CN113563079A - 一系列新型钨稀土基max相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一系列新型钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法,属于新型材料领域。所述的钨稀土基MAX相的化学式为(W2/3R1/3)2AlC;由钨、镧系稀土金属、铝和碳构成,具有单斜晶体结构;沿某一晶轴由金属碳化物层与铝原子层交替排列,其中金属碳化物层是由2个W原子和1个稀土金属原子交替周期排列,金属碳化物层内的原子之间是由较强的共价键键合,而金属碳化物层与铝原子层间是由相对较弱的金属键键合,从形成层状结构;由钨稀土基MAX相具有与传统硬质合金媲美的高硬度,且由这种MAX相衍生的二维钨基层状碳化物可进一步用于储能领域。
Description
技术领域
本发明属于新型材料领域,涉及一系列新型钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法。
背景技术
新能源开发已经成为我国未来的能源发展主流,包括风能、水能、核能等能源技术都已经普遍应用。然而能量的存储是个不可避免的课题。而超级电容器是一种新型的能量存储与转化装置,不但拥有较高的能量密度,而且功率密度也很高,是一种能够在能源紧缺时代解决不断增长的能源需求。以石墨烯为代表的二维材料,在新能源领域中有广泛的应用。
近年来出现了一种新型二维材料MXene,这种二维材料由其三维MAX相前驱体通过化学刻蚀所得。在2011年,Naguib[M.Naguib,M.Kurtoglu,V.Presser,J.Lu,J.Niu,M.Heon,L.Hultman,Y.Gogotsi and M.W.Barsoum,Adv.Mater.2011,23,4248–4253.]等人利用氢氟酸水溶液刻蚀掉Ti3AlC2材料中的Al后,得到颗粒具有如图1所示的类手风琴形貌。这种层状材料被YuryGogotsi依照石墨-石墨烯的命名方法,命名为MXene。而将手风琴状的MXene进一步处理得到少片层、甚至单片层的二维Ti3C2Tx(如图1中的(c)),可以实现MXene更大的比表面积,从而表现出更优异的储能特性。
最新研究发现,在制备211型MAX相时,当Mo:Sc=2:1时,Mo原子和Sc原子会以有序形式在同一原子层排列,即形成(Mo2/3Sc1/3)2AlC相。不同于传统MAX相的六方结构,此相是单斜结构。通过对这种面内有序相刻蚀,发现稀土元素也会和Al原子一同被刻蚀,在原子层内形成有序空位,这种MXene具有更高的理论容量。而W基MXene理论上为拓扑绝缘体,具有不同于已有MXene的性能。但目前对W基MXene研究甚少,已有报道也仅有(W2/3Sc1/3)2AlC和(W2/3Y1/3)2AlC两种MAX相,因此制备新的W基MAX相以及MXene具有重要的意义。
发明内容
本发明提供合成一系列新型钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法;而该系列新相的二维衍生物具有高的电容性能。
本发明的技术方案如下:
一系列新型钨稀土基MAX相,所述的钨稀土基MAX相的化学式为(W2/3R1/3)2AlC;由钨(W)、稀土金属(R)、铝(Al)和碳(C)构成,具有单斜晶体结构;沿某一晶轴由金属碳化物层与铝原子层交替排列,其中金属碳化物层是由2个W原子和1个稀土金属原子交替周期排列,金属碳化物层内的原子之间是由较强的共价键键合,而金属碳化物层与铝原子层间是由相对较弱的金属键键合,从而形成层状结构;其中,R=镧系稀土元素;4种元素的摩尔比为W:R:Al:C=1.33:0.67:1:1。
钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法:
(1)将原料粉末W:R:Al:C在配比范围内均匀混合后冷压成片,随后以5-10℃/分的升温速率加热,高温(1300℃~1600℃)下真空保温0.5~10小时,然后冷却至室温,得到MAX相前驱体。
(2)钨基MXene的制备方法:MAX相前驱体经过含氟离子溶液刻蚀,形成钨与碳原子比不再为整数的二维衍生物,在刻蚀过程中二维衍生物表面会键合羟基(OH-)、氟离子(F-1)、氧(O2-)等多种负离子官能团;刻蚀完成生成钨基MXene,经过超声震荡分层处理,得到单层以上(1-10层)的钨基MXene。
(3)钨基MXene薄膜的制备:单层以上的钨基MXene可稳定悬浮于水溶液,经过真空抽滤获得抽滤片,但抽滤片力学性能较差;需在抽滤片中添加一定量物质复合,再经抽滤可形成柔性连续自支撑膜,并展现出优异的电容性能。
上述含氟离子溶液为HF水溶液或者盐酸和氟化锂的混合溶液;与单层以上的钨基MXene复合的物质为Ti3C2;单层以上的钨基MXene与Ti3C2的质量比为1-2:1。
本发明的有益效果:
1.首次合成了一系列新型的(W2/3R1/3)2AlC相,其中R为镧系稀土元素中的一种。拓宽了已知面内有序MAX相的范畴。
2.以新型i-MAX相为前驱体,通过含氟刻蚀剂刻蚀,成功制备出了W基MXene。
3.以Ti3C2为粘结剂和导电剂,制备出柔性W1.33C与Ti3C2的复合薄膜,比容量得到大幅提升。
附图说明
图1中的(a)和(b)为Ti3AlC2经过HF水溶液刻蚀后的二次电子照片。晶粒的侧面可以看到明显的层状堆垛的特征;整体上类似于手风琴状。图1中的(c)为有机溶剂剥离后少片层MXene形貌相。
图2中的(a)为(W2/3R1/3)2AlC相的XRD图,(b)为其相对应的高角环形暗场像,以及选区电子衍射图像。
图3为(W2/3R1/3)2AlC相以及W碳化物的维氏硬度。
图4中的(a)为所制备的W基MXene胶体,可以看到明显的丁达尔效应,(b)为少层W基MXene的投射照片以及电子衍射,(c)为真空抽滤出的W基MXene膜照片,(d)和(e)分别为W1.33C:Ti3C2=2:1和1:1时的抽滤片照片,(f)为W基MXene抽滤片的横截面扫描图。
图5中的(a)和(b)为W基MXene做为工作电极时在三电极体系中的循环伏安图和恒流充放电图,(c)和(d)为W1.33C:Ti3C2=2:1时在相同条件下的循环伏安图和恒流充放电图。
具体实施方式
以下根据附图及实施例对本发明的技术方案进行进一步的说明。
实施例1
称取质量比为W:R:Al:C=4:2:3.6:2.4的粉末,R=Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm或Lu。装入球磨罐中球磨7小时,待粉末均匀混合后冷压成片,置于真空烧结炉中,以5℃/分的升温速率加热至1400℃,保温3小时,即可得(W2/3R1/3)2AlC相。
取1克研磨成粉的(W2/3R1/3)2AlC,置入1克LiF和20毫升HCl的混合溶液中,35℃水浴搅拌60小时,反应结束后用去离子水清洗10遍,待所得混合液PH值呈中性后,重新加入去离子水,超声1小时即可得稳定的W基MXene悬浮液。
将所得W基MXene悬浮液冻干后,称取质量比W1.33C:Ti3C2=2:1的粉末,均匀混合后超声处理2小时,经真空抽滤后可得到自支撑复合薄膜。
实施例2
类似实施例1,将冷压片以5℃/分的升温速率加热至1500℃,保温1小时,同样可得到(W2/3R1/3)2AlC相。
W基MXene的制备过程同实施例1,在复合膜制备过程中,W1.33C和Ti3C2的比例可以调节,当W1.33C:Ti3C2=1:1时,可得自支撑柔性薄膜。
对比例1
(W2/3R1/3)2AlC相制备工艺同实施例1,在复合膜制备过程中,W1.33C:Ti3C2=4:1时,所得薄膜脆性增加,无法获得完整薄膜。
经X射线和透射电镜检验(如图2中的(a)),其为单斜对称性,具有原子级别的层状结构:由含R的W-C层与Al原子层沿c轴交替堆垛而成;在W-C层内,由于不同R为异质原子,导致成键差异而稍凸出于W-C层面(如图2中的(b))。
该系列化合物具有高硬度,根据不同稀土元素合成的(W2/3R1/3)2AlC相经1400℃热压烧结成的块材,其平均显微硬度为9.6GPa(982Hv)(如图3)
采用HCl/LiF混合盐溶液,将0.5g的(W2/3R1/3)2AlC加入后持续在35℃水浴环境中持久搅拌60小时,经过超声震荡,离心后收集上清液,可以得到具有丁达尔效应的胶体水溶液(图4中的(a))。
该胶体溶液是由(W2/3R1/3)2AlC型i-MAX相衍生出的二维W1.33C型i-MXene纳米片构成(图4中的(b))。经过真空抽滤后,由于力学性能较差,只得到W1.33C碎片(图4中的(c));该碎片横截面依然显示出具有介观尺度层状堆垛形貌;该纳米片具有较高的电容性能,在1A/g充放电电流下比电容为76F/g(图5中的(b))。
通过加入适量Ti3C2MXene改性、构建复合MXene,可以制备出具有大片(直径40mm)连续的自支撑柔性膜(图4中的(d)),其柔韧性大幅提升,表现为可以弯曲而不断裂(图4中的(e));通过扫描电镜,依然可以获得类似于纯W1.33C MXene的层状横截面形貌(图4中的(f));相应的电容可以大幅提高至183F/g(1A/g时测得,图5中的(d));该性能是目前各类方法制备出的W1.33C基MXene超级电容材料中最高性能。
Claims (5)
1.一系列新型钨稀土基MAX相,其特征在于,钨稀土基MAX相的化学式为(W2/3R1/3)2AlC;由钨W、稀土金属R、铝Al和碳C构成,具有单斜晶体结构;沿某一晶轴由金属碳化物层与铝原子层交替排列,金属碳化物层是由2个W原子和1个稀土金属原子交替周期排列,金属碳化物层内的原子之间由共价键键合,金属碳化物层与铝原子层间由金属键键合;R=镧系稀土元素;4种元素的摩尔比为W:R:Al:C=1.33:0.67:1:1。
2.权利要求1所述的钨稀土基MAX相的衍生二维钨基层状碳化物的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)将原料粉末W:R:Al:C在配比范围内均匀混合后冷压成片,随后以5-10℃/分的升温速率加热,高温1300℃~1600℃下真空保温0.5~10小时,然后冷却至室温,得到MAX相前驱体;
(2)钨基MXene的制备方法:MAX相前驱体经过含氟离子溶液刻蚀,形成钨与碳原子比不再为整数的二维衍生物,在刻蚀过程中二维衍生物表面会键合负离子官能团羟基OH-、氟离子F-1和氧O2-;刻蚀完成生成钨基MXene,经过超声震荡分层处理,得到单层以上的钨基MXene;
(3)钨基MXene薄膜的制备:单层以上的钨基MXene稳定悬浮于水溶液,经过真空抽滤获得抽滤片,但抽滤片力学性能较差;需在抽滤片中添加一定量物质复合,再经抽滤可形成柔性连续自支撑膜,并展现出优异的电容性能。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,含氟离子溶液为HF水溶液或者盐酸和氟化锂的混合溶液。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,与单层以上的钨基MXene复合的物质为Ti3C2。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,单层以上的钨基MXene与Ti3C2的质量比为1-2:1。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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