TWI390294B - 具有降低閃爍之液晶顯示器及其製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 SixNy Chemical class 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N aluminum niobium Chemical compound [Al].[Nb] QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018173 Al—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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Description
本發明相關於一種液晶顯示器(LCD)。
本發明尚相關於一種根據本發明以製造液晶顯示器的方法。
從小型手持裝置到大型平面電視等範圍的應用中,液晶顯示器(LCD)已日益受到歡迎。通常,各應用範圍對LCD的要求有所不同。在一應用中,亮度及視角可能比耗電重要,但另一應用可能對耗電極其看重。
在一LCD中,一液晶(LC)顯示器通常包括一液體結晶材料(LC材料),其定位在二基板之間,例如玻璃基板,在該等基板上已形成數個可控式電極。可藉由使用該等電極在該LC材料之上施加電壓,以改善通過該LC材料的光的特性。為避免該LC材料的化學劣化,此電壓,即該LC驅動電壓,以一頻率,即該LC驅動頻率,來施加。該LC顯示器通常亦配備有數個列及行選擇線、數個對準層、一或多個偏光器及彩色濾波器(若為一彩色顯示器)。
通過該LC材料的光可自定位在該液晶顯示器後面的一背光發出,或是朝觀看者往回反射的入射光。一LCD,其中來自一背光的光選擇性地傳輸通過該LC顯示器,稱為一透射型LCD。一透射型LCD具有數個透明電極,其定位在該LC材料的兩側。若為朝向觀看者選擇性地往回反射的入射光,該LCD稱為一反射型LCD。此一LCD傳統上在該LC材料的上側
(觀看者側)具有數個透明電極,及在該下側具有數個反射金屬電極。
亦有一類LCD稱為半透射半反射型LCD。此等LCD的LC顯示器兼有透射及反射特性。它們具有一下電極,其係部分地反射及部分地透射,例如一反射層,其包括一透射孔徑以通過自該背光發出的光。
用於耗電並非主要議題的應用,通常使用透射型LCD。在嚴格要求低耗電的應用中,如可攜式裝置,可有利地使用反射型或半透射半反射型LCD。
儘管LCD通常比傳統陰極射線管(CRT)顯示器大幅地展現較少閃爍,閃爍仍是一議題,尤其是用於要求低耗電的應用,以高頻率驅動LCD是不合宜的。若以高於臨界閃爍頻率(CFF),通常為60至80 Hz,兩倍的頻率驅動該LCD,則人類眼睛將無法看出閃爍。
雖然從耗電觀點來看是有利的,但一較低驅動頻率可導致顯示品質的明顯劣化,其尤其是由反射型及半透射半反射型LCD中的閃爍造成。
在美國專利申請號20040004686中揭示一LCD,其中藉由在該LC材料的反射電極側添加數個透明電極而應付該閃爍議題。此等透明電極定位成比該等金屬反射電極更靠近該LC材料。
與美國專利申請號20040004686揭示的方法有關的一問題是,強迫入射光通過一額外"透明"層兩次,其將減低該反射器的反射性,及藉此減低該裝置寶貴的對比及亮度。
有鑑於先前技藝的上述及其他缺點,本發明的一般目的為提供一種改良式液晶顯示器及顯示。
尤其地,本發明的目的為致能反射型及半透射半反射型LCD的無閃爍操作。
根據本發明的一第一概念,此目的藉由一種如獨立請求項1的液晶顯示器來達成。
因此,該LCD包括:一下電極及一上電極;一液晶層,其設置在該上電極與該下電極之間;及一反射層,其配置成至少部分地反射已通過該液晶層的入射光。該反射層設置在該液晶層與該下電極之間,及與該下電極電隔離。
在本申請書的上下文中,"電隔離"的元件應解釋為未直接互相電接觸的元件,即大體上禁止電流直接從一元件流到另一元件。然而,該等元件之間可存在一電容耦合。
本發明係根據以下的實現:藉由消除或至少大體上減低該LC層中一電場的DC分量,而可消除或至少大幅地減低一LCD中的閃爍量。
藉由將該反射層設置在該下電極與該LC層之間,且與該下電極層電隔離,可達成此電對稱,及藉由在一合適材料中形成該下電極層,以藉此實現一無閃爍LCD。
相較於先前技藝,本發明的一額外優點為,不必付出減低該反射層的反射比及因此減低顯示亮度及對比的代價,即可消除或至少大幅地減低閃爍。
先前技藝裝置在一反射電極上方具有一"透明"電極,然
而實際上,氧化銦錫(ITO)等透明電極材料仍吸收通過光線的一明顯部分,例如用於一薄層電極為10%。然而,尤其在半透射半反射型液晶顯示器中,有關該反射層的要求極嚴格,甚至無法接受此一反射比降低。在根據本發明的LCD中,已通過該液晶層的入射光的反射比係儘可能地高。
較佳地,該下電極層可藉由濺鍍或其他沈積技術而在一玻璃或塑膠基板上形成。接著該反射層可在稍後製程中在該下電極層上方形成,之後可能形成其他層,如一對準層,用以對準該LC層中的液晶分子。
相似地,該透明上電極可藉由濺鍍或其他沈積技術而在另一基板上形成。該透明上電極較佳以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或同等物製造。在合適圖案化後,可在該透明上電極層上方形成其他層,如一對準層。
較佳地,該下電極的一工作函數與該上電極的一工作函數之差小於0.5 eV。
一材料的"工作函數"定義為將該材料中的一電子從費米(Fermi)位階移到該真空位階所需的能量總數。若為一導體,此同等於將該電子從該材料移除所需的能量。
當具不同工作函數的二導體材料放置成互相接觸時,將在熱平衡引起一"接觸電位",其等於該等導電材料間的工作函數差。
藉由保持該等上電極與下電極間的工作函數之差在0.5 eV以下,較佳透過該下電極合適材料的選擇,可使該LC層中的電場的DC分量保持是低的,較佳在0.5 V以下。因此,閃
爍減低到一特大程度,不用犧牲放置在該下電極上方的該反射層的反射比。
有利地,該下電極及該上電極以相同材料製造,如ITO或IZO。
藉由以相同材料製造該等下電極及上電極,實際地消除該等上電極與下電極間的工作函數差。利用此配置,結合下導電層材料的適當選擇,將相對於該LC層達成電對稱,及藉此減低閃爍,同時維持該反射層的反射比。
根據另一實施例,該上電極可塗佈一鈍化層,藉此提高該液晶顯示器的光穩定性。
藉由在該上電極上方引入一鈍化層,即若該LCD承受如陽光的過度輻射,仍"保留"該上電極的工作函數。藉此,即若該LCD承受陽光,該LCD的無閃爍行為經過時間仍可維持。
根據再一實施例,該反射層可導電,及一電絕緣材料設置成分開該下電極與該反射層。
該反射層的目的為具有一高反射比。藉由選擇一適當金屬,如鋁(Al)或一鋁釹(Al-Nd)合金,確保整個相關波長範圍中的一高反射比。
為維持該LC層周圍電對稱的優勢,較佳該導電反射層藉由一絕緣層與該下電極層分開,該絕緣層可經由濺鍍、旋塗或其他任何合適的層形成技術來形成。該絕緣層可由AlxOy、SixOy等氧化物,SixNy等氮化物,或旋塗式聚合物來製成。該層最重要特性為具絕緣性及無接腳孔。
較佳地,上述導電反射層與該下電極間的一電容較該反
射層與該上電極間的一電容大10倍以上。
以該導電反射層通過上述絕緣層與該下電極電分開,在該二層之間無電流連接。因此一LC驅動信號從該下電極電容耦合到該導電反射層,用以在該導電反射層與該上電極間的LC層之上形成一電壓。為形成足夠振幅的一電場以切換該LC層,不必增加該等電極間的驅動電壓,該導電反射層應比耦合到該上電極更明顯強烈地耦合到該下電極。
簡言之,該像素可看成包括二並聯板電容器,在該兩者中,該等板之一係導電浮動反射層。若假定該第一電容器(下電極-絕緣層-反射層)及該第二電容器(反射層-LC層等-上電極)的電介質的介電常數接近相等,則該等電容分別由該等第一及第二電容器的該等板間的距離來判定。為實現上述要求,該下電極與該反射層間的距離因此應小於該反射層與該上電極間的距離的十分之一。
根據又一實施例,該反射層可設置成通過一放電構件而放電,該放電構件配置成以一時間常數將該反射層放電,該時間常數遠比一LCD驅動週期長,及使該反射層與該上電極為相同電位。
為得到相對於該LC層的期望電對稱,該反射層未帶電是重要的。可執行該反射層的放電以作為該LC顯示器製造期間的一製程步驟,或連續地執行。為能使該LC顯示器持續地放電,該反射層可通過一電阻器等放電構件而連接到一合適參考電位。為達成相對於該LC層的電對稱,該反射層與該上電極之間應無DC電壓。因此,當該像素在其未切換狀態時,應
將該反射層放電以取得與該上電極相同的電位。為不有害地影響該LC顯示器的操作,該放電構件尚較佳配置成以一時間常數將該反射層放電,該時間常數遠比該LCD驅動週期長。
一電容器通過一電阻器的放電的"時間常數"定義為該電阻與該電容的乘積-τ=RC。
根據一較佳實施例,該液晶顯示器可具有複數個像素,各像素分成一反射子像素,其設置成反射入射光,及一透射子像素,其設置成透射光。
藉由將該LC顯示器的各像素分成包括一反射層的一反射子像素,及無反射層的一透射子像素,以形成一半透射半反射型LC顯示器。此顯示器理想地適用於可攜式電子裝置,如行動電話。可使用該半透射半反射型LC顯示器作為一純透射型LC顯示器,一純反射型LC顯示器,其不需一耗能源的背光,或同時透射地及反射地操作。
根據上述半透射半反射型液晶顯示器的另一實施例,各反射子像素可包括一間隔層,其定位在該下電極層與該反射層之間。
藉由引入一間隔層,其定位在該下電極層與該反射層之間,可使該反射層更靠近該上電極。藉此,該LC顯示器的反射模式中的光路長度可調適成該透射模式中的光路長度。較佳地,該反射層移到該等下電極與上電極間的單元間隙距離約一半的位置。
較佳地,該反射層可導電,及各反射子像素尚包括一第二導電層,其由一絕緣層與該下電極層分開,及藉由延伸通
過該間隔層的一通道連接器而連接到該反射層,藉此致能該下電極與該反射層間的一電容耦合。
在引入該間隔層之後增強該下電極與該反射層間的電容耦合的一方式為,加入一第二導電層,其定位在該間隔層與該下電極之間,及電連接此第二導電層到該導電反射層。藉由在該下電極與該第二導電層之間形成一薄絕緣層,可使該等層間的距離保持極小。藉此,由該第二導電層及該下電極形成的並聯板電容器的電容,可保持明顯大於由該上電極及該導電反射層形成的並聯板電容器的電容。該第二導電層及該通道連接器在上述例子中較佳由與該反射材料相同的材料製成,或與該反射層具基本上相同工作函數的一材料製成。
或者,該反射層可導電,及各反射子像素尚包括一第二導電層,其由一絕緣層與該下電極層分開,及藉由延伸通過該間隔層的一通道連接器以連接到該反射層,藉此增加該下電極與該反射層間的電容耦合。
增強該下電極與該反射層間的電容耦合的另一方式為,電連接該通道連接器到該下電極,藉此電連接該下電極到該第二導電層,其放置在該間隔層的該LC層側。接著該第二導電層由一絕緣層與該導電反射層分開,該絕緣層放置在該等層之間。上述例子中,該第二導電層及該通道連接器較佳由具有與該下電極基本上相同工作函數的一材料製成。
根據本發明的一第二概念,揭示一種製造液晶顯示器的方法,包括以下步驟:提供一下基板,其具有一下電極、一絕緣層,及一導電
反射層;將該反射層放電;設置一液晶層,及一上基板,其具有一透明上電極,俾該液晶層定位在該反射層與該上電極之間。
如上述,重要的是確保該導電反射層放電,以避免在該LC層中的電場中引入一DC分量。
藉由在該製程中使該反射層放電,產生理想的條件以達成無閃爍的反射或半透射半反射型LCD。
根據一實施例,藉由使該反射層放置成接觸與該反射層相同材料的一厚板,可執行該反射層的該放電,該厚板係電浮動且具有夠大電容至接地以使該反射層放電,該電容遠大於從該反射層至接地的電容。
藉由使該導電反射層接觸以相同材料製成的一厚板,可避免發生該二本體間的工作函數差所導致的一接觸電位。當該反射層與該厚板接觸時,該反射層上的電荷將在該結合導電本體,即該反射層及該厚板,之上再分配。此再分配將分別與該反射層及該厚板的接地電容成正比。因此,藉由使用一厚板可有效地使該反射層放電,該厚板具有比該反射層更大的接地電容。實際上,藉由使用比該反射層明顯較大體積的一厚板可完成此目的。
該反射層因此由該厚板放電,不用引入一接觸電位的用詞。
根據另一實施例,該反射層的該放電可包括以下步驟:使該下電極接地;
經由一電壓源以電連接該下電極與該反射層;在該下電極與該反射層之間施加一電壓,該電壓調適成取消該下電極與該反射層間的一接觸電位;及中斷該下電極與該反射層的連接。
藉由遵循當該LC顯示器製程中使該導電反射層放電時的上述順序,不用引入一接觸電位用詞,即可使該反射層放電。藉由從一電壓源引入一電壓以取消該下電極與該反射層間的工作函數差。
參照至圖1a至1b,其以上視圖及剖面圖說明根據先前技藝的一反射像素1。在此先前技藝範例中,一液晶(LC)材料10夾在一上玻璃基板11與一下玻璃基板15之間,該上玻璃基板具有一偏光器12、一透明ITO上電極13及一對準層14,在該下玻璃基板上形成一薄膜電晶體(TFT)16,以驅動一下反射電極17,其塗佈一對準層18。
當LC層10之上未施加電壓時,由於該偏光方向將由LC層10移位,及藉此防止該反射光通過偏光器12離去,因此該像素將是暗的。另一方面,如圖1b所示,當在該LC層之上施加一電壓時,該等LC分子將朝向該電場的方向,及不會改變該光的偏光方向。因此,該光將能跟隨下反射電極17上的反射而通過偏光器12離去。
圖1a及1b所示的像素種類傾向於展現影像劣化閃爍,當該LC以低於該臨界閃爍頻率(CFF),約60至80 Hz,兩倍的一頻率驅動時,觀看者會注意到該閃爍。該閃爍的原因是,
該LC層中存在一DC電場。發生此一DC電場的一主要原因是,該像素未相對於該LC層而電對稱,其將說明如下。
以下參照至圖1c,假設像素1的上電極13及下反射電極17兩者皆通過A1線6、7而連接到接地。尚假設上電極13以ITO製成,及下反射電極17以Al製成。此等材料的工作函數為:ITO 5.1 eV
Al4.3 eV
如圖1c所示,在該像素的上側上,將在Al-ITO連接8之上有達到5.1-4.3=0.8V的一電壓,上電極13上的電位因此達到-0.8V。在該像素的下側上,由於已選擇相同材料用於Al線7及該反射器的事實而未有工作函數差,因此在Al-Al連接7之上將無電壓。因此LC層10之上的電壓成為0.8V。
在圖1a及1b所示配置中,因此相對於LC層10未有電對稱,及可能發生閃爍。
以下,類似或完全相同的元件由相同參考數字表示。
在圖2中,根據本發明的一第一實施例以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一反射像素。在此配置中,圖1a及1b的該TFT由於其存在與所述主題不相關,因此加以省略。相較於圖1a及1b所示的先前技藝反射像素,在一下電極21與一對準層18之間已插入一絕緣反射層20,如一螺旋性液晶層。已選擇下電極21的材料,以使LC層10中存在的DC分量減至最小。較佳地,下電極21由與該上電極相同的材料製成,如ITO或IZO。
若下電極21及上電極13依上述相同方式以鋁線接地,則直接可明白LC層10中殘餘的DC電場成為零。因此消除或至少大大地減少該像素中的閃爍。
在圖3中,根據本發明的一第二實施例以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一反射像素。在此,圖2中的絕緣反射層由一導電反射層30及一絕緣層31取代,該導電反射層例如由Al製成。該絕緣層定位在下電極21與導電反射層30之間,及例如可由SiO或聚醯亞胺製成。在此配置中,如圖2所示者,有相對於LC層10的電對稱。然而,應注意,此配置有一重要先決條件為,相較於上電極10,導電反射層30係帶中性電荷。
該等LC驅動信號以絕緣層31的特性提供的一電容而從下電極21電容耦合到反射導電電極30。為使該電容耦合儘可能有效率,絕緣層31較佳是薄的,約50 nm,及無接腳孔。可利用一多層結構以達成一無接腳孔層。
在圖4a中,根據本發明的一第三實施例的一第一範例,以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一半透射半反射像素。在圖4a所示的半透射半反射像素中,該像素的中心區域構成一透射子像素T,而該像素的其餘部分構成一反射子像素R。在圖4a中,為求簡化,已僅包括相關的層及零件。在透射子像素T中,液晶材料10夾在一上透明電極13與一下透明電極21之間。在此顯示下透明電極21未以絕緣層31覆蓋,但亦可以該絕緣層覆蓋,對該LCD的效能上不會有任何明顯效果。在反射子像素R中,已添加例如由一光阻劑製成
的一間隔層40、一導電層41,及一通道連接器42,其電連接導電層41與反射層30。為能使反射子像素R與透射子像素T的光路長度相同,間隔層40設計成使反射層30向上達到下電極21與上電極13之間距離的一半。此外,該間隔層具有一刻意粗糙的頂表面,以產生一擴散性反射。在此,導電層41、通道連接器42及導電反射層30全由相同材料製成,例如Al。藉此,在此等元件間的任何介面未產生接觸電位。利用圖4a的配置,在透射子像素T,或在反射子像素R中,該LC層中未產生DC電場。藉由使導電層41定位成靠近下電極21,可確保此二層間的強力電容耦合。特定地,由下電極21-絕緣層31-導電層41形成的並聯板電容器的電容,可保持明顯大於由反射層30-LC層等-上電極13形成的並聯板電容器的電容。
根據本發明的一第三實施例的一第二範例,如圖4b中示意顯示,下電極21的電位反而藉由一通道連接器42而傳輸通過間隔層40到一導電層41,該通道連接器與下電極21電接觸。在此施加到間隔層40上方的導電層41由一絕緣層31而與反射層30分開。接著施加到下電極21的信號電容耦合到反射層30。為得到相對於該LC層的電對稱,在此第二實施例中,導電層41及通道連接器42應由一材料製成,該材料具有一工作函數,其接近透明下電極21的工作函數。若下電極21由ITO製成,則鉬(Mo)為導電層41及通道連接器42的一合適材料選擇。
根據本發明的一第三實施例的一第三範例,如圖4c中示
意顯示,上電極13及下電極21已塗佈絕緣鈍化層50、51。此等鈍化層50、51保護該等透明上電極及下電極13、21,以避開由曝露到陽光等輻射所造成的劣化。特別地,使該等透明上電極及下電極13、21的工作函數穩定,俾防止經過時間因輻射導致閃爍發生。
下鈍化層51的功能可由前述絕緣層31來實現。在上電極13上,添加一額外層。此層可透過濺鍍等任何表面沈積技術而形成,及較佳由一或多層AlxOy、SixOy等氧化物、SixNy等氮化物或旋塗式聚合物所構成。
在圖5a中,根據本發明的第二及第三實施例說明一像素中的一導電反射層放電的一第一方法。
在該製程中的一些合適點,導電浮動反射層30可經由一電壓源60而連接到下電極21。下電極21連接到接地,及反射層30與下電極21由一絕緣層31加以分開。為取消下電極21與反射層30之間由於其間的工作函數差而引起的接觸電位,藉由電壓源60在該二層之間施加一反電壓。當已施加一合適電壓時,若該下電極由ITO製成及該反射層由Al製成,則該電壓應為0.8V,該連接中斷。結果,反射層30將相對於該下電極而無電荷。可藉由連接反射層30與該透明上電極(此圖中未顯示)而類似地執行上述程序。因此可確保該反射層中的殘餘電荷不會造成該LC層中有來自該電場的DC貢獻。
在圖5b中,根據本發明的第二及第三實施例說明一像素中的一導電反射層放電的一第二方法。
根據此方法,導電反射層30由一大型厚板70接觸,該厚板以與反射層30相同的材料製成。此操作發生在該LC顯示器最後組裝之前,及下電極21應接地,同時使反射層30及厚板70放置成互相接觸。厚板70不應接地,但為有效地稀釋該反射層上的電荷,厚板70的接地電容應遠大於反射層30的接地電容。
熟諳此藝者了解本發明絕不侷限於該等較佳實施例。例如,提供所述材料作為具合適特性的材料範例,及具合適特性的其他任何材料應視為包括在本發明的範圍內。
1‧‧‧像素
6、7‧‧‧Al線
8、9‧‧‧連接
10‧‧‧液晶層
11‧‧‧上玻璃基板
12‧‧‧偏光器
13‧‧‧上電極
14、18‧‧‧對準層
15‧‧‧下玻璃基板
16‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
17‧‧‧下反射電極
20‧‧‧絕緣反射層
21‧‧‧下電極
30‧‧‧反射層
31‧‧‧絕緣層
40‧‧‧間隔層
41‧‧‧導電層
42‧‧‧通道連接器
50、51‧‧‧絕緣鈍化層
60‧‧‧電壓源
70‧‧‧厚板
R‧‧‧反射子像素
T‧‧‧透射子像素
已參照至顯示本發明一較佳實施例的數個附圖,詳細說明本發明的此等及其他概念。
圖1a以上視圖說明一先前技藝LCD的一反射像素;圖1b以剖面圖說明圖1a中的該像素;圖1c係一電路圖,其代表圖1a中的該像素;圖2根據本發明的一第一實施例,以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一反射像素;圖3根據本發明的一第二實施例,以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一反射像素;圖4a根據本發明的一第三實施例的一第一範例,以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一半透射半反射像素;圖4b根據本發明的一第三實施例的一第二範例,以示意剖面圖說明一液晶顯示器中的一半透射半反射像素;圖4c根據本發明的一第三實施例的一第三範例,以示意
剖面圖說明一液晶顯示器中的一半透射半反射像素;圖5a以示意剖面圖說明一像素的一部分,其說明一反射層放電的一第一方法;圖5b以示意剖面圖說明一像素的一部分,其說明一反射層放電的一第二方法。
10‧‧‧液晶層
13‧‧‧上電極
14、18‧‧‧對準層
15‧‧‧下玻璃基板
21‧‧‧下電極
30‧‧‧反射層
31‧‧‧絕緣層
Claims (13)
- 一種具有複數個像素之液晶顯示器,包括:一下電極及一上電極;一液晶層,其設置於該上電極與該下電極之間;一反射層,其位於該液晶層與該下電極之間,用以至少部分地反射已通過該液晶層之入射光,該至少部分反射層與該下電極互相電隔離;及一導電層,其位於該反射層與該下電極之間,該導電層與該反射層或該下電極之間電性連接。
- 如請求項1所述之液晶顯示器,其中該下電極之一工作函數與該上電極之一工作函數之差小於0.5eV。
- 如請求項1或2所述之液晶顯示器,其中該下電極及該上電極以相同透明材料製造。
- 如請求項1所述之液晶顯示器,其中該上電極塗佈一鈍化層,藉此提高該液晶顯示器之光穩定性。
- 如請求項1所述之液晶顯示器,其中該反射層可導電,及一電絕緣材料設置成分開該下電極與該反射層。
- 如請求項5所述之液晶顯示器,其中該反射層與該下電極間之一電容比該反射層與該上電極間之一電容大10倍以上。
- 如請求項5或6所述之液晶顯示器,其中該反射層設置成通過一放電構件放電,該放電構件配置成以一時間常數將該反射層放電,該時間常數比一液晶顯示器(LCD)驅動週期大幅地長,及配置成使該反射層與該上電極具有相同電位。
- 如請求項1所述之液晶顯示器,其中各像素(1)包括一反射子 像素(R),其設置成反射入射光,及一透射子像素(T),其設置成透射光。
- 如請求項8所述之液晶顯示器,其中各反射子像素(R)尚包括一間隔層,其定位於該下電極與該反射層之間。
- 如請求項9所述之液晶顯示器,其中該反射層可導電,及各反射子像素(R)尚包括一導電層,其藉由一絕緣層與該下電極層分開,及藉由一延伸通過該間隔層之通道連接器以連接至該反射層,藉此增強該下電極與該反射層間之一電容耦合。
- 如請求項9所述之液晶顯示器,其中該反射層可導電,及各反射子像素(R)尚包括一導電層,其藉由一絕緣層與該反射層分開,及藉由一延伸通過該間隔層之通道連接器以連接至該下電極層,藉此增強該下電極與該反射層間之一電容耦合。
- 一種製造液晶顯示器之方法,包括以下步驟:提供一具有一下電極之下基板、一導電層、一絕緣層及一反射層;將該反射層進行一放電;及設置一液晶層,及一上基板,其具有一透明上電極,俾該液晶層定位於該反射層與該上電極之間;其中將該反射層之該放電包括以下步驟:使該下電極接地;經由一電壓源以電連接該下電極與該反射層;在該下電極與該反射層之間施加一電壓,該電壓調適成取消該下電極與該反射層間之一接觸電位;及中斷該下電極與該反射層之連接。
- 如請求項12所述之方法,其中藉由放置該反射層與一厚板接觸而執行該反射層之該放電,該厚板與該反射層係相同材料,該厚板係電浮動,及具有夠大接地電容以使該反射層放電,該電容遠大於從該反射層至接地之電容。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05101309 | 2005-02-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200634396A TW200634396A (en) | 2006-10-01 |
TWI390294B true TWI390294B (zh) | 2013-03-21 |
Family
ID=36593156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095105511A TWI390294B (zh) | 2005-02-21 | 2006-02-17 | 具有降低閃爍之液晶顯示器及其製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7873250B2 (zh) |
JP (1) | JP2008530623A (zh) |
CN (1) | CN101124509B (zh) |
TW (1) | TWI390294B (zh) |
WO (1) | WO2006087685A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI336014B (en) * | 2006-06-19 | 2011-01-11 | Wintek Corp | Transflective liquid crystal display |
JP5692693B2 (ja) * | 2009-10-20 | 2015-04-01 | Nltテクノロジー株式会社 | 表示媒体の消去装置及び方法並びに消去信号設定方法 |
CN109671401B (zh) * | 2019-01-30 | 2023-10-27 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 一种具有屏闪功能的背光驱动芯片 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3149793B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
US5764324A (en) * | 1997-01-22 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Flicker-free reflective liquid crystal cell |
JP4815659B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3866522B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2007-01-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
TWI296062B (en) * | 2001-12-28 | 2008-04-21 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display device |
JP3953338B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3953340B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
KR100439649B1 (ko) | 2002-08-14 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2004109797A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
-
2006
- 2006-02-17 CN CN2006800054202A patent/CN101124509B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-17 TW TW095105511A patent/TWI390294B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-17 WO PCT/IB2006/050520 patent/WO2006087685A1/en not_active Application Discontinuation
- 2006-02-17 JP JP2007555763A patent/JP2008530623A/ja active Pending
- 2006-02-17 US US11/816,570 patent/US7873250B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101124509B (zh) | 2010-12-08 |
JP2008530623A (ja) | 2008-08-07 |
US20080204637A1 (en) | 2008-08-28 |
TW200634396A (en) | 2006-10-01 |
WO2006087685A1 (en) | 2006-08-24 |
CN101124509A (zh) | 2008-02-13 |
US7873250B2 (en) | 2011-01-18 |
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---|---|---|---|
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