CN113631753A - 用于容器的等离子体处理的设备和方法 - Google Patents

用于容器的等离子体处理的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113631753A
CN113631753A CN201980090302.3A CN201980090302A CN113631753A CN 113631753 A CN113631753 A CN 113631753A CN 201980090302 A CN201980090302 A CN 201980090302A CN 113631753 A CN113631753 A CN 113631753A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure
gas
process gas
container
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980090302.3A
Other languages
English (en)
Inventor
M·赫尔博特
B·贝耶斯多尔夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KHS GmbH
Original Assignee
KHS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KHS GmbH filed Critical KHS GmbH
Publication of CN113631753A publication Critical patent/CN113631753A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32981—Gas analysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32394—Treating interior parts of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于容器（5）的等离子体处理的设备，该设备包括用于生成过程气体混合物的过程气体发生器（100）并且包括至少一个涂布站（3），所述涂布站包括具有处理位置（40）的至少一个等离子体室（17），在所述等离子体室中具有容器内部（5.1）的至少一个容器（5）可以被插入并被定位在处理位置（40）处，每个等离子体室（17）是至少部分可抽空的以便通过容器（5）吸入由过程气体发生器（100）提供的过程气体，容器的内部因此借助于等离子体处理被提供内部涂布，并且压力测量设备（79，96‑98）被提供在设备的预定点处以便确保过程稳定性。根据本发明，至少在设备的一些预定点处的压力测量设备（96‑98）包括依赖于气体类型的压力换能器（86）。

Description

用于容器的等离子体处理的设备和方法
技术领域
本发明涉及一种具有权利要求1前序部分的特征的用于容器的等离子体处理的设备。此外，本发明涉及一种具有权利要求11的前序部分的特征的用于容器的等离子体处理的方法。这样的设备和这样的方法例如从WO 2017/102280 A2已知。
背景技术
WO 2017/102280 A2的过程气体发生器混合O2、Ar、HMDSO（六甲基二硅氧烷）和HMDSN（六甲基二硅氮烷）的过程气体混合物。质量流量控制器从气相中对所提供的过程气体进行剂量测定，并且真空系统的真空通过涂布站吸入所提供的过程气体。在涂布站中，过程气体起反应以在瓶子中创建阻挡层。几个参数确定系统中的压力条件：气体流量、真空泵的泵送速度和管道的传导率值（取决于管长度和横截面）。如果以上参数以足够的准确度已知，则可以计算在系统中的任何点处的压力比。一般来说，最高的绝对压力在气体发生器中，最低的绝对压力是直接在（一个或多个）真空泵的入口处的吸入压力。
针对于要涂布的瓶子的任何类型，创建特殊的配方，该配方尤其定义O2、Ar、HMDSO和HMDSN的过程气体混合物。该混合物在机器的操作期间（在所选择的配方的情况下）不改变。由于相关管道也不显著改变，因此在涂布操作期间或当在设备中当前没有瓶子被涂布时在待机阶段中，产生非常稳定的压力条件。只有当在真空系统中达到稳定条件时，才释放该设备用于涂布。由于所述系统的所描述的稳定性（压力梯度），因此可以在正常状态下计算和测量针对给定配方可以预期的压力值。针对所设置的过程气体混合物，由于设备的管传导率值和泵送速度实际上不改变，因此产生特性压力梯度。然而，气体发生器中的绝对压力可以取决于设备的操作条件。利用独立于气体类型的压力换能器测量过程气体发生器中的过程气体混合物的绝对压力。为了过程控制，评估所测量的压力是否在指定范围内。
在独立于气体类型的压力换能器、所谓的隔膜真空计中，例如压力p作用于具有所定义的面积A的隔膜，并使隔膜与压力成比例地偏转。传感器测量偏转。例如，在最简单的情况下，机构将偏转传送给指针，该指针在压力刻度之上移动。压阻或电容传感器拾取压力信号并将该压力信号转换成电信号。
迄今为止专门被使用的独立于气体类型的压力换能器的缺点是它们不能检测气体成分，这就是为什么在不考虑气体成分的情况下实行过程控制。另一个缺点是独立于气体类型的压力换能器相对昂贵，这使它们在等离子体处理设备的所有相关测量位置处的使用都不经济，并且那些压力换能器可能需要德国联邦经济和出口控制办公室（BAFA）的批准。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供用于容器的等离子体处理的设备和方法，其确保在提高的经济效率的情况下改进的过程控制。
该目的针对通用设备以及针对通用方法通过相应独立权利要求的表征特征来解决。从属权利要求提及根据本发明的设备的有利实施例。因此，本发明规定：压力测量设备至少在设备的预定位置的一部分处包括依赖于气体类型的压力换能器。依赖于气体类型的压力测量的使用实现从所确定的压力值得出关于相应气体的特性、例如关于气体混合物的状态、即其恒定性或变化的结论是可能的。这种陈述不能利用独立于气体类型的压力测量作出。
Pirani热导率真空计（Pirani规管或测压元件）基于如下原理使用压力换能器来测量压力：气体的热导率在一定限制内依赖于压力。由于量热测量原理，Pirani测压元件具有气体类型依赖性，其中测量加热导线的热损失，热损失由残余气体引发。由于该原因，Pirani测压元件在本发明中可以有利地被用作依赖于气体类型的压力换能器。
有利地，在几个涂布站的情况下，可以通过评估所测量的压力值来推断相应等离子体室中的过程气体混合物的改变，该所测量的压力值可以在具有依赖于气体类型的压力换能器的等离子体室中测量。过程气体混合物的改变可能具有全局原因，例如，由于受污染的过程原材料、气体供应的故障（原材料的流量控制）或气体发生器中的泄漏。局部原因也是可能的，尤其是由到真空系统中的泄露引起的。此外，通过评估来自由依赖于气体类型的压力换能器测量的几个涂布站的测量信号，可以区分过程气体混合物的改变的全局和局部原因，并约束对此负责的故障位置。
有利地，至少针对涂布站的等离子体室，连接在那里的压力测量设备仅使用依赖于气体类型的压力换能器。根据本发明提供的依赖于气体类型的压力测量可以有利地与从上面讨论的现有技术中已知的独立于气体类型的压力测量相组合。基于例如不同热导率的两种不同气体，可以确定在用SiOx扩散阻挡层涂布PET瓶子期间的过程气体成分，并且如果必要，在测量偏差的情况下进行校正。
压力作为绝对值通过独立于气体类型的压力换能器以及作为依赖于气体类型的值通过适合于该目的的压力换能器的同时测量使得能够在过程气体发生器中确定过程气体的化学计量。这使得能够检测可能由质量流量控制器（MFC）引起的错误模式。此外，过程气体的化学计量可以在正在进行的生产期间确定。
压力作为绝对值以及作为依赖于气体类型的值的同时测量也使得能够检测相应质量流量控制器供应的气体。例如，在正在进行的生产期间，可以检测在质量流量控制器处的泄漏。最后，取消了用于质量流量控制器的先前需要的测试例程（abliter例程），从而减少了服务时间。
有利地，由独立于气体类型的压力换能器测量的压力值和由依赖于气体类型的压力换能器测量的压力值之间的相对偏差（前体浓度）可以被评估以控制过程气体成分。
此外，该过程的影响类型可以有利地根据由依赖于气体类型的压力换能器测量的压力值确定。
此外，由依赖于气体类型的压力换能器测量的压力值可以有利地与过程特性的其他测量值相组合，以创建诊断来加速故障排除。为了当至少两种气体的混合物被用于以下各个过程段时确保瓶子内部的可靠涂布：粘合促进剂、阻挡层和面漆（粘合促进剂：O2/HMDSO，阻挡层：O2/HMDSN，面漆：Ar/HMDSO），精确地维持和监视相应过程的混合比是重要的。可能发生：被用于气体剂量测定的质量流量控制器由于缺陷而设置不正确的气体流量。由于没有检查涂布质量的快速方式（渗透测量通常花费一到两天），因此必须直接在过程中检测并校正过程气体成分中的降低涂布质量的偏差。
如果供应给缸的过程气体的压力p是已知的，则可以通过使用依赖于气体类型的Pirani测压元件来监视气体成分。
该原理将在下文中描述：一般来说，以下适用于引入气流f的泵送体积中的压力：
Figure 205883DEST_PATH_IMAGE002
这里，pb是在没有气流的情况下出现的基础压力，并且a(f)是将压力改变描述为气流f的函数的函数。在依赖于压力的传导率保持不变（这在过程压力周围足够大的范围内给定）时，a(f)为线性函数，使得
Figure DEST_PATH_IMAGE003
适用。
由于具有两种气体的系统中的总压力可以被写为分压力之和，因此以下适用于以不同流量f1和f2流入的两种不同气体：
Figure 952385DEST_PATH_IMAGE005
通过在不同气流下测量所得到的压力，函数
Figure DEST_PATH_IMAGE007
和
Figure 122335DEST_PATH_IMAGE009
可以容易地通过实验确定。相同的内容适用于利用Pirani测压元件测量的依赖于气体类型的压力：
Figure 81326DEST_PATH_IMAGE011
。
函数
Figure DEST_PATH_IMAGE013A
和
Figure DEST_PATH_IMAGE015A
也可以很容易地通过实验确定。对于相应过程的标准流量
Figure DEST_PATH_IMAGE017A
和
Figure DEST_PATH_IMAGE019A
，压力值
Figure 98960DEST_PATH_IMAGE021
和
Figure DEST_PATH_IMAGE023
Figure DEST_PATH_IMAGE025
是已知的。如果一个或两个通量的改变随着新值
Figure DEST_PATH_IMAGE027A
和
Figure DEST_PATH_IMAGE029A
而发生，则出现两个新压力值
Figure DEST_PATH_IMAGE031A
Figure DEST_PATH_IMAGE033
和
Figure DEST_PATH_IMAGE035
。然后，对于标准压力与新压力值之间的相应差值
Figure DEST_PATH_IMAGE037
（方程2之前/之后的差值）和
Figure DEST_PATH_IMAGE039
（方程3之前/之后的差值）适用：
Figure DEST_PATH_IMAGE041
这导致具有两个未知量
Figure DEST_PATH_IMAGE043
和
Figure DEST_PATH_IMAGE045
的两个方程
Figure DEST_PATH_IMAGE047
和
Figure DEST_PATH_IMAGE049
Figure DEST_PATH_IMAGE051
），所述未知量表示两个气流与所设置的流量的偏差。通过重新排列方程组并求解
Figure DEST_PATH_IMAGE043A
和
Figure DEST_PATH_IMAGE045A
，然后可以计算两个过程气体流量与设置点的偏差。这样，可以快速地检测和校正与设置点流量的偏差，使得确保过程可靠性。
独立于气体类型的测量优选地直接在混合过程气体之后通过基于膜的压力换能器实行。由Pirani测压元件对依赖于气体类型的压力的测量有利地在涂布站中实行。涂布站中的独立于气体类型的压力可以使用直至该站的管道的已知传导率值来计算。应理解，上面和下面解释的特征和实施例不仅以在任何情况下所指示的组合被公开，而且还应被视为在其单独位置中以及以其他组合属于本公开。
附图说明
在下文中，参考具有优选实施例的附图更详细地解释本发明。附图示出：
图1 根据本发明的用于容器的等离子体处理的设备的涂布站的优选实施例的示意性框图，以及
图2 根据本发明的用于容器的等离子体处理的设备的过程气体发生器的优选实施例的示意性框图。
具体实施方式
图1示例性地示出涂布站或等离子体站3的处理站40处的示意性框图，该涂布站或等离子体站可以在等离子体室17中被布置一次或几次。在等离子体室17中，容器5以气体密封和/或空气密封的方式插入并定位在室内部4中。在当前情况下，室基部30因此具有真空通道70。真空通道70以其第一侧70.1通向等离子体室17中，或者取决于气体喷枪36的位置，还建立到容器5的容器内部5.1的透气连接。尤其可以规定：在气体喷枪36缩回到容器内部5.1中的状态下，容器内部5.1与室内部4隔离，即是密封的，而在气体喷枪36的降低状态下，在容器5的容器内部5.1与室内部4之间创建透气连接。
此外，至少第一至第五真空管路71...75和至少一个通风管路76可以连接到真空通道70的第二侧70.2，其中尤其通风管路76可以经由可调节的和/或可控制的阀设备76.1连接或断开。此外，第一至第五真空管路71...75中的每一个可以各自包括至少一个可调节的和/或可控制的阀设备71.1...75.1，其中阀设备71.1...76.1被设计成可经由用于容器5的等离子体处理的设备的机器控制器来控制，该机器控制器没有更详细地示出。
在背离真空通道70的第二侧70.2的端部处，第一至第五真空管路71...75优选地与为所有真空管路71...75所共用的真空设备77处于流体密封连接中。尤其，真空设备77被配置为生成在等离子体处理期间在等离子体室17中和在容器内部5.1中所需的真空。此外，真空设备77被配置为在第一至第五真空管路71...75处生成不同的负压，即针对每个真空管路71...75的负压级。优选地，第五真空管路75具有比第一真空管路71更大的真空，即更低的真空水平。尤其，真空水平可以随着每个真空管路71...75进一步被降低，使得第五真空管路75具有最低的真空水平。然而，替代地，也可能将各个真空管路71...75连接到单独的真空设备77。
尤其，等离子体室17和/或容器内部5.1可以经由第一至第五真空管路71...75被降低到不同的真空水平。例如，当阀设备71.1打开时，包括容器内部5.1的等离子体室17可以经由第一真空管路71被降低到第一真空水平，而例如当第二真空管路72的阀设备72.1打开时，既在等离子体室17中又在容器内部5.1中创建比第一真空水平更低的真空水平。此外，还可以规定：例如，第五真空管路75被形成为过程真空管路，该过程真空管路在等离子体处理期间与过程气体的供应同步地打开以维持真空。这样，所提供的过程真空管路避免所提取的过程气体转移到另外的真空管路、例如第一至第四真空管路71...74的供应回路中。
并且，压力测量设备78可以例如以压力测量管的形式被分配给第一至第五真空管路71...75，该压力测量设备被配置为检测经由第一至第五真空管路71...75生成的负压。尤其，上游阀设备78.1可以被分配给压力测量设备78，并且压力测量设备78可以被布置在第二真空管路72到真空通道70的第二侧70.2的流体连接中。
此外，气体喷枪36可以经由示例性中央过程气体管路80与示例性第一至第三过程气体管路81...83耦合，其中不同的过程气体成分可以经由第一至第三过程气体管路供应，尤其通过气体喷枪36供应到容器内部5.1。第一至第三过程气体管路81...83中的每一个此外可以各自具有至少一个阀设备81.1...83.1，所述阀设备可以例如经由用于容器的等离子体处理的设备的中央机器控制系统来调节和/或控制。因此，中央过程气体管路80也可以包括这种可控制和/或可调节的阀设备80.1。
此外，优选地，在中央过程气体管路80的阀设备80.1与第一至第三过程气体管路81...83的阀设备81.1...83.1之间，至少一个旁通管路84以流体密封的方式以其第一侧84.1分支，其中旁通管路的第二侧84.2也以流体密封的方式通向第一至第五真空管路71...75之一。在涂布站3发生故障的情况下，旁通管路84被配置为使经由第一至第三过程气体管路81...83流入的过程气体在其被馈送到等离子体室17中之前转向，有利地转向到第一至第五真空管路71...75之一中。特别有利地，旁通管路84以其第二侧84.2以流体密封的方式通向具有最低真空水平的中央真空设备77的真空管路，即根据图1的示例性实施例，通向第五真空管路75。在替代实施例中，旁通管路84也可以以流体密封的方式通向单独的、未示出的真空设备。
此外，旁通管路84包括：至少一个阀设备84.3，所述阀设备可以经由等离子体处理设备的中央机器控制来控制和/或调节，以及至少一个可控制和/或可调节节流设备84.4，用于流量节流或限制流过旁通管路84的过程气体的体积流量。例如，节流设备84.4可以被配置为可控制和/或可调节的套筒阀，并且因此尤其，它可以被配置用于限制流过旁通管路84的过程气体的体积流量。尤其，节流设备84.4在箭头所指示的流动方向上提供在旁通管路84中的阀设备84.3的下游。
特别有利地，节流设备84.4可以确定旁通管路84的内管横截面的尺寸和/或调节旁通管路84的内管横截面，使得通过旁通管路84转向的过程气体的体积流量近似地对应于在施加过程气体期间经由中央过程气体管路80供应到对应涂布站3的过程气体的体积流量。换句话说，旁通管路84的内管横截面由节流设备84.4选择或调节，使得在排放过程气体期间在旁通管路84中的真空传导率与在施加用于等离子体处理的过程气体期间中央过程气体管路80中的真空传导率近似相同。
此外，第六真空管路85也可以直接地并且尤其流体密封地以第一侧85.1连接到等离子体室17，或者流入等离子体室17中，并且在插入可调节和/或可控制的阀设备85.3的情况下流体密封地以第二侧85.2经由第五真空管路75与中央真空设备77相互作用。第六真空管路85与用于测量尤其等离子体室17内的负压的压力测量设备79相关联。根据本发明，压力测量设备79包括依赖于气体类型的压力换能器86。根据由依赖于气体类型的压力换能器86测量的压力值，可以确定涂布站3中的过程质量、尤其过程气体混合物的改变。此外，过程影响的类型可以根据由依赖于气体类型的压力换能器86测量的压力值来确定。最后，由依赖于气体类型的压力换能器86测量的压力值可以与过程识别的另外的测量值相组合，以创建用于加速故障排除的诊断。在几个涂布站的情况下，可以通过评估那里提供的依赖于气体类型的压力传感器86的压力值来区分全局和局部原因，并且故障可以被限制到一个位置。
下面使用涂布过程的示例来解释在没有操作故障的示例性涂布站3处的典型处理过程，其中用于容器5的等离子体处理的过程发生在具有几个涂布站3的等离子体处理设备处，所述涂布站具有在等离子体轮上的相应的处理站40。
在该过程中，首先使用输入轮将相应的容器5输送到等离子轮，并且在套筒状室壁的上推状态下，将容器5插入到对应的涂布站3中。在完成插入过程之后，在该涂布站3处的相应的室壁被降低到其密封位置，并且初始地，室内部4和容器5的容器内部5.1二者同时被抽空。
在室内部4的充分抽空之后，对应的气体喷枪36被移动到容器5的容器内部5.1中，并且通过移置密封元件来实行容器内部5.1相对于室内部4的密封。也可能的是，气体喷枪36已经与室内部4的开始抽空同步地被移动到容器5中。随后，容器内部5.1中的压力可以甚至进一步被降低。此外，气体喷枪36的定位移动可以已经至少部分地平行于室壁的定位。在已经达到足够低的真空之后，在对应的涂布站3处，过程气体被引入到容器5的容器内部5.1中，并且借助于微波发生器点燃等离子体。尤其，等离子体可以被用于在容器5的内表面上沉积粘合促进剂和氧化硅的实际阻挡和保护层二者。
在涂布过程、即等离子体处理完成之后，气体喷枪36从容器内部5.1被移除、即被降低，并且与气体喷枪36的降低同时或在气体喷枪36的降低之前，至少容器5的容器内部5.1以及在适用情况下等离子体室17至少部分地被通风。
如果涂布站3中的至少一个经受操作故障，则在将过程气体引入或供应到对应的等离子体室17中时，具有操作故障的该至少一个涂布站3的过程气体通过旁通管路84被转向。因此，在用于等离子体处理的设备的没有操作干扰并且此时处于通过过程气体进入的相同过程步骤中的至少一个另外的涂布站3处，没有附加的过程气体被引导通过中央过程气体供应单元。这是因为为处于操作故障中的涂布站3预定的部分或数量的过程气体经由旁通管路84被转向。因此，在该至少一个另外的操作涂布站3处，等离子体涂布的质量没有降级，因为以预定数量的过程气体冲击被处理的容器5。由于流向具有操作故障的至少一个涂布站3的过程气体通过旁通管路84被转向，因此涂布过程可以在提供在用于等离子体处理的设备上的剩余涂布站3处或在它们的处理站40处以一致高的涂布质量被操作或继续。首先，在等离子体室17已被关闭之后，例如，第一和第六阀设备71.1和85.3在至少一个完好操作的等离子体室17处被打开，即不经受任何操作故障，并且因此容器内部5.1和等离子体室17的室内部4分别经由第一和第六真空管路71和85被抽空。优选地，中央过程气体管路80的阀设备80.1在打开期间被关闭。尤其，在容器内部5.1以及等离子体室17的抽空期间，排气管路76的阀设备76.1也被关闭。在关闭第一阀设备71.1之后，例如，第二阀设备72.1可以被打开并且因此容器内部5.1可以经由第二真空管路72被降低到较低的压力水平。并且，容器内部5.1和/或等离子体室17仍然可以经由第三或第四真空管路73、74被降低到进一步更低的真空水平，如果这对于涂布过程来说是必要的话。在足够低的压力水平已在容器内部5.1和/或等离子体室17中被达到之后，对应的阀设备71.1...75.1可以被关闭。替代地，还可以规定：第五阀设备75.1和第六阀设备85.3尤其在随后的处理步骤期间保持打开，以便在容器内部5.1和等离子体室17中提供进一步足够低的压力水平。
在这种情况下，第一至第三过程气体管路81...83.1的第一至第三阀设备81.1...83.1和中央过程气体管路80的阀设备80.1中的一个或多个已经可以在气体喷枪36定位在容器内部5.1内的同时或之前对至少一个完好操作的等离子体室17打开，并且具有预定成分和预定气体数量的过程气体尤其经由气体喷枪36被供应给容器内部5.1。
此外，也在具有操作故障的至少一个涂布站3处，第一至第三过程气体管路81...83的第一至第三阀设备81.1...83.1中的一个或多个相对于在用于等离子体处理1的设备1处提供的剩余涂布站3在预定的时间周期内被打开，而具有操作故障的这一个涂布站3的中央过程气体管路80的阀设备80.1被关闭，作为其结果，过程气体不可能流入对应的等离子体室17。因此，具有操作故障的至少一个涂布站3将被供应与在完好操作模式下为该涂布站3预定的过程气体数量相对应的过程气体数量。然而，特别优选在打开具有操作故障的至少一个涂布站3的第一至第三过程气体管路81...83的第一至第三阀设备81.1...83.1中的一个或多个时，阀设备84.3同时或在不久之前被打开并且过程气体经由旁通管路84被排放。
尤其，在具有操作故障的至少一个涂布站3中，当旁通管路84的阀设备84.3被打开时，中央过程气体管路80的阀设备80.1被关闭，使得经由中央过程气体供应单元提供的过程气体经由旁通管路84被供应给中央真空设备77。尤其，过程气体由此经由第五真空管路75被排放。尤其，过程气体可以经由在等离子体轮的中心中提供的旋转分配器馈送到涂布站3或相应的处理站40，由此实际的过程气体分配可以经由环形管路实行。
在过程气体的充分供应之后，微波发生器点燃容器5的容器内部5.1中的等离子体。在此上下文中，可以规定：例如，第一过程气体管路81的阀设备81.1在预定时间关闭，而第二过程气体管路82的阀设备82.1被打开以供应第二成分的过程气体。至少暂时地，第五阀设备75.1和/或第六阀设备85.3也可以被打开以维持足够低的负压，尤其在容器内部5.1和/或处理室17中。在这种情况下，大约0.3毫巴的压力水平被证明是适当的。
在等离子体处理完成之后，第一至第三过程气体管路81...83的阀设备81.1...83.1以及第一至第六真空管路71...75、85的此时仍打开的所有阀设备71.1...75.1、85.3被关闭，而排气管路76的阀设备76.1被打开并且至少容器5的容器内部5.1在涂布站3的至少一个处理站40处的等离子体处理之后至少部分被排气。优选地，容器5的内部5.1被排气到大气压力。
优选地，排气经由容器内部5.1中的气体喷枪36进行。与此同步地，气体喷枪36可以从容器内部5.1被降低。在容器内部5.1和等离子体室17充分排气到优选地大气压力或环境压力之后，排气管路76的打开的阀设备76.1被关闭。每个容器5的排气时间在0.1和0.4秒之间，优选地大约0.2秒。在室内部4内已达到环境压力之后，室壁再次被升高。所涂布的容器5然后被移除或被转移到输出轮。
图2示出过程气体发生器100的实施例的示意性框图，该过程气体发生器将不同成分的过程气体供应给图1的涂布站3。氧气经由管路87被供应给过程气体发生器100。氩气经由管路88被供应给过程气体发生器100。HMDSN经由管路89被供应给过程气体发生器100，并且HMDSO经由管路90被供应给过程气体发生器100。阀被布置在管路87至90中，用于对相应的气体供应进行剂量测定或阻断相应的气体供应。过程气体发生器100包括用于提供不同成分的过程气体的三个气体混合单元91、92和93以及两个气体加热缸94和95。气体加热缸94被供应HMDSO，该HMDSO在缸94的出口处在适合于在气体混合单元91和93中混合气体的温度和压力下可用，被加热的HMDSO经由配备有截止阀的管道被供应给气体混合单元91和93。气体加热缸95被供应HDMSN，该HDMSN在缸95的出口处在适合于在气体混合单元92中混合气体的温度和压力下可用，被加热的HDMSN经由配备有截止阀的管道被供应给该气体混合单元92。
除了HMDSO之外，氧气和氩气经由配备有截止阀的管道被供应给气体混合单元91。除了HMDSO之外，氩气经由管道被供应给气体混合单元93。除了HMDSN之外，氧气和氩气经由管道被供应给气体混合单元92。气体混合单元91、92和93各自包含多个质量流量控制器（MFC）和阀，用于选择性地混合供应给它们的气体。气体混合物在气体混合单元91、92和93的出口处作为过程气体可用。具体地，在气体混合单元91的出口处可用的过程气体是气态粘合促进剂，在气体混合单元92的出口处可用的过程气体是阻挡气体，并且在气体混合单元93的出口处可用的过程气体是面漆气体。相应过程气体的压力在管路81、82和83中由压力测量设备96、97和98测量，每个压力测量设备包括独立于气体类型的压力传感器99和依赖于气体类型的压力传感器86，其尤其评估由两个压力传感器86、99测量的压力值之间的相对偏差（前体浓度），以控制过程气体成分。
上面已使用实施例的示例描述了本发明。应理解，在不放弃本发明所基于的发明思想的情况下，许多改变以及修改是可能的。
附图标记列表
3涂布站
4室内部
5容器
5.1容器内部
17等离子体室
30室基部
36气体喷枪
40处理中心
70真空通道
70.1第一侧
70.2第二侧
71第一真空管路
71.1阀设备
72第二真空管路
72.1阀设备
73第三真空管路
73.1阀设备
74第四真空管路
74.1阀设备
75第五真空管路
75.1阀设备
76排气管路
76.1阀设备
77真空设备
78压力测量设备
78.1阀设备
79压力测量设备
80中央过程气体管路
80.1阀设备
81第一过程气体管路
81.1阀设备
82第二过程气体管路
82.2阀设备
83第三过程气体管路
83.1阀设备
84旁通管路
84.1第一侧
84.2第二侧
84.3阀设备
84.4节流设备
85第六真空管路
85.1第一侧
85.2第二侧
85.3阀设备
86依赖于气体类型的压力换能器
87管路
88管路
89管路
90管路
91气体混合单元
92气体混合单元
93气体混合单元
94气体加热缸
95气体加热缸
96压力测量设备
97压力测量设备
98压力测量设备
99独立于气体类型的压力换能器
100过程气体发生器。

Claims (12)

1.一种用于容器（5）的等离子体处理的设备，具有用于生成过程气体混合物的过程气体发生器（100）和至少一个涂布站（3），所述至少一个涂布站包括至少一个具有处理站（40）的等离子体室（17），其中在所述等离子体室中至少一个具有容器内部（5.1）的容器（5）可以被替换并定位在所述处理站（40）处，其中相应的等离子体室（17）被配置为至少部分地可抽空，以便通过所述容器（5）抽吸由所述过程气体发生器（100）提供的过程气体，所述容器通过等离子体处理给其内部提供内部涂布，并且其中压力测量设备（79，96-98）被提供在所述设备的预定位置处以便确保过程稳定性，
其特征在于
所述压力测量设备（79，96-98）至少在所述设备的预定位置的一部分处包括依赖于气体类型的压力换能器（86）。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，测量所述过程气体发生器（100）中的压力的压力测量设备（96-98）各自包括依赖于气体类型的压力换能器（86）和独立于气体类型的压力换能器（99）。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，由依赖于气体类型的压力换能器（86）测量的压力值和由独立于气体类型的压力换能器（99）测量的压力值之间的相对偏差能够被评估以控制过程气体成分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，测量所述涂布站（3）的等离子体室（17）中的压力的至少一个压力测量设备（79）仅包括依赖于气体类型的压力换能器（86）。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述涂布站（3）的等离子体室（17）中的过程质量、尤其过程气体混合物的改变能够根据由依赖于气体类型的压力换能器（86）测量的压力值来确定。
6.根据权利要求4或5所述的设备，其中，过程影响的类型能够根据由依赖于气体类型的压力换能器（86）测量的压力值来确定。
7.根据权利要求4、5或6所述的设备，其中，在多个涂布站（3）的情况下，相应等离子体室（17）中的过程气体混合物的改变能够通过评估能够在等离子体室（17）那里测量的压力值来推断。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的设备，其中，由依赖于气体类型的压力换能器（86）测量的压力值能够与过程识别的另外的测量值相组合，以产生用于加速故障排除的诊断。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中，依赖于气体类型的压力换能器（86）是Pirani测压元件。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，Pirani测压元件各自能够基于不同热导率的两种气体与独立于气体类型的压力换能器（99）组合地进行验证，用于在用SiOx扩散阻挡层涂布PET瓶子时确定气体成分，并且其中Pirani测压元件各自在偏差的情况下是可校正的。
11.一种用于等离子体处理设备中的容器（5）的等离子体处理的方法，包括以下方法步骤：
-通过过程气体发生器（100）生成过程气体混合物，
-在涂布站（3）的至少一个等离子体室（17）的处理站（40）处插入并定位具有容器内部（5.1）的容器（5），
-至少部分地抽空相应的等离子体室（17），以通过容器（5）抽吸由过程气体发生器（100）提供的过程气体，从而通过等离子体处理给容器的内部提供内部涂布，以及
-在等离子体处理设备的预定位置处利用压力测量设备（79，96-98）测量压力，以确保过程稳定性，
其特征在于，
-在等离子体处理设备的预定位置处利用包括依赖于气体类型的压力换能器（86）的压力测量设备（79，96-98）测量压力。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述等离子体处理设备是根据权利要求1至10中任一项所述的设备。
CN201980090302.3A 2018-11-26 2019-11-22 用于容器的等离子体处理的设备和方法 Pending CN113631753A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018129694.0A DE102018129694A1 (de) 2018-11-26 2018-11-26 Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Behältern
DE102018129694.0 2018-11-26
PCT/EP2019/082169 WO2020109145A1 (de) 2018-11-26 2019-11-22 Vorrichtung und verfahren zur plasmabehandlung von behältern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113631753A true CN113631753A (zh) 2021-11-09

Family

ID=68655537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980090302.3A Pending CN113631753A (zh) 2018-11-26 2019-11-22 用于容器的等离子体处理的设备和方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220028671A1 (zh)
EP (1) EP3887565A1 (zh)
CN (1) CN113631753A (zh)
DE (1) DE102018129694A1 (zh)
WO (1) WO2020109145A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020130917A1 (de) 2020-11-23 2022-05-25 Khs Corpoplast Gmbh Mehrweg-Kunststoffbehälter, Verfahren zum Waschen von solchen Behältern, Verfahren zum Beschichten von solchen Behältern und Behälterbehandlungsmaschine für die Getränkeindustrie

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1340820A (en) * 1971-02-11 1973-12-19 Balzers Patent Beteilig Ag Determination of the proportion of hydrogen in a mixture with other gaseous materials
JP2003303777A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Ulvac Japan Ltd プラズマ成膜装置及びクリーニング方法
US20060107898A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Blomberg Tom E Method and apparatus for measuring consumption of reactants
JP2016109348A (ja) * 2014-12-05 2016-06-20 株式会社アルバック 真空乾燥の終点検知方法及び真空乾燥装置
DE102015121773A1 (de) * 2015-12-14 2017-06-14 Khs Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern
DE102016105548A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Khs Plasmax Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04295089A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導膜製造装置
JP3531736B2 (ja) * 2001-01-19 2004-05-31 オリエンタルエンヂニアリング株式会社 浸炭方法及び浸炭装置
US8394454B2 (en) * 2008-03-08 2013-03-12 Omniprobe, Inc. Method and apparatus for precursor delivery system for irradiation beam instruments
US20100174245A1 (en) * 2009-01-08 2010-07-08 Ward Dean Halverson System for pretreating the lumen of a catheter
JP2012046780A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Tokyo Electron Ltd 蒸着処理装置および蒸着処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1340820A (en) * 1971-02-11 1973-12-19 Balzers Patent Beteilig Ag Determination of the proportion of hydrogen in a mixture with other gaseous materials
JP2003303777A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Ulvac Japan Ltd プラズマ成膜装置及びクリーニング方法
US20060107898A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Blomberg Tom E Method and apparatus for measuring consumption of reactants
JP2016109348A (ja) * 2014-12-05 2016-06-20 株式会社アルバック 真空乾燥の終点検知方法及び真空乾燥装置
DE102015121773A1 (de) * 2015-12-14 2017-06-14 Khs Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern
DE102016105548A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Khs Plasmax Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018129694A1 (de) 2020-05-28
US20220028671A1 (en) 2022-01-27
WO2020109145A1 (de) 2020-06-04
EP3887565A1 (de) 2021-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3367811B2 (ja) ガス配管系の検定システム
KR20200141002A (ko) 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
WO2007105360A1 (ja) 配管路の漏洩検査方法及び漏洩検査装置
KR20090025823A (ko) 이동없이 가능한 진공게이지의 교정/시험 장치 및 그 방법
CN113631753A (zh) 用于容器的等离子体处理的设备和方法
CN115738775A (zh) 一种混气装置、方法及半导体工艺系统
CN111593292A (zh) 一种真空炉碳势动态检测装置及其检测方法
CN111537142A (zh) 一种绝对压力变送器的校准装置及校准方法
KR20200001531A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 부품의 관리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 프로그램
WO2003012849A1 (fr) Appareil de traitement thermique
CN111595408A (zh) 一种测量恒温密闭容器内液位的设备、镀膜装置、测量液位的方法
JPS62222928A (ja) 粉体自動供給装置
WO2022218142A1 (zh) 多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备
CN212505037U (zh) 一种真空炉碳势动态检测装置
JP3875885B2 (ja) 気密試験方法
CN111855113A (zh) 退火机台、漏率检测装置及检测方法
US6408254B1 (en) Procedure and device for calibrating the gas pressure in a process vacuum chamber (receiver)
CN110849946A (zh) 氧气检测报警器的校准装置及校准方法
CN116575014B (zh) 鼓泡装置、液态源鼓泡系统、方法及半导体工艺系统
CN115287636B (zh) 一种lpcvd控压系统及控压方法
JP2004157035A (ja) バリヤ膜被覆プラスチック容器のガス透過速度測定装置、バリヤ膜被覆プラスチック容器のガス透過速度測定方法、バリヤ膜被覆プラスチックシートのガス透過速度測定装置およびバリヤ膜被覆プラスチックシートのガス透過速度測定方法
JP2007095728A (ja) デバイス製造装置及びリークチェック方法
CN112408816A (zh) 一种光纤氘气处理装置及工艺
KR100317715B1 (ko) 가스 공급장치 및 그 장치의 기밀시험방법
CN106979915A (zh) 阻隔膜气阻性能的测试装置及测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination