CN104252078B - 阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置，包括如下步骤：形成透明导电层，其包括透明导电电极和透明衬垫，所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域和/或第一数据线区域内；其中，衬底基板上需要形成栅线和数据线的区域分别为栅线走线区域和数据线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成数据线时与靶材之间相对的数据线走线区域为第一数据线区域。一种阵列基板，上述制造方法制造出的阵列基板。显示装置，包括上述阵列基板。本发明的阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置为降低柱状隔垫物衬垫的高度差提供了条件。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜场效应晶体管液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的制造过程中，阵列基板和彩膜基板对盒形成中间设置有液晶的显示面板，柱状隔垫物通常起到支撑液晶盒厚的作用，柱状隔垫物可以位于阵列基板上的栅线和/或数据线的对应区域中。柱状隔垫物可形成在彩膜基板上，与彩膜基板上的柱状隔垫物相对应地，阵列基板上可形成所述柱状隔垫物的衬垫，用于与所述柱状隔垫物相互配合起作用。
在溅射形成金属线的过程中，如图1所示，由于溅射设备的缺陷使得靶材10正对的位置和与靶材之间相对的位置形成的金属线的金属层的厚度有一定的差异，靶材正对的位置形成的金属层比与靶材之间相对的位置形成的金属层厚。这样，靶材正对位置的柱状隔垫物衬垫比与靶材之间相对的位置的柱状隔垫物衬垫高，即柱状隔垫物衬垫的高度有差异，造成液晶显示器亮度不均，从而导致液晶显示器显示各种痕迹，如可能是横向条纹，竖向条纹，无规则的痕迹等等。
发明内容
本发明实施方式提供了一种阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置，为降低柱状隔垫物衬垫的高度差异提供了条件。
为达到上述目的，本发明实施方式提供以下技术方案：
一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
形成透明导电层，其包括透明导电电极和透明衬垫，所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域和/或第一数据线区域内；
其中，衬底基板上需要形成栅线和数据线的区域分别为栅线走线区域和数据线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成数据线时与靶材之间相对的数据线走线区域为第一数据线区域。
优选的，所述透明导电层形成在衬底基板之上为第一透明导电层，所述第一透明导电层的透明导电电极为第一透明导电电极，所述第一透明导电层的透明衬垫为第一透明衬垫且所述第一透明衬垫位于第一栅线区域内；
所述阵列基板的制造方法还包括如下步骤：
在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层。
优选的，所述透明导电层还形成在保护层之上为第二透明导电层，所述第二透明导电层的透明导电电极为第二透明导电电极，所述第二透明导电层的透明衬垫为第二透明衬垫且所述第二透明衬垫位于第一栅线区域上方的保护层之上。
优选的，还包括如下步骤：
在衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层；
所述透明导电层形成在保护层之上，其中，所述透明衬垫位于第一栅线区域上方的保护层之上。
优选的，所述透明导电层为铟锡氧化物层。
本发明实施方式还提供以下技术方案：
一种阵列基板，包括：
衬底基板；
形成在衬底基板上方的透明衬垫且所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域和/或第一数据线区域内；
其中，衬底基板上需要形成栅线和数据线的区域分别为栅线走线区域和数据线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成数据线时与靶材之间相对的数据线走线区域为第一数据线区域。
优选的，所述透明衬垫形成在衬底基板第一栅线区域内为第一透明衬垫；
所述阵列基板还包括形成在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上的栅线，形成在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层之上的数据线，形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层；
所述第一栅线区域内的第一透明衬垫，栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第一柱状隔垫物衬垫，所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫；其中，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域。
优选的，所述透明衬垫还形成在第一栅线区域上方的保护层之上为第二透明衬垫；所述第一柱状隔垫物衬垫还包括所述第二透明衬垫。
优选的，还包括形成在衬底基板的栅线走线区域之上的栅线，形成在栅线和形成有栅线的衬底基板之上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层之上的数据线，形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层；
所述透明衬垫形成在第一栅线区域上方的保护层之上；
所述第一栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线，保护层和透明衬垫形成第一柱状隔垫物衬垫，所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫；其中，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域。
优选的，所述透明衬垫为铟锡氧化物衬垫。
本发明实施方式还提供以下技术方案：
一种显示装置，包括上述任一所述的阵列基板。
本发明实施方式提供的阵列基板的制造方法，阵列基板及显示装置，在形成透明导电电极的同时形成透明衬垫，所述透明衬垫在基板上的投影位于第一栅线区域和/或第一数据线区域内。一方面，透明衬垫的形成工艺简单；另一方面，透明衬垫为降低柱状隔垫物衬垫的高度差提供了条件。
附图说明
图1为现有的溅射设备的靶材的排列示意图；
图2为本发明的一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图；
图3为图2所示阵列基板的制造方法制造出的阵列基板的第一柱状隔垫物衬垫的示意图；
图4为图2所示阵列基板的制造方法制造出的阵列基板的第二柱状隔垫物衬垫的示意图。
主要元件附图标记说明：
现有技术中：
10靶材；
本发明中：
100衬底基板，610第一透明衬垫，200栅线，300栅绝缘层，400数据线，
500保护层，620第二透明衬垫。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所做出的合理的改动和变型，都属于本发明保护的范围。
本发明的第一个实施例的阵列基板的制造方法，用于制造液晶面板的阵列基板且彩膜基板的柱状隔垫物形成在栅线和数据线交叠处的上方，本实施例中的阵列基板中包括有两层透明导电膜层，所述透明导电膜层在阵列基板中可被用作像素电极和/或公共电极，在本实施例中，所述柱状隔垫物的衬垫中也包括与所述透明导电膜层同材质并与所述透明导电膜层同步形成的层；如图2所示，包括如下步骤：
在衬底基板之上形成第一透明导电层，第一透明导电层包括第一透明导电电极和第一透明衬垫且第一透明衬垫位于第一栅线区域内；其中，衬底基板上需要形成栅线的区域为栅线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域；
在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层。
通过上述实施例的阵列基板的制造方法，制造出如下阵列基板，如图3和图4所示，包括：
衬底基板100；
形成在衬底基板的第一栅线区域内的第一透明衬垫610，形成在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上的栅线200，形成在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上的栅绝缘层300，形成在栅绝缘层之上的数据线400，形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层500；
如图3所示，所述第一栅线区域内的第一透明衬垫610，栅线200，栅绝缘层300，数据线400和保护层500形成第一柱状隔垫物衬垫，如图4所示，所述第二栅线区域内的栅线200，栅绝缘层300，数据线400和保护层500形成第二柱状隔垫物衬垫；
其中，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域。即第一柱状隔垫物衬垫为与靶材之间相对的位置的柱状隔垫物，第二柱状隔垫物是靶材正对位置的柱状隔垫物。
在制造上述阵列基板时，需要在衬底基板上形成第一透明导电电极。本实施例的阵列基板的制造方法，在形成第一透明导电电极的同时，在基板第一栅线区域内形成第一透明衬垫。一方面，第一透明衬垫的形成工艺简单；另一方面，第一柱状隔垫物衬垫比第二柱状隔垫物衬垫多一层第一透明衬垫，从而减小了第一柱状隔垫物衬垫和第二柱状隔垫物衬垫的高度差，从而降低了液晶显示器亮度不均的几率和程度。
作为一种可选的方式，上述透明导电层的材质可以选用铟锡氧化物。
本发明的第二个实施例的阵列基板的制造方法，在第一个实施例的基础上，如图2所示，还包括如下步骤：
在保护层之上形成第二透明导电层，第二透明导电层包括第二透明导电电极和第二透明衬垫且第二透明衬垫位于第一栅线区域上方的保护层之上。
通过本实施例的阵列基板的制造方法制造出的阵列基板，与第一个实施例的阵列基板的制造方法制造出的阵列基板相比的区别在于：
如图3所示，还包括形成在第一栅线区域上方的保护层之上的第二透明衬垫620；所述第一柱状隔垫物衬垫还包括所述第二透明衬垫。
在制造上述阵列基板时，在形成保护层之后还需要形成第二透明导电电极。本实施例的阵列基板的制造方法，在形成第二透明导电电极的同时，在第一栅线区域上方的保护层之上形成第二透明衬垫，即第二柱状隔垫物衬垫还包括形成在在第一栅线区域上方的保护层之上的第二透明衬垫。如果增加第一透明衬垫之后，第一柱状隔垫物衬垫和第二柱状隔垫物衬垫的高度差异仍较大，可以再增加形成在保护层之上的第二透明衬垫，从而进一步减小第一柱状隔垫物衬垫和第二柱状隔垫物衬垫的高度差。
需要说明的是，第一透明衬垫和第二透明衬垫只用于区分两种不同位置的特点的透明衬垫。
需要说明的是，如果只需要形成一层透明衬垫，可以选择形成第一透明衬垫也可以选择形成第二透明衬垫。
作为一种可选的方式，上述透明导电层的材质可以选用铟锡氧化物。
需要说明的是，本发明的实施例是以柱状隔垫物形成在栅线和数据线交叠处的上方为例进行的说明，柱状隔垫物形成在栅线或数据线的上方时，阵列基板的制造方法仍然适用，只是需要适应性的修改即可。
本发明的第三个实施例的阵列基板的制造方法，用于制造扭曲向列(TwistedNematic，简称TN)模式或平面转换(In Plane Switching，简称IPS)模式的阵列基板，包括如下步骤：
在衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层；
在保护层之上形成透明导电层，透明导电层包括透明导电电极和透明衬垫，其中，透明衬垫位于第一栅线区域上方的保护层之上。
通过上述实施例的阵列基板的制造方法，制造出如下阵列基板，包括：
衬底基板；
形成在衬底基板的栅线走线区域之上的栅线，形成在栅线和形成有栅线的衬底基板之上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层之上的数据线，形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层；
形成在第一栅线区域上方的保护层之上的透明衬垫；
所述第一栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线，保护层和透明衬垫形成第一柱状隔垫物衬垫，所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫；
其中，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域。即第一柱状隔垫物衬垫为与靶材之间相对的位置的柱状隔垫物，第二柱状隔垫物是靶材正对位置的柱状隔垫物，
在制造TN模式或IPS模式的阵列基板时，只在形成保护层之后形成透明导电电极。本实施例的阵列基板的制造方法，在形成透明导电电极的同时，在第一栅线区域上方的保护层之上形成透明衬垫。这样，第一柱状隔垫物衬垫比第二柱状隔垫物衬垫多一层透明衬垫，从而减小了第一柱状隔垫物衬垫和第二柱状隔垫物衬垫的高度差，从而降低了液晶显示器亮度不均的几率和程度。
本发明还提供一种显示装置，包括上述任一所述的阵列基板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成透明导电层，其包括透明导电电极和透明衬垫，其中，所述透明衬垫与所述透明导电电极同步形成，所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域；其中，衬底基板上需要形成栅线的区域为栅线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域；
所述透明导电层形成在衬底基板之上为第一透明导电层，所述第一透明导电层的透明导电电极为第一透明导电电极，所述第一透明导电层的透明衬垫为第一透明衬垫且所述第一透明衬垫位于第一栅线区域内；
在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层；
其中，所述第一栅线区域内的所述第一透明衬垫，栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第一柱状隔垫物衬垫；所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫；
所述透明导电层还形成在保护层之上为第二透明导电层，所述第二透明导电层的透明导电电极为第二透明导电电极，所述第二透明导电层的透明衬垫为第二透明衬垫且所述第二透明衬垫位于第一栅线区域上方的保护层之上，所述第一柱状隔垫物衬垫还包括所述第二透明衬垫。
2.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底基板的栅线走线区域之上形成栅线；
在栅线和形成有栅线的衬底基板之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层之上形成数据线；
在数据线和栅绝缘层之上形成保护层；
形成透明导电层，其包括透明导电电极和透明衬垫，其中，所述透明衬垫与所述透明导电电极同步形成，所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域，衬底基板上需要形成栅线的区域为栅线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域；
其中，所述第一栅线区域内的所述栅线，栅绝缘层，数据线，保护层和透明衬垫形成第一柱状隔垫物衬垫；所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透明导电层为铟锡氧化物层。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成在衬底基板上方的透明衬垫和透明导电电极且所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域内；其中，所述透明衬垫与所述透明导电电极同步形成，衬底基板上需要形成栅线的区域为栅线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域；
所述透明衬垫形成在衬底基板第一栅线区域内为第一透明衬垫；
所述阵列基板还包括形成在第一透明衬垫和衬底基板的栅线走线区域之上的栅线，形成在栅线和形成有第一透明导电层及栅线的衬底基板之上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层之上的数据线，形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层；
所述第一栅线区域内的第一透明衬垫，栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第一柱状隔垫物衬垫，所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫；
所述透明衬垫还形成在第一栅线区域上方的保护层之上为第二透明衬垫；所述第一柱状隔垫物衬垫还包括所述第二透明衬垫。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：
形成在衬底基板的栅线走线区域之上的栅线，
形成在栅线和形成有栅线的衬底基板之上的栅绝缘层，
形成在栅绝缘层之上的数据线，
形成在数据线和栅绝缘层之上的保护层；
透明导电层，其包括透明导电电极和透明衬垫，所述透明衬垫形成在位于第一栅线区域上方的保护层之上，其中，所述透明衬垫在衬底基板上的投影位于第一栅线区域，衬底基板上需要形成栅线和数据线的区域分别为栅线走线区域和数据线走线区域，在溅射形成栅线时与靶材之间相对的栅线走线区域为第一栅线区域，在溅射形成栅线时与靶材相对的栅线走线区域为第二栅线区域；
其中，所述第一栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线，保护层和透明衬垫形成第一柱状隔垫物衬垫，所述第二栅线区域内的栅线，栅绝缘层，数据线和保护层形成第二柱状隔垫物衬垫。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明衬垫为铟锡氧化物衬垫。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4-6中任一所述的阵列基板。
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