CN113774390A - 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法 - Google Patents

一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113774390A
CN113774390A CN202110924722.6A CN202110924722A CN113774390A CN 113774390 A CN113774390 A CN 113774390A CN 202110924722 A CN202110924722 A CN 202110924722A CN 113774390 A CN113774390 A CN 113774390A
Authority
CN
China
Prior art keywords
water
histidine
cysteine
surfactant
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110924722.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113774390B (zh
Inventor
王溯
马丽
李健华
王真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Xinyang Semiconductor Material Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Xinyang Semiconductor Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Xinyang Semiconductor Material Co Ltd filed Critical Shanghai Xinyang Semiconductor Material Co Ltd
Priority to CN202110924722.6A priority Critical patent/CN113774390B/zh
Publication of CN113774390A publication Critical patent/CN113774390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113774390B publication Critical patent/CN113774390B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/16—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions using inhibitors
    • C23G1/18—Organic inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • C23G1/205—Other heavy metals refractory metals

Abstract

本发明公开了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。

Description

一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。
背景技术
金属材料如铜，铝，钨等是集成电路中常用的导线材料。在制造器件时，化学机械抛光(CMP)成为晶片平坦化的主要技术。金属化学机械抛光液通常含有研磨颗粒、络合剂、金属腐蚀抑制剂、氧化剂等。其中研磨颗粒主要为二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛、高分子研磨颗粒等。在金属CMP工序以后，晶片表面会受到金属离子以及抛光液中研磨颗粒本身的污染，这种污染会对半导体的电气特性以及器件的可靠性产生影响。这些金属离子和研磨颗粒的残留都会影响晶片表面的平坦度，从而可能降低器件的性能影响后续工序或者器件的运行。所以在金属CMP工艺后，去除残留在晶片表面的金属离子、金属腐蚀抑制剂以及研磨颗粒，改善清洗后的晶片表面的亲水性，降低表面缺陷是非常有必要的。
目前CMP后清洗液在开发过程中，清洗液对BTA的清除是一大技术难点。本发明就是在解决这一技术难题的过程中获得的技术成果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中CMP后清洗液难以清除BTA的缺陷，而提供了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
本发明主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的。
本发明提供了一种清洗液，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.01％-25％的强碱、0.01％-30％的醇胺、0.001％-1％的抗氧化物、0.05％-0.2％的表面活性剂、0.01％-0.1％的氨基酸、0.01％-10％的缓蚀剂、0.01％-10％的螯合剂和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸质量比为1：1的组合；所述的表面活性剂为表面活性剂C，其结构为：
Figure BDA0003208834480000021
本发明中，所述的强碱为本领域常规的强碱，优选季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种，更优选为季铵碱。
所述的季铵碱优选为有羟基取代基的季铵碱，更优选为四甲基氢氧化铵、胆碱、四丙基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵和三(2-2-羟乙基)甲基氢氧化铵中的一种或多种。
所述的季鏻碱优选为有羟基取代基的季鏻碱，更优选为四丁基氢氧化膦。
所述的胍类化合物优选为四甲基胍。
本发明中，所述的醇胺为本领域常规的醇胺，优选单乙醇胺。
本发明中，所述的抗氧化物为本领域常规的抗氧化物，优选抗坏血酸。
本发明中，所述的缓蚀剂为本领域常规的缓蚀剂，优选2-巯基苯并噻唑。
本发明中，所述的螯合剂为本领域常规的螯合剂，优选丙二酸。
本发明中，所述的强碱质量分数优选为1％-30％，更优选为5％-20％，例如20％。
本发明中，所述的醇胺质量分数优选为1％-10％，更优选为5％-8％，例如8％。
本发明中，所述的抗氧化物质量分数优选为0.002％-0.1％，更优选为0.005％-0.01％，例如0.01％。
本发明中，所述的表面活性剂质量分数优选为0.05％-0.1％，更优选为0.05％-0.075％，例如0.05％、0.075％、0.1％或0.2％。
本发明中，所述的氨基酸的质量分数优选为0.01％-0.05％，更优选为0.01％-0.02％，例如0.02％。
本发明中，所述的缓蚀剂质量分数优选为0.1％-1％，更优选为0.5％-0.8％，例如0.8％。
本发明中，所述的螯合剂质量分数优选为0.1％-1％，更优选为0.3％-0.9％，例如0.9％。
较佳地，所述清洗液的原料由所述的强碱、所述的醇胺、所述的抗氧化物、所述的表面活性剂、所述的氨基酸、所述的缓蚀剂、所述的螯合剂和水组成，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％。
本发明某一优选方案中，所述清洗液的原料可由下列任一方案所示的组分组成：
方案1：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案2：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.1％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案3：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.05％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案4：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.2％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案5：20％的胆碱、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案6：20％的四丙基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案7：20％的(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案8：20％的三(2-2-羟乙基)甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案9：20％的四丁基氢氧化膦、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案10：20％的四甲基胍、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1。
本发明还提供了如前所述清洗液的制备方法，其包括下列步骤：将所述清洗液的原料混合，即可。
所述制备方法中，所述的混合的温度优选为室温，例如为20到35℃。
本发明还提供了一种所述的清洗液在清洗化学机械抛光后的半导体器件中的应用。较佳地，所述半导体器件优选铜基芯片、钴基芯片和钨基芯片中的一种或多种，例如铜基芯片。
在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于：本发明清洗液具有更好地清除BTA的效果。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
下述实施例和对比例中，清洗液的制备方法包括下列步骤：将对应的原料混合，即可。
下述实施例中，未限定具体操作温度的，均是指在室温条件下进行。
表1和表3中的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸组合；
50％组氨酸+50％半胱氨酸指组氨酸和半胱氨酸质量比为1:1；
70％组氨酸+30％半胱氨酸指组氨酸和半胱氨酸质量比为7:3；
30％组氨酸+70％半胱氨酸指组氨酸和半胱氨酸质量比为3:7。
将表1，3中的原料组分分别按表2，4中的质量分数混合均匀，用水补足余量至100％。
以下表1和表3中，各实施例中的组分种类还包括水。
表1：实施例清洗液中各原料组分
Figure BDA0003208834480000051
Figure BDA0003208834480000061
表2实施例清洗液中各原料组分的质量分数
Figure BDA0003208834480000062
Figure BDA0003208834480000071
表3：对比例清洗液中各原料组分
Figure BDA0003208834480000072
Figure BDA0003208834480000081
表面活性剂A的结构式为：
Figure BDA0003208834480000082
表面活性剂B的结构式为：
Figure BDA0003208834480000083
表面活性剂D的结构式为：
Figure BDA0003208834480000084
表4对比例清洗液中各原料组分的质量分数
Figure BDA0003208834480000085
Figure BDA0003208834480000091
表2和表4中的“余量”为各实施例中，100％减去除水之外其它组分的质量百分比。
效果实施例1-10及效果对比例1-10：清洗液的性能测试
一、铜晶片的准备：
1、前处理：对8寸电镀Cu后晶圆(镀铜厚度约1um)，采用10％H2SO4在25℃处理2min；
2、纯水清洗后氮气吹干；
二、抛光：
抛光机台为8”Mirra，抛光盘及抛光头转速93/87rpm，抛光液流速150ml/min，铜抛光所用抛光垫为IC1010，阻挡层抛光所用抛光垫为Fujibo H7000。铜抛光液为AEP U3000，阻挡层抛光液为TCU2000H4。将准备好的铜晶片进行抛光处理。
三、BTA去除能力
检测方法1：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；用1+1硝酸溶液浸泡铜片25℃处理2min后采用表面轮廓仪测试铜厚度；
3、纯水清洗后氮气吹干；
4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；
5、BTA的去除：分别用不同的清洗液浸泡长BTA膜的铜片(25℃浸泡1min)，采用轮廓仪测量厚度来表征BTA的去除效果。
检测方法2：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；后测试去离子水的接触角；
3、纯水清洗后氮气吹干；
4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；测试去离子水的接触角；
5、BTA的去除：用清洗液浸泡长BTA膜后的铜片(25℃浸泡2min)，测试去离子水的接触角。
BTA膜具有一定的疏水性，通过第5步减去第2步测得的接触角的差值来表征BTA是否完全去除。如果差值越大且为正值，说明BTA残留越多。
表5：实施例1-10及对比例1-10性能测试
Figure BDA0003208834480000101
Figure BDA0003208834480000111
实施例1-10中BTA的残留厚度范围在-2-4nm，接触角的变化范围在1-5；对比例1-10中BTA的残留厚度范围在6-10nm，接触角的变化范围在6-10。实施例相比于对比例的效果更好，说明本发明清洗液的BTA清除能力更强。

Claims (10)

1.一种清洗液，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.01％-25％的强碱、0.01％-30％的醇胺、0.001％-1％的抗氧化物、0.05％-0.2％的表面活性剂、0.01％-0.1％的氨基酸、0.01％-10％的缓蚀剂、0.01％-10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸质量比为1：1的组合；所述的表面活性剂为表面活性剂C，其结构为：
Figure FDA0003208834470000011
n＝14。
2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；
和/或，所述的醇胺为单乙醇胺；
和/或，所述的抗氧化物为抗坏血酸；
和/或，所述的缓蚀剂2-巯基苯并噻唑；
和/或，所述的螯合剂为丙二酸。
3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述的季铵碱为有羟基取代基的季铵碱；
和/或，所述的季鏻碱为有羟基取代基的季鏻碱；
和/或，所述的胍类化合物为四甲基胍。
4.如权利要求3所述的清洗液，其特征在于，所述的有羟基取代基的季铵碱为四甲基氢氧化铵、胆碱、四丙基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵和三(2-2-羟乙基)甲基氢氧化铵中的一种或多种；
和/或，所述的有羟基取代基的季鏻碱为四丁基氢氧化膦。
5.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的强碱的质量分数为1％-30％；
和/或，所述的醇胺质量分数为1％-10％；
和/或，所述的抗氧化物质量分数为0.002％-0.1％；
和/或，所述的表面活性剂质量分数为0.05％-0.1％；
和/或，所述的氨基酸质量分数为0.01％-0.05％；
和/或，所述的缓蚀剂质量分数为0.1％-1％；
和/或，所述的螯合剂质量分数为0.1％-1％。
6.如权利要求5所述的清洗液，其特征在于，所述的强碱的质量分数为5％-20％；
和/或，所述的醇胺的质量分数为5％-8％；
和/或，所述的抗氧化物的质量分数为0.005％-0.01％；
和/或，所述的表面活性剂的质量分数为0.05％-0.075％；
和/或，所述的氨基酸的质量分数为0.01％-0.02％；
和/或，所述的缓蚀剂的质量分数为0.5％-0.8％；
和/或，所述的螯合剂的质量分数为0.3％-0.9％。
7.如权利要求1-6任一项所述的清洗液，其特征在于，其由下述原料制得，所述的原料由所述的强碱、所述的醇胺、所述的抗氧化物、所述的表面活性剂、所述的氨基酸、所述的缓蚀剂、所述的螯合剂和水组成，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％。
8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液的原料由下列任一方案所示的组分组成：
方案1：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案2：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.1％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案3：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.05％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案4：20％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.2％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案5：20％的胆碱、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案6：20％的四丙基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案7：20％的(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案8：20％的三(2-2-羟乙基)甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案9：20％的四丁基氢氧化膦、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1；
方案10：20％的四甲基胍、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.075％的表面活性剂C、0.02％的组氨酸和半胱氨酸的组合、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸和水，其中水补足余量，各组分质量分数之和为100％；组氨酸和半胱氨酸的质量比为1:1。
9.一种如权利要求1-8任一项所述清洗液的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述的混合的温度为20到35℃。
CN202110924722.6A 2021-08-12 2021-08-12 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法 Active CN113774390B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110924722.6A CN113774390B (zh) 2021-08-12 2021-08-12 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110924722.6A CN113774390B (zh) 2021-08-12 2021-08-12 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113774390A true CN113774390A (zh) 2021-12-10
CN113774390B CN113774390B (zh) 2023-08-04

Family

ID=78837487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110924722.6A Active CN113774390B (zh) 2021-08-12 2021-08-12 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113774390B (zh)

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222932A (zh) * 1996-04-23 1999-07-14 Rwe-Dea石油化学股份有限公司 阴离子双连表面活性剂在洗涤剂、清洗剂和护肤剂配方中的应用
US20010004633A1 (en) * 1999-11-16 2001-06-21 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US20010025017A1 (en) * 2000-02-29 2001-09-27 Masahiro Amemiya Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof
CN1411364A (zh) * 1999-11-12 2003-04-16 宝洁公司 具有表面调理功效的口腔组合物
US20030224958A1 (en) * 2002-05-29 2003-12-04 Andreas Michael T. Solutions for cleaning polished aluminum-containing layers
CN1680626A (zh) * 2004-04-09 2005-10-12 上海月旭半导体科技有限公司 半导体芯片化学机械研磨后清洗液
WO2006082951A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Nihon Parkerizing Co., Ltd. 水系金属材料表面処理剤、表面処理方法及び表面処理金属材料
WO2006127885A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 Advanced Technology Materials, Inc. Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US20070270085A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Ryo Ota Chemical mechanical polishing slurry, cmp process and electronic device process
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US20140264151A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Cabot Microelectronics Corporation Aqueous cleaning composition for post copper chemical mechanical planarization
WO2014176193A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
CN104619320A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 宝丽制药股份有限公司 含有卢立康唑的药物组合物
WO2015116818A1 (en) * 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
CN105696008A (zh) * 2016-02-18 2016-06-22 东莞市伟思化学科技有限公司 一种五金产品超声波水基清洗液及其制备方法
CN112708409A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 中国石油化工股份有限公司 含酰胺基聚醚阳离子表面活性剂的组合物及其制备和应用
CN113186539A (zh) * 2021-04-27 2021-07-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法
CN113201742A (zh) * 2021-04-27 2021-08-03 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种化学机械抛光后清洗液的应用

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222932A (zh) * 1996-04-23 1999-07-14 Rwe-Dea石油化学股份有限公司 阴离子双连表面活性剂在洗涤剂、清洗剂和护肤剂配方中的应用
CN1411364A (zh) * 1999-11-12 2003-04-16 宝洁公司 具有表面调理功效的口腔组合物
US20010004633A1 (en) * 1999-11-16 2001-06-21 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US20010025017A1 (en) * 2000-02-29 2001-09-27 Masahiro Amemiya Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof
US20030224958A1 (en) * 2002-05-29 2003-12-04 Andreas Michael T. Solutions for cleaning polished aluminum-containing layers
CN1680626A (zh) * 2004-04-09 2005-10-12 上海月旭半导体科技有限公司 半导体芯片化学机械研磨后清洗液
WO2006082951A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Nihon Parkerizing Co., Ltd. 水系金属材料表面処理剤、表面処理方法及び表面処理金属材料
WO2006127885A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 Advanced Technology Materials, Inc. Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US20070270085A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Ryo Ota Chemical mechanical polishing slurry, cmp process and electronic device process
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
CN104619320A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 宝丽制药股份有限公司 含有卢立康唑的药物组合物
US20140264151A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Cabot Microelectronics Corporation Aqueous cleaning composition for post copper chemical mechanical planarization
WO2014176193A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
CN105143517A (zh) * 2013-04-22 2015-12-09 高级技术材料公司 铜清洁和保护配制物
WO2015116818A1 (en) * 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
CN105696008A (zh) * 2016-02-18 2016-06-22 东莞市伟思化学科技有限公司 一种五金产品超声波水基清洗液及其制备方法
CN112708409A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 中国石油化工股份有限公司 含酰胺基聚醚阳离子表面活性剂的组合物及其制备和应用
CN113186539A (zh) * 2021-04-27 2021-07-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法
CN113201742A (zh) * 2021-04-27 2021-08-03 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种化学机械抛光后清洗液的应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN113774390B (zh) 2023-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113186539B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法
EP1888735B1 (en) Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
JP5097640B2 (ja) 化学機械平坦化（ｃｍｐ）後の洗浄組成物
CN113201742B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
KR102314305B1 (ko) 세정용 조성물 및 세정 방법
CN113186036B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
JP2006324639A (ja) 研磨スラリーおよびウエハ再生方法
EP2812422B1 (en) A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol
CN106661518B (zh) 在cmp后使用的清洁组合物及其相关方法
KR20160133565A (ko) 화학 기계 연마용 처리 조성물, 화학 기계 연마 방법 및 세정 방법
CN113249175B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
CN113215584B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的制备方法
CN113774391B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
CN113186543B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法
CN113151838B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液
CN113186540B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液
CN113186541B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
CN113774390B (zh) 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法
CN113774392B (zh) 一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法
CN113789519B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的应用
CN113151837B (zh) 一种化学机械抛光后清洗液的制备方法
JP7333396B2 (ja) 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
CN116836759A (zh) 一种碱性清洗液的应用
CN116814341A (zh) 一种碱性清洗液的制备方法
CN116814340A (zh) 一种碱性清洗液

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant