JP2021503168A - 有機発光ダイオード表示モジュール及びその製造方法、電子装置 - Google Patents

有機発光ダイオード表示モジュール及びその製造方法、電子装置 Download PDF

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Abstract

有機発光ダイオード表示モジュールは、基体と、基体上に形成された平坦層と、平坦層上及び第二ビアホール内に形成された陽極層と、平坦層上及び陽極層上に形成された画素定義層と、第三ビアホール内の陽極層上に形成された発光層と、陰極層と、を備える。基体には、リード及び電力線が形成されている。平坦層には、第一ビアホール及び第二ビアホールが開設され、リードの一部は第一ビアホール内に位置する。画素定義層には第三ビアホール及び第四ビアホールが開設され、陽極層の一部は第三ビアホールの位置と対応し、第四ビアホールと第一ビアホールは連通される。陰極層は、画素定義層上、発光層上、リード上に形成される。陰極層は互いに離間して設置された複数の導線ブロックを備え、各導線ブロックには曲がった導電線が設置されており、各導電線の両端は別々にリード及び電力線に接続される。本発明は、表示モジュールの製造方法及び電子装置も開示する。【選択図】図１

Description

本発明は、表示技術分野に関するものであり、特に有機発光ダイオード表示モジュール及びその製造方法、電子装置に関するものである。
従来のフレキシブル有機発光ダイオード表示モジュールは、陽極、発光層及び陰極を備える。陽極及び陰極を容易に制御して発光層に電圧を印加するように、陰極は一体化された層状になる。表示モジュールが湾曲されると、湾曲箇所の表示モジュールの光学特性は明らかに悪くなる。従来の表示モジュールは、陰極に応じて表示モジュールの各位置の曲率半径を取得できないので、表示モジュールの各位置に対して適切な表示補償を実行することはできない。
本発明の実施形態は、有機発光ダイオード表示モジュール、有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法及び電子装置を提供する。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュールは、
リード及び電力線が形成された基体と、
基体上に形成され、且つ第一ビアホール及び第二ビアホールが開設された平坦層と、
平坦層上及び第二ビアホール内に形成された陽極層と、
平坦層上及び陽極層上に形成され、且つ第三ビアホール及び第四ビアホールが開設された画素定義層と、
第三ビアホール内の陽極層上に形成された発光層と、
画素定義層上、発光層上、リード上に形成された陰極層と、
を備え、
リードの一部は第一ビアホールの位置と対応し、陽極層の一部は第三ビアホールの位置と対応し、第四ビアホールと第一ビアホールは連通され、陰極層は互いに離間して設置された複数の導線ブロックを備え、各導線ブロックには曲がった導電線が設置されており、各導電線の一端はリードに接続され、各導電線の他端は電力線に接続される。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュールは、陰極層を複数の導電線に分割することにより、各導電線の曲率半径に基づいて表示モジュールの１つの位置の曲率半径を確定することができ、従って表示モジュールは各導電線の曲率半径によって表示モジュールに対して表示補償を実行することができる。
本発明の実施形態に係わる電子装置は、上記の実施形態に係わる表示モジュールと、電流計と、プロセッサと、メモリと、を備え、
電流計は、リードを介して導電線に電気的に接続されることができ、且つ導電線に流れる電流を検出するために用いられ、
プロセッサは、導電線の長さ、導電線のポアソン比、導電線の抵抗率、前記電流、及び電力線によって提供される電圧に基づいて、各導電線の変形量を計算するために用いられ、
メモリには導電線の複数の変形量値及び複数の変形量値に対応する複数の曲率半径値が格納されており、プロセッサは各導電線の変形量及びメモリに格納された複数の曲率半径値に基づいて導電線の曲率半径を確定する。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュールは、陰極層を複数の導電線に分割することにより、電流計は導電線に流れる電流を容易に獲得することができ、従ってプロセッサは各導電線の変形量を計算してから、各導電線の変形量及びメモリに格納された複数の曲率半径値に基づいて導電線の曲率半径を確定することができる。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法は、
リード及び電力線が形成された基体を提供するステップと、
基体上に第一ビアホール及び第二ビアホールが開設された平坦層を形成するステップと、
平坦層上及び第二ビアホール内に陽極層を形成するステップと、
平坦層上及び陽極層上に第三ビアホール及び第四ビアホールが開設された画素定義層を形成するステップと、
第三ビアホール内の陽極層上に発光層を形成するステップと、
画素定義層上、発光層上、リード上に陰極層を形成するステップと、
を備え、
リードの一部は第一ビアホールの位置と対応し、陽極層の一部は第三ビアホールの位置と対応し、第四ビアホールと第一ビアホールは連通され、陰極層は互いに離間して設置された複数の導線ブロックを備え、各導線ブロックには曲がった導電線が設置されており、各導電線の一端はリードに接続され、各導電線の他端は電力線に接続される。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法によって製造された有機発光ダイオード表示モジュールは、陰極層を複数の導電線に分割することにより、各導電線の曲率半径に基づいて表示モジュールの１つの位置の曲率半径を確定することができ、従って表示モジュールは各導電線の曲率半径によって表示モジュールに対して表示補償を実行することができる。
本発明の実施形態の追加の方面及び利点について、一部は以下の説明で与えられ、一部は以下の説明から明らかになるか、又は本発明の実施形態を実施して了解することができる。
以下、図面を参照して実施形態を説明することにより、本発明の上記及び/又は追加の方面及び利点は明らかになって、容易に理解することができる。
図１は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの断面図である。 図２は、本発明のいくつかの実施形態に係わる陰極層の平面図である。 図３は、本発明のいくつかの実施形態に係わる導電線は別々に電力線及びリードに接続されたことを示す平面図である。 図４は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの断面図である。 図５は、本発明のいくつかの実施形態に係わる電子装置の平面図である。 図６は、本発明のいくつかの実施形態に係わるプロセッサによって電流計が導電線に接続されるように制御する原理を示す図面である。 図７は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの動作原理を示す図面である。 図８は、本発明のいくつかの実施形態に係わるプロセッサによって電流計又はタッチ検出回路が別々に導電線に接続されるように制御する原理を示す図面である。 図９は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの動作原理を示す図面である。 図１０は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法のフローチャートである。 図１１は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法の原理を示す図面である。 図１２は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法のフローチャートである。 図１３は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法のフローチャートである。 図１４は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法の原理を示す図面である。 図１５は、本発明のいくつかの実施形態に係わる表示モジュールの製造方法の原理を示す図面である。
以下、本発明の実施形態を詳細に説明し、実施形態の例示を図面に示す。同一又は類似の符号は、同一又は類似の部品、又は同一又は類似の機能を有する部品を示す。以下、添付図面を参照して説明される実施例は、例示的であり、本発明を解釈するために用いられ、本発明を制限するものであると理解されるべきではない。
本発明の説明において、「中心」、「縦方向」、「横方向」、「長さ」、「幅」、「厚さ」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「縦」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」、「時計回り」、「反時計回り」などの用語が示す方向関係又は位置関係は、添付図面に基づく方向関係又は位置関係であり、本発明を便利に説明し、簡略化するためのものであり、装置又は構成要素が必ず特定の方向を持っているか、特定の方向に構成され且つ操作されることを明示又は暗示するものではなく、従って本発明を制限するものであると理解されるべきではない。なお、「第一」、「第二」という用語は、ただ説明するために用いられ、相対的な重要性を明示又は暗示するか、又は技術的特徴の数量を暗示すると理解されるべきではない。従って、「第一」及び「第二」で限定される特徴は、少なくとも１つの特徴を含むことを明示又は暗示することができる。本発明の説明において、特に限定しない限り、「複数」の意味は２つ以上である。
本発明において、明確な規定及び限定がない限り、「設置する」、「結合する」、「接続する」などの用語は、より広い意味で理解されるべきである。例えば、固定接続されてもよく、着脱可能に接続されてもよく、又は一体になってもよく、機械的に接続されてもよく、電気的に接続されるか又は互いに通信してもよく、直接に接続されてもよく、媒体を介した間接的に接続されてもよく、２つの構成素子間の連通であることができ、又は２つの構成要素間の相互作用関係であることもできる。当業者にとって、特定の状況に応じて、本発明における上記の用語の具体的な意味を理解され得る。
本発明において、明確な規定及び限定がない限り、第一特徴は第二特徴の「上」又は「下」にあるということは、第一特徴と第二特徴は直接に接触するか、又は第一特徴と第二特徴は直接に接触しなく、それらの間の別の特徴を介して間接的に接触することを意味する。第一特徴は第二特徴の「上」、「上方」、「上面」にあることは、第一特徴は第二特徴の真上又は斜め上にあるか、又はただ第一特徴の水平高さが第二特徴の水平高さより高いことを意味する。第一特徴は第二特徴の「下」、「下方」、「下面」にあることは、第一特徴は第二特徴の真下又は斜め下にあるか、又はただ第一特徴の水平高さが第二特徴の水平高さより低いことを意味する。
以下の開示は多くの異なる実施形態又は実施例を提供して本発明の異なる構造を説明する。本発明の開示を簡略化するために、以下、特定例の部品及び設置について説明する。もちろん、それらはただ例示であり、本発明を限定することを意図していない。さらに、本発明は、異なる例において参照番号及び/又は参照字母を繰り返すことができ、そのような繰り返しは、説明を簡略化及び明確化するために用いられ、いろいろな実施形態及び/又は設置の間の関係を示すものではない。さらに、本発明は、様々な特定の技術及び材料の例を提供するが、当業者であれば、他の技術の応用及び/又は他の材料の使用を認識することができる。
図１〜図３を参照してください。本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、基体１０と、平坦層２０と、陽極層３０と、画素定義層４０と、発光層５０と、陰極層６０と、を備える。基体１０には、リード１１及び電力線１２が形成されている。平坦層２０は、基体１０上に形成される。平坦層２０には第一ビアホール２１及び第二ビアホール２２が開設されており、リード１１の一部は第一ビアホール２１の位置と対応する。陽極層３０は、平坦層２０上及び第二ビアホール２２内に形成される。画素定義層４０は、平坦層２０上及び陽極層３０上に形成される。画素定義層４０には第三ビアホール４１及び第四ビアホール４２が開設されており、陽極層３０の一部は第三ビアホール４１の位置と対応し、第四ビアホール４２と第一ビアホール２１は連通される。発光層５０は、第三ビアホール４１内の陽極層３０上に形成される。陰極層６０は、画素定義層４０上、発光層５０上及びリード１１上に形成される。陰極層６０は互いに離間して設置された複数の導線ブロック６１を備え、各導線ブロック６１には曲がった導電線６１２が設置されており、各導電線６１２の一端はリード１１に接続され、各導電線６１２の他端は電力線１２に接続される。
具体的には、図１に示されたように、リード１１は基体１０上に完全に露出されてもよく、又はリード１１の一部が基体１０外に露出されてもよい（例えば、リード１１とゲート層１７が同じ層に位置する場合）。リード１１の一端は導電線６１２の一端に電気的に接続され、リード１１の他端は他の電子部品（例えば、回路基板）に電気的に接続されてもよく、いかなる電子部品に電気的に接続されなくてもよい。発光層５０は互いに離間して設置された複数の発光部５１を含み、各発光部５１は表示モジュール１００の１つの画素部に対応する。各導線ブロック６１は複数の発光部５１に対応することができ、各導線ブロック６１内の導電線６１２は対応する複数の発光部５１にすべて電気的に接続される。又は、各導線ブロック６１は１つの発光部５１に対応することができ、各導線ブロック６１内の導電線６１２は対応する１つの発光部５１に電気的に接続される。電力線１２の一端は導電線６１２に電気的に接続され、電力線１２の他端は表示モジュール１００の外部の電源に電気的に接続されて、電力線１２によって導電線６１２に電力を供給する。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、陰極層６０を複数の導電線６１２に分割することにより、各導電線６１２の曲率半径に基づいて表示モジュール１００の１つの位置の曲率半径を確定することができ、従って表示モジュール１００は各導電線６１２の曲率半径によって表示モジュール１００に対して表示補償を実行することができる。
図１を参照すると、本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、基体１０と、平坦層２０と、陽極層３０と、画素定義層４０と、発光層５０と、陰極層６０と、を備える。
基体１０は、リード１１と、電力線１２と、基材１３と、バッファ層１４と、半導体層１５と、第一絶縁層１６と、ゲート層１７と、第二絶縁層１８と、ドレイン電極１９１と、ソース電極１９２と、を備える。基材１３上にバッファ層１４が形成され、バッファ層１４上に半導体層１５が形成され、バッファ層１４上及び半導体層１５上に第一絶縁層１６が形成され、第一絶縁層１６上にゲート層１７が形成され、ゲート層１７上及び第一絶縁層１６上に第二絶縁層１８が形成される。半導体層１５は、互いに離間して設置された複数の半導体ユニット１５１を含む。ドレイン電極１９１は、第二絶縁層１８における第一絶縁層１６が形成された側の反対側に形成され、且つ第二絶縁層１８及び第一絶縁層１６を貫いて半導体ユニット１５１の一端に電気的に接続される。ソース電極１９２は、第二絶縁層１８における第一絶縁層１６が形成された側の反対側に形成され、且つ第二絶縁層１８及び第一絶縁層１６を貫いて半導体ユニット１５１の他端に電気的に接続される。半導体ユニット１５１、ドレイン電極１９１、ソース電極１９２及びゲート層１７は、一緒に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ-ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する。リード１１は、第二絶縁層１８における第一絶縁層１６が形成された側の反対側に形成されることができる。電源線１２は、第二絶縁層１８における第一絶縁層１６が形成された側の反対側に形成されることができる。基材１３は、円形、楕円形、長方形、三角形、五角形、六角形又は任意の多角形のシート状構造を有することができる。基材１３の材料は、ガラス又はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）を含むことができる。バッファ層１４の材料は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を含むことができる。第一絶縁層１６の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。第二絶縁層１８の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。
平坦層２０は、基体１０上に形成される。具体的には、平坦層２０は、ドレイン電極１９１、ソース電極１９２、リード１１及び第二絶縁層１８の上に形成される。平坦層２０には、第一ビアホール２１及び第二ビアホール２２が開設されている。第一ビアホール２１はリード１１の位置と対応するので、リード１１の一部を第一ビアホール２１内に位置させる。第二ビアホール２２はドレイン電極１９１の位置と対応するので、ドレイン電極１９１の一部を第二ビアホール２２内に位置させる。平坦層２０上及び第二ビアホール２２内に陽極層３０が形成されていない場合、ドレイン電極１９１の一部は第二ビアホール２２から露出される。リード１１上に画素定義層４０及び陰極層６０が形成されていない場合、リード１１の一部は平坦層２０から露出される。平坦層２０の材料は、フォトレジストを含むことができる。
陽極層３０は、平坦層２０上及び第二ビアホール２２内に形成される。陽極層３０の一部は、第二ビアホール２２内に位置し且つドレイン電極１９１に電気的に接続される。
画素定義層４０は、平坦層２０上及び陽極層３０上に形成される。画素定義層４０には、第三ビアホール４１及び第四ビアホール４２が開設されている。陽極層３０の一部は、第三ビアホール４１の位置と対応するので、陽極層３０の一部を第三ビアホール４１内に位置させる。画素定義層４０上に発光層５０が形成されていない場合、陽極層３０の一部は第三ビアホール４１から露出される。第四ビアホール４２と第一ビアホール２１は対応し且つ連通される。画素定義層４０上に陰極層６０が形成されていない場合、リード１１の一部は平坦層２０から露出される。画素定義層４０の材料は、フォトレジストを含むことができる。
発光層５０は、第三ビアホール４１内の陽極層３０上に形成される。発光層５０は複数の発光部５１を含み、各発光部５１は陽極層３０によって対応するドレイン電極１９１に電気的に接続される。各発光部５１は、表示モジュール１００の１つの画素部に対応する。
図１〜図３を参照すると、陰極層６０は、画素定義層４０上、発光層５０上及びリード１１上に形成される。陰極層６０は互いに離間して設置された複数の導線ブロック６１を備え、各導線ブロック６１には曲がった導電線６１２が設置されており、各導電線６１２の一端はリード１１に接続され、各導電線６１２の他端は画素定義層４０及び平坦層２０を貫いて電力線１２に接続される。導線ブロック６１は、画素定義層４０上、発光層５０上及びリード１１上にアレイ状に分布している。各導線ブロック６１は１つの発光部５１に対応することもでき、各導線ブロック６１内の導電線６１２は対応する発光部５１に電気的に接続される。導電線６１２の材質は、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、マグネシウムハフニウム合金（ＹｂＭｇ）の中のいずれか一種であることができる。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、陰極層６０を複数の導電線６１２に分割することにより、各導電線６１２の曲率半径に基づいて表示モジュール１００の１つの位置の曲率半径を確定することができ、従って表示モジュール１００は各導電線６１２の曲率半径によって表示モジュール１００に対して表示補償を実行することができる。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、さらに以下の有益な効果を有する。第一に、リード１１は第二絶縁層１８における第一絶縁層１６が形成された側の反対側に形成されるので、リード１１を作るために基材を追加することを必要としなく、従ってさらに薄い表示モジュール１００を製造し易い。
第二に、各導線ブロック６１内の導電線６１２は対応する１つの発光部５１に電気的に接続されるので、各導電線６１２は対応する１つの発光部５１に電圧を提供することができる。
いくつかの実施形態において、上記の実施形態のリード１１は第一絶縁層１６上に形成され、リード１１とゲート層１７は同じ層上に位置する。第二絶縁層１８には、第一ビアホール２１と第四ビアホール４２の両方に対応する第五ビアホール（図示せず）が開設される。リード線１１の一部は第五ビアホールの位置と対応するので、リード線１１の一部を第五ビアホール内に位置させる。リード線１１は第五ビアホール及び第一ビアホール２１から露出されることができる。リード線１１は、第一絶縁層１６におけるバッファ層１４が形成された側の反対側に形成されるので、リード１１を作るために基材を追加することを必要としなく、従ってさらに薄い表示モジュール１００を製造し易い。
図１を参照すると、いくつかの実施形態において、表示モジュール１００は、画素定義層４０上及び陰極層６０上に形成され且つ画素定義層４０及び陰極層６０を覆う封止層７０をさらに備える。封止層７０は、陰極層６０と外界を隔離して、陰極層６０が水蒸気、酸素と接触し且つそれらと化学的に反応して陰極層６０の失効を招くことを免れるために用いられる。
図４を参照してください。いくつかの実施形態において、表示モジュール１００は、導電層１０１をさらに備える。導電層１０１は、第一ビアホール２１内に設置され、且つリード１１と陰極層６０との間に位置する。リード１１は、導電層１０１によって陰極層６０に電気的に接続される。具体的には、リード１１の材料特性と導電線６１２の材料特性の類似度と比較して、導電層１０１の材料特性とリード１１の材料特性はさらに類似し、且つ導電層１０１の材料特性と導電線６１２の材料特性もさらに類似する。従って導電線６１２とリード１１との間の電気的接続の安定性を向上させる。
図１、図５及び図６を参照してください、本発明の実施形態に係わる電子装置２００は、上述したいずれか１つの実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００と、電流計８０と、プロセッサ２０１と、メモリ２０２と、を備える。電流計８０は、リード１１を介して導電線６１２に電気的に接続されることができる。電流計８０は、導電線６１２に流れる電流を検出するために用いられる。プロセッサ２０１は、導電線６１２の長さ、導電線６１２のポアソン比、導電線６１２の抵抗率、導電線６１２に流れる電流、及び電力線１２によって導電線６１２提供される電圧に基づいて、各導電線６１２の変形量を計算するために用いられる。メモリ２０２は導電線６１２の複数の変形量値及び複数の変形量値に対応する複数の曲率半径値を格納する。プロセッサ２０１は、各導電線６１２の変形量及びメモリ２０２に格納された複数の曲率半径値に基づいて導電線６１２の曲率半径を確定する。
具体的には、電流計８０、プロセッサ２０１、メモリ２０２をすべて電子装置２００のメインボード２０３に設置することができ、電流計８０（又はメインボード２０３）はフレキシブル回路基板によって表示モジュール１００に電気的に接続されることができる。表示モジュール１００は画像画面を表示するために用いられる場合、プロセッサ２０１は、リード１１が電流計８０から切断されるように制御して、導電線６１２を表示モジュール１００の陰極として使用できるようにする。表示モジュール１００の曲率半径を検出することを必要とする場合、プロセッサ２０１は、リード１１が電流計８０に電気的に接続されるように制御して、導電線６１２をひずみ抵抗として使用できるようにする。
表示モジュール１００を使用する場合、表示モジュール１００は主に表示モジュール１００に垂直する押圧力を受け、表示モジュール１００はほぼ表示モジュール１００の周りの外向きの引っ張り力を受けない。表示モジュール１００に垂直な押圧力は、表示モジュール１００を湾曲変形させる。従って、導電線６１２の変形量は、ほぼ表示モジュール１００に垂直な押圧力によって引き起こされ、即ち、導電線６１２の変形量は、ほぼ表示モジュール１００及び導電線６１２の湾曲によって形成される。従って、導電線６１２の変形量は１つの導電線６１２の曲率半径に対応する。式によると：
式（１）及び式（２）において、ΔＲは導電線６１２が変形された後の抵抗変化量であり、Ｒは導電線６１２が変形される前の抵抗であり、μは導電線６１２のポアソン比であり、ε＝ΔＬ/Ｌ（ΔＬは導電線６１２の変形量であり、Ｌは導電線６１２が変形される前の長さである）、Δρは導電線６１２が変形された後の抵抗率変化量であり、ρは導電線６１２が変形される前の抵抗率であり、Ｋは導電線６１２のひずみ感度である。式（１）、式（２）、導電線６１２に流れる電流、電力線１２によって導電線６１２提供される電圧に基づいて各導電線６１２の変形量を計算してから、各導電線６１２の変形量及びメモリ２０２に格納された複数の曲率半径値に基づいて導電線６１２の曲率半径を確定することができる。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００は、陰極層６０を複数の導電線６１２に分割することにより、電流計８０は導電線６１２に流れる電流を容易に獲得することができ、従ってプロセッサ２０１は各導電線６１２の変形量を計算してから、各導電線６１２の変形量及びメモリ２０２に格納された複数の曲率半径値に基づいて導電線６１２の曲率半径を確定することができる。
図６を参照してください。いくつかの実施形態において、電流計８０の数量は複数であり、導電線６１２の数量は複数であり、複数の導電線６１２は複数の電流計８０に対応し、各電流計８０は対応する導電線６１２に流れる電流を検出するために用いられる。その結果、複数の電流計８０は、各導電線６１２に流れる電流を獲得することができる。
図６及び図７を参照してください。いくつかの実施形態において、表示モジュール１００は、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまで、画面表示時間及び曲率検出時間を含む。
画面表示時間内で、プロセッサ２０１は、さらに、電流計８０がリード１１から切断されるように制御し、且つ導電線６１２に表示駆動信号を印加して、表示モジュール１００を駆動して画像画面を表示するために用いられる。
曲率検出時間内で、プロセッサ２０１は、さらに、電流計８０がリード１１に電気的に接続されるように制御して、電流計８０が導電線６１２の電流を検出するようにするために用いられる。
具体的には、曲率検出時間は、ユーザが区別できない時間（例えば、３０ミリ秒）以下である。残像現象により、人間の目で見た画面が消えた後でも、人間の目は画面の画像を約０．１〜０．４秒間保留することができるので、ユーザは表示モジュール１００に表示される画面を常に「見る」ことができる。本実施形態の画面表示時間は曲率検出時間と等しい。他の実施形態において、画面表示時間は曲率検出時間より短く、又は画面表示時間は曲率検出時間より長い。
本実施形態において、画面表示時間内で導電線６１２を表示モジュール１００の電極として使用することができ、曲率検出時間内で導電線６１２をひずみ抵抗として使用することができるので、本実施形態の表示モジュール１００はひずみ抵抗を設置しなくても表示モジュール１００の曲率半径を検出することができる。
図８及び図９を参照してください。いくつかの実施形態において、表示モジュール１００は、タッチ検出回路９０をさらに備える。タッチ検出回路９０は、リード１１によって導電線６１２に接続され、ユーザのタッチに対応するタッチ信号を検出するために用いられる。表示モジュール１００は、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまで、画面表示時間、曲率検出時間及びタッチ検出時間を含む。
画面表示時間内で、プロセッサ２０１は、さらに、電流計８０がリード１１から切断されるように制御し、タッチ検出回路９０がリード１１から切断されるように制御し、且つ導電線６１２に表示駆動信号を印加して、表示モジュール１００を駆動して画像画面を表示するために用いられる。
曲率検出時間内で、プロセッサ２０１は、さらに、電流計８０がリード１１に電気的に接続されるように制御して、電流計８０が導電線６１２の電流を検出するようにするために用いられる。
タッチ検出時間内で、プロセッサ２０１は、さらに、タッチ検出回路９０がリード１１に電気的に接続されるように制御して、タッチ検出回路９０が導電線６１２によって生成されたタッチ信号を検出するようにするために用いられる。
具体的には、曲率検出時間とタッチ検出時間の合計は、ユーザが区別できない時間（例えば、３０ミリ秒）以下である。残像現象により、人間の目で見た画面が消えた後でも、人間の目は画面の画像を約０．１〜０．４秒間保留することができるので、ユーザは表示モジュール１００に表示される画面を常に「見る」ことができる。本実施形態の画面表示時間、曲率検出時間及びタッチ検出時間はすべて等しい。他の実施形態において、画面表示時間は曲率検出時間及びタッチ検出時間より短く、又は画面表示時間は曲率検出時間及びタッチ検出時間よりも長い。
本実施形態において、画面表示時間内で導電線６１２を表示モジュール１００の電極として使用することができ、曲率検出時間内で導電線６１２をひずみ抵抗として使用することができ、タッチ検出時間内で導電線６１２をタッチ電極として使用することができるので、本実施形態の表示モジュール１００はひずみ抵抗を設置しなくても表示モジュール１００の曲率半径を検出することができ、同時に表示モジュール１００はタッチ電極を設置しなくてもユーザが表示モジュール１００をタッチする時のタッチ位置を検出することができる。
いくつかの実施形態において、表示モジュール１００は、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまでかかる時間は２０ミリ秒以下である。
表示モジュール１００は、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまでかかる時間は２０ミリ秒以下であるので、曲率検出時間は２０ミリ秒より小さく、曲率検出時間はユーザが区別できない時間（例えば、３０ミリ秒）以下である。残像現象により、人間の目で見た画面が消えた後でも、人間の目は画面の画像を約０．１〜０．４秒間保留することができるので、ユーザは表示モジュール１００に表示される画面を常に「見る」ことができる。又は、曲率検出時間とタッチ検出時間の合計は２０ミリ秒以下であるので、曲率検出時間とタッチ検出時間の合計はユーザが区別できない時間（例えば、３０ミリ秒）以下である。残像現象により、人間の目で見た画面が消えた後でも、人間の目は画面の画像を約０．１〜０．４秒間保留することができるので、ユーザは表示モジュール１００に表示される画面を常に「見る」ことができる。
図１、図１０及び図１１を参照してください。本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００の製造方法は、以下のステップＳ１〜Ｓ６を備える。
Ｓ１、リード１１及び電力線１２が形成された基体１０を提供する。
Ｓ２、基体１０上に平坦層２０を形成する。平坦層２０には第一ビアホール２１及び第二ビアホール２２が開設されており、リード１１の一部は第一ビアホール２１の位置と対応する。
Ｓ３、平坦層上２０及び第二ビアホール２２内に陽極層３０を形成する。
Ｓ４、平坦層２０上及び陽極層３０上に画素定義層４０を形成する。画素定義層４０には第三ビアホール４１及び第四ビアホール４２が開設されている。陽極層３０の一部は第三ビアホール４１の位置と対応し、第四ビアホール４２と第一ビアホール２１は連通される。
Ｓ５、第三ビアホール内４１の陽極層３０上に発光層５０を形成する。
Ｓ６、画素定義層４０上、発光層５０上、リード１１上に陰極層６０を形成する。陰極層６０は互いに離間して設置された複数の導線ブロック６１を備え、各導線ブロック６１には曲がった導電線６１２が設置されており、各導電線６１２の一端はリード１１に接続され、各導電線６１２の他端は電力線１２に接続される。
本発明の実施形態に係わる有機発光ダイオード表示モジュール１００の製造方法によって製造された有機発光ダイオード表示モジュール１００は、陰極層６０を複数の導電線６１２に分割することにより、各導電線６１２の曲率半径に基づいて表示モジュール１００の１つの位置の曲率半径を確定することができ、従って表示モジュール１００は各導電線６１２の曲率半径によって表示モジュール１００に対して表示補償を実行することができる。
図１２及び図１４を参照してください。いくつかの実施形態において、画素定義層４０上、発光層５０上、リード１１上に陰極層６０を形成するステップ（ステップＳ６）は、以下のステップを備える。
Ｓ６１、ファインメタルマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ，ＦＭＭ）技術を使用して、画素定義層４０上、発光層５０上、リード１１上に初期陰極層６４を形成する。
Ｓ６２、初期陰極層６４を切断して陰極層６０を獲得する。
具体的には、初期陰極層６４は、レーザーで切断することができる。陰極層６０は互いに離間して設置された複数の導線ブロック６１を備え、各導線ブロック６１には曲がった導電線６１２が設置されており、各導電線６１２の一端はリード１１に接続され、各導電線６１２の他端は電力線１２に接続される。ＦＭＭ技術は従来の製造技術であるので、初期陰極層６４を製造するために必要な装置は獲得し易く、従って陰極層６０の製造コストを削減する。
図１３及び図１４を参照してください。いくつかの実施形態において、画素定義層４０上、発光層５０上、リード１１上に陰極層６０を形成するステップ（ステップＳ６）は、以下のステップを備える。
Ｓ６３、画素定義層４０上、発光層５０上、リード１１上に初期陰極層６４を蒸着する。
Ｓ６４、初期陰極層６４を切断して陰極層６０を獲得する。
具体的には、初期陰極層６４は、レーザーで切断することができる。陰極層６０は互いに離間して設置された複数の導線ブロック６１を備え、各導線ブロック６１には曲がった導電線６１２が設置されており、各導電線６１２の一端はリード１１に接続され、各導電線６１２の他端は電力線１２に接続される。蒸着技術は従来の製造技術であるので、初期陰極層６４を製造するために必要な装置は獲得し易く、従って陰極層６０の製造コストを削減する。
図１５を参照してください。いくつかの実施形態において、有機発光ダイオード表示モジュール１００の製造方法は、薄膜カプセル化技術（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ，ＴＦＥ）を使用して、陰極層６０及び画素定義層４０上に封止層７０を形成して、表示モジュール１００を得るステップをさらに備える。
封止層７０は、陰極層６０と外界を隔離して、陰極層６０が水蒸気、酸素と接触し且つそれらと化学的に反応することを免れるために用いられ、従って表示モジュール１００の使用寿命を延長することができる。
本明細書の説明において、「特定の実施形態」、「１つの実施形態」、「いくつかの実施形態」、「例示的な実施形態」、「例示」、「具体的な例示」、又は「いくつかの例示」などの参照用語の説明は、実施形態又は例示と結合して説明される具体的な特徴、構造、材料、又は特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態又は例示に含まれることを意味する。本明細書において、上記の用語の説明は、必ず同じ実施形態又は例示を示すことに限らない。説明された具体的な特徴、構造、材料、又は特性は、いかなる１つ又は複数の実施形態又は例示において任意の適切な方法で組み合わせることができる。
さらに、「第一」及び「第二」という用語は、ただ説明するために用いられ、相対的な重要性を明示又は暗示するか、又は技術的特徴の数量を暗示すると理解されるべきではない。従って、「第一」及び「第二」で限定される特徴は、少なくとも１つの特徴を含むことを明示又は暗示することができる。本発明の説明において、特に限定しない限り、「複数」の意味は２つ以上であり、例えば、２つ、３つなどである。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上述した実施形態は例示であり、本発明を限定するものであると理解されるべきではない。当業者であれば、本発明の範囲内で上述した実施形態を変更、修正、置換、変形することができ、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物によって限定される。
画素定義層４０は、平坦層２０上及び陽極層３０上に形成される。画素定義層４０には、第三ビアホール４１及び第四ビアホール４２が開設されている。陽極層３０の一部は、第三ビアホール４１の位置と対応するので、陽極層３０の一部を第三ビアホール４１内に位置させる。陽極層３０上に発光層５０が形成されていない場合、陽極層３０の一部は第三ビアホール４１から露出される。第四ビアホール４２と第一ビアホール２１は対応し且つ連通される。画素定義層４０上に陰極層６０が形成されていない場合、リード１１の一部は平坦層２０から露出される。画素定義層４０の材料は、フォトレジストを含むことができる。

Claims (14)

  1. 表示モジュールであって、
    リード及び電力線が形成された基体と、
    前記基体上に形成され、且つ第一ビアホール及び第二ビアホールが開設された平坦層と、
    前記平坦層上及び前記第二ビアホール内に形成された陽極層と、
    前記平坦層上及び前記陽極層上に形成され、且つ第三ビアホール及び第四ビアホールが開設された画素定義層と、
    前記第三ビアホール内の前記陽極層上に形成された発光層と、
    前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に形成された陰極層と、
    を備え、
    前記リードの一部は前記第一ビアホールの位置と対応し、前記陽極層の一部は前記第三ビアホールの位置と対応し、前記第四ビアホールと前記第一ビアホールは連通され、前記陰極層は互いに離間して設置された複数の導線ブロックを備え、各導線ブロックには曲がった導電線が設置されており、各導電線の一端は前記リードに接続され、各導電線の他端は前記電力線に接続される、
    ことを特徴とする有機発光ダイオード表示モジュール。
  2. 前記基体は、
    基材と、
    前記基材上に形成されたバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された半導体層と、
    前記バッファ層上及び前記半導体層上に形成された第一絶縁層と、
    前記第一絶縁層上に形成されたゲート層と、
    前記ゲート層上及び前記第一絶縁層上に形成された第二絶縁層と、
    前記半導体層に電気的に接続されるドレイン電極及びソース電極と、
    を備え、前記リード、前記ドレイン電極及び前記ソース電極は前記第二絶縁層上に形成され、前記ドレイン電極は前記第二ビアホールの位置と対応する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示モジュール。
  3. 前記基体は、
    基材と、
    前記基材上に形成されたバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された半導体層と、
    前記バッファ層上及び前記半導体層上に形成された第一絶縁層と、
    前記第一絶縁層上に形成されたゲート層及び前記リードと、
    前記ゲート層上及び前記リード上に形成された第二絶縁層と、
    前記半導体層に電気的に接続され且つ前記第二絶縁層上に形成されたドレイン電極及びソース電極と、
    を備え、前記第二絶縁層には前記第一ビアホールに対応する第五ビアホールが開設されており、前記リードの一部は前記第五ビアホールの位置と対応する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示モジュール。
  4. 複数の前記導線ブロックは、前記画素定義層上、前記発光層上及び前記リード上にアレイ状に分布している、
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示モジュール。
  5. 前記導電線の材質は、マグネシウム、マグネシウム銀合金、マグネシウムハフニウム合金の中のいずれか一種である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示モジュール。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード表示モジュールと、電流計と、プロセッサと、メモリと、を備え、
    前記電流計は、前記リードを介して前記導電線に電気的に接続され、且つ前記導電線に流れる電流を検出するために用いられ、
    前記プロセッサは、前記導電線の長さ、前記導電線のポアソン比、前記導電線の抵抗率、前記電流、及び前記電力線によって提供される電圧に基づいて、各導電線の変形量を計算するために用いられ、
    前記メモリには前記導電線の複数の変形量値及び複数の前記変形量値に対応する複数の曲率半径値が格納されており、前記プロセッサは各導電線の変形量及び前記メモリに格納された複数の前記曲率半径値に基づいて前記導電線の曲率半径を確定する、
    ことを特徴とする電子装置。
  7. 前記電流計の数量は複数であり、前記導電線の数量は複数であり、複数の前記導電線は複数の前記電流計に対応し、各電流計は対応する前記導電線に流れる電流を検出するために用いられる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
  8. 前記表示モジュールは、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまで、画面表示時間及び曲率検出時間を含み、
    前記画面表示時間内で、前記プロセッサは、さらに、前記電流計が前記リードから切断されるように制御し、且つ前記導電線に表示駆動信号を印加して、前記表示モジュールを駆動して画像画面を表示するために用いられ、
    前記曲率検出時間内で、前記プロセッサは、さらに、前記電流計が前記リードに電気的に接続されるように制御して、前記電流計が前記導電線の電流を検出するようにするために用いられる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
  9. 前記表示モジュールは、タッチ検出回路をさらに備え、前記タッチ検出回路は、前記リードによって前記導電線に接続され、ユーザのタッチに対応するタッチ信号を検出するために用いられ、前記表示モジュールは、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまで、画面表示時間、曲率検出時間及びタッチ検出時間を含み、
    前記画面表示時間内で、前記プロセッサは、さらに、前記電流計が前記リードから切断されるように制御し、前記タッチ検出回路が前記リードから切断されるように制御し、且つ前記導電線に表示駆動信号を印加して、前記表示モジュールを駆動して画像画面を表示するために用いられ、
    前記曲率検出時間内で、前記プロセッサは、さらに、前記電流計が前記リードに電気的に接続されるように制御して、前記電流計が前記導電線の電流を検出するようにするために用いられ、
    前記タッチ検出時間内で、前記プロセッサは、さらに、前記タッチ検出回路が前記リードに電気的に接続されるように制御して、前記タッチ検出回路が前記導電線によって生成されたタッチ信号を検出するようにするために用いられる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
  10. 前記表示モジュールは、現在のフレームの画面を表示し始めて、次のフレームの画面を表示し始めるまでかかる時間は２０ミリ秒以下である、
    ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の電子装置。
  11. リード及び電力線が形成された基体を提供するステップと、
    前記基体上に第一ビアホール及び第二ビアホールが開設された平坦層を形成するステップと、
    前記平坦層上及び前記第二ビアホール内に陽極層を形成するステップと、
    前記平坦層上及び前記陽極層上に第三ビアホール及び第四ビアホールが開設された画素定義層を形成するステップと、
    前記第三ビアホール内の前記陽極層上に発光層を形成するステップと、
    前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に陰極層を形成するステップと、
    を備え、
    前記リードの一部は前記第一ビアホールの位置と対応し、前記陽極層の一部は前記第三ビアホールの位置と対応し、前記第四ビアホールと前記第一ビアホールは連通され、前記陰極層は互いに離間して設置された複数の導線ブロックを備え、各導線ブロックには曲がった導電線が設置されており、各導電線の一端は前記リードに接続され、各導電線の他端は前記電力線に接続される、
    ことを特徴とする有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法。
  12. 前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に陰極層を形成するステップは、
    ファインメタルマスク技術を使用して、前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に初期陰極層を形成するステップと、
    前記初期陰極層を切断して前記陰極層を獲得するステップと、
    を備える、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法。
  13. 前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に陰極層を形成するステップは、
    前記画素定義層上、前記発光層上、前記リード上に初期陰極層を蒸着するステップと、
    前記初期陰極層を切断して前記陰極層を獲得するステップと、
    を備える、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法。
  14. 前記有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法は、薄膜カプセル化技術を使用して、前記陰極層上に封止層を形成して、前記表示モジュールを得るステップをさらに備える、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示モジュールの製造方法。

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