CN116836759A - 一种碱性清洗液的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种碱性清洗液的应用。本发明的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01‑30％有机碱、0.001‑4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12‑18):1。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。

Description

一种碱性清洗液的应用
技术领域
本发明涉及一种碱性清洗液的应用。
背景技术
在晶圆制造过程中，化学机械抛光(CMP)成为半导体晶片平坦化的主要技术。化学机械抛光液一般由研磨粒子和化学助剂组成，用于在晶圆抛光过程中提供机械作用和化学作用，通过相互协同以达到晶圆表面的精密平坦化。研磨粒子根据用途主要有二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈等研磨粒子等。在化学机械平坦化的研磨过程中，研磨液内的大量细微研磨粒子和化学助剂，以及晶圆磨耗所剥离的碎屑可能会附着于晶圆表面，一般晶圆在研磨后常见的污染物为金属离子、有机化合物或研磨粒子等。若无有效的清洗程序去除上述污染物，则将影响后续制程的进行并降低元件的良率及可靠度。CMP制程中或其后续的清洗程序，已成为能否成功将CMP应用于半导体制程的关键技术。
含有氧化铈研磨粒子的氧化铈研磨液由于氧化铈具有氧化能力而用于浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)工艺中的氧化物平坦化。在通常的浅沟槽隔离(STI)工艺制程中，首先通过利用氮化硅作为掩膜进行淀积和图形化、经刻蚀硅基底步骤后形成浅沟槽，然后在浅沟槽中沉积硅氧化物用于与硅隔离。随后的氧化铈研磨液用于去除多余的氧化硅层并且停留在氮化硅层从而完成晶圆STI工艺步骤的平坦化。
在氧化铈研磨液抛光后的氧化硅和氮化硅表面，除了常见的有机残留物，金属离子以及含硅的研磨副产物外，纳米级的氧化铈粒子通常会很强地吸附在氧化硅和氮化硅表面上。由于氧化铈粒子对晶圆表面的强吸附作用，因此，能够防止CMP后研磨工序中所产生的污染物等再吸附的情况，并且在不损伤半导体晶圆(尤其是氧化硅膜)表面的前提下呈现出优异的清洗能力的CMP后清洗液组合物是本领域技术人员亟待解决的事情。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于为了克服传统的清洗液在CMP后研磨工序中清洗能力较差的问题，而提供了一种碱性清洗液的应用。本发明的碱性清洗液具有如下的一个或多个优点：具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
本发明通过以下技术方案解决上述技术问题。
本发明中提供了一种碱性清洗液的应用，所述的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；
所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01-30％有机碱、0.001-4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12-18):1；
各组分的质量分数为各组分的质量占所述的清洗液中所有组分总质量的质量百分比。
所述的应用中，所述的半导体芯片优选铜互连半导体芯片。
所述的应用中，所述的碱性清洗液的pH可为8-14，例如11-13。
所述的应用中，所述的有机碱与所述的酸的质量比可为(14-16):1，例如15:1。
所述的应用中，所述的有机碱可为本领域清洗液常规的有机碱，优选为有机胺，更优选为四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、单乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、异丁醇胺和四甲基胍中的一种或多种，例如四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种。
所述的应用中，所述的有机碱的质量分数优选为0.5-25％，更优选为1-15％，进一步优选为5-15％，例如15％。
所述的应用中，所述的酸可为本领域清洗液常规的酸，优选为硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亚磷酸、磷酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙二醇酸、水杨酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、邻苯二甲酸、苹果酸、乳酸、甲磺酸、乙磺酸、羟乙基磺酸、酒石酸、柠檬酸、瓜氨酸和氢氟酸中的一种或多种，例如柠檬酸。
所述的应用中，所述的酸的质量分数优选为0.01-4％，更优选为0.1-1％，例如0.8％或1％。
所述的应用中，所述的缓蚀剂可为本领域清洗液常规的缓蚀剂，优选为2-巯基苯并噻唑、邻苯二酚、连苯三酚和5-氨基四唑中的一种或多种，例如2-巯基苯并噻唑。
所述的应用中，所述的缓蚀剂的质量分数可为本领域清洗液常规的质量分数，优选为0.001-5％，更优选为0.01-5％，进一步优选为0.1-3％，例如0.8％。
所述的应用中，所述的螯合剂可为本领域清洗液常规的螯合剂，优选为丙二酸、马来酸、精氨酸和EDTA中的一种或多种，例如丙二酸。
所述的应用中，所述螯合剂质量分数可为本领域清洗液常规的质量分数，优选为0.001-10％，更优选为0.01-2％，进一步优选为0.1-1％，例如0.9％。
所述的应用中，所述的表面活性剂可为如式I所示的炔二醇类非离子型双子表面活性剂，
其中，R1、R2、R1’和R2’独立地为氢、C1-C8烷基、氨基、羟基、缩水甘油基、C2-C6烯基、硅基、C3-C8环烷基、丙烯酰基、未取代或被一个或多个R1-1取代的硅氧基、C6-C10芳基、未取代或被一个或多个R1-2取代的烷氧基或1-丙基异丁烯酸基；
各个R1-1独立地为C1-C4烷基；
各个R1-2独立地为羟基或对甲苯磺酰基。
在某一方案中，各个R1-1中，C1-C4烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或叔丁基。
在某一方案中，R1、R2、R1’和R2’中，C1-C8烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基或异己基，例如甲基、异丁基或异己基。
在某一方案中，R1、R2、R1’和R2’中，C2-C6烯基独立地为乙烯基。
在某一方案中，R1、R2、R1’和R2’中，C3-C8环烷基独立地为环丙基、环丁基、环戊基或环己基。
在某一方案中，R1、R2、R1’和R2’中，C6-C10芳基独立地为苯基或萘基。
所述的应用中，所述的表面活性剂优选为(二甲基辛炔二醇)和/或(四甲基癸炔二醇)。
所述的应用中，所述的表面活性剂的质量分数可为本领域清洗液常规的质量分数，优选为0.001-13％，更优选为0.01-1.5％，进一步优选为0.01-0.1％，例如0.02％。
所述的应用中，所述的水可为去离子水和/或纯水，例如去离子水。
在某一实施技术方案中，所述的应用中，所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：
所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种；
所述的有机碱的质量分数为0.01-30％；
所述的酸为柠檬酸；
所述的酸的质量分数为0.001-4％；
所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12-18):1；
所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
所述的缓蚀剂的质量分数为0.001-5％；
所述的螯合剂为丙二酸；
所述的螯合剂的质量分数为0.001-10％；
所述的表面活性剂为二甲基辛炔二醇和/或四甲基癸炔二醇；
所述的表面活性剂的质量分数为0.001-13％；
所述的水为去离子水，所述的去离子水补足余量。
在某一实施技术方案中，所述的应用中，所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：
所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种；
所述的有机碱的质量分数为15％；
所述的酸为柠檬酸；
所述的酸的质量分数为0.8％或1％；
所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
所述的缓蚀剂的质量分数为0.8％；
所述的螯合剂为丙二酸；
所述的螯合剂的质量分数为0.9％；
所述的表面活性剂为二甲基辛炔二醇和/或四甲基癸炔二醇；
所述的表面活性剂的质量分数为0.02％；
所述的水为去离子水，所述的去离子水补足余量。
在某一优选实施技术方案中，所述的应用中，所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分的任一组合：
组合1：15％四甲基氢氧化铵、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合2：15％四甲基氢氧化铵、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合3：10％四甲基氢氧化铵、5％单乙醇胺、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合4：10％四甲基氢氧化铵、5％单乙醇胺、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合5：15％四乙基氢氧化铵、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合6：15％四乙基氢氧化铵、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合7：10％四乙基氢氧化铵、5％单乙醇胺、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合8：10％四乙基氢氧化铵、5％单乙醇胺、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量。
在某一实施技术方案中，所述的应用中，所述的碱性清洗液的原料由下述质量分数的组分组成：上述的有机碱、上述的酸、上述的缓蚀剂、上述的螯合剂、上述的表面活性剂和上述的水，水补足余量。
本发明中“室温”是指10-30℃。
在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的碱性清洗液具有较好的清洗效果，可以抑制半导体晶圆的损伤，具有较好的BTA清除效果。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
二甲基辛炔二醇的结构为
四甲基癸炔二醇的结构为
下述实施例和对比例中，清洗液的制备方法包括下列步骤：将固体组分加入到液体组分中，并搅拌均匀，即可。
下述实施例中，未限定具体操作温度的，均是指在室温条件下进行。
各实施例清洗液中的各原料组分的种类为如表1所示的原料组分和去离子水。
表1：实施例清洗液中各原料组分的种类
各实施例清洗液中的各原料组分的质量分数如表2所示。
表2：实施例清洗液中各原料组分的质量分数
以下对比例1-4是基于实施例1或实施例5进行的组分的种类或质量分数的筛选。
对比例1
将实施例1中四甲基氢氧化铵质量分数换为40％，柠檬酸质量分数换为5％，其它不变。
对比例2
实施例1不添加二甲基辛炔二醇，其它不变。
对比例3
将实施例5中四乙基氢氧化铵质量分数换为40％，柠檬酸质量分数换为5％，其它不变。
对比例4
实施例5中不添加四甲基癸炔二醇，其它不变。
效果实施例
1、铜晶片的准备：
1.1、前处理：对8寸电镀Cu后晶圆(镀铜厚度约1um)，采用10％硫酸在25℃处理2min；
1.2、纯水清洗后氮气吹干；
2、抛光：
抛光机台为8”Mirra，抛光盘及抛光头转速93/87rpm，抛光液流速150ml/min，铜抛光所用抛光垫为IC1010，阻挡层抛光所用抛光垫为Fujibo H7000。铜抛光液为AEP U3000,阻挡层抛光液为TCU2000H4。将准备好的铜晶片进行抛光处理。
3、ER的检测
测试方法：
3.1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
3.2、采用四点探针仪测量铜晶片的厚度及其电阻率的函数关系，生成回归曲线，并确定铜厚度与电阻率的函数关系，用于计算铜腐蚀速率；
3.3、采用50ml清洗液在25℃下进行浸泡1min进行腐蚀；
3.4、四点探针仪测电阻，然后计算腐蚀前后金属厚度变化，并计算出腐蚀速率。
4、表面腐蚀检测
测试方法：
4.1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
4.2、采用清洗液在25℃下浸泡1min进行腐蚀；
4.3、对腐蚀后铜晶片进行原子力显微镜(AFM)测试，测试其表面粗糙度RMS的变化。
5、清洗能力检测
测试方法：
5.1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
5.2、在清洗液中在25℃下浸泡清洗2min；
5.3、SEM下观察。
6、BTA(苯并三唑)去除能力
6.1、BTA残留厚度(nm)的检测方法：
6.1.1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
6.1.2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；用1+1硝酸溶液浸泡铜片25℃处理2min后采用表面轮廓仪测试铜厚度；
6.1.3、纯水清洗后氮气吹干；
6.1.4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；
6.1.5、BTA的去除：分别用不同的清洗液浸泡长BTA膜的铜片(25℃浸泡1min)，采用轮廓仪测量厚度来表征BTA的去除效果；
6.2、接触角的变化的检测：
6.2.1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
6.2.2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；后测试去离子水的接触角；
6.2.3、纯水清洗后氮气吹干；
6.2.4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；测试去离子水的接触角；
6.2.5、BTA的去除：用清洗液浸泡长BTA膜后的铜片(25℃浸泡2min)，测试去离子水的接触角；
BTA膜具有一定的疏水性，通过第5步减去第2步测得的接触角的差值来表征BTA是否完全去除。如果差值越大且为正值，说明BTA残留越多。
效果评价标准：
实施例1-8清洗液及对比例1-4清洗液的性能检测结果和稳定性检测结果见下表3。
表3：实施例1-8清洗液性能测试结果(新鲜配制)
从上述对比效果例和效果实施例中可以看出，相比于对比例的清洗液，本发明的清洗液清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强，能够有效去除所残留的氧化铈研磨剂颗粒或颗粒污染、有机物污染及金属污染物等，RMS数值更小，对半导体晶圆损伤较小，且具有良好的水漂洗性，相比对比例的清洗液性能均有提升，不会形成残留。

Claims (10)

1.一种碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01-30％有机碱、0.001-4％酸、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的表面活性剂为非离子型双子表面活性剂；所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12-18):1；
各组分的质量分数为各组分的质量占所述的清洗液中所有组分总质量的质量百分比。
2.如权利要求1所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液满足如下条件中的一种或多种：
(1)所述的碱性清洗液的pH为8-14；
(2)所述的有机碱与所述的酸的质量比为(14-16):1；
(3)所述的有机碱为有机胺；
(4)所述的有机碱的质量分数为0.5-25％；
(5)所述的酸为硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亚磷酸、磷酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙二醇酸、水杨酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、邻苯二甲酸、苹果酸、乳酸、甲磺酸、乙磺酸、羟乙基磺酸、酒石酸、柠檬酸、瓜氨酸和氢氟酸中的一种或多种；
(6)所述的酸的质量分数为0.01-4％；
(7)所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑、邻苯二酚、连苯三酚和5-氨基四唑中的一种或多种；
(8)所述的缓蚀剂的质量分数为0.001-5％；
(9)所述的螯合剂为丙二酸、马来酸、精氨酸和EDTA中的一种或多种；
(10)所述螯合剂质量分数为0.001-10％；
(11)所述的表面活性剂为如式I所示的炔二醇类非离子型双子表面活性剂，
其中，R1、R2、R1’和R2’独立地为氢、C1-C8烷基、氨基、羟基、缩水甘油基、C2-C6烯基、硅基、C3-C8环烷基、丙烯酰基、未取代或被一个或多个R1-1取代的硅氧基、C6-C10芳基、未取代或被一个或多个R1-2取代的烷氧基或1-丙基异丁烯酸基；
各个R1-1独立地为C1-C4烷基；
各个R1-2独立地为羟基或对甲苯磺酰基；
(12)所述的表面活性剂的质量分数为0.001-13％；和
(13)所述的水为去离子水和/或纯水。
3.如权利要求2所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，
各个R1-1中，C1-C4烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或叔丁基；
和/或，R1、R2、R1’和R2’中，C1-C8烷基独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基或异己基，例如甲基、异丁基或异己基；
和/或，R1、R2、R1’和R2’中，C2-C6烯基独立地为乙烯基；
和/或，R1、R2、R1’和R2’中，C3-C8环烷基独立地为环丙基、环丁基、环戊基或环己基；
和/或，R1、R2、R1’和R2’中，C6-C10芳基独立地为苯基或萘基。
4.如权利要求2所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液满足如下条件中的一种或多种：
(1)所述的碱性清洗液的pH为11-13；
(2)所述的有机碱与所述的酸的质量比为15:1；
(3)所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、单乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、异丁醇胺和四甲基胍中的一种或多种；
(4)所述的有机碱的质量分数为1-15％；
(5)所述的酸为柠檬酸；
(6)所述的酸的质量分数为0.1-1％；
(7)所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
(8)所述的缓蚀剂的质量分数为0.01-5％；
(9)所述的螯合剂为丙二酸；
(10)所述螯合剂质量分数为0.01-2％；
(11)所述的表面活性剂为和/或/>
(12)所述的表面活性剂的质量分数为0.01-1.5％；和
(13)所述的水为去离子水。
5.如权利要求4所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液满足如下条件中的一种或多种：
(1)所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种；
(2)所述的有机碱的质量分数为5-15％；
(3)所述的酸的质量分数为0.8％或1％；
(4)所述的缓蚀剂的质量分数为0.1-3％；
(5)所述螯合剂质量分数为0.1-1％；和
(6)所述的表面活性剂的质量分数为0.01-0.1％。
6.如权利要求5所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液满足如下条件中的一种或多种：
(1)所述的有机碱的质量分数为15％；
(2)所述的缓蚀剂的质量分数为0.8％；
(3)所述螯合剂质量分数为0.9％；和
(4)所述的表面活性剂的质量分数为0.02％。
7.如权利要求1所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液为如下方案1或方案2；
方案1、
所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：
所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种；
所述的有机碱的质量分数为0.01-30％；
所述的酸为柠檬酸；
所述的酸的质量分数为0.001-4％；
所述的有机碱与所述的酸的质量比为(12-18):1；
所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
所述的缓蚀剂的质量分数为0.001-5％；
所述的螯合剂为丙二酸；
所述的螯合剂的质量分数为0.001-10％；
所述的表面活性剂为二甲基辛炔二醇和/或四甲基癸炔二醇；
所述的表面活性剂的质量分数为0.001-13％；
所述的水为去离子水，所述的去离子水补足余量；
方案2、
所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分：
所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和单乙醇胺中的一种或多种；
所述的有机碱的质量分数为15％；
所述的酸为柠檬酸；
所述的酸的质量分数为0.8％或1％；
所述的缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
所述的缓蚀剂的质量分数为0.8％；
所述的螯合剂为丙二酸；
所述的螯合剂的质量分数为0.9％；
所述的表面活性剂为二甲基辛炔二醇和/或四甲基癸炔二醇；
所述的表面活性剂的质量分数为0.02％；
所述的水为去离子水，所述的去离子水补足余量。
8.如权利要求1所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液的原料包括下列质量分数的组分的任一组合：
组合1：15％四甲基氢氧化铵、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合2：15％四甲基氢氧化铵、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合3：10％四甲基氢氧化铵、5％单乙醇胺、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合4：10％四甲基氢氧化铵、5％单乙醇胺、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％二甲基辛炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合5：15％四乙基氢氧化铵、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合6：15％四乙基氢氧化铵、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合7：10％四乙基氢氧化铵、5％单乙醇胺、1％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量；
组合8：10％四乙基氢氧化铵、5％单乙醇胺、0.8％柠檬酸、0.8％2-巯基苯并噻唑、0.9％丙二酸、0.02％四甲基癸炔二醇和去离子水，去离子水补足余量。
9.如权利要求1-8中任一项所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的碱性清洗液的原料由下列、质量分数的组分组成：所述的有机碱、所述的酸、所述的缓蚀剂、所述的螯合剂、所述的表面活性剂和所述的水，水补足余量。
10.如权利要求1所述的碱性清洗液的应用，其特征在于，所述的半导体芯片为铜互连半导体芯片。
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