CN1137232C - 用于集成电路电子工业的新型磨料组合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 94
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 33
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 abstract description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 16
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 239000004141 Sodium laurylsulphate Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000001837 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Substances 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- -1 alkyl silicious Chemical compound 0.000 description 1
- 125000005376 alkyl siloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005227 alkyl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical compound [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
用于集成电路电子工业的磨料组合物，包含一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种磨料表面活性剂。该磨料用于集成电路工业中的机械化学抛光，本发明还包括一个浸渍有这种组合物的载体，以及一种进行机械化学抛光的方法。
Description
本发明涉及新的磨料组合物，所述组合物尤其可以用在对半导体微电子工业中所使用的氧化硅层、氮化硅层和具有低介电常数的聚合物基的薄层进行机械化学抛光的过程中，而且，更具体而言，是用在集成电路的生产过程中。
碱性的胶态氧化硅基的磨料组合物和表面活性剂用于对初级硅进行抛光。在这一初始的工序之后，再实施某些其它工序，以便进行集成电路的生产。
在集成电路的生产过程中，有用的是使用这样的进行机械化学抛光的磨料组合物，即：所述组合物在对氧化硅和氮化硅进行抛光的速度上具有很高的选择性，所述选择性指的是每种衬底的磨削速度之比值。氧化硅可以通过高温下氧在硅晶片上的扩散(热氧化物或SiO2)或者在硅晶片上加以沉积(例如，四乙氧基硅烷的氧化物或TEOS)来获得。
在生产集成电路时，首要的步骤之一是确定构成电路的不同晶体管的有源区。这些有源区应该借助氧化硅区，即一种电绝缘材料来使之相互隔离，到目前为止，最常用的是采用局部的硅氧化技术(LOCOS)来形成这些氧化硅的图案。
现在，器件尺寸的减小阻碍了这种技术的应用，该技术的主要不足是其会产生一个不希望的位于所述氧化区边界的，称为鸟嘴的区域。因此，如今，LOCOS氧化技术主要已被STI技术(浅沟隔离)替代，所述STI技术包括通过反应性离子刻划在硅中产生陡的沟槽，然后，再用一种TEOS型氧化沉积物填充这些沟槽。
然后，这一氧化硅层应该通过一机械化学抛光步骤来加以整平。在该步骤中，提高平整程度很重要。
一种改善所述平整质量的方法是在介于所述沟槽间的脊上沉积一个氮化硅层(实际上，氮化硅通常被沉积在所述硅晶片的整个表面上，然后，在整个表面上刻划凹槽，从而形成所述沟槽，因此，所述氮化硅就保留在沟槽间的脊上)，然后，沉积一层氧化硅，以将所述沟槽填充。这一过量氧化物充满所述沟槽并将所述氮化硅覆盖。
然后，使用磨料组合物对所述氧化硅层进行平整处理，直至触及所述氮化硅层为止，因此，如果氧化硅和氮化硅间的抛光速度的选择性很高，则所述氮化硅层起了一个抗磨削层的作用。
在文献US5759917中，G.G.Lisle等介绍了一种进行机械化学抛光的含水悬浮液，其含有0.1-4wt.％的硝酸铵高铈和0.1-3wt.％的乙酸。这种pH值为3.8-5.5的抛光悬浮液具有的硅PETEOS/氮化物的抛光选择性小于或等于35，即：氧化硅的磨削速度为氮化硅的35倍。一部分硝酸铵高铈可用热解二氧化硅替代。
此外，S.D.Hosali等人在US5738800中提到用一种抛光组合物对包含二氧化硅和氮化硅的复合材料进行抛光，所述组合物包含0.2-5wt.％的氧化铈，0.5-3.5％的作为螯合剂的邻苯二甲酸氢钾，以及0.1-0.5％的氟化表面活性剂，所述组合物通过添加有碱而具有中性pH值。二氧化硅可以添加至所述组合物中，就所述的最佳组合物而言，可以达到约300的抛光选择性。
同样地，在集成电路的生产期间，在硅晶片上形成的电子器件应通过金属互连线来加以相互连接，以构成所要求的电子线路。每个金属互连层(level)应加以电隔离，为此，每层用一介电层进行封装。
集成电路的金属互连线大多数根据以下步骤，通过金属的反应性离子刻划形成：通过电子束或离子束沉积一厚约10-12μm的铝或铝合金膜(溅射)，通过光刻法，然后再通过反应离子刻蚀(RIE)法，将互连线路的设计图案转移至所述膜上。然后，用一介电层将如此形成的互连线重新覆盖，所述介电层通常为氧化硅基的介电层，多数情况下通过气相的正硅酸乙酯(TEOS)分解来获得。然后，通过机械化学抛光对这一介电层进行整平。
为了减小该介电层所产生的电容，一种方法是使用具有低介电常数的材料。最佳的可选择的材料由N.H.Hendricks(见1997年第443卷，第3-14页的Mat.Res.Soc.Symp.Proc.)和L.Peters(见1998年9月的Semi conductor International中的第64-74页)列出。
主要种类有：
-氟化的聚(芳基醚)如Flare，
-聚(芳基醚)如PAE-2，
-氟化聚酰胺，
-氢化硅倍半氧烷(hydridosilsesquioxanes)和烷基硅倍半氧烷(alkylsilsesquioxnes)，
-二苯并环丁烯如，Cyclotene，
-聚(对-苯二亚甲基)如ParyleneN和聚(α，α，α′，α′-四氟-对-苯二亚甲基)如ParyleneF，
-全氟环丁烷的芳香醚聚合物，
-芳香烃如SiLK。
为了能够在微电子互连过程中加以集成，这些具有低介电常数的聚合物原则上必须满足下述指标：
-填充宽度小于0.35μm的沟槽，
-玻璃态转化温度高于400℃，
-低吸湿性(＜1％)，
-热稳定性较高(450℃时为＜1％/h)，
-与所述金属层及其它介电层的粘附性较强。
而且，所沉积的聚合物层必须随后能够通过机械化学抛光来加以整平。
Y.L.Wang等〔见Thin Solid Films，(1997)，308-309，P.550-554〕采用一种磨料溶液对烷基硅氧烷层进行了抛光，所述溶液包括存在于碱性介质(pH＝10.2)中的汽相法二氧化硅粒子或者存在于酸性介质(pH＝3.3-4.6)的氧化锆粒子。
G.R.Yang等(见J.of Electronic Materials，Vol.26，no8，1997，P.935-940)研究了在用包含存在于酸性或碱性介质中的铝粒子的不同磨料溶液抛光后，所获得的ParyleneN层的表面质量。无论使用何种磨料溶液，所获得的抛光速度均很低。
J.M.Neirynck等(见Mater.Res.Soc.Symp.Proc.，1995，Vol.381，P.229-235)尝试用包含存在于碱性或酸性介质中的铝粒子的磨料溶液，对具有低介电常数的三种类型的聚合物，Parylene，苯并环丁烯(BCB)以及氟化聚酰亚胺进行了抛光。
目前，在微电子互连过程中对具有低介电常数的聚合物层进行集成遇到一些困难，主要是在采用机械化学抛光进行整平的步骤中所获得的这种材料的性能不足。这一步骤，特别是对于抛光速度以及抛光后表面的表面状态，尚不能完全控制。
本申请中，所谓“SiLK型具有低介电常数的聚合物基的绝缘材料”指的是P.H.Towsend等在1997年第476期，第9-17页的Mat.Res.Soc.Symp.Proc.中介绍的一种材料。该材料由一种粘度为30mpa.s的寡聚溶液构成，其聚合反应不需要催化剂，也不会产生水。聚合后的网络为一种不含氟的芳香烃。其介电常数是2.65，玻璃态转变温度高于490℃，并且其折射率为1.63。
因此，具有磨削选择性高的这种组合物将会很理想。
结果，令人惊奇且出人意料的是，本申请人现已确定，向相互间不以硅氧烷键连接的各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体中，添加少量的表面活性剂，能够非常显著降低氮化硅(Si3N4)的抛光速度，而同时，氧化硅(热氧化物或四乙氧基硅烷的氧化物)的抛光速度得以保持。这使得氧化硅/氮化硅的抛光选择性显著增加，其值最高可达500。
本申请人又令人惊奇且出人意料地发现，向相互之间不以硅氧烷键连接的各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体中添加少量的表面活性剂，能够使得具有低介电常数的聚合物的抛光速度非常显著地增加。
因此，本发明的一个目标是一种用于集成电路工业的磨料组合物，其特征在所述组合物包含或者其优选构成是一种相互之间不以硅氧烷键连接的各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
本发明的含水酸性悬浮体中的胶态二氧化硅粒子有利的平均直径为12-100nm，优选为35-50nm。
这种胶态二氧化硅的含水悬浮体可以由碱性硅酸盐，特别是钠或钾的硅酸盐获得，或者由硅酸乙酯获得。在这二种情况下，使用本领域的技术人员公知的并且由kk.ller在“The chemistry of silica”一书(见该书的第9章，第331-343页，1979年，Wiley Interscience出版)中更详细地介绍的方法，能够获得含有直径为12-100nm的，相互间不以硅氧烷型的键连接的、各自独立的粒子的胶态二氧化硅含水酸性悬浮体。
这种胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体的pH值优选为1-5，并且更优选为2-3。
本发明的一个特定目标是一种磨料组合物，如上所述，其中抛光物质即胶态二氧化硅的浓度(以重量计)为5-50％，特别应为20-40％，尤其为25-35％，更具体而言，应为约30％。
所使用的表面活性剂能够非常显著地减小氮化硅的抛光速度，而同时又保持氧化硅的抛光速度。从而，就获得了相对于氮化硅而言，对氧化硅的选择性抛光。所述表面活性剂也能够非常显著地提高具有低介电常数的聚合物的抛光速度。
在所述抛光组合物中所使用的表面活性剂的量最好为相当于0.001％-5％的体积浓度，特别应为0.005-2％，并且优选为0.01-1％的体积浓度，所使用的表面活性剂可以是市售的产品，例如在下面的实施例中所列举的那些实例。
优选地，根据本发明的抛光组合物含有低于5％的氧化剂，并且，更尤其是根本不含任何氧化剂。
已经确定，如果要制备的是具有良好的长期保存时间的抛光组合物，则优选使用的是阴离子或非离子型表面活性剂，其与阳离子表面活性剂相反，阳离子表面活性剂可使胶态二氧化硅基的含水酸性抛光溶液丧失稳定，从而减小所述磨料组合物的保存时间。非常优选地是，使用本申请人利用其获得意料之外但又非常令人信服的结果的阴离子表面活性剂。
根据本发明的组合物具有明显的特征，特别是以下特征：
-一种能够根据表面活性剂的浓度在5-500的较宽范围进行调整的SiO2/Si3N4的抛光选择性，增加其浓度通常会提高所述的选择性，
-抛光后的氧化硅层具有优异的表面状态，
-氧化硅的抛光均匀性得以改进，
-非常好的整平效果，
-非常好的对具有低介电常数的聚合物的抛光速度。
这些都证明使用根据本发明的组合物，特别是用于形成集成电路工业的磨料的组合物的价值。
为此，本发明的一个目标也是一种用于集成电路工业中的进行机械化学抛光的磨料，其特征在于所述磨料包括用胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体和一种表面活性剂浸渍的织物，所述悬浮体的pH值为1-5，并含有相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的，直径为12-100nm的粒子，所述表面活性剂优选为阴离子型或非离子型的。
最后，本发明的一个目标是一种在集成电路工业中进行机械化学抛光的方法，其中，采用浸渍有一种磨料组合物的载体磨削氧化硅层，氮化硅层，以及具有低介电常数的聚合物层，其特征在于所述磨料组合物包含一种相互间不以硅氧烷键连接的各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
上面所指出的关于本发明的磨料组合物的优选条件也适于本发明的其它目标。
结合下面给出的实施例，将会更好地了解这一范围，其目的在于对本发明的优点进行说明。
实施例1
该例是用含水的悬浮体基的磨料对晶片进行机械化学抛光，所述磨料包括胶态二氧化硅具有酸性pH以及仲n-烷基磺酸盐型的阴离子表面活性剂。
在每个硅晶片上热生长有厚6000埃的氧化硅(此后称为SiO2)或者沉积有厚1600埃的氮化硅(此后称为Si3N4)。
然后，将如此形成的晶片在具有下列抛光条件的PRESI 2000抛光机上进行抛光。
-负载： 0.5daN/cm2
-回转速度： 30转/分
-压头速度： 42转/分
-磨料温度： 10℃
-磨料流动速度： 100cm3/分
-织物： IC1400(Rodel)
其中，使用一种胶态二氧化硅含水酸性悬浮体，其具有以下特性：
-所述含水悬浮体的pH 2.5
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径 50nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计) 30％
而且，其中使用一种仲烷基磺酸盐型表面活性剂，其具有的链长为13-18个碳原子，平均分子量为约328，此活性剂由Clariant公司出售，商品名为Emulsogen EP。
所获结果如下：
表1
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiO2抛光速度(埃/分钟) | Si3N4抛光速度(埃/分钟) | SiO2/Si3N4抛光选择性 |
| 1 | 0.25 | 1151 | 9 | 128 |
| 2 | 0.50 | 1232 | 7 | 176 |
| 3 | 1.00 | 1273 | 9 | 141 |
| 4 | 0 | 1145 | 527 | 2 |
与没有表面活性剂的样品(试样4)相比，可确定出如下特点：
-依据所使用的阴离子表面活性剂的量，氧化硅层的抛光速度稍有增加，
-氮化硅层的抛光速度依据所使用的阴离子表面活性剂的量显著降低，即使所用的表面活性剂的量很少，
-结果，阴离子表面活性剂存在的量在从0.25％到1％时，SiO2/Si3N4的抛光选择性得到极大改善，其值由2(没有阴离子表面活性剂时)升至128-176，
-抛光后的氧化硅层的表面状态极佳，
-氧化硅的抛光均匀性得以改善。
实施例2
采用与实施例1相似的胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体和阴离子表面活性剂，研究了沉积在硅晶片上的四乙氧基硅烷(TEOS)层的抛光速度，并与沉积在相同类型硅晶片上的氮化硅(Si3N4)层的抛光速度进行比较。
采用与实施例1相同的操作条件，但使用一种具有以下特点的胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体：
-所述含水悬浮体的pH： 2.5
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径： 35nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计)： 30％
并且，还采用一种与实施例1类似的仲n-烷基磺酸盐型的阴离子表面活性剂，所获结果如下：
表2
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | TEOS抛光速度(埃/分钟) | Si3N4抛光速度(埃/分钟) | TEOS/Si3N4抛光选择性 |
| 5 | 0.05 | 2007 | 98 | 20 |
| 6 | 0.10 | 1989 | 24 | 83 |
| 7 | 0.50 | 2193 | 7 | 313 |
| 8 | 1.00 | 2075 | 4 | 520 |
| 9 | 0 | 1905 | 438 | 4.4 |
与没有表面活性剂的样品(试样9)相比，可确定如下内容：
-当向含水酸性胶态二氧化硅的抛光溶液中加入阴离子表面活性剂时，TEOS沉积层的抛光速度略有增加，
-所使用的阴离子表面活性剂的量增加越多，氮化硅抛光速度的降低越显著，
-结果，TEOS/Si3N4的抛光选择性大为改善，其值从4.4(没有阴离子表面活性剂时)增至520(存在1％的仲n-烷基磺酸盐型的阴离子表面活性剂时)，
-抛光后的TEOS氧化物层的表面状况极佳，
-TEOS氧化物的抛光均匀性得到改善。
实施例3
采用与实施例1相同的操作条件，但使用一种具有如下特征的胶态二氧化硅的含水酸性溶液；
-所述含水悬浮体的pH： 2.5
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径： 35nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计)： 30％
并且，其中使用十二烷基硫酸钠表面活性剂，所获结果如下：
表3
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiO2抛光速度(埃/分钟) | Si3N4抛光速度(埃/分钟) | SiO2/Si3N4抛光选择性 |
| 10 | 0.5 | 1224 | 18 | 68 |
| 11 | 0 | 1308 | 438 | 3 |
与没有表面活性剂的样品(试样11)相比，确定如下内容：
-十二烷基硫酸钠含量为0.5％时，氧化硅层的抛光速度略有降低，
-十二烷基硫酸钠含量为0.5％时，氮化硅层的抛光速度大大降低，
-结果，抛光选择性大为改善，其值由3(没有十二烷基硫酸钠时)增加至含有0.5％的十二烷基硫酸钠时的68。
实施例4
在与实施例3相同的操作条件下，但不同的是抛光处理的是一TEOS氧化物层，而不是实施例3中的热SiO2层，所获结果如下：
表4
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | TEOS抛光速度(埃/分钟) | Si3N4抛光速度(埃/分钟) | TEOS/Si3N4抛光选择性 |
| 12 | 0.5 | 1687(17％) | 18 | 94 |
| 13 | 0 | 1905(11％) | 438 | 4.4 |
与没有表面活性剂的样品(试样13)，确定如下内容：
-当添加0.5％的十二烷基硫酸钠时，TEOS沉积层的抛光速度略有减小，
-氮化硅的抛光速度大为降低，
-结果，TEOS/Si3N4的抛光选择性大为改善，其值由4.4(没有表面活性剂时)增至94(存在0.5％的十二烷基硫酸钠时)。
对照例1
在与实施例1相同的操作条件下，但不同的是使用一种具有如下特点的胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体：
-含水悬浮体的pH值： 7
-基本的胶态二氧化硅粒子的平均直径 50nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计) 30％
并且，使用一种与实施例1相似的仲n-烷基磺酸盐基的表面活性剂，所获结果如下：
表5
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiO2抛光速度(埃/分) | Si3N4抛光速度(埃/分) | SiO2/Si3N4抛光选择性 |
| 14 | 1.00 | 1690(17％) | 534 | 3.2 |
| 15 | 0 | 1662(11％) | 504 | 3.3 |
本例中已确定的是，使用具有中性pH以及1％EP Emulsogen的胶态二氧化硅悬浮体时，与使用不含阴离子表面活性剂的组合物时相比，SiO2层和Si3N4层的抛光速度没有变化，从而，SiO2/Si3N4的抛光选择性未得到改善，为3.2-3.3的水平，此值在本发明的范围内是很差的。
对照例2
在与实施例1相同的条件下，但不同的是使用一种具有如下特点的胶态二氧化硅悬浮体：
-含水悬浮体的pH 11
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径 50nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计) 30％
并且，使用一种与实施例1相似的仲n-烷基磺酸盐型的表面活性剂，所获结果如下：
表6
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiO2抛光速度(埃/分钟) | Si3N4抛光速度(埃/分钟) | SiO2/Si3N4抛光选择性 |
| 16 | 0.50 | 1588 | 492 | 3.2 |
| 17 | 1.00 | 1556 | 501 | 3.1 |
| 18 | 0 | 1555 | 495 | 3.1 |
在本例中，现已确定，使用具有碱性pH值以及0.5-1％EP Emulsogen的胶态二氧化硅悬浮体并未改变SiO2氧化层和Si3N4层的抛光速度，因而，SiO2/Si3N4的抛光选择性未得到改善，仍保持在3.1-3.2的水平，这在本发明的范围内是很差的。
实施例5
在每个硅晶片上沉积一厚1000埃的具有低介电常数的SiLK型的聚合物层，然后，在450℃下，通过回火对该层进行聚合处理。
在与实施例1相同的操作条件下，但使用一种具有如下特点的胶态二氧化硅含水酸性悬浮体：
-含水悬浮体的pH： 2.5
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径： 50nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计)： 30％
并且，使用一种与实施例1相似的仲n-烷基磺酸盐型的阴离子表面活性剂，所获结果如下：
表7
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiLK抛光速度(埃/分钟) | 抛光均匀性(％) |
| 19 | 0.5 | 1695 | 14.5 |
| 20 | 0 | 14 | 不显著 |
与没有表面活性剂时的样品(试样20)，确定如下内容：
-当向含水酸性胶态二氧化硅抛光溶液中添加阴离子表面活性剂时，SiLK沉积层的抛光速度大大增加，
-当向含水酸性胶态二氧化硅溶液添加阴离子表面活性剂时，SiLK沉积层的抛光均匀性很好。
对照例3
在与实施例5相同的条件下，但不同的是使用一种具有如下特点的胶态二氧化硅悬浮体：
-含水悬浮体的pH： 12
-基本胶态二氧化硅粒子的平均直径： 50nm
-胶态二氧化硅的浓度(以重量计)： 30％
并且，使用与实施5相似的仲n-烷基磺酸盐型的表面活性剂，所获结果如下：
表8
| 试验 | EP Emulsogen％(体积) | SiLK抛光速度(埃/分钟) | 抛光均匀性(％) |
| 21 | 0.5 | 17 | 不显著 |
本例中，现已确定：使用具有碱性pH以及0.5EP Emulsogen的胶态二氧化硅悬浮体时，抛光速度非常低，这在本发明的范围内是很差的。
Claims (16)
1.一种用于集成电路电子工业的磨料组合物，其特征在于所述组合物含有一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
2.根据权利要求1的磨料组合物，其特征在于所述组合物的pH值为1-5。
3.根据权利要求1-2中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物的pH值为2-3。
4.根据权利要求1-3中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物的磨料粒子的平均直径为12-100nm。
5.根据权利要求1-4中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物的磨料粒子的平均直径为35-50nm。
6.根据权利要求1-5中之一项的磨料组合物，其持征在于所述组合物中磨料粒子的浓度(以重量计)为5-50％。
7.根据权利要求1-6中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物中磨料粒子的浓度(以重量计)为25-35％。
8.根据权利要求1-7中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物中的表面活性剂的体积浓度为0.001-5％。
9.根据权利要求1-8中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物中的表面活性剂的体积浓度为0.01-1％。
10.根据权利要求1-9中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物中的表面活性剂为阴离子型或非离子型的。
11.根据权利要求1-10中之一项的磨料组合物，其特征在于所述组合物中的表面活性剂为阴离子型的。
12.一种用于集成电路工业进行机械化学抛光的磨料，其特征在于所述磨料包含一个用胶态二氧化硅的含水酸性悬浮体和一种表面活性剂浸渍的织物，所述悬浮体的pH为1-5，并含有直径为12-100nm的，相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的粒子。
13.一种在集成电路工业中进行机械化学抛光的方法，该方法中，采用浸渍有一种磨料组合物的载体磨削氧化硅层，其特征在于所述磨料组合物包括一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
14.一种在集成电路工业中进行机械化学抛光的方法，该方法中，使用浸渍有一种磨料组合物的载体磨削氮化硅层，其特征在于所述磨料组合物包括一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
15.一种在集成电路工业中进行机械化学抛光的方法，该方法中，对一个氧化硅层和另一个氮化硅层实施选择性机械化学抛光，其特征在于所述磨料组合物包含一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
16.一种在集成电路工业中进行机械化学抛光的方法，该方法中，使用浸渍有一种磨料组合物的载体磨削具有低介电常数的聚合物层，其特征在于所述磨料组合物包含一种相互间不以硅氧烷键连接的、各自独立的胶态二氧化硅粒子的含水酸性悬浮体以及一种表面活性剂。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9814073 | 1998-11-09 | ||
| FR9814073A FR2785614B1 (fr) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1253160A CN1253160A (zh) | 2000-05-17 |
| CN1137232C true CN1137232C (zh) | 2004-02-04 |
Family
ID=9532529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB991234774A Expired - Lifetime CN1137232C (zh) | 1998-11-09 | 1999-11-09 | 用于集成电路电子工业的新型磨料组合物 |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7144814B2 (zh) |
| EP (1) | EP1000995B1 (zh) |
| JP (1) | JP4287002B2 (zh) |
| KR (1) | KR100562243B1 (zh) |
| CN (1) | CN1137232C (zh) |
| AT (1) | ATE232895T1 (zh) |
| DE (1) | DE69905441T2 (zh) |
| ES (1) | ES2192029T3 (zh) |
| FR (1) | FR2785614B1 (zh) |
| HK (1) | HK1028254A1 (zh) |
| ID (1) | ID23760A (zh) |
| MY (1) | MY121115A (zh) |
| SG (1) | SG82027A1 (zh) |
| TW (1) | TW502060B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2792643B1 (fr) | 1999-04-22 | 2001-07-27 | Clariant France Sa | Composition de polissage mecano-chimique de couches en un materiau isolant a base de polymere a faible constante dielectrique |
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-
1998
- 1998-11-09 FR FR9814073A patent/FR2785614B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-10-27 US US09/427,675 patent/US7144814B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-29 SG SG9905375A patent/SG82027A1/en unknown
- 1999-11-04 DE DE69905441T patent/DE69905441T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-04 AT AT99811011T patent/ATE232895T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-11-04 EP EP99811011A patent/EP1000995B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-04 ES ES99811011T patent/ES2192029T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-05 MY MYPI99004834A patent/MY121115A/en unknown
- 1999-11-08 JP JP31614599A patent/JP4287002B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-08 ID IDP991027D patent/ID23760A/id unknown
- 1999-11-09 TW TW088119539A patent/TW502060B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-09 CN CNB991234774A patent/CN1137232C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-09 KR KR1019990049347A patent/KR100562243B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-11-13 HK HK00107232A patent/HK1028254A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-08 US US11/594,079 patent/US7252695B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE232895T1 (de) | 2003-03-15 |
| KR100562243B1 (ko) | 2006-03-22 |
| EP1000995B1 (en) | 2003-02-19 |
| SG82027A1 (en) | 2001-07-24 |
| JP2000144111A (ja) | 2000-05-26 |
| CN1253160A (zh) | 2000-05-17 |
| HK1028254A1 (en) | 2001-02-09 |
| JP4287002B2 (ja) | 2009-07-01 |
| EP1000995A1 (en) | 2000-05-17 |
| FR2785614A1 (fr) | 2000-05-12 |
| ID23760A (id) | 2000-05-11 |
| US20020142600A1 (en) | 2002-10-03 |
| KR20000035309A (ko) | 2000-06-26 |
| US20070051918A1 (en) | 2007-03-08 |
| US7144814B2 (en) | 2006-12-05 |
| FR2785614B1 (fr) | 2001-01-26 |
| MY121115A (en) | 2005-12-30 |
| ES2192029T3 (es) | 2003-09-16 |
| DE69905441D1 (de) | 2003-03-27 |
| US7252695B2 (en) | 2007-08-07 |
| TW502060B (en) | 2002-09-11 |
| DE69905441T2 (de) | 2003-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CLARIANT FINANCE (BVI) LTD. Free format text: FORMER OWNER: CLARIANT (FRANCE) S. A. Effective date: 20010803 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20010803 Address after: The British Virgin Islands of Tortola Applicant after: Clariant Finance (BVI) Ltd. Address before: Cape France Applicant before: Clariant (France) S. A. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: AZ ELECTRON MATERIAL USA CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: CLARIANT FINANCE (BVI) LTD. Effective date: 20050304 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20050304 Address after: American New Jersey Patentee after: AZ Electronic Materials USA Address before: The British Virgin Islands of Tortola Patentee before: Clariant Finance (BVI) Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: MERCK PATENT GMBH Free format text: FORMER OWNER: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CO. Effective date: 20150409 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150409 Address after: Darmstadt Patentee after: Merck Patent GmbH Address before: American New Jersey Patentee before: AZ Electronic Materials USA |
|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040204 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |