CN113721432A - 电控鼓及其制作方法、打印机 - Google Patents

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CN113721432A
CN113721432A CN202111087362.5A CN202111087362A CN113721432A CN 113721432 A CN113721432 A CN 113721432A CN 202111087362 A CN202111087362 A CN 202111087362A CN 113721432 A CN113721432 A CN 113721432A
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CN
China
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gate
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film transistor
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CN202111087362.5A
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孟凡理
陈江博
李泽源
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Beijing BOE Technology Development Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种电控鼓及其制作方法、打印机,电控鼓包括衬底以及依次设置在衬底一侧的开关元件层、电极层和电荷传输层,通过将开关元件层、电极层和电荷传输层互相电连接,开关元件层导通后电极层可以导出电荷传输层上的电荷,以改变电荷传输层表面的电荷分布,电荷传输层表面电荷的分布情况即决定了墨粉的静电吸附量,由此实现控制打印图案的形成。和现有技术中通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导后硒鼓表面积累的电荷被导通,进而控制表面电荷分布的方式相比,无需设置激光扫描光学系统,且避开了光吸收和光电导等较为复杂的过程,也避免了因为光衰减而发生的打印异常,减小了产品体积和复杂度的同时,提高了产品的可靠性。

Description

电控鼓及其制作方法、打印机
技术领域
本申请涉及打印技术领域,具体而言,本申请涉及一种电控鼓及其制作方法、打印机。
背景技术
当前激光打印机主要采用光电导的原理,通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导,使得硒鼓表面积累的电荷被导通流失,进而控制表面电荷的分布。当带有电荷的硒鼓表面接触墨粉时,有电荷的部位吸附墨粉,因此硒鼓表面电荷的分布情况决定了墨粉的分布情况,从而实现控制打印图案的形成。
然而,通过光来控制打印机内硒鼓对墨粉的吸附,整个过程涉及到光吸收和光电效应等,较为复杂。并且由于光衰减等原因,容易发生打印异常,可靠性较低。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种电控鼓及其制作方法、打印机,用以解决现有技术中的激光打印机存在的容易发生打印异常和可靠性较低的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种电控鼓,包括:
衬底;
开关元件层,设置在所述衬底一侧;
电极层,设置在所述开关元件层远离所述衬底一侧,所述电极层与所述开关元件层电连接;
电荷传输层,设置在所述电极层远离所述衬底的一侧,所述电荷传输层与所述电极层电连接,所述开关元件层和所述电极层用以导出所述电荷传输层上的电荷,以改变所述电荷传输层表面的电荷分布。
可选地,所述开关元件层包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源漏极层、有源层以及栅极层,所述电极层与所述源漏极层电连接,所述栅极层在所述衬底上的正投影落入所述有源层在所述衬底上的正投影内。
可选地,所述源漏极层包括源极层和漏极层,在第一方向上,所述栅极层和所述源极层之间具有第一间隙,所述第一方向垂直于所述衬底至所述电荷传输层的分布方向。
可选地,在所述第一方向上,所述栅极层与所述漏极层之间具有第二间隙,所述第二间隙小于所述第一间隙。
可选地,所述栅极层包括第一子栅极层和第二子栅极层,所述第一子栅极层和所述第二子栅极层沿所述第一方向间隔设置,在第一方向上,所述第一子栅极层和所述第二子栅极层之间的距离大于1微米,所述第一方向垂直于所述衬底至所述电荷传输层的分布方向。。
可选地,在所述第一方向上所述第二子栅极层和所述漏极层之间的距离大于1微米。
可选地,所述电荷传输层包括多个像素单元,与所述像素单元对应的所述开关元件层中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管互相串联;
所述第一薄膜晶体管包括第一漏极层,所述第一漏极层和所述电极层电连接。
可选地,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一源极层,所述第二薄膜晶体管包括第二源极层、第二栅极层以及第二漏极层,所述第二漏极层与所述第一源极层电连接且同层设置;
所述第一栅极层与所述第一漏极层在所述第一方向上的距离大于1微米;和/或,所述第二栅极层与所述第二漏极层在所述第一方向上的距离大于1微米。
第二个方面,本申请实施例提供了一种打印机,包括本申请实施例中的电控鼓。
第三个方面,本申请实施例提供了一种电控鼓的制作方法,包括:
提供一衬底;
在所述衬底一侧依次制作开关元件层和电极层;
在所述电极层远离所述衬底的一侧制作电荷传输层。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
本申请实施例中的电控鼓包括衬底以及依次设置在衬底一侧的开关元件层、电极层和电荷传输层,通过将开关元件层、电极层和电荷传输层互相电连接,开关元件层导通后电极层可以导出电荷传输层上的电荷,以改变电荷传输层表面的电荷分布,电荷传输层表面电荷的分布情况即决定了墨粉的静电吸附量,由此实现控制打印图案的形成。和现有技术中通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导后硒鼓表面积累的电荷被导通,进而控制表面电荷分布的方式相比,无需设置激光扫描光学系统,且避开了光吸收和光电导等较为复杂的过程,也避免了因为光衰减而发生的打印异常,减小了产品体积和复杂度的同时,提高了产品的可靠性。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请提供的第一种电控鼓的结构示意图;
图2为本申请实施例中电控鼓的工作原理示意图;
图3为本申请提供的第二种电控鼓的结构示意图;
图4为本申请提供的第三种电控鼓的结构示意图;
图5为本申请提供的第四种电控鼓的结构示意图;
图6为本申请提供的第五种电控鼓的结构示意图;
图7为本申请提供的打印机的结构示意图;
图8为本申请提供的电控鼓的制作方法的流程示意图;
图9a至图9f为本申请提供的制作电控鼓的不同过程的结构示意图。
图中:
1-电控鼓;10-衬底;11-开关元件层;12-电极层;13-电荷传输层;
110-薄膜晶体管;111-栅极层;112-源漏极层;113-有源层;114-绝缘层;
1121-源极层;1122-漏极层;1111-第一子栅极层;1112-第二子栅极层;
130-像素单元;110a-第一薄膜晶体管;110b-第二薄膜晶体管;
111a-第一栅极层;1121a-第一源极层;1122a-第一漏极层;113a-第一有源层;
111b-第二栅极层;1121b-第二源极层;1122b-第二漏极层;113b-第二有源层;
14-缓冲层;15-平坦化树脂层;16-钝化层;160-通孔;
L1-第一间隙;L2-第二间隙;L3-第三间隙;
2-打印机;21-充电辊;22-显影辊;23-转印辊;30-墨粉。
具体实施方式
下面详细描述本申请,本申请的实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外,如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的,则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解,当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时,它可以直接连接或耦接到其他元件,或者也可以存在中间元件。此外,这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人考虑到,在现有的激光打印机中,主要采用光电导的原理,通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导,使得硒鼓表面积累的电荷被导通流失,进而控制表面电荷的分布。当带有电荷的硒鼓表面接触墨粉时,有电荷的部位吸附墨粉,从而实现控制打印图案的形成。然而,通过光来控制打印机内硒鼓对墨粉的吸附,整个过程涉及到光吸收和光电效应等,较为复杂。并且由于光衰减等原因,容易发生打印异常,可靠性较低。
本申请提供的电控鼓及其制作方法、打印机,旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面结合附图详细介绍一下本申请实施例提供的电控鼓及其制作方法、打印机。
本申请实施例提供一种电控鼓1,如图1所示,该电控鼓1包括:
衬底10;
开关元件层11,设置在衬底10一侧;
电极层12,设置在开关元件层11远离衬底10一侧,电极层12与开关元件层11电连接;
电荷传输层13,设置在电极层12远离衬底10的一侧,电荷传输层13与电极层12电连接,所述开关元件层11和所述电极层12用以导出电荷传输层13上的电荷,以改变电荷传输层13表面的电荷分布。
其中,电控鼓1为圆筒结构,衬底10可以采用柔性材料,以方便实现电控鼓1滚筒的制作。开关元件层11与电极层12电连接,电极层12与电荷传输层13电连接。开关元件层11中包括多个开关元件,电荷传输层13包括多个独立的像素单元130,多个像素单元130中每个像素单元130均对应连接有开关元件。
结合图1和图2,在电控鼓1工作时,首先给电荷传输层13充电,使电荷传输层13的表面分布有电荷。打印机中的数据信号控制开关元件的开启与关闭,当开关元件开启时,开关元件层11、电极层12与电荷传输层13连通,和处于开启状态开关元件对应的像素单元130中的电荷被导走,即电荷传输层13上部分区域的电荷被导走,其他区域的电荷则保留,因此,电荷传输层13上形成了电荷分布的潜影。墨粉30的表面也带有电荷,墨粉30上的电荷极性与电荷传输层13上的电荷极性相反。电控鼓1与显影辊接触时,电荷传输层13上带有电荷的区域吸附墨粉30,未带电荷的区域不吸附墨粉30,由此在电荷传输层13的表面形成了由墨粉30构成的图案。电控鼓1与纸张接触后,将墨粉30图像印在纸张上,以在纸张上形成打印的图案。
本申请实施例中的电控鼓1通过将开关元件层11、电极层12和电荷传输层13互相电连接,开关元件层11开启后电极层12可以导出电荷传输层13上的电荷,通过改变电荷传输层13上的电荷分布决定电荷传输层13表面的墨粉30分布,由此实现控制打印图案的形成。和现有技术中通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导后硒鼓表面积累的电荷被导通,进而控制表面电荷分布的方式相比,避开了光吸收和光电导等较为复杂的过程,也避免了因为光衰减而发生的打印异常,提高了产品的可靠性。
需要说明的是,电荷传输层13的材料为电子传输材料,包括有机材料和无机半导体材料。电荷传输层13可以是单层结构,也可以是多层复合结构。充电辊在给电荷传输层13充电时,可以使电荷传输层13的表面带正电荷,也可以使电荷传输层13的表面带负电荷。若电荷传输层13表面为正电荷,则墨粉30上需要带有负电荷,以使墨粉30能被吸附到电荷传输层13上,同理若电荷传输层13表面为负电荷,则墨粉30上需要带有正电荷,具体可以根据实际情况进行确定。
开关元件层11中可以包括二极管、三极管半导体开关器件,在本申请的一些实施例中,结合图1和图3,开关元件层11包括薄膜晶体管110,薄膜晶体管110包括源漏极层112、有源层113以及栅极层111,电极层12与源漏极层112电连接,栅极层111在衬底10上的正投影落入有源层113在衬底10上的正投影内。栅极层111和有源层113之间设置有绝缘层114,以使栅极层111和有源层113之间彼此绝缘。有源层113上设置有源漏极层112,源漏极层112中包括源极层1121和漏极层1122,源极层1121和漏极层1122分别与有源层113电连接。薄膜晶体管110具有厚度薄、工作可靠、制作工艺较简单等优点,并且具有良好的弯折性能,因此适合作为电控鼓1中的开关元件。薄膜晶体管110的有源层113材料可以是非晶硅,也可以是氧化物半导体,薄膜晶体管110的形状可以是圆形也可以是方形,具体可以根据实际情况进行确定,此处不作限定。
如图2所示,对于右侧的薄膜晶体管110,其栅极层111上的电压小于阈值电压,该薄膜晶体管110处于关闭状态。对于左侧的薄膜晶体管110,在薄膜晶体管110上的源极和漏极之间施加电压,源极和漏极之间的电势差可以是600v至800v,当左侧薄膜晶体管110中栅极层111上的电压大于阈值电压时,该薄膜晶体管110处于开启状态,与该薄膜晶体管110对应电连接的像素单元130上电荷被导走。因此,左侧薄膜晶体管110所对应的电荷传输层13表面没有电荷,右侧薄膜晶体管110所对应的电荷传输层13表面带有电荷,以实现对墨粉30的吸附。
本申请的发明人考虑到,为了提高电荷传输层13表面电荷被导走的效率,薄膜晶体管110中漏极和源极之间的电势差通常较大,同时栅极层111和源漏极层112之间的电势差也较大,因此栅极层111和源漏极层112之间的绝缘层114有着被击穿的风险。为此,结合图1和图3,在本申请的实施例中,栅极层111在衬底10上的正投影落入有源层113在衬底10上的正投影内,即栅极层111的面积小于有源层113的面积,有源层113上部分区域与栅极层111对应,其他区域与栅极层111错开。在薄膜晶体管110处于开启状态时,有源层113上与栅极层111错开区域的部分具有较大的电阻,由此提高了栅极层111和源漏极层112之间膜层的电阻,降低了绝缘层114被击穿的风险,提高了薄膜晶体管110器件的可靠性。
需要说明的是,使栅极层111的面积小于有源层113的面积有着多种实现方式。在本申请的一个具体实施例中,如图1所示,源漏极层112包括源极层1121和漏极层1122,在第一方向上,栅极层111和源极层1121之间具有第一间隙L1,第一方向垂直于衬底10至电荷传输层13的分布方向。由于源极层1121部分覆盖有源层113,因此使栅极层111和源极层1121之间具有间隙,可以使栅极层111的面积小于有源层113的面积。可以理解的是,栅极层111与源极层1121之间在第一方向上的间隙越大,栅极层111的面积越小,栅极层111和源漏极层112之间膜层的电阻越大,有助于防止绝缘层114被击穿。优选的,栅极层111和源极层1121之间在第一方向上的第一间隙L1大于1微米。
可以理解的是,当栅极层111与源极层1121之间在第一方向上具有间隙时,栅极层111与漏极层1122之间可以无间隙,也可以有间隙。即如图1所示,栅极层111和漏极层1122之间无间隙,即栅极层111和漏极层1122对齐。为了进一步地提高防击穿性能,在本申请的一个具体实施例中,如图3所示,在第一方向上,栅极层111与漏极层1122之间具有第二间隙L2,由此进一步地减小了栅极层111的面积,降低了绝缘层114被击穿的风险。为了避免栅极层111面积过小影响薄膜晶体管110的正常工作,优选的,第二间隙L2小于第一间隙L1。第一间隙L1和第二间隙L2的具体数值可以根据实际情况进行确定,此处不作限定。
在本申请的实施例中,电荷传输层13上的多个像素单元130呈阵列排布,像素单元130的驱动方式包括行驱动和列驱动,即通过逐行扫描或者逐列扫描的方式打开像素单元130所对应的薄膜晶体管110,以将电荷传输层13表面像素单元130所在区域的电荷导走。
为了能独立控制每个像素单元130所对应的电荷传输层13表面的电荷分布,以提高打印精度,在本申请的一些实施例中,通过行列驱动的方式驱动每个像素单元130,即像素单元130所对应的薄膜晶体管110需要同时通过行扫描和列扫描的方式驱动。按照行列驱动的方式控制像素单元130,每个像素单元130需要两个控制线。
需要说明的是,实现两个控制线可以通过不同的方式实现。在本申请的一个具体实施例中,如图4所示,在每个像素单元130所对应的薄膜晶体管110中,栅极层111包括第一子栅极层1111和第二子栅极层1112。通过将与每个像素单元130对应的薄膜晶体管110设置成双栅极,薄膜晶体管110中的第一子栅极层1111和第二子栅极层1112可以分别对应连接行扫描线和列扫描线(图中均未示出),当第一子栅极层1111和第二子栅极层1112上同时施加驱动电压时,薄膜晶体管110开启,像素单元130所对应的电荷传输层13表面的电荷被导走,由此实现行列驱动控制像素单元130。为了减小绝缘层114被击穿的风险,有源层113上需要有部分区域与栅极层111错开,因此将第一子栅极层1111和第二子栅极层1112沿第一方向间隔设置。第一子栅极层1111和第二子栅极层1112之间的距离可以根据实际情况进行确定,优选的,在第一方向上,第一子栅极层1111和第二子栅极层1112之间的第三间隙L3大于1微米。
为了进一步地增大有源层113上与栅极层111错开区域的面积,在第一子栅极层1111和第二子栅极层1112间隔设置的同时,第一子栅极层1111与漏极层1122之间也具有间隙。如图5所示,在第一方向上,第一子栅极层1111和漏极层1122之间的第一间隙L1大于1微米。第一子栅极层1111和漏极层1122的间距可以根据实际情况进行确定,此处不作限定。
如图6所示,在本申请的另一个具体实施例中,与电荷传输层13中每个像素单元130对应的开关元件层11中包括第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b,第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b互相串联;第一薄膜晶体管110a包括第一漏极层1121a,第一漏极层1122a和电极层12电连接。通过设置两个互相串联的薄膜晶体管,第一薄膜晶体管110a的第一栅极层111a可以对应连接行扫描线(图中未示出),第二薄膜晶体管110b的第二栅极层111b可以对应连接列扫描线(图中未示出),当第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b同时打开时,像素单元130所对应的电荷传输层13表面的电荷被导走,由此实现行列驱动控制像素单元130。
需要说明的是,第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b的具体结构可以根据实际情况进行确定。优选的,如图6所示,在本申请的实施例中,第一薄膜晶体管110a包括第一栅极层111a和第一源极层1121a,第二薄膜晶体管110b包括第二源极层1121b、第二栅极层111b以及第二漏极层1122b,第二漏极层1122b与第一源极层1121a电连接且同层设置。第二漏极层1122b与第一源极层112a1同层设置具体指,第二漏极层1122b与第一源极层1121a是通过同一次构图工艺制作形成,因此有利于降低生产成本。为了进一步降低制作成本,如图6所示,第一栅极层111a和第二栅极层111b同层设置,第一有源层113a和第二有源层113b同层设置。
如图6所示,为了减小第一薄膜晶体管110a中绝缘层114被击穿的风险,第一栅极层111a与第一漏极层1122之间在第一方向上具有间隙,优选的,第一栅极层111a111与第一漏极层1122a在第一方向上的距离D1大于1微米。为了减小第二薄膜晶体管110b中绝缘层114被击穿的风险,第二栅极层111b和第二漏极层1122b之间也可以间隔设置,即第二栅极层111b和第二漏极层1122b在第一方向上有着距离D2。在第一方向上,距离D1和距离D2可以均大于1微米,也可以是其中之一大于1微米,具体可以根据实际情况进行确定。
基于同一种发明构思,本申请实施例还提供一种打印机2。如图7所示,打印机2包括本申请实施例提供的上述电控鼓1,以及充电辊21和显影辊22等部件。
在打印机2工作时,首先由充电辊21给电荷传输层13充电,使电荷传输层13的表面分布有电荷。打印机2中的数据信号控制开关元件的开启与关闭,使电荷传输层13上形成了电荷分布的潜影。显影辊22的表面具有墨粉30,电控鼓1与显影辊22接触时,电荷传输层13上带有电荷的区域吸附墨粉30,未带电荷的区域不吸附墨粉30,由此在电荷传输层13的表面形成了由墨粉30构成的图案。电控鼓1与纸张接触后,将墨粉30图像印在纸张上。由于打印机2包括本申请实施例提供的上述电控鼓1,因此该打印机2具有与电控鼓1相同的有益效果,这里不再赘述。
在图7中,电控鼓1中的薄膜晶体管110(图7中未示出)为P型薄膜晶体管,电控鼓1中电荷传输层13的材料为空穴传输型材料,充电辊21施加给电控鼓1以及显影辊22接入的电位为负,转印辊23上所施加的电位为正。需要说明的是,电控鼓1中的薄膜晶体管110也可以是N型薄膜晶体管,若电控鼓1中采用N型薄膜晶体管,则电控鼓1中电荷传输层13的材料为电子传输型材料,充电辊21施加给电控鼓1以及显影辊22接入的电位为正,转印辊23上所施加的电位为负。电控鼓1中薄膜晶体管110的类型以及打印机中各部件上的具体电位可以根据实际情况进行确定。
基于同一种发明构思,本申请实施例还提供一种电控鼓1的制作方法,如图8所示,该制作方法包括:
S101、提供一衬底;
S102、在衬底一侧依次制作开关元件层和电极层;
S103、在电极层远离衬底10的一侧制作电荷传输层。
本申请实施例提供的电控鼓1的制作方法中,由于是通过开关元件的开启和关闭控制电荷传输层13上的电荷分布,以控制电荷传输层13表面的墨粉30分布,实现打印图案的形成。和现有技术中通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导后硒鼓表面积累的电荷被导通,进而控制表面电荷分布的方式相比,避开了光吸收和光电导等较为复杂的过程,也避免了因为光衰减而发生的打印异常,提高了产品的可靠性。
下面结合附图详细介绍本申请实施例中制作电控鼓1的具体过程。
如图9a所示,首先在衬底10上通过构图工艺制作栅极层111,即先通过沉积一层金属层,然后对该金属层进行构图工艺以形成栅极层111。具体的,本申请实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。
如图9b所示,接着,在栅极层111远离衬底10的一侧制作绝缘层114,并使绝缘层114覆盖栅极层111。绝缘层114的材料包括氧化铝、氧化锆、氧化硅等具有良好绝缘性能的材料,具体可以根据实际情况进行确定。
如图9c所示,接着,在绝缘层114远离衬底10的一侧通过构图工艺制作有源层113。需要说明的是,有源层113的材料可以是氧化物半导体,也可以是非晶硅。当有源层113材料采用非晶硅时,在沉积非晶硅层后对非晶硅层进行掺杂工艺处理,以形成有源层113;或者,在沉积非晶硅层后继续在非晶硅层上沉积掺杂层,最后将沟道区的掺杂层刻蚀掉,以形成有源层13。需要说明的是,绝缘层114和非晶硅层可以通过等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)一次沉积形成。
如图9d所示,接着,在有源层113远离衬底10的一侧通过构图工艺制作源漏极层112,以形成薄膜晶体管110作为开关元件层11中的开关器件。为了降低绝缘层114被击穿的风险,使栅极层111和漏极层1122在第一方向上具有间隙,优选的,栅极层111和漏极层1122在第一方向上的第一间隙L1大于1微米。
如图9e所示,接着,在开关元件层11远离衬底10的一侧依次制作缓冲层14、平坦化树脂层15以及钝化层16,并在钝化层16上开设贯通至漏极层1122的通孔160。然后,在钝化层16远离衬底10的一侧沉积电极层12,并使电极层12与漏极层1122电连接。
如图9f所示,最后,在电极层12远离衬底10的一侧制作电荷传输层13,以完成电控鼓1的制作。需要说明的是,电荷传输层13的材料为电荷传输材料,包括有机材料和无机半导体材料。电荷传输层13可以是单层结构,也可以是多层复合结构,电荷传输材料可以是电子传输型材料,也可以是空穴传输型材料,由于电子的迁移率大于空穴的迁移率,因此采用电子传输材料时电荷传输层13的传输效率更高。电荷传输层13的具体设置可以根据实际情况进行确定。
应用本申请实施例,至少能够实现如下有益效果:
1、本申请实施例中的电控鼓1通过将开关元件层11、电极层12和电荷传输层13互相电连接,开关元件层11开启后电极层12可以导出电荷传输层13上的电荷,通过改变电荷传输层13上的电荷分布决定电荷传输层13表面的墨粉30分布,由此实现控制打印图案的形成。和现有技术中通过使硒鼓表面接收光的区域产生光电导后硒鼓表面积累的电荷被导通,进而控制表面电荷分布的方式相比,无需设置激光扫描光学系统,且避开了光吸收和光电导等较为复杂的过程,也避免了因为光衰减而发生的打印异常,减小了产品体积和复杂度的同时,提高了产品的可靠性。
2、在电控鼓1中,开关元件层11中采用薄膜晶体管110作为开关元件,薄膜晶体管110具有工作可靠、制作工艺较简单等优点,并且弯折性能良好。通过使栅极层111在衬底10上的正投影落入有源层113在衬底10上的正投影内,即栅极层111的面积小于有源层113的面积,有源层113上部分区域与栅极层111对应,其他区域与栅极层111错开。在薄膜晶体管110处于开启状态时,有源层113上与栅极层111错开区域的部分具有较大的电阻,由此提高了栅极层111和源漏极层112之间膜层的电阻,降低了绝缘层114被击穿的风险,提高了薄膜晶体管110器件的可靠性。
3、在电控鼓1中,通过行列驱动的方式控制像素单元130,即通过逐行扫描或者逐列扫描的方式打开像素单元130所对应的薄膜晶体管110,以将电荷传输层13表面像素单元130所在区域的电荷导走,由此可以提高电控鼓1的响应速度,即提高电荷传输层13表面电荷被导走的效率,降低电荷传输层13表面形成潜影所需的时间。
4、当像素单元130通过第一薄膜晶体管110a110和第二薄膜晶体管110b110控制时,通过使第二薄膜晶体管110b110的第二漏极层1122与第一薄膜晶体管110a110的第一源极层1121同层设置,即第二漏极层1122与第一源极层1121是通过同一次构图工艺制作形成,有利于简化工艺并降低制作成本。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种电控鼓,其特征在于,包括:
衬底;
开关元件层,设置在所述衬底一侧;
电极层,设置在所述开关元件层远离所述衬底一侧,所述电极层与所述开关元件层电连接;
电荷传输层,设置在所述电极层远离所述衬底的一侧,所述电荷传输层与所述电极层电连接,所述开关元件层和所述电极层用以导出所述电荷传输层上的电荷,以改变所述电荷传输层表面的电荷分布。
2.根据权利要求1所述的电控鼓,其特征在于,所述开关元件层包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源漏极层、有源层以及栅极层,所述电极层与所述源漏极层电连接,所述栅极层在所述衬底上的正投影落入所述有源层在所述衬底上的正投影内。
3.根据权利要求2所述的电控鼓,其特征在于,所述源漏极层包括源极层和漏极层,在第一方向上,所述栅极层和所述源极层之间具有第一间隙,所述第一方向垂直于所述衬底至所述电荷传输层的分布方向。
4.根据权利要求3所述的电控鼓,其特征在于,在所述第一方向上,所述栅极层与所述漏极层之间具有第二间隙,所述第二间隙小于所述第一间隙。
5.根据权利要求2所述的电控鼓,其特征在于,所述栅极层包括第一子栅极层和第二子栅极层,所述第一子栅极层和所述第二子栅极层沿所述第一方向间隔设置,在第一方向上,所述第一子栅极层和所述第二子栅极层之间的距离大于1微米,所述第一方向垂直于所述衬底至所述电荷传输层的分布方向。
6.根据权利要求5所述的电控鼓,其特征在于,在所述第一方向上所述第二子栅极层和所述漏极层之间的距离大于1微米。
7.根据权利要求3所述的电控鼓,其特征在于,所述电荷传输层包括多个像素单元,与所述像素单元对应的所述开关元件层中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管互相串联;
所述第一薄膜晶体管包括第一漏极层,所述第一漏极层和所述电极层电连接。
8.根据权利要求7所述的电控鼓,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一源极层,所述第二薄膜晶体管包括第二源极层、第二栅极层以及第二漏极层,所述第二漏极层与所述第一源极层电连接且同层设置;
所述第一栅极层与所述第一漏极层在所述第一方向上的距离大于1微米;和/或,所述第二栅极层与所述第二漏极层在所述第一方向上的距离大于1微米。
9.一种打印机,其特征在于,包括如权利要求1至8中任意一项所述的电控鼓。
10.一种电控鼓的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底一侧依次制作开关元件层和电极层;
在所述电极层远离所述衬底的一侧制作电荷传输层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024103311A1 (zh) * 2022-11-16 2024-05-23 京东方科技集团股份有限公司 探测基板及其控制方法、探测装置、打印装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984041A (en) * 1989-07-28 1991-01-08 Xerox Corporation High voltage thin film transistor with second control electrode
US5400062A (en) * 1992-08-19 1995-03-21 Salmon; Peter C. Electrostatic printing apparatus and method
US5658805A (en) * 1991-06-28 1997-08-19 U.S. Philips Corporation Method of fabricating thin-film transistors
JP2001076873A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US20050259140A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Kim Seong-Jin Electrostatic latent image forming medium, image forming apparatus including the electrostatic latent image forming medium and method of forming an electrostatic latent image
CN1755536A (zh) * 2004-09-29 2006-04-05 精工爱普生株式会社 打印头以及具有该打印头的图像形成装置
CN101174071A (zh) * 2006-10-31 2008-05-07 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置、以及电子设备
CN103681695A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置
CN203521430U (zh) * 2013-09-30 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN107146818A (zh) * 2017-06-27 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
CN108064416A (zh) * 2016-12-30 2018-05-22 深圳市柔宇科技有限公司 薄膜晶体管、显示器设备及薄膜晶体管的制备方法
CN108493216A (zh) * 2018-03-21 2018-09-04 福建华佳彩有限公司 一种tft阵列基板、显示装置及tft阵列基板的制备方法
CN109037297A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示基板及其制作方法
CN112420782A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN113036057A (zh) * 2021-03-04 2021-06-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984041A (en) * 1989-07-28 1991-01-08 Xerox Corporation High voltage thin film transistor with second control electrode
US5658805A (en) * 1991-06-28 1997-08-19 U.S. Philips Corporation Method of fabricating thin-film transistors
US5400062A (en) * 1992-08-19 1995-03-21 Salmon; Peter C. Electrostatic printing apparatus and method
JP2001076873A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US20050259140A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Kim Seong-Jin Electrostatic latent image forming medium, image forming apparatus including the electrostatic latent image forming medium and method of forming an electrostatic latent image
CN1755536A (zh) * 2004-09-29 2006-04-05 精工爱普生株式会社 打印头以及具有该打印头的图像形成装置
CN101174071A (zh) * 2006-10-31 2008-05-07 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置、以及电子设备
CN203521430U (zh) * 2013-09-30 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
CN103681695A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置
CN108064416A (zh) * 2016-12-30 2018-05-22 深圳市柔宇科技有限公司 薄膜晶体管、显示器设备及薄膜晶体管的制备方法
CN107146818A (zh) * 2017-06-27 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
CN108493216A (zh) * 2018-03-21 2018-09-04 福建华佳彩有限公司 一种tft阵列基板、显示装置及tft阵列基板的制备方法
CN109037297A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示基板及其制作方法
CN112420782A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN113036057A (zh) * 2021-03-04 2021-06-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024103311A1 (zh) * 2022-11-16 2024-05-23 京东方科技集团股份有限公司 探测基板及其控制方法、探测装置、打印装置

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