二像素驱动电路,所述多个第一像素驱动电路位于所述主显示区103,所述多个第二像素驱动电路位于所述过渡显示区102。为了提高透光显示区101的透光度,将驱动透光显示区101内的像素的驱动电路置于过渡显示区102内,因此过渡显示区102内的一部分第二像素驱动电路是驱动透光显示区101内的像素发光的,一部分第二像素驱动电路是驱动过渡显示区102内的像素发光的,这就导致过渡显示区102 的驱动电路所在区域的金属密度与主显示区103内的金属密度差异较大,进而导致显示面板100在显示画面时,过渡显示区102会显示圆环。请参阅图4,本发明实施例通过在主显示区103内和过渡显示区102内设置反射件13,通过控制反射件在过渡显示区102和主显示区103的密度分布来使得过渡显示区 102与主显示区103的反射率趋于一致,使得整体的显示区亮度趋于一致。
所述主显示区103的各个子像素的开口面积大于所述过渡显示区102和所述透光显示区101的对应的子像素的开口面积,所述过渡显示区102的开口面积设计的较小,可以为驱动电路的布置提供更大的容纳空间。
请参阅图3和图4,所述过渡显示区102的多个第二像素驱动电路集中,形成多个驱动电路岛1021。所述反射件13包括位于所述驱动电路岛1021上的多个第一反射部131、位于所述主显示区103的第二反射部132,所述第二反射部132的单位面积占比为A,第一反射部131的单位面积占比为B,发明人发现通过调整第一反射部131和第二反射部132之间的单位面积占比的差异,使得所述A与所述B的差值的绝对值小于或等于11.29%时,能够大幅度减小驱动电路岛1021和主显示区103之间的反射率差异,使得所述过渡显示区与所述主显示区之间的亮度差异的百分比小于或等于0.5%,在此亮度差异下,可以达到显示均一的效果。亮度差异的百分比计算公式为:|(主显示区域的亮度/驱动电路岛所在区域的亮度)-1|。
请参阅图3和图4,进一步地,在本发明的实施例中,所述过渡显示区102 包括第一子过渡区102A和第二子过渡区102B,所述第一子过渡区102A设置于所述第二子过渡区102B与所述透光显示区101之间,所述第二子过渡区102B 设置于所述主显示区103和所述第一子过渡区102A之间。
所述第二子过渡区102B还包括驱动电路岛区和非驱动电路岛区,所述驱动电路岛区用于放置多个所述驱动电路岛1021,所述非驱动电路岛区为第二子过渡区102B的驱动电路岛1021之间的区域,所述非驱动电路岛区设置有连接第二像素驱动电路的第一走线,所述第一走线可为扫描线等,所述第一走线可为直线或折线等。所述第一子过渡区102A内设有多条第二走线1022,例如数据线、VDD走线等,用于连接同列的第二像素驱动电路。
一个所述第二像素驱动电路可驱动所述过渡显示区102和所述透光显示区 101内的多个颜色相同的子像素,以减少驱动电路岛1021占用的空间。例如,两个第二红色子像素12a可由同一个第二像素驱动电路驱动,四个第二绿色子像素12b可由同一个第二像素驱动电路驱动,两个第二蓝色子像素12c可由同一个第二像素驱动电路驱动。
相比于所述第二子过渡区102B,所述第一子过渡区102A更靠近于所述主显示区103设置,可避免第一子过渡区102A内的第二走线1022绕线过长。
在本发明的实施例中,所述透光显示区101靠近所述第一子过渡区102A 的边界为弧形边界,具体可为圆弧形边界或椭圆弧形边界;所述第一子过渡区102A靠近所述第二子过渡区102B的边界包括两相对的第一弧形边界,所述第二子过渡区102B靠近所述主显示区103的边界包括两相对的第二弧形边界,所述第一弧形边界的曲率小于所述第二弧形边界的曲率。
请参阅图4,所述第二子过渡区102B内的多个所述第二像素驱动电路形成用于驱动多个所述第二像素12的多个驱动电路岛1021,任一所述驱动电路岛 1021上设有多个第二像素驱动电路,多个驱动电路岛1021环绕所述第一子过渡区102A,所述驱动电路岛1021的形状可为条形。多个所述驱动电路岛1021 包括第一组驱动电路岛1021A和第二组驱动电路岛1021B。每一第二走线1022 对应连接所述第一组驱动电路岛1021A中的一个驱动电路岛1021和所述第二组驱动电路岛1021B中的一个驱动电路岛1021。
进一步地,所述第一组驱动电路岛1021A和所述第二组驱动电路岛1021B 关于对称轴AA对称,所述第一组驱动电路岛1021A关于对称轴BB对称,所述第二组驱动电路岛1021B关于对称轴BB对称。
请参阅图4,所述反射件13包括多个第二反射部132、多个第一反射部131、多个第三反射部133,以及多个第四反射部134,多个所述第二反射部132位于所述主显示区103,多个所述第一反射部131位于多个所述驱动电路岛1021上,多个所述第三反射部133位于多个所述驱动电路岛1021之间的非驱动岛区域,所述第四反射部134位于所述第一子过渡区102A。通过在不同区域设置反射部,调节各个区域的反射部的占比差异,可使得不同区域的整体反射率趋于一致,在显示时达到无明显分界的效果。
在本发明的一些实施例中,所述第二反射部132的单位面积占比为A,所述第一反射部131的单位面积占比为B,所述A与所述B的差值大于0且小于或等于11.29%。在此取值范围内,可使得驱动电路岛区与主显示区之间的亮度差异的百分比小于0.5%,使得所述过渡显示区102与主显示区103之间在显示时无明显的分界现象。
进一步地,所述第三反射部133的单位面积占比、所述第四反射部134的单位面积占比以及所述第二反射部132的单位面积占比尽可能的保持相近甚至相等,以使得第一子过渡区102A、第二子过渡区102B与所述主显示区103显示的亮度趋于一致,以改善显示效果。
具体地,所述第三反射部的单位面积占比为C,所述A与所述C的差值的绝对值小于2%;所述第四反射部的单位面积占比为D,所述A与所述D的差值的绝对值小于2%;所述第三反射部的单位面积占比为C,所述C与所述D 的差值的绝对值小于2%,在此范围内,可使得非驱动岛区、第一子过渡区、所述透光显示区与主显示区之间的亮度差异的百分比均小于0.5%。亮度差异的百分比公式与上述提及的公式相同为:|(主显示区的亮度/CUP区的亮度)-1|, CUP区指的是非驱动岛区、第一子过渡区、所述透光显示区中的任意一者。
本实施例中提及的面积指的是各个部件在衬底上的正投影面积,本实施例中提及的单位面积占比指的是在一个像素重复单元区域的反射部的面积与一个像素重复单元的面积的比值。例如第二反射部132的单位面积占比等于一个第一像素重复单元103A区域的第二反射部132的面积与一个第一像素重复单元 103A的面积的比值,第一反射部131的单位面积占比等于一个第二像素重复单元102C区域的第一反射部131的面积与一个第二像素重复单元102C的面积的比值。请参阅图2,像素重复单元的面积占比可以一个像素重复单元的外围的子像素的中心点的依次连线所形成的闭合区域所占的面积来计算,第一像素重复单元103A所占的面积与第二像素重复单元102C所占的面积相同。
在本发明的一些实施例中,所述第二反射部132的图案、所述第一反射部 131的图案、所述第三反射部133的图案、所述第四反射部134的图案均相同或相似。将各个反射部的图案设计得趋于相同,可使得在各个反射部制备在同一层时,可通过同一道阵列工艺形成。图案“相似”指的是在图案具有微小差异时,不影响图案的反射率。
多个所述第二反射部132等间距分布,多个所述第一反射部131等间距分布,多个所述第三反射部133等间距分布,多个所述第四反射部134等间距分布。
本发明实施例中的所述显示面板100可为OLED显示面板,在其他实施例中所述显示面板还可为Micro-LED显示面板、Mini-LED显示面板等。
请参阅图5,图5为图3中的C-C剖面示意图,所述反射件13设置于所述第一像素11与所述第一像素驱动电路14之间以及所述第二像素12与所述第二像素驱动电路15之间,至少部分所述第二反射部132电性连接所述第一像素驱动电路14与所述第一像素11,起到桥接线的作用,至少部分所述第一反射部 131电性连接所述第二像素驱动电路15与所述第二像素12,起到桥接线的作用。即所述反射件13在起到调节各个区域的反射率的同时,也能起到连接电性桥接其他膜层的作用。
所述反射件13为图案化的导电金属,所述反射件13可为层叠的 ITO/Ag/ITO或者层叠的Ti/Al/Ti等复合金属导电层,也可为Mo等单层金属导电层。所述反射件13的各个反射部的形状可为方形、菱形、圆形、椭圆形、条形或其他形状。
请参阅图5,所述第一像素驱动电路14和所述第二像素驱动电路15包括第一金属层140,所述第一金属层140包括所述第一像素驱动电路14的源极和漏极,以及所述第二像素驱动电路15的源极和漏极。所述第一像素11和所述第二像素12包括设置于第一金属层140上的阳极层,所述阳极层包括第一阳极 111和第二阳极121;其中,所述反射件13设置于所述阳极层和所述第一金属层140之间,所述反射件13的部分所述第二反射部132电性连接所述第一阳极 111与所述第一像素驱动电路14的源极或漏极,所述反射件13的部分所述第一反射部131电性连接所述第二阳极121与所述第二像素驱动电路15的源极或漏极。
具体地,请参阅图5,所述显示面板100包括衬底10、设置于所述衬底10 一侧的有源层110、设置于有源层110背离所述衬底10一侧的第二金属层120、设置于所述第二金属层120背离所述有源层110一侧的第三金属层130、设置于所述第三金属层130背离所述第二金属层120一侧的第一金属层140、设置于所述第一金属层140背离所述第三金属层130一侧的第一平坦层70、设置于所述第一平坦层70背离所述第一金属层140一侧的反射件13、设置于所述反射件13背离所述第一平坦层70一侧的第二平坦层80、设置于所述第二平坦层 80背离所述反射件13一侧的发光器件层,以及设置于所述第二平坦层80背离所述反射件13一侧的像素定义层90。
此外,所述有源层110与所述衬底10之间还可设置层叠的阻挡层20和缓冲层30,所述缓冲层30设置于所述阻挡层20背离所述衬底10的一侧,所述第二金属层120与所述有源层110之间设置有第一绝缘层40,所述第三金属层130与所述第二金属层120之间设置有第二绝缘层50,所述第一金属层140与所述第三金属层130之间设置有第三绝缘层60。
在上述实施例中,所述反射件13设置于像素驱动电路(第一像素驱动电路 14、第二像素驱动电路15)膜层与发光器件层(第一像素11、第二像素12) 之间。在其他实施例中,所述反射件13可与第一金属层140同层设置,所述反射件13还可与发光器件层的阳极同层设置。所述反射件13还可分不同的膜层层叠设置,一部分设置于某一膜层,另一部分设置于另一膜层。
在本发明的实施例中,所述第一像素驱动电路14可为7T1C架构,即包括七个不同功能的薄膜晶体管以及一存储电容,所述第二像素驱动电路15可为 7T1C架构或2T1C结构,本发明实施例中提及的像素驱动电路的薄膜晶体管可为低温多晶硅薄膜晶体管,在其他实施例中也可为非晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管。
所述有源层110为图案化的低温多晶硅层,用于形成各个薄膜晶体管的半导体层,所述第二金属层120为图案化的金属,用于形成所述第一像素驱动电路14的薄膜晶体管的栅极、所述第二像素驱动电路15的薄膜晶体管的栅极以及其他信号线,如扫描线;所述第三金属层130为图案化的金属,至少用于形成所述第一像素驱动电路14的电容的电极板、所述第二像素驱动电路15的电容的电极板;所述第一金属层140为图案化的金属,至少用于形成所述第一像素驱动电路14的源极和漏极,以及所述第二像素驱动电路15的源极和漏极,还用于形成其他信号走线,如数据线、电源信号线等。
所述发光器件层可为有机电致发光二极管器件,用于形成各个子像素,所述发光器件层包括依次堆叠的阳极层、发光材料功能层以及阴极,所述阳极层为图案化结构,包括位于所述主显示区103的第一阳极111和第二阳极121,所述第二阳极121自所述透光显示区101延伸至所述第二子过渡区102B以与所述第二子过渡区102B内的对应的第二像素驱动电路15电性连接。
所述反射件13的部分所述第二反射部132通过相应的过孔电性连接所述发光器件层的第一阳极111与所述第一像素驱动电路14的源极或漏极,以实现第一像素驱动电路14与第一像素11的电性连接,所述反射件13的部分所述第一反射部131通过相应的过孔电性连接所述发光器件层的第二阳极121与所述第二像素驱动电路15的源极或漏极,以实现第二像素驱动电路15与第二像素12 的电性连接。
请参阅图6,图6为第二反射部和第一反射部的密度优化前的模拟显示图,在优化前,各个数据为:位于主显示区103的第二反射部132的单位面积占比为55.49%,位于第二子过渡区102B的驱动电路岛区的第一反射部131的单位面积占比为36.99%,位于第二子过渡区102B的非驱动岛区的第三反射部133 的单位面积占比为36.99%,位于第一子过渡区102A的第四反射部134的单位面积占比为36.99%。从图6中可以看出,第一子过渡区102A、第二子过渡区 102B与主显示区103之间的圆环现象较为严重,过渡显示区102的显示异常。
请参阅图7,图7为第二反射部和第一反射部的密度优化后的模拟显示图,优化后,各个数据为:位于主显示区103的第二反射部132的单位面积占比为 54.78%,位于第二子过渡区102B的驱动电路岛区的第一反射部131的单位面积占比为43.49%,位于第二子过渡区102B的非驱动电路岛区的第三反射部133 的单位面积占比为54.78%,位于第一子过渡区102A的第四反射部134的单位面积占比为54.78%,且在上述数据的实验中,发明人实测得到的各个区域前后的亮度差异的百分比均在5%以内,过渡显示区102与主显示区的显示亮度趋于一致。做了图5与图4的显示面板除了各个反射部的单位面积占比不同以外,其他结构以及其他在进行实验论证过程中的实验条件及测量仪器均保持一致,市面上能买到的精密仪器对亮度测量的影响不大,即可忽略精密仪器的种类不同的因素影响。上述两个实验均是在255灰阶条件下显示的画面。
本申请实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示面板100和感光元件,所述感光元件与所述显示面板100的透光显示区101对应设置,所述透光元件可设置于衬底10背离所述发光器件层的一侧。所述感光元件可为摄像头,还可为其他需要内置于显示区域的感光元件。
通过至少在过渡显示区的像素驱动电路岛上设置多个第一反射部,以及在显示面板的主显示区上设置多个第二反射部,能够使得主显示区和驱动电路岛区的反射率趋于一致,从而提高显示面板的显示均一性。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示面板,包括主显示区、透光显示区及过渡显示区,所述过渡显示区设于所述主显示区和所述透光显示区之间,其特征在于,所述显示面板包括:
多个第一像素,位于所述主显示区;
多个第二像素,位于所述透光显示区和所述过渡显示区;
多个第一像素驱动电路,位于所述主显示区且用于驱动多个所述第一像素;
多个第二像素驱动电路,位于所述过渡显示区且形成用于驱动多个所述第二像素的多个驱动电路岛;以及
反射件,包括位于所述驱动电路岛上的多个第一反射部。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射件还包括位于所述主显示区的多个第二反射部,所述第二反射部的单位面积占比为A,第一反射部的单位面积占比为B,所述A与所述B的差值的绝对值小于或等于11.29%。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述过渡显示区与所述主显示区之间的亮度差异的百分比小于0.5%。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述过渡显示区包括第一子过渡区和第二子过渡区,所述第一子过渡区设置于所述第二子过渡区与所述透光显示区之间,所述第二子过渡区设置于所述主显示区和所述第一子过渡区之间,所述第二子过渡区包括用于设置多个所述驱动电路岛的驱动电路岛区、以及位于所述驱动电路岛之间的非驱动电路岛区;其中,
所述反射件还包括位于非驱动电路岛区的多个第三反射部以及位于所述第一子过渡区的多个第四反射部,所述第三反射部的单位面积占比为C,所述第四反射部的单位面积占比为D,所述A与所述C的差值的绝对值小于2%,所述A与所述D的差值的绝对值小于2%,所述C与所述D的差值的绝对值小于2%。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述透光显示区靠近所述第一子过渡区的边界为弧形边界,所述第一子过渡区靠近所述第二子过渡区的边界包括两相对的第一弧形边界,所述第二子过渡区靠近所述主显示区的边界包括两相对的第二弧形边界,所述第一弧形边界的曲率小于所述第二弧形边界的曲率。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二反射部的图案、所述第一反射部的图案、所述第三反射部的图案、所述第四反射部的图案均相同或相似。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,多个所述第二反射部等间距分布,多个所述第一反射部等间距分布,多个所述第三反射部等间距分布,多个所述第四反射部等间距分布。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述反射件设置于所述第一像素与所述第一像素驱动电路之间以及所述第二像素与所述第二像素驱动电路之间,至少部分所述第二反射部电性连接所述第一像素驱动电路与所述第一像素,至少部分所述第一反射部电性连接所述第二像素驱动电路与所述第二像素。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路包括:第一金属层,包括所述第一像素驱动电路的源极和漏极,以及所述第二像素驱动电路的源极和漏极;
所述第一像素和所述第二像素包括:阳极层,设置于所述第一金属层上,所述阳极层包括形成第一阳极和第二阳极;其中,
所述反射件设置于所述阳极层和所述第一金属层之间,所述反射件的部分所述第二反射部电性连接所述第一阳极与所述第一像素驱动电路的源极或漏极,所述反射件的部分所述第一反射部电性连接所述第二阳极与所述第二像素驱动电路的源极或漏极。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射件的材料包括层叠的ITO/Ag/ITO复合膜层、层叠的Ti/Al/Ti复合膜层、钼金属层中的任意一种。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~10任一项所述的显示面板和感光元件,所述感光元件与所述显示面板的透光显示区对应设置。
CN202110956604.3A 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置 Active CN113823665B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211596518.7A CN115768168A (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置
CN202110956604.3A CN113823665B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置
PCT/CN2021/116829 WO2023019653A1 (zh) 2021-08-19 2021-09-07 显示面板及显示装置
US17/605,067 US20240055435A1 (en) 2021-08-19 2021-09-07 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110956604.3A CN113823665B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211596518.7A Division CN115768168A (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113823665A true CN113823665A (zh) 2021-12-21
CN113823665B CN113823665B (zh) 2022-12-23

Family

ID=78922797

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110956604.3A Active CN113823665B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置
CN202211596518.7A Pending CN115768168A (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211596518.7A Pending CN115768168A (zh) 2021-08-19 2021-08-19 显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240055435A1 (zh)
CN (2) CN113823665B (zh)
WO (1) WO2023019653A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114512520A (zh) * 2022-02-07 2022-05-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885876A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN113066842A (zh) * 2021-03-23 2021-07-02 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113178140A (zh) * 2021-04-27 2021-07-27 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3525064B1 (en) * 2018-02-12 2022-07-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
CN111028692A (zh) * 2019-12-26 2020-04-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111833754B (zh) * 2020-04-27 2021-10-22 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置
CN213878097U (zh) * 2020-11-05 2021-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备
CN112259596A (zh) * 2020-11-05 2021-01-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备
CN112102783B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备
CN113140609B (zh) * 2021-04-20 2022-10-04 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885876A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN113066842A (zh) * 2021-03-23 2021-07-02 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113178140A (zh) * 2021-04-27 2021-07-27 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114512520A (zh) * 2022-02-07 2022-05-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114512520B (zh) * 2022-02-07 2024-01-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023019653A1 (zh) 2023-02-23
CN113823665B (zh) 2022-12-23
CN115768168A (zh) 2023-03-07
US20240055435A1 (en) 2024-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110783384B (zh) 显示面板及显示装置
US6714268B2 (en) Pixel structure of a sunlight readable display
US11610943B2 (en) Display panel with pixel islands and microlens layer and manufacturing method thereof
US10692940B2 (en) Pixel structure and display panel having the same
CN108666345B (zh) 有机发光显示设备
CN110767733B (zh) 一种显示面板和显示装置
KR100642491B1 (ko) 유기전계발광 소자
US20220383811A1 (en) Display substrate and preparation method thereof, display panel, and display device
US20230371324A1 (en) Display panel and display device
US9312310B2 (en) Display panel, fabricating method thereof and display device
CN110491927B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN103633114A (zh) 双面发光式显示面板
CN112885876B (zh) 显示装置
CN210129515U (zh) 显示面板及显示装置
CN110634922A (zh) 一种显示面板和显示装置
US20230380242A1 (en) Display device
KR101652016B1 (ko) 표시소자
CN113823665B (zh) 显示面板及显示装置
CN113053964B (zh) 显示装置、显示面板及其驱动方法
CN112490277A (zh) 显示面板
KR101291797B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
CN112771674B (zh) 电子装置基板及其制作方法、电子装置
KR20120042066A (ko) 유기 발광 표시 장치
WO2022252001A9 (zh) 阵列基板、显示面板
WO2023230911A1 (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant