CN113544308B - 溅射靶及溅射靶的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及抑制遮挡部件脱落。在溅射靶中，靶主体具有包围筒状衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件，多个靶部件的分别以在衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置，通过在中心轴方向排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕衬管的中心轴周围，在上述衬管侧形成有与间隙连通的凹部。接合材料设置在衬管与上述靶主体之间，将多个靶部件分别与衬管接合。遮挡部件配置在接合材料与靶主体之间，被容纳在凹部，从上述接合材料侧遮挡间隙。

Description

溅射靶及溅射靶的制造方法
技术领域
本发明涉及溅射靶及溅射靶的制造方法。
背景技术
随着薄型电视的大图像化，制造平板显示器时所使用的溅射靶的大型化也在推进。随之而来地也出现了面积较大的氧化物靶。尤其是正在研发安装有较长的圆筒型氧化物靶的成膜装置。为了得到较长的圆筒型氧化物靶，已有使用接合材料将多个圆筒型氧化物烧结体与圆筒型衬管接合的方法。
但是，在用多个靶部件构成溅射靶的情况下，有时因靶部件的热膨胀导致相邻的靶部件互相接触而靶部件破裂。为了防止该由接触引起的破裂，有时在相邻的靶部件之间设置间隙(例如，参照专利文献1)。
然而，当设置有间隙时，也有可能接合材料侵入间隙或衬管从间隙露出，从而靶材以外的成分附着在间隙。当出现这样的现象时，靶材以外的成分混入覆膜并会使覆膜的性质劣化。此外，其也成为在成膜工序中异常放电的起因。
为了解决这样的问题，也提出有如下方案，例如：在平面型的分割型溅射靶中，从衬管侧向相邻的靶部件之间的间隙贴附遮挡部件，以防止接合材料侵入间隙、背板从间隙露出(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-168832号公报。
专利文献2：日本专利第4961514号公报。
发明内容
发明要解决的问题
然而，相对于在平面型的溅射靶中使靶部件与背板隔着接合材料相向后通过分别将其贴合而接合的这种一般的接合方法，有时也采用了如下方案：在圆筒型的溅射靶中，将接合材料注入靶部件和衬管从而接合靶部件和衬管。因此，在制造圆筒型的溅射靶时，在注入接合材料时如何抑制遮挡部件脱落变得十分重要。
鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种抑制遮挡部件脱落的溅射靶及其制造方法。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的一个实施方式所涉及的溅射靶具有：筒状的衬管、靶主体、接合材料以及遮挡部件。
上述靶主体具有包围上述衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件，上述多个靶部件的每一个均以在上述衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置。通过在上述中心轴方向排列上述多个靶部件，从而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕上述衬管的中心轴周围，在上述衬管侧形成有与上述间隙连通的凹部。
上述接合材料设置在上述衬管与上述靶主体之间，将上述多个靶部件的每一个与上述衬管接合。
上述遮挡部件配置在上述接合材料与上述靶主体之间，被容纳在上述凹部，从上述接合材料侧遮挡上述间隙。
根据这样的溅射靶，由于遮挡部件容纳在凹部，因此抑制遮挡部件的脱落。
可以在上述溅射靶中，上述相邻的靶部件包括第一靶部件和第二靶部件，
上述第一靶部件具有与上述第二靶部件相向的第一端面，
上述第二靶部件具有与上述第一靶部件相向的第二端面，
上述第一靶部件具有：与上述衬管间隔第一距离且与上述接合材料相向的第一内周面，和与上述第一端面接连设置且与上述衬管间隔比上述第一距离长的第二距离且与上述遮挡部件相向第二内周面；通过上述第一内周面和上述第二内周面形成阶梯，
上述第二靶部件具有：与上述衬管间隔上述第一距离且与上述接合材料相向第三内周面，和与上述第二端面接连设置且与上述衬管间隔上述第二距离且与上述遮挡部件相向第四内周面；通过上述第三内周面和上述第四内周面形成阶梯，
上述第二内周面和上述第四内周面间隔上述间隙并在上述中心轴方向上排列，由此在上述靶主体形成有上述凹部。
根据这样的溅射靶，由于遮挡部件被容纳在形成于相邻的靶部件的凹部，所以抑制了遮挡部件脱落。
可以在上述溅射靶中，上述遮挡部件与上述衬管之间的距离也比上述第一距离长。
根据这样的溅射靶，由于以遮挡部件与衬管之间的距离比第一距离长的方式使遮挡部件被容纳在凹部，所以抑制了遮挡部件脱落。
可以在上述溅射靶中，多个上述靶主体在上述衬管的上述中心轴方向上被排列设置成列状。
根据这样的溅射靶，容易得到长条的溅射靶。
可以在上述溅射靶中，上述多个靶部件分别均由氧化物的烧结体构成。
根据这样的溅射靶，即使多个靶部件分别由氧化物的烧结体构成，也能够抑制接合材料侵入间隙。
可以在上述溅射靶中，上述氧化物具有In、Ga和Zn。
根据这样的溅射靶，由于烧结体具有In、Ga和Zn，所以形成为稳定的氧化物半导体膜。
为了达到上述目的，在本发明的一个实施方式所涉及的溅射靶的制造方法中，
将筒状的第一靶部件和筒状的第二靶部件以在各自的中心轴方向上分离的方式排列；
通过排列上述第一靶部件和上述第二靶部件而形成间隙，并且在上述第一靶部件和上述第二靶部件各自的内部形成与上述间隙连通的凹部。
将遮挡部件容纳在上述凹部，并通过上述遮挡部件从上述第一靶部件和上述第二靶部件各自的内侧遮挡上述间隙。
用上述第一靶部件和上述第二靶部件包围上述衬管的外周面，
在向上述第一靶部件和上述衬管之间填充了熔融的上述接合材料之后，经由上述遮挡部件与上述衬管之间，将熔融的上述接合材料填充至上述第二靶部件与上述衬管之间，
通过使上述接合材料固化，将上述第一靶部件与上述衬管之间和上述第二靶部件与上述衬管之间接合，围绕上述衬管形成具有上述第一靶部件和上述第二靶部件的上述靶主体。
根据这样的溅射靶的制造方法，由于遮挡部件被容纳在形成于相邻的靶部件的凹部，所以抑制了遮挡部件脱落。
发明效果
如上所述，根据本发明，提供一种抑制遮挡部件脱落的溅射靶及其制造方法。
附图说明
图1的图(a)是示出本实施方式所涉及的溅射靶的示意性立体图；图(b)是示出本实施方式所涉及的溅射靶的示意性剖视图。
图2是示出在靶主体与接合材料之间设置的遮挡部件的示意性剖视图。
图3是示出在靶主体与衬管之间填充了接合材料的情况的示意图。
图4是示出本实施方式所涉及的溅射靶的变形例的示意性立体图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。在各附图中，有时引入XYZ轴坐标。此外，有时对相同的部件或具有相同功能的部件标注相同的附图标记，并在说明该部件后适当省略说明。
图1的(a)是示出本实施方式所涉及的溅射靶的示意性立体图。图1的(b)是示出本实施方式所涉及的溅射靶的示意性剖视图。在图1的(b)中，示出沿图1的(a)的A1-A2线的X-Y轴剖面。
图1的(a)、(b)表示的溅射靶1是溅射成膜中使用的圆筒状靶组件。溅射靶1具有：衬管10、靶主体20、接合材料30以及遮挡部件40。
衬管10是筒状体，其内部为中空状。衬管10在一个轴方向(例如，中心轴10c的方向)延伸。中心轴10c的方向是衬管10的长度方向。此外，因为衬管10是溅射靶1的基材，可知中心轴10c也是溅射靶1的中心轴。
衬管10具有：环绕中心轴10c的周围的外周面101，和位于外周面101的相反侧且环绕中心轴10c的周围的内周面102。在用与中心轴10c正交的平面(例如，X-Y轴平面)切断了衬管10的情况下，其形状例如为环状。
衬管10的材料具有优异导热性的材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)等。还可以在衬管10的内部适当地形成供制冷剂流通的流路。
靶主体20包围衬管10的外周面101。靶主体20相对于衬管10同心状地配置。靶主体20具有多个靶部件。例如，在图1的(a)、(b)的例子中，靶主体20具有一组靶部件20A、20B。在本实施方式中，靶部件20A为第一靶部件，靶部件20B为第二靶部件。
靶部件20A、20B均为圆筒状。靶部件20A、20B均包围衬管10。此外，靶部件20A、20B在衬管10的中心轴10c的方向上排列设置。
在用X-Y轴平面将靶部件20A、20B都切断的情况下，其形状例如成为环状。例如，X-Y轴平面中的靶部件20A、20B各自的剖面形状为相同形状。此外，靶部件20A、20B各自在Z轴方向上的长度相同。
靶部件20A、20B彼此互不接触，以在衬管10的中心轴10c的方向上互不接触而分离的方式排列设置。换言之，靶主体20具有在沿着中心轴10c的方向上被分割开的分割构造。
在中心轴10c的方向上相邻的靶部件20A与靶部件20B之间，形成有间隙(分割部)201。间隙201环绕衬管10的中心轴10c的周围。间隙201在中心轴10c的方向上位于凹部204的中央。对于间隙201在中心轴10c的方向上的宽度，没有特别限定，例如，设定为靶部件20A、20B不会因热膨胀而彼此接触的程度。例如，间隙201的宽度为0.1mm以上且0.5mm以下。
靶部件20A、20B以相同材料构成，例如，由氧化物的烧结体构成。作为一个例子，烧结体具有In和Zn。例如，烧结体由In-Ga-Zn-O(IGZO)构成。例如，烧结体也可以是In-Ti-Zn-Sn-O(ITZTO)烧结体、In-Ti-Zn-Sn-O(IGTO)烧结体等。
接合材料30被夹设在衬管10与靶主体20之间。接合材料30使衬管10与靶主体20紧密接触。接合材料30将多个靶部件20A、20B分别与衬管10接合。接合材料30例如具有铟(In)、锡(Sn)、焊材等。
遮挡部件40配置在接合材料30与靶主体20之间。遮挡部件40位于间隙201与接合材料30之间。遮挡部件40从接合材料30侧遮挡间隙201。
对在靶主体20贴附遮挡部件40的构造进行详细说明。图2的(a)、(b)是示出在靶主体与接合材料之间设置的遮挡部件的示意性剖视图。
遮挡部件40可以是图2的(a)所示的遮挡部件40A，也可以是图2的(b)所示的遮挡部件40B。
如图2的(a)所示，在靶主体20中，在衬管10侧形成有与间隙201连通的凹部204。
例如，靶部件20A具有与靶部件20B相向的端面202(第一端面)，靶部件20B具有与靶部件20A相向的端面203(第二端面)。
靶部件20A具有构成了其内周面的绝大部分的内周面205(第一内周面)，和与端面202接连设置的内周面206(第二内周面)。内周面205与衬管10隔着接合材料30间隔距离A(第一距离)并相向。内周面206与衬管10间隔比距离A长的距离B(第二距离)，并与遮挡部件40A相向。在靶部件20A的内周面，由内周面205和内周面206形成阶梯。
靶部件20B具有构成了其内周面的绝大部分的内周面207(第三内周面)，和与端面203接连设置的内周面208(第四内周面)。内周面207与衬管10间隔距离A，并与接合材料30相向。内周面208与衬管10间隔距离B，并与遮挡部件40A相向。在靶部件20B的内周面，由内周面207和内周面208形成阶梯。
内周面206与内周面208间隔间隙201而在中心轴10c的方向上排列，由此在靶主体20，在衬管10侧形成有凹部204。凹部204环绕中心轴10c的周围。另外，内周面206可以设置在靶部件20A的两端，内周面208可以设置在靶部件20B的两端。
遮挡部件40A被容纳在凹部204，并从接合材料30侧遮挡间隙201。此外，遮挡部件40A与衬管10之间的距离比距离A长。即，遮挡部件40A不从凹部204凸出，而被容纳在凹部204。
遮挡部件40A具有：具有粘结性的粘结片401和具有耐等离子体性的树脂片402。树脂片402设置在靶部件20A、20B与粘结片401之间。树脂片402是遮挡部件40A的遮挡基材。粘结片401是遮挡部件40A的粘贴材料。
树脂片402跨过间隙201，其一部分从间隙201露出。树脂片402通过粘结片401从接合材料30的一侧被分别粘贴到靶部件20A、20B。粘结片401和树脂片402各自的材料例如包括聚酰亚胺、氟树脂、有机硅树脂等。
另一方面，图2的(b)所示的遮挡部件40B具有：粘结片401、金属片403和氧化物层404。遮挡部件40B具有层叠构造，该层叠构造是从接合材料30向靶部件20A、20B，以粘结片401/金属片403/氧化物层404的顺序排列的。在遮挡部件40B中，金属片403将粘结片401与氧化物层404接合，并发挥作为缓和其各自的应力的中间层的功能，氧化物层404发挥作为遮挡基材的功能。
氧化物层404跨过间隙201，其一部分从间隙201露出。进而，氧化物层404隔着金属片403通过粘结片401而被从接合材料30侧分别粘贴到靶部件20A、20B。
金属片403例如包括钛(Ti)。氧化物层404以与靶部件20A、20B相同的材料构成。由此，在溅射时，即使遮挡部件40B暴露在等离子体中，靶主体20的成分以外的成分也难以混入覆膜。
根据遮挡部件40B的厚度，适当地将距离B的长度设为距离B'(B'＞B)。此外，在将接合材料30填充至衬管10与靶主体20之间后，也向凹部204的一部分注入接合材料30。
对溅射靶1的制造方法进行说明。
首先，将靶部件20A和靶部件20B以在各自的中心轴方向分离的方式排成直列状。此时，通过排列靶部件20A和靶部件20B而形成间隙201，并且在靶部件20A和靶部件20B各自的内部形成与间隙201连通的凹部204。
接着，如图2的(a)、(b)所示，使遮挡部件40(40A或40B)被容纳在凹部204，通过遮挡部件40从靶部件20A和靶部件20B各自的内侧遮挡间隙201。由此，形成了由遮挡部件40将靶部件20A和靶部件20B连接而成的靶主体20。
接着，在将衬管10竖起的状态下，将熔融的接合材料30从衬管10的下方填充至衬管10与靶主体20之间。接合材料30的填充所使用的是利用了压力(重力)差的填充、压入等。
图3的(a)、(b)是示出在靶主体与衬管之间填充了接合材料的情况的示意图。
如图3的(a)所示，衬管10的外周面101被靶主体20包围。然后，在靶主体20中，向靶部件20A和衬管10之间注入接合材料30。即使持续注入接合材料30而接合材料30到达了遮挡部件40的位置，也由于间隙201被遮挡部件40遮挡着，所以接合材料30不会从衬管10侧向间隙201泄漏。
进而，由于遮挡部件40被容纳在凹部204，所以对于接合材料30而言，确保了供其通过遮挡部件40与衬管10之间的空间。由此，接合材料30因遮挡部件40而不易承受载荷，并且如图3的(b)所示地也被填充至衬管10与靶部件20B之间。
然后，接合材料30固化，通过接合材料30将衬管10与靶部件20A接合，并且通过接合材料30将衬管10与靶部件20B接合。由此，围绕衬管10形成靶主体20。然后，根据需要，实施调整靶部件20A、20B的表面粗糙度的精加工。
对使用溅射靶1的情况下的效果的一个例子进行说明。
在溅射靶1中，通过遮挡部件40从衬管10侧遮挡在靶部件20A、20B之间的间隙201。
由此，通过遮挡部件40从衬管10侧可靠地遮挡间隙201。从而，接合材料30难以进入间隙201，并且接合材料30的成分、衬管10的成分也难以混入覆膜。此外，衬管10也不从间隙201露出，难以从间隙201流出靶部件的成分以外的成分(异物)。
由于遮挡部件40被容纳在凹部204，因此，在填充接合材料30时，可靠地确保了遮挡部件40与衬管10之间的空间。由此，熔融的接合材料30通过遮挡部件40而不受到负荷，遍布衬管10与靶部件20A之间、以及衬管10与靶部件20B之间均匀分布。
此外，对于遮挡部件40，在填充接合材料30时，难以受到来自接合材料30的负荷，遮挡部件40难以从靶主体20脱落。进而，由于遮挡部件40被容纳在凹部204，所以在填充接合材料30时，难以发生遮挡部件40的位置偏离。由此，间隙201被遮挡部件40可靠地遮挡。
(变形例)
图4是示出本实施方式所涉及的溅射靶的变形例的示意性立体图。
在溅射靶2中，多个靶主体20在衬管10的中心轴10c的方向上排列设置成列状。凹部204形成在相邻的靶部件之间，不限于一组的靶部件20A、20B。多个靶主体20分别在中心轴10c的方向上互相分离地配置。具有多个靶主体20的溅射靶2在中心轴10c的方向上的长度为2000mm以上。
根据这样的结构，除了上述效果以外，还能够简单地使溅射靶在中心轴10c的方向上的长度变长。
实施例
(实施例)
作为原料，量取初级颗粒的平均粒径为1.1μm的In2O3粉、初级颗粒的平均粒径为0.5μm的ZnO粉、初级颗粒的平均粒径为1.3μm的Ga2O3，以使氧化物的摩尔比为1：2：1。用湿式球磨机粉碎、混合这些原料粉末。使用φ5mm的氧化锆球作为粉碎介质。用喷雾干燥机对粉碎混合后的浆料进行干燥造粒，得到造粒粉。
将造粒粉填充至内部设有金属制芯棒的聚氨酯制橡胶模具，将造粒粉密封后，以98MPa的压力进行CIP成型，得到圆筒状的成型体。通过将得到的成型体以设定温度1500℃烧结10小时，从而得到圆筒型烧结体(靶部件20A、20B)。进而，进行机械加工处理，以使靶部件的外径为155mm、内径为135mm、长度为260mm。
如图2所示，在靶部件20A、20B分别形成当使两个靶部件20A、20B各自的端面相向时所形成的凹部204。形成在一个靶部件的凹部204(内周面206或208)在中心轴10c的方向上的长度为10mm。即，凹部在中心轴c方向上的长度是两倍于10mm的长度加上间隙201的宽度后的长度。凹部204的深度为0.5mm。内周面206形成在靶部件20A的两端，内周面208形成在靶部件20B的两端。
将3组的靶部件20A、20B(总计6个靶部件)配置成串联状，将厚度0.025mm、宽度5mm的聚酰亚胺膜从内侧粘贴在厚度0.06mm、宽度15mm的聚酰亚胺粘结胶带的中央作为遮挡部件40，将其沿圆周贴附到所有的间隙201。
将外径133mm、内径125mm、长度1600mm的Ti制衬管10插入圆筒型的靶部件的组合体后，在对衬管10与靶部件的组合体进行对位之后，将加热熔融后的In注入到衬管10与靶部件的组合体之间。In冷却后，使用显微镜观察每个间隙201，确认了In没有侵入间隙201。
以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不仅限于上述实施方式，当然能够加以各种变更。各实施方式不限于独立的方式，在技术上能够尽可能地结合。
附图标记说明
1、2：溅射靶；
10：衬管；
10c：中心轴；
101：外周面；
102：内周面；
20：靶主体；
20A、20B：靶部件；
201：间隙；
202、203：端面；
204：凹部；
205、206、207、208：内周面；
30：接合材料；
40、40A、40B：遮挡部件；
401：粘结片；
402：树脂片；
403：金属片；
404：氧化物层。

Claims (9)

1.一种溅射靶，具有：
筒状的衬管；
靶主体，其具有包围所述衬管的外周面的多个圆筒状的靶部件，所述多个靶部件分别以在所述衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置，通过在所述中心轴方向排列所述多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕在所述衬管的中心轴周围，在所述衬管侧形成有与所述间隙连通的凹部；
接合材料，其设置在所述衬管与所述靶主体之间，将所述多个靶部件分别与所述衬管接合；以及
遮挡部件，其配置在所述接合材料与所述靶主体之间，以不从所述凹部凸出的方式被容纳在所述凹部，从所述接合材料侧遮挡所述间隙。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
所述相邻的靶部件包括第一靶部件和第二靶部件，
所述第一靶部件具有与所述第二靶部件相向的第一端面，
所述第二靶部件具有与所述第一靶部件相向的第二端面，
所述第一靶部件具有：与所述衬管间隔第一距离且与所述接合材料相向的第一内周面，和与所述第一端面接连设置且与所述衬管间隔比所述第一距离长的第二距离且与所述遮挡部件相向第二内周面；通过所述第一内周面和所述第二内周面形成阶梯，
所述第二靶部件具有：与所述衬管间隔所述第一距离且与所述接合材料相向的第三内周面，和与所述第二端面接连设置且与所述衬管间隔所述第二距离且与所述遮挡部件相向的第四内周面；通过所述第三内周面和所述第四内周面形成阶梯，
所述第二内周面和所述第四内周面间隔所述间隙并在所述中心轴方向上排列，由此在所述靶主体形成所述凹部。
3.根据权利要求2所述的溅射靶，其中，
所述遮挡部件与所述衬管之间的距离比所述第一距离长。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，
多个所述靶主体在所述衬管的所述中心轴方向上被排列设置成列状。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，
所述多个靶部件分别由氧化物的烧结体构成。
6.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，
所述多个靶部件分别由氧化物的烧结体构成。
7.根据权利要求5所述的溅射靶，其中，
所述氧化物具有In、Ga和Zn。
8.根据权利要求6所述的溅射靶，其中，
所述氧化物具有In、Ga和Zn。
9.一种溅射靶的制造方法，所述溅射靶具有筒状的衬管、包围所述衬管的靶主体、和被夹设在所述衬管与所述靶主体之间并接合所述衬管与所述靶主体的接合材料，其中，
将筒状的第一靶部件和筒状的第二靶部件以在各自的中心轴方向上分离的方式排列；
通过排列所述第一靶部件和所述第二靶部件而形成间隙，并且在所述第一靶部件和所述第二靶部件各自的内部形成与所述间隙连通的凹部；
以不从所述凹部凸出的方式将遮挡部件容纳在所述凹部，通过所述遮挡部件从所述第一靶部件和所述第二靶部件各自的内侧遮挡所述间隙；
用所述第一靶部件和所述第二靶部件包围所述衬管的外周面；
向所述第一靶部件和所述衬管之间填充熔融的所述接合材料，然后通过所述遮挡部件与所述衬管之间，将熔融的所述接合材料填充至所述第二靶部件与所述衬管之间；
通过使所述接合材料固化，将所述第一靶部件与所述衬管之间和所述第二靶部件与所述衬管之间接合，围绕所述衬管形成具有所述第一靶部件和所述第二靶部件的所述靶主体。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005232580A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Toyoshima Seisakusho:Kk 分割スパッタリングターゲット
JP2010070842A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
JP2012127005A (ja) * 2010-11-08 2012-07-05 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN102677006A (zh) * 2012-05-18 2012-09-19 友达光电股份有限公司 一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材
CN102906301A (zh) * 2010-11-19 2013-01-30 吉坤日矿日石金属株式会社 Ito溅射靶
CN103403217A (zh) * 2011-03-03 2013-11-20 应用材料公司 用于形成圆筒状标靶组件的方法及装置
JP2015004116A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 株式会社アルバック ターゲットアセンブリ及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2418807A1 (en) * 2000-09-08 2003-02-05 Asahi Glass Company, Limited Cylindrical target and its production method
JP5482020B2 (ja) * 2008-09-25 2014-04-23 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2010150610A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲット
US20110062020A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Solar Applied Materials Technology Corp Rotary Target Assembly and Rotary Target
TWI393796B (zh) * 2010-06-02 2013-04-21 Solar Applied Mat Tech Corp 中空狀靶材組件
US20140110249A1 (en) * 2011-03-04 2014-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Sputtering target, method for manufacturing same, and method for manufacturing thin film transistor
JP2011252237A (ja) * 2011-09-16 2011-12-15 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
JP6052137B2 (ja) * 2013-10-31 2016-12-27 住友金属鉱山株式会社 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材、ならびに、円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2015168832A (ja) 2014-03-05 2015-09-28 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法
WO2017217987A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for material deposition on a substrate in a vacuum deposition process, system for sputter deposition on a substrate, and method for manufacture of an apparatus for material deposition on a substrate

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005232580A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Toyoshima Seisakusho:Kk 分割スパッタリングターゲット
JP2010070842A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
JP2012127005A (ja) * 2010-11-08 2012-07-05 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN102712997A (zh) * 2010-11-08 2012-10-03 三井金属矿业株式会社 分割溅镀靶及其制造方法
CN102906301A (zh) * 2010-11-19 2013-01-30 吉坤日矿日石金属株式会社 Ito溅射靶
CN103403217A (zh) * 2011-03-03 2013-11-20 应用材料公司 用于形成圆筒状标靶组件的方法及装置
CN102677006A (zh) * 2012-05-18 2012-09-19 友达光电股份有限公司 一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材
JP2015004116A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 株式会社アルバック ターゲットアセンブリ及びその製造方法

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