CN113721401B - 像素阵列基板 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列基板包括基板、多个绝缘图案、多条信号线以及多个像素结构。这些绝缘图案设置于基板上，且各自具有至少一凹陷结构。这些信号线分别设置在这些绝缘图案上，且各自填入这些绝缘图案的其中一者的至少一凹陷结构内。这些像素结构设置于基板上，且分别电性连接这些信号线。一种还包括多个导电图案的像素阵列基板亦被提出。

Description

像素阵列基板
技术领域
本发明涉及一种显示技术，且特别涉及一种像素阵列基板。
背景技术
近年来，伴随着显示技术的发展，消费性显示装置(例如智慧电视、电竞显示器)在显示性能及功能上不断的提升，例如超高分辨率、高对比、高帧率(High frame rate)、防窥或立体显示等功能。为了达到这些规格的要求，显示装置的驱动电路的整体电性势必要有相对应的提升。举例来说，常见的像素驱动电路中，其信号线(例如数据线或扫描线)、主动元件与像素电极之间大都存在着寄生电阻与寄生电容的问题，造成传输信号的波形因阻容延迟(RC delay)效应而改变。这类的信号波形改变会影响到主动元件的开关特性，进而影响显示品质。尤其是同时兼具超高分辨率(例如8K4K)与高帧率(例如120Hz)的显示装置，上述的阻容延迟效应所产生的影响更是显著。
为了抑制阻容延迟效应，常见的手法为增加信号线的宽度及/或厚度。然而，增加信号线的宽度对于液晶显示面板来说会造成其像素开口率的损失。另一方面，信号线的厚度增加又容易造成其膜面均匀性的下降，甚至是影响到电路基板的整体应力分布而造成基板的破片。换句话说，目前的技术手段都仍有其工艺或光学设计的限制待突破。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板，其驱动电路具有较佳的充放电能力。
本发明的像素阵列基板，包括基板、多个绝缘图案、多条信号线以及多个像素结构。这些绝缘图案设置于基板上，且各自具有至少一凹陷结构。这些信号线分别设置在这些绝缘图案上，且各自填入这些绝缘图案的其中一者的至少一凹陷结构内。这些像素结构设置于基板上，且分别电性连接这些信号线。
本发明的像素阵列基板，包括基板、多个绝缘图案、多条信号线、多个导电图案以及多个像素结构。这些绝缘图案设置于基板的基板表面上，并且沿排列方向排列。这些绝缘图案在厚度方向上的第一厚度大于这些信号线在所述厚度方向上的第二厚度。各信号线在所述排列方向上的第一宽度小于等于各绝缘图案在所述排列方向上的第二宽度。这些导电图案邻设于这些信号线，并且与这些信号线电性绝缘。这些像素结构设置于基板上，且分别电性连接这些信号线。
基于上述，在本发明的一实施例的像素阵列基板中，绝缘图案上设有凹陷结构，且电性连接像素结构的信号线设置在此绝缘图案上并且填入此凹陷结构内。据此，可降低信号线的整体阻值，有助于提升像素阵列基板的驱动电路的充放电能力。在本发明的另一实施例的像素阵列基板中，通过绝缘图案的设置，可增加信号线与导电图案之间的距离，进而抑制信号线与导电图案之间的电容耦合效应，有助于提升像素阵列基板的驱动电路的充放电能力。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的像素阵列基板的俯视示意图。
图2A及图2B是图1的像素阵列基板的剖视示意图。
图3是本发明的第二实施例的像素阵列基板的剖视示意图。
图4是本发明的第三实施例的像素阵列基板的剖视示意图。
图5是本发明的第四实施例的像素阵列基板的剖视示意图。
图6是本发明的第五实施例的像素阵列基板的剖视示意图。
图7是本发明的第六实施例的像素阵列基板的剖视示意图。
附图标记说明：
10、10A、11、12、13、14：像素阵列基板
100：基板
100s：基板表面
CF：彩色滤光层
CP1、CP2：导电图案
CP1a：连接主部
CP1b：延伸段
d1：第一距离
d2：第二距离
DE：漏极
GE：栅极
IL1、IL2：绝缘层
IL1s、IPs：表面
IP、IP’、IP-A、IP-B、IP-C、IP-D：绝缘图案
IPe1、IPe2、SL1e1、SL1e2：侧缘
IPw：侧壁
IPw’、IPw”：斜面
PE：像素电极
PL：平坦层
PX：像素结构
RS、RS-A、RS-B、RS-C：凹陷结构
SE：源极
SL1、SL1’、SL1-A、SL1-B、SL1-C、SL2：信号线
SL1a、SL1b、SL1b-B：部分
T：主动元件
t1、t1’、t2、t3、t3’、t3”：厚度
W1、W2、W3、W3’、W3”：宽度
X、Y、Z：方向
A-A’、B-B’：剖线
θ1、θ2：夹角
具体实施方式
本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
现将详细地参考本发明的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于说明书附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是本发明的第一实施例的像素阵列基板的俯视示意图。图2A及图2B是图1的像素阵列基板的剖视示意图。特别说明的是，为清楚呈现起见，图1省略了图2A的绝缘层IL1、绝缘层IL2、彩色滤光层CF、平坦层PL以及导电图案CP2的示出。图2A与图2B分别对应图1的剖线A-A’与剖线B-B’。
请参照图1、图2A及图2B，像素阵列基板10包括基板100、多条信号线SL1、多条信号线SL2及多个像素结构PX。多条信号线SL1沿着方向X排列且在方向Y上延伸。多条信号线SL2沿着方向Y排列且在方向X上延伸。在本实施例中，信号线SL1与信号线SL2例如分别是数据线(data line)与扫描线(scan line)，但本发明不以此为限。这些信号线SL1相交于这些信号线SL2并定义出多个像素区，且这些像素区内设有多个像素结构PX。
在本实施例中，像素结构PX可包括彼此电性连接的主动元件T与像素电极PE。每一个像素结构PX的主动元件T电性连接像素电极PE、对应的一条信号线SL1与对应的一条信号线SL2。举例来说，主动元件T的栅极GE、源极SE与漏极DE分别电性连接信号线SL2、信号线SL1与像素电极PE。像素阵列基板10可经由信号线SL2传递一开关信号(例如具有高低电压电平的脉冲信号)至主动元件T的栅极GE，主动元件T在接收所述开关信号后，开启或关闭源极SE与漏极DE之间的电荷传输通道，以使像素电极PE进行充放电或保持电荷。也因此，这些像素电极PE可经由这些主动元件T的独立控制而分别具有不同或相同的电位。
特别说明的是，本实施例的图1仅示意性地示出主动元件T的电路简图，以说明其与信号线之间的电性连接关系。本领域中技术人员当可根据实际的像素结构与信号线的配置关系来形成合适的主动元件构型。因此，图1并未示出主动元件T的细节结构。
举例来说，主动元件T的栅极GE与信号线SL2可属于一金属导电层，且此导电层直接设置在基板100的基板表面100s上。主动元件T的源极SE、漏极DE与信号线SL1可属于另一金属导电层，且这两个金属导电层之间设有绝缘层IL1，但本发明不以此为限。在本实施例中，像素电极PE例如是光穿透式电极，而光穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，像素电极PE也可以反射式电极，反射式电极的材质包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
在本实施例中，像素阵列基板10可用于液晶显示(liquid crystal display，LCD)面板的显示驱动。液晶显示面板可包括像素阵列基板10、对向基板(未示出)以及夹设于像素阵列基板10与对向基板之间的液晶层(未示出)，而像素阵列基板10的每一个像素电极PE与对向基板上的导电层之间所形成的电场可驱使液晶层中的多个液晶分子转动。此电场的大小可决定这些液晶分子的光轴分布，进而让入射的偏振光线产生对应的相位延迟并造成其偏振状态的改变，以使出射光线具有对应的亮度。也因此，具有不同电位的像素电极PE可使出射光线具有不同的光强度，借此来达到影像显示的效果。
然而，本发明不限于此，在其他实施例中，像素阵列基板的像素结构及信号线的配置也可进行调整以适用于机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板、微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-LED)面板或次毫米发光二极管(minilight emitting diode，mini-LED)面板的显示驱动。
在本实施例中，像素阵列基板10还包括多个导电图案CP1，分别设置在多条信号线SL1(或多条信号线SL2)之间，且与这些信号线电性绝缘。导电图案CP1具有连接主部CP1a以及自连接主部CP1a的相对两侧延伸而出的两个延伸段CP1b。应注意的是，这两个延伸段CP1b各自邻设于对应的一条信号线SL1的一侧。这些延伸段CP1b是沿着方向Y延伸于像素电极PE的相对两侧。亦即，这些延伸段CP1b的延伸方向是平行于信号线SL1的延伸方向。
另一方面，在方向X上排列的多个导电图案CP1的连接主部CP1a彼此相连以使这些导电图案CP1具有相同的电位。举例来说，当重叠于这些导电图案CP1的多个像素电极PE被致能时，这些导电图案CP1可具有接地电位(ground)，以抑制像素电极PE与相邻的信号线SL1之间的电性干扰。换句话说，此处的导电图案CP1可作为屏蔽电极之用，但本发明不以此为限。在本实施例中，多个导电图案CP1与多条信号线SL2可选择性地属于同一膜层，但不以此为限。
进一步而言，为了抑制信号线SL1与导电图案CP1之间的电容耦合效应，像素阵列基板10还包括多个绝缘图案IP，且多条信号线SL1分别设置在这些绝缘图案IP上。据此，以增加导电图案CP1与信号线SL1之间的距离。从另一观点来说，这些信号线SL1在基板表面100s的法线方向(方向Z)上完全重叠于这些绝缘图案IP。在本实施例中，多条信号线SL1在其排列方向(例如方向X)上分别具有宽度W1，而多个绝缘图案IP在所述排列方向上分别具有宽度W2，且信号线SL1的宽度W1小于绝缘图案IP的宽度W2，但不以此为限。在其他实施例中，信号线SL1的宽度W1也可实质上等于绝缘图案IP的宽度W2。
在本实施例中，绝缘图案IP在方向X上具有彼此相对的侧缘IPe1与侧缘IPe2，信号线SL1在方向X上具有彼此相对的侧缘SL1e1与侧缘SL1e2。各信号线SL1的侧缘SL1e1与多个绝缘图案IP中相重叠的一者的侧缘IPe1之间具有第一距离d1。各信号线SL1的侧缘SL1e2与多个绝缘图案IP中相重叠的一者的侧缘IPe2之间具有第二距离d2。第一距离d1与第二距离d2大于等于3微米，且小于等于信号线SL1的宽度W1。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，在工艺精度(例如绝缘图案IP与信号线SL1的对位精度)较佳或信号线SL1的线宽变异较小的情况下，第一距离d1与第二距离d2也可大于等于0微米。
举例来说，在本实施例中，绝缘图案IP的侧缘IPe1与信号线SL1的侧缘SL1e1之间的第一距离d1实质上等于绝缘图案IP的侧缘IPe2与信号线SL1的侧缘SL1e2之间的第二距离d2。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，绝缘图案IP与信号线SL1位于一侧的相邻两侧缘之间的第一距离也可不同于绝缘图案IP与信号线SL1位于另一侧的相邻两侧缘之间的第二距离d2。
另一方面，在本实施例中，绝缘图案IP在厚度方向(例如方向Z)上的厚度t1可选择性地小于信号线SL1在所述厚度方向上的厚度t2，但本发明不以此为限。详细而言，绝缘图案IP还可具有自其表面IPs凹陷的至少一凹陷结构RS，例如本实施例的多个凹陷结构RS。信号线SL1在绝缘图案IP的表面IPs上延伸并且填入这些凹陷结构RS内。换句话说，本实施例的信号线SL1可区分为两个部分，分别为覆盖绝缘图案IP的表面IPs(或者是，位于凹陷结构RS外)的一部分SL1a以及伸入绝缘图案IP的凹陷结构RS的另一部分SL1b。
特别注意的是，这些凹陷结构RS的延伸方向是平行于信号线SL1(或绝缘图案IP)的延伸方向，但不以此为限。在其他实施例中，凹陷结构的延伸方向也可相交于信号线SL1的延伸方向。另一方面，凹陷结构RS于基板表面100s上的垂直投影在信号线SL1的排列方向(例如方向X)上具有宽度W3，而信号线SL1位于凹陷结构RS外的部分SL1a在基板表面100s的法线方向(例如方向Z)上具有厚度t3，且凹陷结构RS的宽度W3可小于等于信号线SL1的部分SL1a的厚度t3的两倍值。在本实施例中，凹陷结构RS的宽度W3是小于信号线SL1的部分SL1a的厚度t3的两倍值(甚至是一倍值)。
举例来说，在本实施例中，凹陷结构RS的宽度W3可小于1微米，而绝缘图案IP的厚度t1可大于2.5微米，但不以此为限。为了让凹陷结构RS具有较佳的高深宽比(high aspectratio)，绝缘图案IP的材质可包括具有高感光度的光刻胶材料，例如：SU-8、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、或含有硅氧烷基(Siloxane base)的光刻胶材料。
值得一提的是，通过这些凹陷结构RS的设置，信号线SL1伸入这些凹陷结构RS的部分SL1b可有效降低信号线SL1的整体阻值，有助于进一步提升像素阵列基板10的驱动电路的充放电能力。此外，还能避免像素阵列基板10的整体应力分布因信号线SL1的膜厚增加而改变，导致基板100容易发生破片的现象。换句话说，还能增加像素阵列基板10的工艺容许度(process window)，有助于提升其工艺良率。
另一方面，绝缘图案IP上的凹陷结构RS数量可根据信号线SL1的不同设计而调整。举例来说，在本实施例中，为了降低信号线SL1与信号线SL2(或导电图案CP1的连接主部CP1a)之间的寄生电容，信号线SL1在基板表面100s的法线方向(例如方向Z)上重叠于信号线SL2与导电图案CP1的连接主部CP1a的部分，其方向X上的宽度较信号线SL1的其他部分在方向X上的宽度小。也因此，绝缘图案IP在重叠于信号线SL1的这两部分的区域可设有不同数量的凹陷结构，例如：在重叠于信号线SL2与连接主部CP1a的区域设置两个凹陷结构RS(如图2B所示)，而在不重叠于信号线SL2与连接主部CP1a的区域设置八个凹陷结构RS(如图2A所示)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，绝缘图案在重叠于信号线SL1的所有区域都设有相同数量的凹陷结构RS，且每一个凹陷结构RS的延伸长度都与信号线SL1的延伸长度相当。
进一步而言，像素阵列基板10还可选择性地包括彩色滤光层CF与平坦层PL。彩色滤光层CF覆盖多条信号线SL1，且彩色滤光层CF与这些信号线SL1之间还设有绝缘层IL2。平坦层PL设置于彩色滤光层CF上，而像素结构PX的像素电极PE是设置在平坦层PL上。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，像素阵列基板也可不设有彩色滤光图案CF，而是以至少一绝缘材料层来取代。平坦层PL的材料例如是有机绝缘材料，有机绝缘材料可包括聚酰亚胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，PTFE)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)。
为了降低信号线SL1所产生的电场自平坦层PL窜出而影响前述液晶层邻近信号线SL1的部分液晶分子的排列状态，像素阵列基板10还可选择性地包括多个导电图案CP2。这些导电图案CP2分别设置在多条信号线SL1的正上方。举例来说，这些导电图案CP2与多个像素电极PE的材质可相同。亦即，导电图案CP2与像素电极PE可属于同一膜层，但不以此为限。
以下将列举另一些实施例以详细说明本公开，其中相同的构件将标示相同的符号，并且省略相同技术内容的说明，省略部分请参考前述实施例，以下不再赘述。
图3是本发明的第二实施例的像素阵列基板的剖视示意图。请参照图3，本实施例的像素阵列基板10A与图2A的像素阵列基板10的差异在于：像素阵列基板10A的绝缘图案IP’不具有图2A的凹陷结构RS。也就是说，在本实施例中，信号线SL1’不具有图2A中信号线SL1伸入凹陷结构RS的部分SL1b。
在本实施例中，绝缘图案IP’在厚度方向(例如方向Z)上的厚度t1’大于信号线SL1’在所述厚度方向上的厚度t3’。通过绝缘图案IP’的设置，可增加信号线SL1’与导电图案CP1之间的距离，进而抑制信号线SL1’与导电图案CP1之间的电容耦合效应，有助于提升像素阵列基板10A的驱动电路的充放电能力。
图4是本发明的第三实施例的像素阵列基板的剖视示意图。请参照图4，本实施例的像素阵列基板11与图2A的像素阵列基板10的差异在于：绝缘图案的凹陷结构的数量及宽度都不同。具体而言，绝缘图案IP-A的凹陷结构RS-A数量为两个，且凹陷结构RS-A于基板表面100s上的垂直投影在方向X上的宽度W3’明显大于图2A的凹陷结构RS于基板表面100s上的垂直投影在方向X上的宽度W3。
在本实施例中，凹陷结构RS-A于基板表面100s上的垂直投影在方向X上的宽度W3’大于信号线SL1-A位于凹陷结构RS-A外的部分在厚度方向(例如方向Z)上的厚度t3”的两倍值。举例来说，本实施例的凹陷结构RS-A的宽度W3’可大于2微米。也因此，信号线SL1-A可从绝缘图案IP-A的表面IPs延伸至绝缘图案IP-A定义凹陷结构RS-A的侧壁IPw以及绝缘层IL1定义凹陷结构RS-A的表面IL1s上。
更具体地说，本实施例的信号线SL1-A的膜厚并未因凹陷结构RS-A的设置而增加，但信号线SL1-A因共形于绝缘图案IP-A的这些凹陷结构RS-A，使其有效宽度明显增加，其中有效宽度是指信号线SL1-A在XZ平面上的延伸路径的总长度。据此，可降低信号线SL1-A的整体阻值，有助于提升像素阵列基板11的驱动电路的充放电能力。
此外，由于信号线SL1-A并未通过膜厚的增加来降低其整体阻值，因此还能避免像素阵列基板11的整体应力分布因信号线的膜厚增加而改变，导致基板100容易发生破片的现象。换句话说，还能增加像素阵列基板11的工艺容许度(process window)，有助于提升其工艺良率。
图5是本发明的第四实施例的像素阵列基板的剖视示意图。请参照图5，本实施例的像素阵列基板12与图2A的像素阵列基板10的差异在于：凹陷结构的构型不同。在本实施例中，绝缘图案IP-B的凹陷结构RS-B的横截面(例如XZ平面)轮廓呈V字形，不同于图2A的凹陷结构RS的横截面轮廓呈矩形。举例来说，绝缘图案IP-B定义凹陷结构RS-B的斜面IPw’与基板表面100s之间的夹角θ1大于60度。也因此，本实施例的信号线SL1-B填入凹陷结构RS-B的部分SL1b-B的横截面轮廓也呈V字形。
由于本实施例的绝缘图案IP-B与信号线SL1-B的尺寸大小关系及配置方式相似于图2A的绝缘图案IP与信号线SL1，因此详细的说明可参见前述实施例的相关段落，于此便不再重述。
图6是本发明的第五实施例的像素阵列基板的剖视示意图。请参照图6，本实施例的像素阵列基板13与图4的像素阵列基板11的差异在于：凹陷结构的数量及横截面轮廓不同。在本实施例中，绝缘图案IP-C的凹陷结构RS-C的横截面(例如XZ平面)轮廓呈V字形，不同于图4的凹陷结构RS-A的横截面轮廓呈矩形。举例来说，绝缘图案IP-C定义凹陷结构RS-C的斜面IPw”与基板表面100s之间的夹角θ2大于60度。
由于本实施例的绝缘图案IP-C与信号线SL1-C的尺寸大小关系及配置方式相似于图4的绝缘图案IP-A与信号线SL1-A，因此详细的说明可参见前述实施例的相关段落，于此便不再重述。值得注意的是，本实施例的信号线SL1-C的膜厚并未因凹陷结构RS-C的设置而增加，但信号线SL1-C因共形于绝缘图案IP-C的这些凹陷结构RS-C，使其有效宽度明显增加，其中有效宽度是指信号线SL1-C在XZ平面上的延伸路径的总长度。据此，可降低信号线SL1-C的整体阻值，有助于提升像素阵列基板13的驱动电路的充放电能力。
另一方面，由于信号线SL1-C并未通过膜厚的增加来降低其整体阻值，因此还能避免像素阵列基板13的整体应力分布因信号线的膜厚增加而改变，导致基板100容易发生破片的现象。换句话说，还能增加像素阵列基板13的工艺容许度(process window)，有助于提升其工艺良率。
图7是本发明的第六实施例的像素阵列基板的剖视示意图。请参照图7，本实施例的像素阵列基板14与图2A的像素阵列基板10的差异在于：绝缘图案的覆盖范围不同。举例来说，在本实施例中，绝缘图案IP-D在基板表面100s的法线方向(例如方向Z)上可部分覆盖导电图案CP1。据此，可进一步抑制信号线SL1与导电图案CP1之间的电容耦合效应，有助于提升像素阵列基板14的驱动电路的充放电能力。然而，本发明不限于此，在其他未示出的实施例中，绝缘图案也可完全地覆盖导电图案CP1。
综上所述，在本发明的一实施例的像素阵列基板中，绝缘图案上设有凹陷结构，且电性连接像素结构的信号线设置在此绝缘图案上并且填入此凹陷结构内。据此，可降低信号线的整体阻值，有助于提升像素阵列基板的驱动电路的充放电能力。在本发明的另一实施例的像素阵列基板中，通过绝缘图案的设置，可增加信号线与导电图案之间的距离，进而抑制信号线与导电图案之间的电容耦合效应，有助于提升像素阵列基板的驱动电路的充放电能力。

Claims (18)

1.一种像素阵列基板，包括：
一基板；
多个绝缘图案，设置于该基板上，且各自具有至少一凹陷结构；
多条信号线，分别设置在该些绝缘图案上，且各自填入该些绝缘图案的其中一者的该至少一凹陷结构内；以及
多个像素结构，设置于该基板上，且分别电性连接该些信号线，
其中该些信号线在该些绝缘图案的一排列方向上分别具有一第一宽度，该些绝缘图案在该排列方向上分别具有一第二宽度，且该第一宽度小于等于该第二宽度。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该些绝缘图案各自具有多个凹陷结构，且该些凹陷结构的延伸方向平行于该些信号线的延伸方向。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该些绝缘图案在一厚度方向上的一第一厚度小于该些信号线在该厚度方向上的一第二厚度。
4.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该些凹陷结构于该基板的一基板表面上的垂直投影在该些信号线的一排列方向上分别具有一宽度，该些信号线位于该些凹陷结构外的一部分在该基板表面的法线方向上具有一厚度，且各该凹陷结构的该宽度小于等于该些信号线的该厚度的两倍值。
5.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该些绝缘图案在一厚度方向上的一第一厚度大于该些信号线在该厚度方向上的一第二厚度。
6.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该些凹陷结构于该基板的一基板表面上的垂直投影在该些信号线的一排列方向上分别具有一宽度，该些信号线位于该些凹陷结构外的一部分在该基板表面的法线方向上具有一厚度，且各该凹陷结构的该宽度大于该些信号线的该厚度的两倍值。
7.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该些凹陷结构的横截面轮廓呈V字形。
8.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中各该绝缘图案定义各该凹陷结构的一斜面与该基板的一基板表面之间的夹角大于60度。
9.如权利要求1所述的像素阵列基板，还包括：
多个导电图案，邻设于该些信号线，并且与该些信号线电性绝缘，其中该些导电图案的延伸方向平行于该些信号线的延伸方向，该些绝缘图案至少部分覆盖该些导电图案。
10.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中各该绝缘图案在一方向上还具有彼此相对的一第一侧缘与一第二侧缘，该些信号线在该方向上各自具有彼此相对的一第三侧缘与一第四侧缘，各该信号线的该第三侧缘与该些绝缘图案中相重叠的一者的该第一侧缘之间具有一第一距离，各该信号线的该第四侧缘与该些绝缘图案中相重叠的一者的该第二侧缘之间具有一第二距离，该第一距离与该第二距离大于等于0微米且小于等于该些信号线各自在该方向上的一宽度。
11.如权利要求1所述的像素阵列基板，还包括：
一彩色滤光层，覆盖该些信号线；以及
一平坦层，设置在该彩色滤光层上，其中各该像素结构具有一主动元件与一像素电极，该主动元件电性连接于该像素电极与该些信号线的其中一者之间，且该像素电极设置在该平坦层上。
12.一种像素阵列基板，包括：
一基板；
多个绝缘图案，设置于该基板的一基板表面上，并且沿一排列方向排列；
多条信号线，分别设置在该些绝缘图案上，其中该些绝缘图案在一厚度方向上的一第一厚度大于该些信号线在该厚度方向上的一第二厚度，且各该信号线在该排列方向上的一第一宽度小于等于各该绝缘图案在该排列方向上的一第二宽度；
多个导电图案，邻设于该些信号线，并且与该些信号线电性绝缘；以及
多个像素结构，设置于该基板上，且分别电性连接该些信号线，
其中各该绝缘图案在该排列方向上还具有彼此相对的一第一侧缘与一第二侧缘，该些信号线在该排列方向上各自具有彼此相对的一第三侧缘与一第四侧缘，各该信号线的该第三侧缘与该些绝缘图案中相重叠的一者的该第一侧缘之间具有一第一距离，各该信号线的该第四侧缘与该些绝缘图案中相重叠的一者的该第二侧缘之间具有一第二距离，该第一距离与该第二距离大于等于0微米且小于等于该些信号线各自在该方向上的一宽度。
13.如权利要求12所述的像素阵列基板，其中该些绝缘图案各自具有多个凹陷结构，该些信号线填入该些绝缘图案的该些凹陷结构内，且该些凹陷结构的延伸方向平行于该些信号线的延伸方向。
14.如权利要求13所述的像素阵列基板，其中该些凹陷结构于该基板的一基板表面上的垂直投影在该些信号线的一排列方向上分别具有一宽度，该些信号线位于该些凹陷结构外的一部分在该基板表面的法线方向上具有一厚度，且各该凹陷结构的该宽度大于该些信号线的该厚度的两倍值。
15.如权利要求13所述的像素阵列基板，其中该些凹陷结构的横截面轮廓呈V字形。
16.如权利要求13所述的像素阵列基板，其中各该绝缘图案定义各该凹陷结构的一斜面与该基板的一基板表面之间的夹角大于60度。
17.如权利要求12所述的像素阵列基板，其中该些导电图案的延伸方向平行于该些信号线的延伸方向，且该些绝缘图案至少部分覆盖该些导电图案。
18.如权利要求12所述的像素阵列基板，还包括：
一彩色滤光层，覆盖该些信号线；以及
一平坦层，设置在该彩色滤光层上，其中各该像素结构具有一主动元件与一像素电极，该主动元件电性连接于该像素电极与该些信号线的其中一者之间，且该像素电极设置在该平坦层上。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114783285A (zh) * 2022-04-02 2022-07-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110134289A (zh) * 2018-12-11 2019-08-16 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其驱动方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9472507B2 (en) * 2013-06-17 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
CN104252078B (zh) * 2014-09-25 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置
US9349758B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
KR102421577B1 (ko) * 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107689208A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 上海和辉光电有限公司 一种改善oled驱动线信号延迟的结构及其制备方法
JP2021503168A (ja) * 2017-11-17 2021-02-04 シェンジェン ロイオル テクノロジーズ カンパニー リミテッドＳｈｅｎｚｈｅｎ Ｒｏｙｏｌｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 有機発光ダイオード表示モジュール及びその製造方法、電子装置
KR102587978B1 (ko) 2019-01-24 2023-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN109686243A (zh) * 2019-01-31 2019-04-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110134289A (zh) * 2018-12-11 2019-08-16 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其驱动方法

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