CN113533807A - 阳极氧化膜模具、探针半成品、探针卡及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阳极氧化膜模具及阳极氧化膜模具的制造方法、及探针半成品及探针半成品的制造方法以及探针卡及探针卡的制造方法。

Description

阳极氧化膜模具、探针半成品、探针卡及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种由阳极氧化膜形成的阳极氧化膜模具及阳极氧化膜模具的制造方法、及探针半成品及探针半成品的制造方法以及探针卡及探针卡的制造方法。

背景技术

通常，半导体制造工艺通过在晶片上形成图案的制作(fabrication)工艺、检查构成晶片的各个芯片的电特性的电管芯分选(Electrical Die Sorting，EDS)工艺以及由各个芯片组装形成有图案的晶片的装配(assembly)工艺制造而成。

此处，执行EDS工艺也用于判别构成晶片的芯片中的不良芯片。在EDS工艺中，主要使用叫做探针卡的检查装置，所述探针卡对构成晶片的芯片施加电信号并通过根据施加的电信号进行检查的信号来判断不良。

探针卡配置有探针，探针与构成晶片的各芯片的图案接触来施加电信号。探针与晶片的各器件的电极垫接触，并测定在流通特定电流时当时输出的电特性。

可根据将探针设置在配线基板的结构及探针的结构来划分探针卡的种类。作为一例，微机电系统(MEMS)探针卡可通过在配置与探针电连接的连接垫的一侧执行MEMS工艺来配置探针。

作为关于此种探针卡的专利，已知有记载在韩国公开专利第10-2000-0006268号(以下称为“专利文献1”)中者。

专利文献1中可包括通过光刻(photolithography)工艺由垂直部分与水平梁(beam)及尖端部分形成的探针。

在专利文献1中，在硅基板形成薄的金属层，在薄的金属层上形成光致抗蚀剂层，之后对准掩模，以使光致抗蚀剂层可在光致抗蚀剂层上侧暴露到紫外线。被掩模覆盖的光致抗蚀剂在暴露到紫外线后被固化。然后，溶解及去除被暴露出的抗蚀剂部分，因此可配置光掩模层。可在光掩模层的溶解及去除的部分沉积探针(专利文献1中的接触器)材料的同时形成相互连接的迹线(trace)。然后，可以相同的方式执行在相互连接的迹线上镀覆薄的金属层并配置先前执行的光掩模层的过程。然后，可在光掩模层的溶解及去除的部分沉积探针材料并形成探针的垂直部分。然后，可重复执行如上所述的工艺以形成探针的其他部分。

MEMS探针卡的情况，如上所述可通过在硅基板利用光刻工艺制造探针之后在配置有连接垫的一侧接合探针进行配置。

但是，对于在硅基板通过光刻工艺制造的探针，为了在制造过程中沉积构成探针的某一部分(例如，垂直部分)的材料，需要配置光致抗蚀剂层并在执行遮蔽过程之后执行去除此部位的过程。然后，为了配置探针的其余部分(例如，另一垂直部分或水平梁)必须重复执行先前执行的相同过程。

因此，由于必须重复执行相同的过程以形成构成探针的各部分，因此存在制造过程繁琐且制造所需的时间长的缺点。

如此，MEMS方法是用于制造微小结构物的有用方法，但是由于必须经过多个步骤制作微小结构物，因此制造工艺繁琐。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]1)韩国公开专利第10-2000-0006268号

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明是为了解决上述问题而提出的，目的在于提供一种可简便地制作微小结构物的阳极氧化膜模具及其制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种可使用如上所述的阳极氧化膜模具简便地制作的探针半成品及其制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种可使用探针半成品简便地制作的探针卡及其制造方法。

[解决问题的技术手段]

根据本发明一特征的阳极氧化膜模具，在上、下方向上接合配置有贯通孔的单位阳极氧化膜片材，将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间。

另外，所述阳极氧化膜模具的表面由所述单位阳极氧化膜片材的阻挡层形成。

另外，所述单位阳极氧化膜片材包括通过接合层接合的多个阳极氧化膜层。

根据本发明的另一特征的探针半成品，包括：阳极氧化膜模具，在上、下方向上接合配置有贯通孔的单位阳极氧化膜片材，将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间；导电性物质，配置在所述贯通孔。

另外，包括：导电性尖端，配置在导电性物质的表面。

根据本发明的另一特征的探针卡，包括：多层配线基板，由阳极氧化膜材质形成且包括垂直配线部及水平配线部，并在表面配置探针连接垫；以及主体部，连接到所述探针连接垫且在整体上由相同金属材质连续形成。

根据本发明的另一特征的阳极氧化膜模具的制造方法，包括以下步骤：配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材；以及在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间。

根据本发明的另一特征的探针半成品的制造方法，包括以下步骤：配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材；在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间；将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质从所述贯通孔的一侧开口推到另一侧开口进行批量填充。

另外，包括以下步骤：配置基础基板，所述基础基板形成有槽并在表面形成临时层后，对所述槽填充导电性物质以配置导电性尖端；将所述基础基板的所述导电性尖端的一侧连接到所述贯通孔的所述导电性物质；以及去除所述基础基板的所述临时层，以将所述导电性尖端的另一侧与所述基础基板分离。

根据本发明的另一特征的探针卡的制造方法，包括以下步骤：配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材并在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间，从而形成阳极氧化膜模具，之后将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质从所述贯通孔的一侧开口推到另一侧开口进行批量填充，以配置探针半成品；由阳极氧化膜材质形成并在内部形成垂直配线部及水平配线部之后，在表面上配置探针连接垫，以配置多层配线基板；使所述探针半成品位于所述多层配线基板的所述探针连接垫上侧，并将所述贯通孔所包括的所述导电性物质的一侧接合到所述探针连接垫；以及去除除所述导电性物质以外的所述阳极氧化膜模具。

[发明的效果]

本发明具有可简便地制作微小结构物的效果。

附图说明

图1是示出本发明的阳极氧化膜模具的图。

图2的(a)至图2的(c)是概略性示出本发明的阳极氧化膜模具的制造过程的图。

图3是概略性示出制造本发明的探针半成品的过程的图。

图4是概略性示出将尖端附接到本发明的探针半成品的过程的图。

图5(a)、图5(b)是示出使用本发明的探针半成品在多层配线基板配置探针的过程的图。

图6(a)、图6(b)是示出使用根据本发明另一实施例的探针半成品在多层配线基板配置探针的过程的图。

图7是概略性示出本发明的探针卡的图。

[符号的说明]

1、1'：阳极氧化膜模具；

1a、1a'：贯通孔；

2：阳极氧化膜；

3：接合层；

4：单位阳极氧化膜片材；

4a：单位阳极氧化膜片材/第一单位阳极氧化膜片材；

4b：单位阳极氧化膜片材/第二单位阳极氧化膜片材；

4c：单位阳极氧化膜片材/第三单位阳极氧化膜片材；

5：加压单元；

6：导电性物质；

6a：第一垂直部；

6b：第二垂直部；

6c：中间部；

6a'：垂直部；

6c'：水平部；

7：填充辅助单元；

8：临时层；

9：导电性尖端；

10：一侧开口；

11：另一侧开口；

12：多层配线基板；

12a：垂直配线部；

12b：水平配线部；

13：单位阳极氧化膜配线基板；

13a：第一单位阳极氧化膜配线基板/单位阳极氧化膜配线基板；

13b：第二单位阳极氧化膜配线基板/单位阳极氧化膜配线基板；

13c：第三单位阳极氧化膜配线基板/单位阳极氧化膜配线基板；

16：探针连接垫；

20、20'：探针半成品；

30：探针卡/MEMS探针卡；

40：探针；

A：阳极氧化膜层；

A1：第一阳极氧化膜层；

A2：第二阳极氧化膜层；

A3：第三阳极氧化膜层；

BD、BD'：主体部；

BL：阻挡层；

BP：基础基板；

h：槽；

P：气孔孔；

PL：多孔层；

S：焊料；

SP：空间；

W：晶片；

WP：电极垫。

具体实施方式

以下的内容仅例示发明的原理。因此即便未在本说明书中明确地进行说明或示出，相应领域的技术人员也可实现发明的原理并发明包含于发明的概念与范围内的各种装置。另外，本说明书所列举的所有条件部用语及实施例在原则上应理解为仅是作为用于明确地理解发明的概念的目的，并不限制于如上所述特别列举的实施例及状态。

所述的目的、特征及优点通过与附图相关的下文的详细说明而进一步变明了，因此在发明所属的技术领域内技术人员可容易地实施发明的技术思想。

将参照作为本发明的理想例示图的剖面图和/或立体图来说明本说明书中记述的实施例。为了有效地说明技术内容，夸张表示这些附图中所示出的膜及区域的厚度及孔洞的直径等。例示图的形态可由于制造技术和/或公差等而变形。因此，本发明的实施例并不限于所示出的特定形态，还包含由于制造工艺生成的形态的变化。

在对各种实施例进行说明时，为了方便起见，针对执行相同功能的构成要素，即使实施例不同也赋予相同的名称及相同的参考编号。另外，为了方便起见，将省略已在其他实施例中说明的构成及操作。

以下，参照附图详细地对本发明的优选实施例进行说明，如下所述。

图1是放大示出本发明的阳极氧化膜模具1的一部分的图。如图1所示，本发明的阳极氧化膜模具1可在上、下方向上接合配置有贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4，将各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通并在内部形成空间SP。

阳极氧化膜模具1可包括通过接合层3在上、下方向上接合的多个单位阳极氧化膜片材4。各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c可在内部配置贯通孔1a。各个层的贯通孔1a可以彼此连通的方式层叠。因此，阳极氧化膜模具1可在内部配置通过将各层的贯通孔1a彼此连通而形成的空间SP。

阳极氧化膜模具1可通过在内部形成空间SP而作为用于制造微小结构物(例如探针卡(具体来说，MEMS探针卡)所包括的探针40)的一个框架发挥作用。

阳极氧化膜模具1可由阳极氧化膜2材质形成。阳极氧化膜2具有2ppm/℃～3ppm/℃的热膨胀系数。因此，由温度引起的变形可能小。作为一例，在阳极氧化膜模具1作为用于制造探针40的一个框架发挥作用的情况下，可能会暴露到用于将探针40附接到探针卡(具体来说，MEMS探针卡30)的高温气氛中。此时，阳极氧化膜模具1在用于将探针40附接到探针卡30的高温气氛中可能不容易热膨胀。因此，可防止附接有探针40的探针卡30相对于探针连接垫16发生位置误差的问题。

另外，由于阳极氧化膜模具1由阳极氧化膜2材质形成，因此可执行蚀刻工艺来形成内部空间SP。因此，可狭窄地形成用于配置需要微细化及窄节距化的微小结构物、例如探针40的空间SP之间的节距间隔。

如图1所示，阳极氧化膜模具1的表面可由单位阳极氧化膜片材4的阻挡层BL形成。阳极氧化膜2可包括以下构成：多孔层PL，通过对金属进行阳极氧化而形成并形成有规则排列的多个气孔孔P；以及阻挡层BL，形成在多孔层PL的下部并将气孔孔P的一端封闭。

将气孔孔P的一端封闭的构成的阻挡层BL可作为屏蔽部发挥作用。因此，可防止微小颗粒流入并被捕获到阳极氧化膜模具1的表面的气孔孔P中的问题。

在本发明中，作为一例，示出阳极氧化膜模具1的上部表面由阻挡层BL形成的情况，但是阳极氧化膜模具1也可由上部表面、下部表面均由阻挡层BL形成的结构形成。在由阳极氧化膜模具1的上部表面、下部表面相对于阻挡层BL对称的结构形成的情况下，阳极氧化膜模具1的上部表面、下部表面的密度可变均匀。因此，可能不会发生由热引起的翘曲变形。

构成阳极氧化膜模具1的单位阳极氧化膜片材4可通过接合层3接合。接合层3可为可进行光刻工艺的感光性材料，作为一例可为干膜光致抗蚀剂(Dry Film Photoresist，DFR)。另一方面，接合层3可为热固性树脂。在此情况下，作为热固性树脂材料可为聚酰亚胺树脂、聚喹啉树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、环氧树脂、聚苯醚树脂及氟树脂等。

通过接合层3接合的单位阳极氧化膜片材4可通过将单位阳极氧化膜片材4接合的合适方法来接合。

阳极氧化膜模具1可通过包括以下步骤的制造方法来制造：配置形成有通过蚀刻工艺形成的贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4；以及在上、下方向上接合单位阳极氧化膜片材4，以将各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通而在内部形成空间SP。

图2的(a)至图2的(c)是概略性示出制造阳极氧化膜模具1的过程的图。作为一例，阳极氧化膜模具1可由包括第一单位阳极氧化膜片材4a、第二单位阳极氧化膜片材4b及第三单位阳极氧化膜片材4c并依次层叠的结构形成。

图2的(a)至图2的(c)是依次示出构成阳极氧化膜模具1的第三单位阳极氧化膜片材4c、第二单位阳极氧化膜片材4b及第一单位阳极氧化膜片材4a的图。

如图2的(a)至图2的(c)所示，单位阳极氧化膜片材4可包括通过接合层3接合的多个阳极氧化膜层A。单位阳极氧化膜片材4可通过层叠多个阳极氧化膜层A的结构来增强耐久性。另外，由于层叠此种单位阳极氧化膜片材4的结构，因此本发明的阳极氧化膜模具1的耐久性可得到提高。

首先，图2的(a)是示出构成本发明的阳极氧化膜模具1的表面侧的第三单位阳极氧化膜片材4c的图。第三单位阳极氧化膜片材4c可包括上部表面由阻挡层BL形成的阳极氧化膜层A来构成。在此情况下，可通过构成阳极氧化膜模具1的上部表面的第三单位阳极氧化膜片材4c而使阳极氧化膜模具1的上部表面由阻挡层BL形成。

如图2的(a)所示，第三单位阳极氧化膜片材4c可由通过接合层3接合多个阳极氧化膜层A的结构形成。

接合多个阳极氧化膜层A的接合层3可为与将构成阳极氧化膜模具1的单位阳极氧化膜片材4彼此接合的接合层3相同的接合层3。

在构成第三单位阳极氧化膜片材4c的多个阳极氧化膜层A中，位于其表面的阳极氧化膜层A可由包括多孔层PL及阻挡层BL的阳极氧化膜2形成。

阳极氧化膜层A可通过在至少一侧配置接合层3而彼此接合。在本发明中，作为一例，在构成阳极氧化膜层A的阳极氧化膜2的下部配置接合层3，从而可将各个阳极氧化膜层A彼此接合。

可在阳极氧化膜2的下部配置接合层3，以限定用于形成贯通孔1a的蚀刻区域。作为一例，可依次层叠第一阳极氧化膜层A1、第二阳极氧化膜层A2及第三阳极氧化膜层A3来形成第三单位阳极氧化膜片材4c。在此情况下，由于第三阳极氧化膜层A3构成第三单位阳极氧化膜片材4c的表面，因此可由包括多孔层PL及阻挡层BL的阳极氧化膜2形成。

可在第三阳极氧化膜层A3的下部配置接合层3。然后，可执行通过光刻工艺对接合层3的至少一部分进行图案化的过程。通过图案化过程去除的区域可作为用于形成贯通孔1a的区域发挥作用。换句话说，可通过利用图案化过程去除的区域对阳极氧化膜层A进行蚀刻而在阳极氧化膜层A形成贯通孔1a。

然后，接合层3可通过未被去除、直接配置在阳极氧化膜2的下表面且未被图案化的区域执行接合功能。通过接合层3接合到第三阳极氧化膜层A3的下部的第二阳极氧化膜层A2可在下表面配置接合层3。然后，执行通过光刻工艺进行图案化的过程，且可通过对图案化的区域进行蚀刻来形成贯通孔1a。也可在第一阳极氧化膜层A1的下表面配置接合层3，并以相同的方式执行在通过光刻工艺图案化后对图案化的区域执行蚀刻的工艺的过程。

在此情况下，配置在第一阳极氧化膜层A1、第二阳极氧化膜层A2、第三阳极氧化膜层A3的下表面的接合层3的图案化区域可为彼此对应的区域。因此，在相同的位置形成贯通孔1a，从而可在第一阳极氧化膜层A1、第二阳极氧化膜层A2、第三阳极氧化膜层A3的相同的位置处形成具有相同内径且彼此连通的一个贯通孔1a。如上所述的过程可为配置形成有通过蚀刻工艺形成的贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4的步骤。

图2的(b)及图2的(c)所示的第二单位阳极氧化膜片材4b及第一单位阳极氧化膜片材4a也可通过配置上述的单位阳极氧化膜片材4的步骤制造而成。

然后，可执行以下步骤：在上、下方向上接合单位阳极氧化膜片材4，以使各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通而在内部形成空间SP。具体来说，可层叠第一单位阳极氧化膜片材4a、第二单位阳极氧化膜片材4b及第三单位阳极氧化膜片材4c，以使各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通地连接。然后，层叠的单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c可通过未被图案化的接合层3的区域彼此接合来构成阳极氧化膜模具1。

在前文的说明中，已说明分别对第一阳极氧化膜层至第三阳极氧化膜层A的图案化区域执行蚀刻工艺，但是对图案化区域进行蚀刻来形成贯通孔1a的过程不限于此。阳极氧化膜层A具有接合层3，且在被图案化后不立即执行蚀刻工艺，而是可在上部层叠的其他阳极氧化膜层A全部配置后对在各个阳极氧化膜层A之间彼此对应的位置的图案化区域同时执行蚀刻工艺。因此，可一次执行配置连续连接的贯通孔1a的工艺。

如阳极氧化膜模具1的制造方法中所述，用于将阳极氧化膜层A及单位阳极氧化膜片材4彼此接合的接合层3可同时执行提供用于形成贯通孔1a的空间的功能、以及将各个阳极氧化膜层A及单位阳极氧化膜片材4接合的功能。因此，优选为接合层3可由以下构成形成：所述构成因需要通过光刻胶工艺被图案化而保有感光性特性，且因需要执行接合功能而同时保有作为接合物质的特性。

本发明的阳极氧化膜模具1可在内部配置通过将贯通孔1a连续连通的结构形成的空间SP。作为一例，阳极氧化膜模具1可用于通过对空间SP填充导电性物质来制造由连续形态的主体部形成的微小结构物、例如探针40。

在对阳极氧化膜模具1的内部空间SP填充导电性物质6的情况下，可在内部形成配置有导电性物质6的微小结构物半成品、例如探针半成品20。在下文中，以微小结构物半成品是探针半成品20进行例示并说明。

探针半成品20可包括以下构成：阳极氧化膜模具1，在上、下方向上接合配置有贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4并将各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通而在内部形成空间SP；导电性物质6，配置在贯通孔1a。

探针半成品20可起到在将探针40接合到探针卡30的探针连接垫16之前将探针40临时保管在内部的作用。

图3是概略性示出制造本发明的探针半成品20的过程的图。下文中的制造过程也可同样应用于制造除探针半成品20以外的微小结构物半成品的过程。

探针半成品20可通过包括以下步骤的探针制造方法来制造：配置形成有贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4；在上、下方向上接合单位阳极氧化膜片材4，以将各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a彼此连通并在内部形成空间SP；将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质6从贯通孔1a的一侧开口10推到另一侧开口11进行批量填充。

如图3所示，在阳极氧化膜模具1中，可通过将构成单位阳极氧化膜片材4的各个贯通孔1a彼此连通地连接来形成内部空间SP。因此，阳极氧化膜模具1的内部空间SP可为连续形成的贯通孔1a。

在此，一侧开口10成为位于阳极氧化膜模具1的上部侧的第三单位阳极氧化膜片材4c的贯通孔1a，另一侧开口11成为位于阳极氧化膜模具1的下部侧的第一单位阳极氧化膜片材4a的贯通孔1a。

本发明的导电性物质6可由金属糊料或金属粉末形成。如上所述形态的导电性物质6可通过加压单元5从阳极氧化膜模具1的贯通孔1a的一侧开口10流动到另一侧开口11的同时进行填充。

如图3所示，可在阳极氧化膜模具1的上侧配置加压单元5。在此情况下，加压单元5可配置为适于推动金属糊料或金属粉末的导电性物质6而批量填充阳极氧化膜模具1的贯通孔1a的单元。

阳极氧化物模具1的一侧开口10可作为投入导电性物质6的入口发挥作用。导电性物质6可通过加压单元5从阳极氧化膜模具1的一侧开口10到另一侧开口11进行批量填充。加压单元5可以以下方式配置：推动导电性物质6由一侧开口10投入，然后通过使用连续的推动力使导电性物质6流动到另一侧开口11。

在此情况下，由于连续形成阳极氧化膜模具1的贯通孔1a，因此可通过加压单元5一次填充导电性物质6。

如图3所示，阳极氧化膜模具1的各个单位阳极氧化膜片材4a、4b、4c的贯通孔1a形成为彼此不同的内径且可彼此连通。如上所述的结构可为考虑到将导电性物质6填充在贯通孔1a中而形成的微小结构物(例如探针40的主体部BD)的弹性变形的结构。

在此情况下，可在以彼此不同内径形成且连通的结构的贯通孔1a的另一侧开口11的下侧配置填充辅助单元7。填充辅助单元7在通过加压单元5向贯通孔1a填充导电性物质6的过程中可对贯通孔1a更迅速且有效地填充导电性物质6。作为一例，填充辅助单元7可为使用吸入力或真空压的单元。

填充辅助单元7可以与配置在阳极氧化膜模具1的多个贯通孔1a的另一侧开口11对应的方式以单个形态分别配置。

填充辅助单元7可以如真空腔室的形态配置在贯通孔1a的另一侧开口11的下部。此种填充辅助单元7在贯通孔1a的另一侧开口11的下侧产生真空压，从而可使导电性物质6从贯通孔1a的一侧开口10有效地一次填充到另一侧开口11。

如上所述，本发明在考虑到探针40的弹性变形的贯通孔1a的结构中，为了使用加压单元5将导电性物质6批量填充到贯通孔1a中时更迅速有效地执行批量填充过程，可在与加压单元5对向的位置处配置填充辅助单元7。

当形成在贯通孔1a的导电性物质6由金属糊料形成的情况下，可执行填充过程，然后执行固化及退火工艺。

另一方面，当形成在贯通孔1a的导电性物质6由金属粉末形成的情况下，可执行填充过程，然后执行烧结工艺。

如上所述，在本发明中，在对配置有以连续形态形成的贯通孔1a的阳极氧化膜模具1批量填充导电性物质6后，可根据导电性物质6的构成执行固化及退火或烧结工艺。换句话说，可批量填充构成探针40的主体部BD的导电性物质6，并执行后处理过程以同时制造主体部BD。

在以往的情况下，由于在分别形成构成探针40的各部分(例如，垂直部分及水平梁)后需对各部分执行后处理镀覆工艺，因此探针40的制造过程可能是繁琐的。另外，由于必须重复执行相同的过程，因此存在由于生产所需的时间长而导致生产速度慢的问题。

然而，本发明可使用具有连续形态的贯通孔1a的阳极氧化膜模具1将导电性物质6批量填充在贯通孔1a中，且执行一次后处理工艺来制造探针40的主体部BD，因此在生产速度及效率方面是有利的。

探针40发生弹性变形，且探针40的一端可在晶片W的电极垫WP上移动而形成划痕。通过此种划痕，可去除电极垫表面的氧化膜且减小接触电阻。探针40为执行如上所述的功能可在探针40的一端配置导电性尖端9。为了形成划痕，导电性尖端9可形成为尖锐的形态。

导电性尖端9可与探针40的主体部BD单独制造后进行配置。

如图4所示，可在填充在阳极氧化膜模具1的贯通孔1a的导电性物质6的表面配置导电性尖端9。

探针半成品20的制造方法还可执行以下步骤：配置基础基板BP，所述基础基板BP形成有槽h并在表面形成临时层8之后对槽h填充导电性物质6以配置导电性尖端9；将基础基板BP的导电性尖端9的一侧连接到贯通孔1a的导电性物质6；以及通过蚀刻工艺去除基础基板BP的临时层8，并将导电性尖端9的另一侧与基础基板BP分离。

首先，如上所述，探针半成品20可包括通过加压单元5推动而批量填充到阳极氧化膜模具1的贯通孔1a的导电性物质6。

然后，可配置具有导电性尖端9的基础基板BP。导电性尖端9优选为在形成有尖锐形态的槽h的基础基板BP的表面配置临时层8，然后对槽h填充导电性物质6而配置在基础基板BP。

临时层8可为导电性的，且可在电镀处理中作为阳极或阴极发挥作用，使得用于形成探针40的导电性物质6被电镀在临时层8上。临时层8可包含铝、铜、金、钛、钨、银及其合金构成。优选为可由铜材质形成。

临时层8可通过包括化学气相沉积、物理气相沉积、溅射沉积、无电镀覆(electroless plating)、电子束沉积及热蒸发的合适的方法进行沉积。

导电性尖端9可通过电镀或者除此以外的合适的方法(作为一例，化学气相沉积、物理气相沉积、溅射沉积、无电镀覆、电子束沉积及热沉积)对构成导电性尖端9的物质进行沉积。在此情况下，构成导电性尖端9的物质可为包含钯、金、铑、镍、钴、银、铂、导电性氮化物、导电性碳化物、钨、钛、钼、铼、铟、锇、铑、铜、难熔金属及其等的合金、其等的组合的合适的物质，但不限于此。

如图4所示，作为一例，可使配置有导电性尖端9的基础基板BP位于与一侧开口10对应的上侧。

作为一例，可在填充在阳极氧化膜模具1的导电性物质6的一侧表面配置焊料S。在本发明中，作为一例，配置焊料S以将导电性尖端9连接到导电性物质6，但是用于将导电性尖端9连接到导电性物质6的方法不限于此。作为另一例，也可通过共晶接合(Eutecticbonding)进行接合。在此情况下，可在导电性物质6的表面配置由Ni/Sn、Ag/Sn/Cu、Ag/Sn、Cu/Sn、Au/Sn组合等形成的共晶接合层。在下文中，作为一例，将说明配置焊料S将导电性尖端9连接到导电性物质6的情况。

可配置焊料S以将导电性物质6与导电性尖端9电连接及接合。因此，焊料S可配置在导电性物质6或导电性尖端9的至少任一个表面。作为一例，焊料S可配置在导电性物质6的上部表面。

在通过焊料S将导电性物质6与导电性尖端9接合时，可执行通过蚀刻工艺去除基础基板BP的临时层8的过程。因此，可将导电性尖端9的端部与基础基板BP批量分离。

作为一例，在临时层8由铜材质形成的情况下，蚀刻工艺所使用的蚀刻剂可为铜蚀刻剂。由于本发明的阳极氧化膜模具1由阳极氧化膜2材质形成，因此可具有对铜蚀刻剂的耐腐蚀性。因此，即使执行使用铜蚀刻剂去除临时层8并将导电性尖端9与基础基板BP分离的过程，也可能不会产生阳极氧化膜模具1被化学蚀刻的问题。另外，阳极氧化膜模具1的表面由阻挡层BL形成，因此化学耐腐蚀性可相对高。

因此，本发明的探针半成品20的制造方法通过在不会因蚀刻剂损坏阳极氧化膜模具1的表面的情况下去除临时层8，从而可执行将导电性尖端批量配置到探针40的主体部BD的过程。

图5(a)、图5(b)是放大示出使用本发明的探针半成品20将探针40接合到构成本发明的探针卡30的多层配线基板12的过程的图，图6(a)、图6(b)是放大示出使用另一实施例的探针半成品20将探针40接合到多层配线基板12的过程的图，图7是概略性示出本发明的探针卡30的图。

如图7所示，本发明的探针卡30可包括以下构成：多层配线基板12，由阳极氧化膜2材质形成，且具有垂直配线部12a及水平配线部12b，并在表面配置有探针连接垫16；以及主体部BD，连接到探针连接垫16并在整体上由相同的金属材质连续形成。

多层配线基板12由阳极氧化膜2材质形成，因此具有在高温环境下热变形小的优点。多层配线基板12可通过上、下层叠多个单位阳极氧化膜配线基板13来形成。单位阳极氧化膜配线基板13可通过接合层3接合来形成多层配线基板12。

可通过各种制造方法来制造配置多层配线基板12。作为一例，可以层叠有多个阳极氧化膜2的结构来配置一个单位阳极氧化膜配线基板13。在本发明中，作为一例，多层配线基板12可包括第一单位阳极氧化膜配线基板13a、第二单位阳极氧化膜配线基板13b及第三单位阳极氧化膜配线基板13c来构成。可在如上所述的第一单位阳极氧化膜配线基板13a的上部依序层叠第二单位阳极氧化膜配线基板13b、第三单位阳极氧化膜配线基板13c。然而，此处单位阳极氧化膜配线基板13a、13b、13c的层叠个数不限于三个，且可层叠数十个。

第一单位阳极氧化膜配线基板13a、第二单位阳极氧化膜配线基板13b、第三单位阳极氧化膜配线基板13c可形成为多个阳极氧化膜2层叠并通过接合层3接合的结构。各个单位阳极氧化膜配线基板13a、13b、13c可在内部配置垂直配线部12a。

根据一实施例的多层配线基板12的制造方法包括以下步骤。

首先，构成单位阳极氧化膜配线基板13的通过接合层3接合的多个阳极氧化膜2可通过蚀刻工艺形成贯通孔1a。在此情况下，内壁可通过蚀刻工艺垂直地形成为直线形态。因此，在阳极氧化膜2以窄节距形成多个贯通孔1a可能变得容易。贯通孔1a可形成为比阳极氧化膜2的气孔孔P的直径大的直径。

然后，可执行在贯通孔1a形成垂直配线部12a的过程。

垂直配线部12a可通过对贯通孔1a填充金属物质的过程形成。填充在贯通孔1a的金属物质可为包含Au、Ag、Cu中的至少一种的低电阻金属物质。在对贯通孔1a填充包含所述构成的低电阻金属物质来形成垂直配线部12a的情况下，由于配线电阻低，因此可提高电信号的传递速度。因此，在使用探针卡30的半导体芯片的电测试中可能更有利。

然后，可执行在阳极氧化膜2的上部形成接合层3的过程。接合层3可为感光性材料，且可由与阳极氧化膜模具1所使用的接合层3相同的材料形成。具体来说，可配置为保有感光性特性及作为接合物质的特性的构成。

接合层3可配置在单位阳极氧化膜配线基板13之间，以将单位阳极氧化膜配线基板13彼此接合。

可对接合层3的至少一部分执行图案化的过程。接合层3可被图案化，以在构成单位阳极氧化膜配线基板13的表面的阳极氧化膜2的上表面以与垂直配线部12a连接的方式配置水平配线部12b。通过如上所述的过程，垂直配线部12a的上表面可为接合层3被图案化而暴露出垂直配线部12a的上表面的形态。

单位阳极氧化膜配线基板13可配置有通过对接合层3进行图案化的过程形成图案化区域来形成水平配线部12b的空间。接合层3可在提供用于执行图案化过程以形成水平配线部12b的空间之后不被去除而照原样配置在阳极氧化膜2的上表面。然后，可通过未被图案化的区域执行接合功能。

如上所述，接合单位阳极氧化膜配线基板13间的接合层3可同时执行提供可形成水平配线部12b的空间的功能及接合功能。

本发明的多层配线基板12可具有在单位阳极化膜配线基板13之间的接合界面处将接合层3及水平配线部12b两者都配置在同一平面上的结构。如上所述的结构可使单位阳极氧化膜配线基板13之间的间隙不存在，从而可使多层配线基板12的接合强度及耐久性变优异。

多层配线基板12可通过由阻挡层BL形成上部表面、下部表面来形成。如上所述的结构可减小多层配线基板12的上表面、下表面的密度差，从而使由热引起的翘曲变形问题最小化。

另外，由于多层配线基板12的上部表面、下部表面被阻挡层BL封闭，因此可防止颗粒流入到多层配线基板12的内部的问题。

在多层配线基板12的表面可配置与探针40连接的探针连接垫16。由于多层配线基板12由阻挡层BL形成上部表面、下部表面，因此探针连接垫16可配置在阻挡层BL的表面。

本发明的探针卡30的制造方法可包括以下步骤构成来制造探针卡30：配置形成有贯通孔1a的单位阳极氧化膜片材4并在上、下方向上接合单位阳极氧化膜片材4，以将各个单位阳极氧化膜片材4的贯通孔1a彼此连通并在内部形成空间SP，将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质6从贯通孔1a的一侧开口10推到另一侧开口11进行批量填充，以配置探针半成品20；由阳极氧化膜2材质形成并在内部形成垂直配线部12a及水平配线部12b之后，在表面上配置探针连接垫16，从而配置多层配线基板12；使探针半成品20位于多层配线基板12的探针连接垫16上侧，并将贯通孔1a所包括的导电性物质6的一侧接合到探针连接垫16；以及去除除导电性物质6以外的阳极氧化膜模具1。

由于配置探针半成品20的步骤与参照图3及图4的说明相同，因此将参照前述说明。在下文中，将参照图5(a)、图5(b)及图6(a)、图6(b)具体说明使用探针半成品20将探针40接合到探针连接垫16并将探针40配置在探针卡30的过程。

如图5(a)所示，探针半成品20可以使各个探针连接垫16与导电性物质6对应的方式位于多层配线基板12的上侧。然后，可执行以下步骤：使导电性物质6的一侧与配置在探针连接垫16的焊料接触，然后接合到探针连接垫16。

然后，如图5(b)所示，可执行通过蚀刻工艺去除除导电性物质6之外的阳极氧化膜模具1的过程。

在此情况下，多层配线基板12的上部表面、下部表面由阻挡层BL形成，且探针连接垫16可为配置在阻挡层BL的表面的结构。阻挡层BL的密度比多孔层PL高，因此对蚀刻剂的耐腐蚀性可相对强。通过如上所述的构成，在用于去除多层配线基板12的阳极氧化膜模具1的蚀刻工艺中可能不会发生表面损伤。

通过执行去除阳极氧化膜模具1的工艺，探针卡30可具有连接到探针连接垫16且在整体上由相同金属材质连续形成的主体部BD。具体来说，主体部BD可为探针40的主体部BD。

本发明的探针40通过使用加压单元5在阳极氧化模具1的以连续形态形成的贯通孔1a中推动导电性物质6批量填充，从而形成主体部BD。因此，主体部BD可为由相同的金属材质形成的垂直部及水平部连续连接的连续的形态。

探针40的主体部BD只要是由相同金属材质连续连接地配置的形状，则对其形状没有限制。图6(a)、图6(b)是放大示出使用另一实施例的探针半成品20'将与图7所示的探针40的主体部BD不同形状的主体部BD'接合到多层配线基板12的过程的图。

如图6(a)所示，探针半成品20'可包括以下构成：阳极氧化膜模具1'，配置有贯通孔1a'；以及导电性物质6，填充在贯通孔1a'中。

导电性物质6可将包括接合到探针连接垫16的一侧的垂直部6a'及包括接合有导电性尖端9的另一侧的水平部6c'连续连接形成。如图5(a)、图5(b)所示，作为一例，根据本发明的实施例的探针半成品20的导电性物质6可由包括以下的形状形成：第一垂直部6a，包括接合到探针连接垫16的一侧；第二垂直部6b，包括接合有导电性尖端9的另一侧；以及中间部6c，连接第一垂直部6a、第二垂直部6b。因此，图6所示的另一实施例的探针半成品20'在包括由垂直部6a'及水平部6c'形成的导电性物质6方面与实施例的探针半成品20存在差异。

在具有如上所述的结构的导电性物质6的探针半成品20'中，可通过配置在探针连接垫16的焊料S或共晶接合层将导电性物质6的一侧接合到多层配线基板12。接合导电性物质6的一侧的过程与参照图5(a)、图5(b)的接合过程相同。因此，参照参考图5(a)、图5(b)的前述说明，将省略具体的说明。

如图6(b)所示，可对接合有导电性物质6的一侧的探针半成品20'执行去除除导电性物质6之外的阳极氧化膜模具1的过程。阳极氧化膜模具1可通过蚀刻工艺执行。通过蚀刻工艺去除除导电性物质6之外的阳极氧化膜模具1的过程可与参照图5(b)的去除过程相同地执行。

如上所述，本发明的阳极氧化膜模具1可用于以窄节距制作微小结构物，且通过将物质(金属或非金属)填充到配置在阳极氧化膜模具1的内部的贯通孔1a的过程可精确且容易地制作微小结构物半成品。另外，此种阳极氧化膜模具1可用来制作探针卡30的探针40。

本发明的探针卡30整体上由相同金属材质形成，且可配置具有连续形成的主体部BD的探针40。在此情况下，探针卡30使用在具有以连续形态形成的贯通孔1a的阳极氧化膜模具1配置有导电性物质6的探针半成品20来配置主体部BD。

探针半成品20可配置由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质6，并可通过加压单元5推动使导电性物质6一次性填充到贯通孔1a。因此，可有效地执行用于形成主体部BD的制造过程。

本发明的探针半成品20可单独快速地执行制造探针40的过程。因此，也可提高通过单独制造探针40并将其接合到多层配线基板12的过程而形成的MEMS探针卡30的生产速度。

如上所述，尽管已参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本技术领域的普通技术人员可在不脱离上述权利要求中所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修改或变形。

Claims (10)

1.一种阳极氧化膜模具，在上、下方向上接合配置有贯通孔的单位阳极氧化膜片材，将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间。

2.根据权利要求1所述的阳极氧化膜模具，其中所述阳极氧化膜模具的表面由所述单位阳极氧化膜片材的阻挡层形成。

3.根据权利要求1所述的阳极氧化膜模具，其中所述单位阳极氧化膜片材包括通过接合层接合的多个阳极氧化膜层。

4.一种探针半成品，包括：

阳极氧化膜模具，在上、下方向上接合配置有贯通孔的单位阳极氧化膜片材，将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间；

导电性物质，配置在所述贯通孔中。

5.根据权利要求4所述的探针半成品，进一步包括：

导电性尖端，配置在所述导电性物质的表面。

6.一种探针卡，包括：

多层配线基板，由阳极氧化膜材质形成且包括垂直配线部及水平配线部，并在表面配置探针连接垫；以及

主体部，连接到所述探针连接垫且在整体上由相同金属材质连续形成。

7.一种阳极氧化膜模具的制造方法，包括以下步骤：

配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材；以及

在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间。

8.一种探针半成品的制造方法，包括以下步骤：

配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材；

在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间；

将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质从所述贯通孔的一侧开口推到另一侧开口进行批量填充。

9.根据权利要求8所述的探针半成品的制造方法，进一步包括以下步骤：

配置基础基板，所述基础基板形成有槽并在表面形成临时层后，对所述槽填充所述导电性物质以配置导电性尖端；

将所述基础基板的所述导电性尖端的一侧连接到所述贯通孔的所述导电性物质；以及

去除所述基础基板的所述临时层，以将所述导电性尖端的另一侧与所述基础基板分离。

10.一种探针卡的制造方法，包括以下步骤：

配置形成有贯通孔的单位阳极氧化膜片材并在上、下方向上接合所述单位阳极氧化膜片材，以将各个所述单位阳极氧化膜片材的所述贯通孔彼此连通并在内部形成空间，从而形成阳极氧化膜模具，之后将由金属糊料或金属粉末形成的导电性物质从所述贯通孔的一侧开口推到另一侧开口进行批量填充，以配置探针半成品；

由阳极氧化膜材质形成并在内部形成垂直配线部及水平配线部之后，在表面上配置探针连接垫，以配置多层配线基板；

使所述探针半成品位于所述多层配线基板的所述探针连接垫上侧，并将所述贯通孔所包括的所述导电性物质的一侧接合到所述探针连接垫；以及

去除除所述导电性物质以外的所述阳极氧化膜模具。

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