CN113724772A - 存储器失效位置查找方法、装置和计算机设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种存储器失效位置查找方法、装置、计算机设备和可读存储介质，该存储器失效位置查找方法包括：利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；根据逻辑地址信息划分出目标存储器的目标测试范围；对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取失效存储单元的物理位置信息。本发明通过失效存储单元的逻辑地址划分出目标测试范围，可以限定失效存储单元进行下一步的上电测试，将失效存储单元隔离出来，使定位失效存储单元的物理位置的成功率更高，通过缺陷定位设备观测目标测试范围上失效存储单元产生的故障点，可以有效定位失效物理位置。

Description

存储器失效位置查找方法、装置和计算机设备
技术领域
本发明涉及半导体存储器领域，具体而言，涉及一种存储器失效位置查找方法、装置、计算机设备和可读存储介质。
背景技术
现有的半导体存储器一般都包括有多个存储块，每个存储块上有多个存储单元，结构非常复杂，因此在发生单个存储单元的失效时，在没有芯片版图的帮助下查找到失效存储单元的实际物理位置，是很难成功的，而芯片版图受保护一般是不会进行公开的。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供了一种存储器失效位置查找方法、装置、计算机设备和可读存储介质，可以有效定位失效物理位置，并使定位失效存储单元的物理位置的成功率更高。
为了实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：
一种存储器失效位置查找方法，包括：
利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；
根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；
对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试包括：
对所述目标存储器的所有存储单元写入第一二进制数；
对每个所述存储单元进行第二预设次数的二进制数组合读写，筛选出读写异常的存储单元为所述失效存储单元。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述二进制数组合读写包括：读取第一二进制数，写入第二二进制数；读取第二二进制数，写入第一二进制数；写入第一二进制数，读取第一二进制数，写入第二二进制数。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述逻辑地址信息包括失效存储块信息、存储块失效行信息、存储块失效列信息和/或失效存储单元信息。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述缺陷定位设备包括多个逐级递增光学倍数镜头以及微光显微镜头。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息包括：
通过所述多个逐级递增光学倍数镜头定位所述目标测试范围上的存储单元；
通过所述微光显微镜头对所述目标测试范围上的存储单元进行长曝光，定位发光的所述失效存储单元的物理位置。
优选地，所述的存储器失效位置查找方法中，所述目标存储器包括DRAM存储器、SRAM存储器、ROM存储器、EEROM存储器以及Flash存储器。
本发明还提供一种存储器失效位置查找装置，包括：
逻辑地址获取模块，用于利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；
测试范围划分模块，用于根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；
失效位置获取模块，用于对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
本发明还提供一种计算机设备，包括存储器以及处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在所述处理器上运行时执行所述的存储器失效位置查找方法。
本发明还提供一种可读存储介质，其存储有计算机程序，所述计算机程序在处理器上运行时执行所述的存储器失效位置查找方法。
本发明提供一种存储器失效位置查找方法，该存储器失效位置查找方法包括：利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。本发明的存储器失效位置查找方法，通过失效存储单元的逻辑地址划分出目标测试范围，可以限定失效存储单元进行下一步的上电测试，将失效存储单元隔离出来，使定位失效存储单元的物理位置的成功率更高，通过缺陷定位设备观测目标测试范围上失效存储单元产生的故障点，可以有效定位失效物理位置。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
图1是本发明实施例1提供的一种存储器失效位置查找方法的流程图；
图2是本发明实施例2提供的一种对目标存储器电性能测试的流程图；
图3是本发明实施例3提供的一种缺陷定位设备获取失效存储单元的物理位置的流程图；
图4是本发明实施例4提供的一种存储器失效位置查找装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
实施例1
图1是本发明实施例1提供的一种存储器失效位置查找方法的流程图，该方法包括如下步骤：
步骤S11：利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息。
本发明实施例中，上述目标存储器可以先焊接至测试用的电路板上，并通过计算机设备连接至该测试电路板，在计算机设备中通过应用程序控制该电路板进行预设的读写测试，以便测试出目标存储器上失效存储单元的逻辑地址信息。例如，可以在计算机设备中设置有基于预设电性能测试算法的应用程序，在检测目标存储器时，通过该应用程序进行电性能测试对目标存储器的组合读写操作，从而检测出失效存储单元，并获得相应的逻辑地址信息。
本发明实施例中，所述目标存储器包括DRAM存储器、SRAM存储器、ROM存储器、EEROM存储器以及Flash存储器。其中，各种存储器都包括有多个存储块，每个存储块上有多个存储单元，因此在发生单个存储单元的失效时，在没有芯片版图的帮助下是难以根据其逻辑地址直接查找到实际物理位置的，芯片版图受保护一般是不会进行公开的。
本发明实施例中，所述逻辑地址信息包括失效存储块信息、存储块失效行信息、存储块失效列信息和/或失效存储单元信息。
步骤S12：根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围。
本发明实施例中，目标存储器经过上述电性能测试算法的全存储单元的测试后，获取到失效存储单元的逻辑地址信息后，可以根据逻辑地址信息划分出目标测试范围，以便在后续的上电检测过程中仅对目标测试范围的存储单元进行上电操作，从而提高检测的效率。其中，在获取到存储块失效行信息的起始行位置以及结束行位置时，可以通过结束行位置减去起始行位置，以获得失效行的数量。同样，在获取到存储块失效列信息的起始行位置以及结束行位置时，也可以通过结束行位置减去起始行位置，以获得失效列的数量。通过上述目标测试范围的划分，也即限定失效存储单元进行下一步的上电测试，将失效存储单元隔离出来，使定位失效存储单元的物理位置的成功率更高。
步骤S13：对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
本发明实施例中，在划分出目标测试范围后，也即将失效存储单元隔离出来，可以仅对目标测试范围内的存储单元进行预设次数的反复上电，以便其中异常漏电的失效存储单元产生可以进行光学观测的故障，通过缺陷定位设备即可观测出故障的失效存储单元的物理位置，并记录物理位置信息。其中，缺陷定位设备可以安装至测试机台上方，而焊接有目标存储器的电路板可以设置在测试机台上，以便于目标存储器暴露在缺陷定位设备的镜头下。
本发明实施例中，通过失效存储单元的逻辑地址划分出目标测试范围，可以限定失效存储单元进行下一步的上电测试，将失效存储单元隔离出来，使定位失效存储单元的物理位置的成功率更高，通过缺陷定位设备观测目标测试范围上失效存储单元产生的故障点，可以有效定位失效物理位置。
实施例2
图2是本发明实施例2提供的一种对目标存储器电性能测试的流程图，包括如下步骤：
步骤S21：对所述目标存储器的所有存储单元写入第一二进制数。
步骤S22：对每个所述存储单元进行第二预设次数的二进制数组合读写，筛选出读写异常的存储单元为所述失效存储单元。
本发明实施例中，上述第一二进制数即为0或1。在计算机设备中可以设置有进行二进制数组合读写的应用程序，在进行检测时，通过该应用程序向目标存储器中所有的存储单元写入第一二进制数，以及进行第二预设次数的二进制数组合读写。若发现目标检测范围内存在存储单元读写二进制数异常是，则可判定该存储单元为失效存储单元，并记录下相应的逻辑地址信息。
本发明实施例中，所述二进制数组合读写包括：读取第一二进制数，写入第二二进制数；读取第二二进制数，写入第一二进制数；写入第一二进制数，读取第一二进制数，写入第二二进制数。
实施例3
图3是本发明实施例3提供的一种缺陷定位设备获取失效存储单元的物理位置的流程图，包括如下步骤：
步骤S31：通过所述多个逐级递增光学倍数镜头定位所述目标测试范围上的存储单元。
本发明实施例中，所述缺陷定位设备包括多个逐级递增光学倍数镜头以及微光显微镜头。例如，多个逐级递增的光学倍数镜头包括5倍镜、10倍镜、50倍镜以及100倍镜等，计算机设备可以通过初始的5倍镜确定目标存储器在电路板上的位置，在依次递增使用光学倍数镜头，以定位镜头至目标测试范围上的存储单元。
步骤S32：通过所述微光显微镜头对所述目标测试范围上的存储单元进行长曝光，定位发光的所述失效存储单元的物理位置。
本发明实施例中，失效存储单元在上电测试时，经过时间的累积，将会出现发热、发光或发射出电子的现象，因此通过微光显微镜头长曝光成像可以找出目标测试范围上的故障点，也即失效存储单元的物理位置。
实施例4
图4是本发明实施例4提供的一种存储器失效位置查找装置的结构示意图。
该存储器失效位置查找装置400包括：
逻辑地址获取模块410，用于利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；
测试范围划分模块420，用于根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；
失效位置获取模块430，用于对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
本发明实施例中，上述各个模块更加详细的功能描述可以参考前述实施例中相应部分的内容，在此不再赘述。
此外，本发明还提供了一种计算机设备，该计算机设备可以包括智能电话、平板电脑、车载电脑、智能穿戴设备等。该计算机设备包括存储器和处理器，存储器可用于存储计算机程序，处理器通过运行所述计算机程序，从而使计算机设备执行上述方法或者上述存储器失效位置查找装置中的各个模块的功能。
存储器可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据计算机设备的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
本实施例还提供了一种计算机存储介质，用于储存上述计算机设备中使用的计算机程序。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和结构图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是智能手机、个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种存储器失效位置查找方法，其特征在于，包括：
利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；
根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；
对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
2.根据权利要求1所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试包括：
对所述目标存储器的所有存储单元写入第一二进制数；
对每个所述存储单元进行第二预设次数的二进制数组合读写，筛选出读写异常的存储单元为所述失效存储单元。
3.根据权利要求2所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述二进制数组合读写包括：读取第一二进制数，写入第二二进制数；读取第二二进制数，写入第一二进制数；写入第一二进制数，读取第一二进制数，写入第二二进制数。
4.根据权利要求1所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述逻辑地址信息包括失效存储块信息、存储块失效行信息、存储块失效列信息和/或失效存储单元信息。
5.根据权利要求1所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述缺陷定位设备包括多个逐级递增光学倍数镜头以及微光显微镜头。
6.根据权利要求5所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息包括：
通过所述多个逐级递增光学倍数镜头定位所述目标测试范围上的存储单元；
通过所述微光显微镜头对所述目标测试范围上的存储单元进行长曝光，定位发光的所述失效存储单元的物理位置。
7.根据权利要求1所述的存储器失效位置查找方法，其特征在于，所述目标存储器包括DRAM存储器、SRAM存储器、ROM存储器、EEROM存储器以及Flash存储器。
8.一种存储器失效位置查找装置，其特征在于，包括：
逻辑地址获取模块，用于利用预设电性能测试算法对目标存储器进行测试，获取所述目标存储器中失效存储单元的逻辑地址信息；
测试范围划分模块，用于根据所述逻辑地址信息划分出所述目标存储器的目标测试范围；
失效位置获取模块，用于对目标测试范围上的存储单元进行第一预设次数的反复上电，并通过缺陷定位设备获取所述失效存储单元的物理位置信息。
9.一种计算机设备，其特征在于，包括存储器以及处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在所述处理器上运行时执行根据权利要求1至7中任一项所述的存储器失效位置查找方法。
10.一种可读存储介质，其特征在于，其存储有计算机程序，所述计算机程序在处理器上运行时执行权利要求1至7中任一项所述的存储器失效位置查找方法。
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