JP2000144111A - 集積回路電子産業のための新しい研磨組成物 - Google Patents
集積回路電子産業のための新しい研磨組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積回路産業のための酸化ケイ素と窒化ケイ
素の間の研磨速度に大きな選択度を持ちかつ低誘電率を
持つ高分子に対して高い研磨速度を持つ研磨組成物を提
供する。 【解決手段】 シロキサン結合により互いに連結しない
個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液に研
磨界面活性剤を添加した研磨組成物により上記の課題が
解決された。またかかる研磨組成物により含浸された織
物を含む機械化学的研磨材及びそのような研磨材を用い
て酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、低誘電率を持つ高分子
層をこすることによる機械化学的研磨法が提供されてい
る。
素の間の研磨速度に大きな選択度を持ちかつ低誘電率を
持つ高分子に対して高い研磨速度を持つ研磨組成物を提
供する。 【解決手段】 シロキサン結合により互いに連結しない
個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液に研
磨界面活性剤を添加した研磨組成物により上記の課題が
解決された。またかかる研磨組成物により含浸された織
物を含む機械化学的研磨材及びそのような研磨材を用い
て酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、低誘電率を持つ高分子
層をこすることによる機械化学的研磨法が提供されてい
る。
Description
【０００１】本発明は半導体マイクロエレクトロニクス
産業で、特に集積回路の製造時に用いられる酸化ケイ素
層、窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーに基づく
層の機械化学的研磨時に特に使用されることのできる新
しい研磨組成物に関する。
産業で、特に集積回路の製造時に用いられる酸化ケイ素
層、窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーに基づく
層の機械化学的研磨時に特に使用されることのできる新
しい研磨組成物に関する。
【０００２】塩基性コロイドシリカベースの研磨組成物
及び界面活性剤は一次ケイ素研磨のために使用される。
この一次作業は集積回路製造の目的のためにある数の他
の作業に継続される。
及び界面活性剤は一次ケイ素研磨のために使用される。
この一次作業は集積回路製造の目的のためにある数の他
の作業に継続される。
【０００３】集積回路の製造時に、酸化ケイ素と窒化ケ
イ素の間の研磨速度に対して高い選択度を持つ機械化学
的研磨組成物を得ることは有用である。ここで選択度と
は各基板の研磨速度間の比である。酸化ケイ素はケイ素
ウェファー上への高温度での酸素拡散（熱酸化物または
ＳｉＯ２）によるかまたはケイ素ウェファー上への堆積
（例えばテトラエトキシシラン酸化物またはＴＥＯＳ）
によるかのいずれかにより得られる。
イ素の間の研磨速度に対して高い選択度を持つ機械化学
的研磨組成物を得ることは有用である。ここで選択度と
は各基板の研磨速度間の比である。酸化ケイ素はケイ素
ウェファー上への高温度での酸素拡散（熱酸化物または
ＳｉＯ２）によるかまたはケイ素ウェファー上への堆積
（例えばテトラエトキシシラン酸化物またはＴＥＯＳ）
によるかのいずれかにより得られる。
【０００４】集積回路を製造するとき、第一段階の一つ
は回路を構成する種々のトランジスタの活性ゾーンを規
定することからなる。これらの活性ゾーンは酸化ケイ素
ゾーン、電気的絶縁材料、により互いに分離されるべき
である。これらの酸化ケイ素パターンは今までは殆どの
場合ローカルケイ素酸化技術（ＬＯＣＯＳ）により規定
されていた。
は回路を構成する種々のトランジスタの活性ゾーンを規
定することからなる。これらの活性ゾーンは酸化ケイ素
ゾーン、電気的絶縁材料、により互いに分離されるべき
である。これらの酸化ケイ素パターンは今までは殆どの
場合ローカルケイ素酸化技術（ＬＯＣＯＳ）により規定
されていた。
【０００５】装置の寸法の減少は今やこの技術を排除し
ており、この技術の主たる不利益はバーズマウスと呼ば
れる酸化ゾーンを境界づける望ましくない領域の形成で
ある。従ってＬＯＣＯＳ酸化は今日ではＳＴＩ技術（sh
allow trench isolation）により殆ど置き換えられてい
る。この技術は反応性イオン彫刻（engraving）により
ケイ素中に険しい堀（steep trenches）を発生させ、そ
れからＴＥＯＳ系酸化物堆積でそれらの堀を満たすこと
からなる。
ており、この技術の主たる不利益はバーズマウスと呼ば
れる酸化ゾーンを境界づける望ましくない領域の形成で
ある。従ってＬＯＣＯＳ酸化は今日ではＳＴＩ技術（sh
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る。この技術は反応性イオン彫刻（engraving）により
ケイ素中に険しい堀（steep trenches）を発生させ、そ
れからＴＥＯＳ系酸化物堆積でそれらの堀を満たすこと
からなる。
【０００６】この酸化ケイ素層は次いで機械化学的研磨
段階により平坦化されるべきである。この段階のために
高度な平坦化が必須である。
段階により平坦化されるべきである。この段階のために
高度な平坦化が必須である。
【０００７】平坦化の品質を改善する一方法は堀間のう
ねの上に窒化ケイ素の層を堆積させ（実際には、窒化ケ
イ素は通常ケイ素ウェファーの全表面に渡って堆積さ
れ、それから全体が堀を形成するように凹部彫刻され
る。このため窒化ケイ素は堀間のうね上に残る）、それ
からこの堀を満たすために酸化ケイ素の層を堆積させる
ことである。この過剰の酸化物は堀をあふれ、窒化ケイ
素を覆う。
ねの上に窒化ケイ素の層を堆積させ（実際には、窒化ケ
イ素は通常ケイ素ウェファーの全表面に渡って堆積さ
れ、それから全体が堀を形成するように凹部彫刻され
る。このため窒化ケイ素は堀間のうね上に残る）、それ
からこの堀を満たすために酸化ケイ素の層を堆積させる
ことである。この過剰の酸化物は堀をあふれ、窒化ケイ
素を覆う。
【０００８】酸化ケイ素層はそれから窒化ケイ素層に到
達するまで研磨組成物を用いて平坦化される。窒化ケイ
素層はかくして酸化ケイ素と窒化ケイ素間の研磨速度の
選択度が高いという条件で研磨に対する抵抗層の役割を
演ずる。
達するまで研磨組成物を用いて平坦化される。窒化ケイ
素層はかくして酸化ケイ素と窒化ケイ素間の研磨速度の
選択度が高いという条件で研磨に対する抵抗層の役割を
演ずる。
【０００９】文献、G.G.Lisle らの米国特許５７５９９
１７号には０．１から４重量％の硝酸アンモニウムセリ
ウムと０．１から３重量％の酢酸を含む水性機械化学的
研磨懸濁液が記載されている。この３．８と５．５の間
のｐＨを持つ研磨懸濁液は３５より小さいかまたは等し
いＰＥＴＥＯＳ／窒化ケイ素研磨選択度を持つ、すなわ
ち酸化ケイ素は窒化ケイ素より３５倍速く研磨される。
硝酸アンモニウムセリウムの一部は熱分解法シリカによ
り置き換えることができる。
１７号には０．１から４重量％の硝酸アンモニウムセリ
ウムと０．１から３重量％の酢酸を含む水性機械化学的
研磨懸濁液が記載されている。この３．８と５．５の間
のｐＨを持つ研磨懸濁液は３５より小さいかまたは等し
いＰＥＴＥＯＳ／窒化ケイ素研磨選択度を持つ、すなわ
ち酸化ケイ素は窒化ケイ素より３５倍速く研磨される。
硝酸アンモニウムセリウムの一部は熱分解法シリカによ
り置き換えることができる。
【００１０】更に、S.D.Hosaliらの米国特許５７３８８
００号は０．２から５重量％の酸化セリウム、０．５か
ら３．５％のキレート化剤としてのフタール酸水素カリ
ウム、及び０．１から０．５％のフッ素化界面活性剤を
含む研磨組成物によるシリカと窒化ケイ素を含む複合材
料の研磨を述べている。この組成物は塩基の添加により
中性ｐＨにもたらされる。シリカを研磨組成物に添加す
ることができる。記述された最良組成物ではほぼ３００
の研磨選択度が達成されている。
００号は０．２から５重量％の酸化セリウム、０．５か
ら３．５％のキレート化剤としてのフタール酸水素カリ
ウム、及び０．１から０．５％のフッ素化界面活性剤を
含む研磨組成物によるシリカと窒化ケイ素を含む複合材
料の研磨を述べている。この組成物は塩基の添加により
中性ｐＨにもたらされる。シリカを研磨組成物に添加す
ることができる。記述された最良組成物ではほぼ３００
の研磨選択度が達成されている。
【００１１】同様に、集積回路の製造時に、ケイ素ウェ
ファー上に形成された電子装置は希望の電子回路を構成
するために電極配線ラインにより互いに連結されるべき
である。各電極配線レベルは電気的に分離されるべきで
ある。この目的のために、各レベルは誘電層内にカプセ
ル封じされる。
ファー上に形成された電子装置は希望の電子回路を構成
するために電極配線ラインにより互いに連結されるべき
である。各電極配線レベルは電気的に分離されるべきで
ある。この目的のために、各レベルは誘電層内にカプセ
ル封じされる。
【００１２】集積回路の電極配線ラインは殆ど次の順序
による金属の反応性イオン彫刻により形成される：ほぼ
１０−１２ｍ厚のアルミニウムまたはアルミニウム合金
膜が電子またはイオンビームにより堆積され（スパッタ
リング）、配線回路の図案がその上に写真平版によりそ
れから反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により転写さ
れる。かくして規定されたラインはそれから誘電層（通
常は酸化ケイ素ベース、殆どテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）の蒸気相の分解により得られる）によ
り埋められる。この層はそれから機械化学的研磨により
平坦化される。
による金属の反応性イオン彫刻により形成される：ほぼ
１０−１２ｍ厚のアルミニウムまたはアルミニウム合金
膜が電子またはイオンビームにより堆積され（スパッタ
リング）、配線回路の図案がその上に写真平版によりそ
れから反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により転写さ
れる。かくして規定されたラインはそれから誘電層（通
常は酸化ケイ素ベース、殆どテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）の蒸気相の分解により得られる）によ
り埋められる。この層はそれから機械化学的研磨により
平坦化される。
【００１３】この誘電層により誘発される静電容量を減
らすための、一つの方法は低誘電率を持つ材料を用いる
ことからなる。最良の候補はN.H. Hendricksによる−Ma
t. Res. Soc. Symp. Proc., 443 巻，1997年，3-14頁及
びL. Peters による−Semi Conductor International−
1998年 9月，64-74 頁に掲示されている。
らすための、一つの方法は低誘電率を持つ材料を用いる
ことからなる。最良の候補はN.H. Hendricksによる−Ma
t. Res. Soc. Symp. Proc., 443 巻，1997年，3-14頁及
びL. Peters による−Semi Conductor International−
1998年 9月，64-74 頁に掲示されている。
【００１４】掲示された主な種類は： − Flare（登録商標）のようなフッ素化ポリ（アリー
ルエーテル）、 − ＰＡＥ−２のようなポリ（アリールエーテル）、 − フッ素化ポリアミド、 − ヒドリドシルセスキオキサン及びアルキルシルセス
キオキサン、 − Cyclotene （登録商標）のようなビスベンゾシクロ
ブテン、 − Parylene（登録商標）N のようなポリ（ｐ−キシリ
レン）及びParylene（登録商標）F のようなポリ（α，
α，α′，α′−テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）、 − パーフルオロシクロブタンの芳香族エーテルポリマ
ー、 − ＳｉＬＫ（登録商標）のような芳香族炭化水素。
ルエーテル）、 − ＰＡＥ−２のようなポリ（アリールエーテル）、 − フッ素化ポリアミド、 − ヒドリドシルセスキオキサン及びアルキルシルセス
キオキサン、 − Cyclotene （登録商標）のようなビスベンゾシクロ
ブテン、 − Parylene（登録商標）N のようなポリ（ｐ−キシリ
レン）及びParylene（登録商標）F のようなポリ（α，
α，α′，α′−テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）、 − パーフルオロシクロブタンの芳香族エーテルポリマ
ー、 − ＳｉＬＫ（登録商標）のような芳香族炭化水素。
【００１５】マイクロエレクトロニック配線工程で集積
化されることができるためには、低誘電率を持つこれら
の高分子は原理的に次の基準を満たさねばならない： − ０．３５ｐｍより小さい幅の堀を満たす、 − ４００℃より高いガラス転移温度、 − 低吸湿性（＜１％） − 高熱安定性（４５０℃で＜１％／ｈ） − 金属層及び他の誘電層への高接着性。
化されることができるためには、低誘電率を持つこれら
の高分子は原理的に次の基準を満たさねばならない： − ０．３５ｐｍより小さい幅の堀を満たす、 − ４００℃より高いガラス転移温度、 − 低吸湿性（＜１％） − 高熱安定性（４５０℃で＜１％／ｈ） − 金属層及び他の誘電層への高接着性。
【００１６】更に、堆積された高分子層は引続いて機械
化学的研磨により平坦化されることができねばならな
い。
化学的研磨により平坦化されることができねばならな
い。
【００１７】Thin Solid Films,(1997), 308-309, 550-
554 頁で、Y.L. Wang らはアルキルシロキサン層を塩基
性媒体中（ｐＨ＝１０．２）のヒュームドシリカ粒子ま
たは酸性媒体中（ｐＨ＝３．３−４．６）の酸化ジルコ
ニウム粒子を含む研磨溶液により研磨した。
554 頁で、Y.L. Wang らはアルキルシロキサン層を塩基
性媒体中（ｐＨ＝１０．２）のヒュームドシリカ粒子ま
たは酸性媒体中（ｐＨ＝３．３−４．６）の酸化ジルコ
ニウム粒子を含む研磨溶液により研磨した。
【００１８】J. of Electronic Materials, 26巻，8
号，1997年，935-940 頁で、G.R. Yang らは酸性または
アルカリ性媒体中のアルミニウム粒子を含む種々の研磨
溶液で研磨した後に得られたParylene（登録商標）N の
層の表面品質を研究した。得られた研磨速度はどの研磨
溶液が用いられても低い。
号，1997年，935-940 頁で、G.R. Yang らは酸性または
アルカリ性媒体中のアルミニウム粒子を含む種々の研磨
溶液で研磨した後に得られたParylene（登録商標）N の
層の表面品質を研究した。得られた研磨速度はどの研磨
溶液が用いられても低い。
【００１９】Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995年，
381 巻，229-235 頁で、J.M. Neirynck らは低誘電率を
持つ三つのタイプの高分子（Parylene（登録商標）、ベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフッ素化ポリイミド）
を塩基性または酸性媒体中のアルミニウム粒子を含む研
磨溶液により研磨する試みをした。
381 巻，229-235 頁で、J.M. Neirynck らは低誘電率を
持つ三つのタイプの高分子（Parylene（登録商標）、ベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフッ素化ポリイミド）
を塩基性または酸性媒体中のアルミニウム粒子を含む研
磨溶液により研磨する試みをした。
【００２０】現在、マイクロエレクトロニック配線工程
での低誘電率を持つ高分子層の集積化は機械化学的研磨
による平坦化段階時のこのタイプの材料で得られる不十
分な性能により主として困難に陥っている。この段階は
まだ完全に、特に研磨速度及び研磨した表面の表面状態
に関して、征服されていない。
での低誘電率を持つ高分子層の集積化は機械化学的研磨
による平坦化段階時のこのタイプの材料で得られる不十
分な性能により主として困難に陥っている。この段階は
まだ完全に、特に研磨速度及び研磨した表面の表面状態
に関して、征服されていない。
【００２１】シロキサン結合により互いに連結しないコ
ロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシリ
カの水性酸性懸濁液の使用が、低誘電率を持つポリマー
ベースの絶縁材料（特にＳｉＬＫ（登録商標）タイプ）
の層を研磨するとき研磨速度、研磨均一性及び研磨され
た表面の表面状態品質に非常に良好な妥協をもたらすこ
とを可能とすることが驚くべきかつ予想できない態様で
結論された。
ロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシリ
カの水性酸性懸濁液の使用が、低誘電率を持つポリマー
ベースの絶縁材料（特にＳｉＬＫ（登録商標）タイプ）
の層を研磨するとき研磨速度、研磨均一性及び研磨され
た表面の表面状態品質に非常に良好な妥協をもたらすこ
とを可能とすることが驚くべきかつ予想できない態様で
結論された。
【００２２】本発明の主題は研磨組成物がシロキサン結
合により互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ
粒子と懸濁液媒体としての水を含むカチオン化されたコ
ロイドシリカの水性酸性懸濁液を含むことを特徴とす
る、低誘電率を持つポリマーベースの絶縁材料から作ら
れた層のための機械化学的研磨組成物である。
合により互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ
粒子と懸濁液媒体としての水を含むカチオン化されたコ
ロイドシリカの水性酸性懸濁液を含むことを特徴とす
る、低誘電率を持つポリマーベースの絶縁材料から作ら
れた層のための機械化学的研磨組成物である。
【００２３】“カチオン化されたコロイドシリカの水性
酸性懸濁液”によりアルミニウム、クロミウム、ガリウ
ム、チタニウムまたはジルコニウムのような三価または
四価金属酸化物により表面変性されたコロイドシリカの
水性酸性懸濁液を意味する。それらは特に書籍“The Ch
emistry of Silica − R.K. Iler-Wiley Interscience
(1979年），410-411 頁”に記載されている。
酸性懸濁液”によりアルミニウム、クロミウム、ガリウ
ム、チタニウムまたはジルコニウムのような三価または
四価金属酸化物により表面変性されたコロイドシリカの
水性酸性懸濁液を意味する。それらは特に書籍“The Ch
emistry of Silica − R.K. Iler-Wiley Interscience
(1979年），410-411 頁”に記載されている。
【００２４】この発明を用いる好ましい条件下では、シ
ロキサン結合により互いに連結しないコロイドシリカ粒
子を含むカチオン化されたコロイドシリカの水性酸性溶
液はほぼ５０重量％のアルミニウムヒドロキシクロライ
ドの溶液を用いて得られ、その場合ナトリウムで安定化
された塩基性シリカゾルが攪拌下にほぼ９のｐＨで導入
される。かくして３．５と４の間のｐＨのカチオン性コ
ロイドシリカ粒子の安定な懸濁液が得られる。
ロキサン結合により互いに連結しないコロイドシリカ粒
子を含むカチオン化されたコロイドシリカの水性酸性溶
液はほぼ５０重量％のアルミニウムヒドロキシクロライ
ドの溶液を用いて得られ、その場合ナトリウムで安定化
された塩基性シリカゾルが攪拌下にほぼ９のｐＨで導入
される。かくして３．５と４の間のｐＨのカチオン性コ
ロイドシリカ粒子の安定な懸濁液が得られる。
【００２５】本出願において、“ＳｉＬＫ（登録商標）
タイプの低誘電率を持つポリマーベースの絶縁材料”に
よりP.H. TowsendらによりMat. Res. Soc. Symp. Pro
c.，1997年，476 ，9-17頁に記述された材料を意味す
る。この材料は３０ｍＰａ．ｓの粘度のオリゴマー溶液
により構成され、その重合は触媒を必要とせず、水の形
成を誘発しない。重合した網目はフッ素を含まない芳香
族炭化水素である。その誘電率は２．６５であり、その
ガラス転移温度は４９０℃より高く、その屈折率は１．
６３である。
タイプの低誘電率を持つポリマーベースの絶縁材料”に
よりP.H. TowsendらによりMat. Res. Soc. Symp. Pro
c.，1997年，476 ，9-17頁に記述された材料を意味す
る。この材料は３０ｍＰａ．ｓの粘度のオリゴマー溶液
により構成され、その重合は触媒を必要とせず、水の形
成を誘発しない。重合した網目はフッ素を含まない芳香
族炭化水素である。その誘電率は２．６５であり、その
ガラス転移温度は４９０℃より高く、その屈折率は１．
６３である。
【００２６】従って高研磨選択度を提供する組成物を得
るのが望ましいであろう。
るのが望ましいであろう。
【００２７】かくして、本出願人はシロキサン結合によ
り互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子の
水性酸性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると窒化ケ
イ素（Ｓｉ３Ｎ４）の研磨速度を非常に顕著に減少させ
ることができ、一方酸化ケイ素（熱酸化物またはテトラ
エトキシシランオキサイド）の研磨速度を保つことがで
きることが驚くべきかつ予想できない態様で結論した。
これは酸化ケイ素／窒化ケイ素研磨選択度の５００まで
の値に達する顕著な増加として表れる。
り互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子の
水性酸性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると窒化ケ
イ素（Ｓｉ３Ｎ４）の研磨速度を非常に顕著に減少させ
ることができ、一方酸化ケイ素（熱酸化物またはテトラ
エトキシシランオキサイド）の研磨速度を保つことがで
きることが驚くべきかつ予想できない態様で結論した。
これは酸化ケイ素／窒化ケイ素研磨選択度の５００まで
の値に達する顕著な増加として表れる。
【００２８】本出願人はまたシロキサン結合により互い
に連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸
性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると低誘電率を持
つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させることがで
きることを驚くべきかつ予想できない態様で結論した。
に連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸
性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると低誘電率を持
つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させることがで
きることを驚くべきかつ予想できない態様で結論した。
【００２９】本発明の主題はかくしてシロキサン結合に
より互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子
の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含みまたは好ましくは
それらによって構成されることを特徴とする集積回路産
業のための研磨組成物である。
より互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子
の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含みまたは好ましくは
それらによって構成されることを特徴とする集積回路産
業のための研磨組成物である。
【００３０】本発明の水性酸性懸濁液のコロイドシリカ
粒子は有利には１２と１００ｎｍの間、好ましくは３５
と５０ｎｍの間の平均直径を持つ。
粒子は有利には１２と１００ｎｍの間、好ましくは３５
と５０ｎｍの間の平均直径を持つ。
【００３１】コロイドシリカのこのような水性懸濁液は
アルカリ性シリケート、特にナトリウムまたはカリウ
ム、からまたはエチルシリケートからのいずれかにより
得られる。これらの二つの場合において、当業者に既知
のかつより詳細にはWiley Interscienceにより１９７９
年に出版された、“The Chemistry of silica ”，９
章、３３１から３４３頁にKK. Ilerにより記述された手
段を用いて、１２と１００ｎｍの間の直径のシロキサン
タイプの結合により互いに連結しない個別化された粒子
を含むコロイドシリカの水性酸性懸濁液を得ることがで
きる。
アルカリ性シリケート、特にナトリウムまたはカリウ
ム、からまたはエチルシリケートからのいずれかにより
得られる。これらの二つの場合において、当業者に既知
のかつより詳細にはWiley Interscienceにより１９７９
年に出版された、“The Chemistry of silica ”，９
章、３３１から３４３頁にKK. Ilerにより記述された手
段を用いて、１２と１００ｎｍの間の直径のシロキサン
タイプの結合により互いに連結しない個別化された粒子
を含むコロイドシリカの水性酸性懸濁液を得ることがで
きる。
【００３２】コロイドシリカのかかる水性酸性懸濁液の
ｐＨは好ましくは１と５の間、最も好ましくは２と３の
間である。
ｐＨは好ましくは１と５の間、最も好ましくは２と３の
間である。
【００３３】本発明の特別な主題は研磨物質、すなわち
コロイドシリカの濃度が重量で５と５０％の間、好まし
くは２０と４０％の間、特に２５と３５％の間、更には
特にほぼ３０％である、上述の研磨組成物である。
コロイドシリカの濃度が重量で５と５０％の間、好まし
くは２０と４０％の間、特に２５と３５％の間、更には
特にほぼ３０％である、上述の研磨組成物である。
【００３４】用いられた界面活性剤は窒化ケイ素の研磨
速度を非常に顕著に減少させ、一方酸化ケイ素の研磨速
度を保つことができる。かくして窒化ケイ素に関して酸
化ケイ素の選択的研磨が得られる。それはまた低誘電率
を持つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させる。
速度を非常に顕著に減少させ、一方酸化ケイ素の研磨速
度を保つことができる。かくして窒化ケイ素に関して酸
化ケイ素の選択的研磨が得られる。それはまた低誘電率
を持つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させる。
【００３５】研磨組成物中に用いられた界面活性剤（単
数または複数）の量は有利には０．００１％と５％の
間、好ましくは０．００５と２％の間、更に好ましくは
０．０１から１％の容量濃度に相当する。用いられた界
面活性剤は例えば以下の実施例に引用されたもののよう
な商業的に入手し得る製品であることができる。
数または複数）の量は有利には０．００１％と５％の
間、好ましくは０．００５と２％の間、更に好ましくは
０．０１から１％の容量濃度に相当する。用いられた界
面活性剤は例えば以下の実施例に引用されたもののよう
な商業的に入手し得る製品であることができる。
【００３６】好ましくは、この発明による研磨組成物は
５％より少ない酸化剤を含み、特に酸化剤を全く含まな
い。
５％より少ない酸化剤を含み、特に酸化剤を全く含まな
い。
【００３７】もし良好な長期保存時間を持つ研磨組成物
が形成されるべきだとしたら、コロイドシリカベースの
水性酸性研磨溶液を不安定にする傾向があり、かくして
研磨組成物の保存時間を減少する傾向のあるカチオン界
面活性剤に対抗して、アニオンまたは非イオン系界面活
性剤が好ましくは用いられねばならないであろう。更に
好ましくは、本出願人が予想できないかつ非常に説得力
のある結果を得たアニオン界面活性剤が用いられるであ
ろう。
が形成されるべきだとしたら、コロイドシリカベースの
水性酸性研磨溶液を不安定にする傾向があり、かくして
研磨組成物の保存時間を減少する傾向のあるカチオン界
面活性剤に対抗して、アニオンまたは非イオン系界面活
性剤が好ましくは用いられねばならないであろう。更に
好ましくは、本出願人が予想できないかつ非常に説得力
のある結果を得たアニオン界面活性剤が用いられるであ
ろう。
【００３８】この発明による組成物は優れた特性を持
ち、特に： − ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度は界面活性剤の濃
度により広範囲の値（５から５００）に渡って調整され
ることができ、濃度を増やすと通常選択度を増やす、 − 研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、 − 改善された酸化ケイ素研磨均一性、 − 非常に良好な平坦化効果、 − 低誘電率を持つポリマーのための非常に良好な研磨
速度、を持つ。
ち、特に： − ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度は界面活性剤の濃
度により広範囲の値（５から５００）に渡って調整され
ることができ、濃度を増やすと通常選択度を増やす、 − 研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、 − 改善された酸化ケイ素研磨均一性、 − 非常に良好な平坦化効果、 − 低誘電率を持つポリマーのための非常に良好な研磨
速度、を持つ。
【００３９】それらはこの発明による組成物の使用、特
に集積回路産業のための研磨材の形成のための使用を正
当化する。
に集積回路産業のための研磨材の形成のための使用を正
当化する。
【００４０】この理由のために、本発明の主題はまた１
２と１００ｎｍの間の直径のシロキサン結合により互い
に連結しない個別化された粒子を含む１と５の間のｐＨ
のコロイドシリカの水性酸性懸濁液、及び好ましくはア
ニオンまたは非イオン系の界面活性剤で含浸された織物
を含むことを特徴とする集積回路産業の機械化学的研磨
のための研磨材である。
２と１００ｎｍの間の直径のシロキサン結合により互い
に連結しない個別化された粒子を含む１と５の間のｐＨ
のコロイドシリカの水性酸性懸濁液、及び好ましくはア
ニオンまたは非イオン系の界面活性剤で含浸された織物
を含むことを特徴とする集積回路産業の機械化学的研磨
のための研磨材である。
【００４１】最後に、この発明の主題は酸化ケイ素層、
窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーの層がシロキ
サン結合により互いに連結しない個別化されたコロイド
シリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを
特徴とする研磨組成物で含浸された支持体でこすられる
集積回路産業での機械化学的研磨法である。
窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーの層がシロキ
サン結合により互いに連結しない個別化されたコロイド
シリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを
特徴とする研磨組成物で含浸された支持体でこすられる
集積回路産業での機械化学的研磨法である。
【００４２】この発明の研磨組成物のための上に示され
た好ましい条件はこの発明の他の主題にも適用される。
た好ましい条件はこの発明の他の主題にも適用される。
【００４３】この範囲は以下に与えられた実施例に関し
てより良く理解されるであろうし、その目的はこの発明
の利点を説明することにある。
てより良く理解されるであろうし、その目的はこの発明
の利点を説明することにある。
【００４４】実施例 １：酸性ｐＨのコロイドシリカと
第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活
性剤を持つ水性懸濁液ベースの研磨材でウェファーを機
械化学的研磨する例。
第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活
性剤を持つ水性懸濁液ベースの研磨材でウェファーを機
械化学的研磨する例。
【００４５】各ケイ素ウェファー上に酸化ケイ素（以下
ＳｉＯ２と呼ぶ）６０００Å厚の熱成長または窒化ケイ
素（以下Ｓｉ３Ｎ４と呼ぶ）１６００Å厚の堆積が行わ
れる。
ＳｉＯ２と呼ぶ）６０００Å厚の熱成長または窒化ケイ
素（以下Ｓｉ３Ｎ４と呼ぶ）１６００Å厚の堆積が行わ
れる。
【００４６】このように形成されたウェファーはそれか
らPRESI 2000研磨機上で次の研磨条件で研磨される： − 支持力： ０．５ｄａＮ／ｃｍ２ − ターンテーブル速度： ３０ r.p.m − ヘッド速度： ４２ r.p.m − 研磨材温度： １０℃ − 研磨材流速： １００ｃｍ３／ｍｉｎ − 織物： ＩＣ １４００(Rodel)
らPRESI 2000研磨機上で次の研磨条件で研磨される： − 支持力： ０．５ｄａＮ／ｃｍ２ − ターンテーブル速度： ３０ r.p.m − ヘッド速度： ４２ r.p.m − 研磨材温度： １０℃ − 研磨材流速： １００ｃｍ３／ｍｉｎ − 織物： ＩＣ １４００(Rodel)
【００４７】次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁
液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び１３から１８の炭素原子の鎖長とほぼ３２８の平均
分子量を持つ、ClariantによりEmulsogen（登録商標）E
P名の下に販売されている第二アルカンスルホン酸塩タ
イプの界面活性剤による。
液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び１３から１８の炭素原子の鎖長とほぼ３２８の平均
分子量を持つ、ClariantによりEmulsogen（登録商標）E
P名の下に販売されている第二アルカンスルホン酸塩タ
イプの界面活性剤による。
【００４８】次の結果が得られた：
【表１】
【００４９】界面活性剤を含まない例（試料４）に比べ
て、次のことが結論された： − 用いられたアニオン界面活性剤の量により酸化ケイ
素層のわずかに増加した研磨速度、 − 用いられたアニオン界面活性剤の量により、界面活
性剤の少量でさえも、窒化ケイ素層の研磨速度の非常に
大きな減少、 − 結果として、０．２５から１％のアニオン界面活性
剤の存在により２（アニオン界面活性剤を含まない）か
ら１２８と１７６の間の値へ増加する非常に大きく改善
されたＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度、 − 研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、 − 改善された酸化ケイ素研磨均一性。
て、次のことが結論された： − 用いられたアニオン界面活性剤の量により酸化ケイ
素層のわずかに増加した研磨速度、 − 用いられたアニオン界面活性剤の量により、界面活
性剤の少量でさえも、窒化ケイ素層の研磨速度の非常に
大きな減少、 − 結果として、０．２５から１％のアニオン界面活性
剤の存在により２（アニオン界面活性剤を含まない）か
ら１２８と１７６の間の値へ増加する非常に大きく改善
されたＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度、 − 研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、 − 改善された酸化ケイ素研磨均一性。
【００５０】実施例 ２ 実施例１のそれらと同様のコロイドシリカの水性酸性懸
濁液とアニオン界面活性剤により、ケイ素ウェファー上
に堆積されたテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層の研
磨速度が同じタイプのケイ素ウェファー上に堆積された
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）層の研磨速度に関して研究さ
れた。
濁液とアニオン界面活性剤により、ケイ素ウェファー上
に堆積されたテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層の研
磨速度が同じタイプのケイ素ウェファー上に堆積された
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）層の研磨速度に関して研究さ
れた。
【００５１】実施例１におけるのと同じ操作条件下に、
しかし次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ３５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１に類似の、第二ｎ−アルカンスルホン酸塩
タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得られ
る：
しかし次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ３５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１に類似の、第二ｎ−アルカンスルホン酸塩
タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得られ
る：
【表２】
【００５２】界面活性剤を含まない例（試料９）に比べ
て、次のことが結論された： − 水性酸性コロイドシリカ研磨溶液にアニオン界面活
性剤が添加されるときのＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわず
かな増加、 − 用いられるアニオン界面活性剤の量がより増加され
ればされるほど窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減
少、 − 結果として、４．４（アニオン界面活性剤を含まな
い）から５２０（第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプ
のアニオン界面活性剤の１％の存在における）へ増加す
る非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４研磨選
択度、 − 研磨されたＴＥＯＳ酸化物層の優れた表面状態、 − 改善されたＴＥＯＳ酸化物研磨均一性。
て、次のことが結論された： − 水性酸性コロイドシリカ研磨溶液にアニオン界面活
性剤が添加されるときのＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわず
かな増加、 − 用いられるアニオン界面活性剤の量がより増加され
ればされるほど窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減
少、 − 結果として、４．４（アニオン界面活性剤を含まな
い）から５２０（第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプ
のアニオン界面活性剤の１％の存在における）へ増加す
る非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４研磨選
択度、 − 研磨されたＴＥＯＳ酸化物層の優れた表面状態、 − 改善されたＴＥＯＳ酸化物研磨均一性。
【００５３】実施例 ３ 実施例１におけるのと同じ操作条件下に、しかし次の特
性のコロイドシリカの水性酸性溶液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ３５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及びドデシル硫酸ナトリウムである界面活性剤により、
次の結果が得られる：
性のコロイドシリカの水性酸性溶液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ３５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及びドデシル硫酸ナトリウムである界面活性剤により、
次の結果が得られる：
【表３】
【００５４】界面活性剤を含まない例（試料１１）に比
べて、次のことが結論される： − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる酸化ケイ素
層のわずかに減少した研磨速度、 − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる窒化ケイ素
層の非常に大きな研磨速度の減少、 − 結果として、３（ドデシル硫酸ナトリウムを含まな
い）から０．５％のドデシル硫酸ナトリウムによる６８
へ増加する大きく改善された研磨選択度。
べて、次のことが結論される： − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる酸化ケイ素
層のわずかに減少した研磨速度、 − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる窒化ケイ素
層の非常に大きな研磨速度の減少、 − 結果として、３（ドデシル硫酸ナトリウムを含まな
い）から０．５％のドデシル硫酸ナトリウムによる６８
へ増加する大きく改善された研磨選択度。
【００５５】実施例 ４ 実施例３におけるのと同じ操作条件で、しかし実施例３
の熱ＳｉＯ２層の代わりにＴＥＯＳ酸化物層を研磨し、
次の結果が得られる：
の熱ＳｉＯ２層の代わりにＴＥＯＳ酸化物層を研磨し、
次の結果が得られる：
【表４】
【００５６】界面活性剤を含まない例（試料１３）に比
べて、次のことが結論される： − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムが添加されるとき
のＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわずかな減少、 − 窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減少、 − 結果として、４．４（界面活性剤含まず）から９４
（０．５％ドデシル硫酸ナトリウムの存在における）へ
増加する非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４
研磨選択度。
べて、次のことが結論される： − ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムが添加されるとき
のＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわずかな減少、 − 窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減少、 − 結果として、４．４（界面活性剤含まず）から９４
（０．５％ドデシル硫酸ナトリウムの存在における）へ
増加する非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４
研磨選択度。
【００５７】比較例 １ 実施例１と同じ操作条件下に、しかし次の特性のコロイ
ドシリカの水性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ７ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩−基界面活性剤を用いて、次の結果が得られた：
ドシリカの水性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ７ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩−基界面活性剤を用いて、次の結果が得られた：
【表５】
【００５８】この例において、１％ Emulsogen EPと組
み合わせた中性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液の使用
はアニオン界面活性剤を含まない組成物に比べてＳｉＯ
２層及びＳｉ３Ｎ４層の研磨速度を変更せず、ＳｉＯ２
／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度を改善しない結果となり、それ
は３．２−３．３の水準のままであり、本発明の範囲内
より劣ることが結論された。
み合わせた中性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液の使用
はアニオン界面活性剤を含まない組成物に比べてＳｉＯ
２層及びＳｉ３Ｎ４層の研磨速度を変更せず、ＳｉＯ２
／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度を改善しない結果となり、それ
は３．２−３．３の水準のままであり、本発明の範囲内
より劣ることが結論された。
【００５９】比較例 ２ 実施例１と同じ条件下に、しかし次の特性のコロイドシ
リカ懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： １１ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様な第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
リカ懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： １１ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様な第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表６】
【００６０】この例において、０．５から１％の Emuls
ogen EPと組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリ
カ懸濁液の使用はＳｉＯ２酸化物層及びＳｉ３Ｎ４層の
研磨速度を変更せず、ここではＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研
磨選択度の改善がなく、それは３．１−３．２の水準の
ままであり、それは本発明の範囲内より劣ることが結論
される。
ogen EPと組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリ
カ懸濁液の使用はＳｉＯ２酸化物層及びＳｉ３Ｎ４層の
研磨速度を変更せず、ここではＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研
磨選択度の改善がなく、それは３．１−３．２の水準の
ままであり、それは本発明の範囲内より劣ることが結論
される。
【００６１】実施例 ５ 各ケイ素ウェファー上に低誘電率を持つ１０００Å厚の
ＳｉＬＫ（登録商標）タイプポリマーの堆積が行われ、
それからこの層が４５０℃で焼入れすることにより重合
される。
ＳｉＬＫ（登録商標）タイプポリマーの堆積が行われ、
それからこの層が４５０℃で焼入れすることにより重合
される。
【００６２】実施例１と同じ操作条件下に、しかし次の
特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得
られる：
特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： ２．５ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得
られる：
【表７】
【００６３】界面活性剤を含まない例（試料２０）に比
べて、次のことが結論される： − アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ研磨
溶液に添加されるときのＳｉＬＫ堆積の研磨速度におけ
る非常に大きな増加、 − アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ溶液
に添加されるときの良好なＳｉＬＫ堆積研磨均一性。
べて、次のことが結論される： − アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ研磨
溶液に添加されるときのＳｉＬＫ堆積の研磨速度におけ
る非常に大きな増加、 − アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ溶液
に添加されるときの良好なＳｉＬＫ堆積研磨均一性。
【００６４】比較例 ３ 実施例５と同じ条件下に、しかし次の特性のコロイドシ
リカ懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： １２ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例５のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
リカ懸濁液： − 水性懸濁液のｐＨ： １２ − コロイドシリカ粒子の平均直径： ５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度： ３０％ 及び実施例５のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン
酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表８】
【００６５】この例において、０．５％ Emulsogen EP
と組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液
の使用は非常に低い研磨速度を与え、それは本発明の範
囲内より劣ることが結論される。
と組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液
の使用は非常に低い研磨速度を与え、それは本発明の範
囲内より劣ることが結論される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モリス・リヴォワール フランス国38240 メイラン、シュマン、 ド、ラ、タイヤ 38
Claims (16)
- 【請求項１】 シロキサン結合によって互いに連結しな
い個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と
界面活性剤を含むことを特徴とする集積回路電子産業の
ための研磨組成物。 - 【請求項２】 前記組成物のｐＨが１と５の間であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の研磨組成物。 - 【請求項３】 前記組成物のｐＨが２と３の間であるこ
とを特徴とする請求項１から２の一つに記載の研磨組成
物。 - 【請求項４】 前記組成物の研磨粒子の平均直径が１２
ｎｍと１００ｎｍの間であることを特徴とする請求項１
から３の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項５】 前記組成物の研磨粒子の平均直径が３５
ｎｍと５０ｎｍの間であることを特徴とする請求項１か
ら４の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項６】 前記組成物の研磨粒子の重量濃度が５％
と５０％の間であることを特徴とする請求項１から５の
一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項７】 前記組成物の研磨粒子の重量濃度が２５
％と３５％の間であることを特徴とする請求項１から６
の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項８】 前記組成物の界面活性剤の容量濃度が
０．００１％と５％の間であることを特徴とする請求項
１から７の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項９】 前記組成物の界面活性剤の容量濃度が
０．０１％と１％の間であることを特徴とする請求項１
から８の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項１０】 前記組成物の界面活性剤がアニオンま
たは非イオン系であることを特徴とする請求項１から９
の一つに記載の研磨組成物。 - 【請求項１１】 前記組成物の界面活性剤がアニオン系
であることを特徴とする請求項１から１０の一つに記載
の研磨組成物。 - 【請求項１２】 シロキサン結合によって互いに連結し
ない１２ｎｍと１００ｎｍの間の直径の個別化された粒
子を含む１と５の間のｐＨのコロイドシリカの水性酸性
懸濁液と界面活性剤で含浸された織物を含むことを特徴
とする集積回路産業での機械化学的研磨のための研磨
材。 - 【請求項１３】 研磨組成物で含浸された支持体を用い
て酸化ケイ素の層がこすられるところの集積回路産業で
の機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン
結合によって互いに連結しない個別化されたコロイドシ
リカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特
徴とする集積回路産業での機械化学的研磨法。 - 【請求項１４】 研磨組成物で含浸された支持体を用い
て窒化ケイ素の層がこすられるところの集積回路産業で
の機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン
結合によって互いに連結しない個別化されたコロイドシ
リカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特
徴とする集積回路産業での機械化学的研磨法。 - 【請求項１５】 酸化ケイ素層及び他の窒化ケイ素層の
選択的機械化学的研磨が実行されるところの集積回路産
業での機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキ
サン結合によって互いに連結しない個別化されたコロイ
ドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むこと
を特徴とする集積回路産業での機械化学的研磨法。 - 【請求項１６】 低誘電率を持つポリマーの層が研磨組
成物により含浸された支持体を用いてこすられるところ
の集積回路産業での機械化学的研磨法において、研磨組
成物がシロキサン結合によって互いに連結しない個別化
されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性
剤を含むことを特徴とする集積回路産業での機械化学的
研磨法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9814073 | 1998-11-09 | ||
| FR9814073A FR2785614B1 (fr) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2000144111A5 JP2000144111A5 (ja) | 2005-04-07 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| WO2012161202A1 (ja) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | 株式会社クラレ | 化学機械研磨用エロージョン防止剤、化学機械研磨用スラリーおよび化学機械研磨方法 |
| WO2019181419A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、および半導体基板の製造方法 |
| JP2022514788A (ja) * | 2018-12-19 | 2022-02-15 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 研磨組成物およびそれを使用する方法 |
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| US8163049B2 (en) | 2006-04-18 | 2012-04-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Fluoride-modified silica sols for chemical mechanical planarization |
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