KR101334458B1 - 프로브 구조물과 형성 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 프로브 구조물(100)은 전극(220)이 형성되어 있는 기판(200); 반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하며, 스터드(560), 빔(520) 및 팁(540)을 포함하는 니들(500); 및 니들(500)의 스터드(560)를 지지하기 위하여 스터드(560)가 삽입되는 홀(320)이 형성되어 있는 가이드(300)를 포함하며, 스터드(560)는 빔(520)과 상호 접합되어 연결되고 빔(520)과 팁(540)은 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 가이드(300) 내에 니들(500)의 스터드(560)만 삽입됨으로써 고집적화된 반도체 칩 검사장비에 적용 가능한 프로브 구조물을 제조할 수 있다.

프로브 카드, 니들, 스터드, 빔, 팁, 가이드

Description

프로브 구조물과 형성 방법{A Probe Structure And Making Method For The Same}

본 발명은 반도체 칩 검사장비에 삽입되는 프로브 카드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고집적화된 반도체 칩 검사에 이용할 수 있는 고품질의 프로브 카드용 프로브 구조물에 관한 것이다.

반도체 칩은 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성시키는 공정과 회로 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩으로 조립하는 어셈블리 공정을 통해 제조되며, 이러한 회로 패턴 형성 공정과 어셈블리 공정 사이에서는 각각의 칩의 전기적 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting) 공정을 수행한다.

EDS 공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 특히 불량 칩을 판별하기 위한 공정으로, 이러한 공정 수행을 위한 핵심요소가 프로브 카드이다.

일반적으로 프로브 카드는 PCB 어셈블리, 본체를 이루는 스페이스 트랜스포머(space transformer)와 하측으로 배열된 다수개의 프로브로 구성된다. 스페이스 트랜스포머는 케이블이나 커넥터 등의 인터페이스를 통하여 분석 시스템과 연결 되도록 구성되며, 하측의 프로브는 끝 단에 장착된 팁을 이용하여 웨이퍼 상의 반도 체 칩 패드에 접촉하여 분석 시스템과 반도체 칩을 전기적으로 연결하도록 구성된다. 한편, 프로브가 멤스(MEMS: Micro Electromechanical System) 공정을 이용하여 제조되는 경우를 멤스 프로브 카드라고 한다.

다수개의 프로브가 고정되는 기판의 역할을 하는 스페이스 트랜스포머에는 주로 다층 세라믹 기판이 사용된다. 다층 세라믹 기판은 내구성뿐만 아니라 수직 팽창률이 적고 고주파 효율이 좋기 때문에 복잡한 신호 패턴의 형성이 요구되고 고주파 신호를 많이 사용하는 프로브 카드를 포함하는 고집적 회로 구성을 위한 기판으로 각광 받고 있다.

도 1은 종래의 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면이다.

도시한 바와 같이, 종래의 프로브 구조물(10)은 실리콘 가이드(50) 내에 다층 세라믹 기판(20)의 전극(22)에 접합되는 니들(42)이 삽입되어 있고 니들 (42)의 단부에 팁(44)이 본딩되어 실리콘 가이드(50) 밖으로 노출되어 있는 구조로 되어 있으며, 일명 SGCM(Silicon Guide Ceramic MEMS)형 프로브 구조물이라고 한다.

그러나, 상기와 같은 프로브 구조물은 니들(42)의 빔에 해당하는 부분, 즉 니들(42)의 수평 방향으로 연장되는 부분까지 실리콘 가이드(50) 내에 삽입되는 구조로 되어 있기 대문에 가이드 내에서 니들 한 개가 차지하는 면적이 커지는 관계로 고집적화된 반도체 칩 검사장비에는 적용되기가 어렵다는 문제점이 있었다.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 니들의 스터드만이 가이드 내에 삽입되게 함으로써 고집적화된 반도체 칩 검사장비에 적용할 수 있는 고품질의 프로브 카드용 프로부 구조물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 기계적 강도가 우수한 니들을 채택함으로써 신뢰성이 향상된 고품질의 프로브 카드용 프로부 구조물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물은 전극이 형성되어 있는 기판; 반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하며 스터드, 빔 및 팁을 포함하는 니들; 및 상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 포함하며, 상기 스터드는 상기 빔과 상호 접합되어 연결되고 상기 빔과 상기 팁은 일체로 형성된다.

그리고, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물은 전극이 형성되어 있는 기판; 반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하며 스터드, 빔 및 팁을 포함하는 니들; 및 상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 포함하며, 상기 스터드와 상기 빔은 일체로 형성되고 상기 빔과 상기 팁은 상호 접합되어 연결된다.

그리고, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물의 제조 방법은 전극이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계; 반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하는 니들의 스터드를 제조하는 단계; 상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 제조하는 단계; 상기 니들의 빔 및 팁을 일체로 제조하는 단계; 및 상기 기판과 상기 니들의 스터드를 접합하고 상기 니들의 스터드와 상기 니들의 빔을 접합하여 상기 기판과 상기 니들을 연결하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따르면, 니들의 스터드만이 가이드 내에 삽입되게 함으로써 프로브 카드용 프로부 구조물의 집적도를 높이는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 기계적 강도가 우수한 니들을 채택함으로써 프로브 카드용 프로부 구조물의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물(100)의 구성을 나타내는 도면이다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 프로브 구조물(100)은 다층의 회로 전극(220)이 형성되어 있는 다층 세라믹 기판(200), 빔(520) 및 팁(540)과 스터드(560)로 구성되는 니들(500), 및 니들(500)을 지지하는 가이드(300)를 기본적인 구성으로 한다. 스터드(560)의 양단은 각각 전극(220) 및 빔(520)과 본딩되어 있으며 빔(520)과 팁(540)은 일체로 형성된다. 즉, 본 실시예에서 니들(500)은 그 단부에 팁(540)이 일체로 형성되어 있는 빔(520)과 스터드(560)를 본딩하여 제조된다. 또한, 가이드(300)의 홀(320)에는 니들(500)의 스터드(560)만 삽입되어 지지된다.

여기서, 다층 세라믹 기판(200) 상에는 보호층(미도시)가 코팅되어 프로브 카드 제조 과정에서 다층 세라믹 기판이 강산이나 강알카리 및 유기물에 손상받는 것을 방지할 수 있다. 특히, 보호층은 패럴린(parylene)을 코팅하여 사용하는 것이 바람직하다. 패럴린은 진공 상태에서 미세한 가스에 노출된 표면 위로 형성되는 열가소성 중합체들의 고유한 집합체를 총괄하여 나타내는 명칭으로서, 절연성, 방수성, 내식성, 내화학성이 우수하여 그 응용의 범위가 광범위한 물질이다. 아울러, 패럴린은 일반적인 액상 코팅과는 달리 서브 ㎛ 내지 수백 ㎛ 범위의 코팅 두께 조절이 용이하고 제품의 전면적에 균일한 두께로 코팅이 가능하다는 장점이 있다.

도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물(100)에서 니들(500)의 빔(520) 및 팁(540)을 제조하는 과정을 나타내는 도면이다.

도 3a를 참조하면, 실리콘 기판(400) 상에 제1 마스크층(410)을 형성한다. 제1 마스크층(410)은 실리콘 기판(400)을 산화시킨 1㎛ 두께의 실리콘 산화막으로 하는 것이 바람직하다. 기판(400)은 향후 니들의 빔과 팁을 제조한 후에 제거되는 희생 기판의 역할을 한다.

도 3b를 참조하면, 통상적인 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제1 마스크층(410) 상에 트렌치가 형성될 영역을 정의하는 제1 마스크 패턴(412)을 형성한다. 제1 마스크 패턴(412) 형성시 실리콘 산화막은 반응성 이온 식각법(RIE; Reactive Ion Etching)을 이용하여 식각한다. 통상적인 포토 리소그래피 공정은 이미 공지의 기술이므로 본 명세서에서는 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 3c를 참조하면, 노출된 실리콘 기판(400)을 식각하여 트렌치를 형성한다. 실리콘 기판(400)은 습식 식각법을 이용하여 식각한다.

도 3d를 참조하면, 제1 마스크 패턴(412) 및 실리콘 기판(400) 상에 제2 마스크층(420)을 형성한다. 제2 마스크층(420)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 성장시킨 2 내지 3㎛ 두께의 실리콘 산화막으로 하는 것이 바람직하다.

도 3e를 참조하면, 통상적인 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제2 마스크층(420) 상에 개구(430)가 형성될 영역을 정의하는 제2 마스크 패턴(422)을 형성한다. 제2 마스크 패턴(422) 형성시 실리콘 산화막은 반응성 이온 식각법(RIE; Reactive Ion Etching)을 이용하여 식각한다. 그 후, 노출된 실리콘 기판(400)을 식각하여 개구(430)를 형성한다. 실리콘 기판(400)은 예를 들어, 수산화칼륨(KOH) 용액을 사용하는 습식 식각법으로 식각한다.

도 3f를 참조하면, 통상적인 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제1(412) 및 제2(422) 마스크 패턴의 소정의 영역이 식각된 제1(414) 및 제2(424) 마스크 패턴을 형성한다. 제1(412) 및 제2(422) 마스크 패턴은 RIE법을 이용하여 식각된다. 제1(414) 및 제2(424) 마스크 패턴은 빔과 팁으로부터 실리콘 기판(400)을 제거할 때 분리막의 역할을 한다.

도 3g를 참조하면, 제1(414) 및 제2(424) 마스크 패턴 및 실리콘 기판(400) 상에 금속층(440)을 형성한다. 금속층(440)은 향후 빔과 팁 형성을 위한 전기도금법을 적용할 때 시드막의 역할을 한다. 금속층(440)은 구리 또는 티틴 등을 포함한다. 금속층(440)은 스퍼터링법을 이용하여 형성된다. 그 후, 금속층(440) 상에 빔과 팁이 형성될 영역을 정의하기 위한 포토 리소그래피 공정에 필요한 제3 마스크층(450)을 형성한다. 제3 마스크층(450)은 스핀 코팅법을 이용하여 형성한 포토 레지스트막을 사용하는 것이 바람직하다.

도 3h를 참조하면, 통상적인 포토 리소그래피 공정을 이용하여 제3 마스크층(450) 상에 빔과 팁이 형성될 영역을 정의하는 제3 마스크 패턴(452)을 형성한다.

도 3i를 참조하면, 노출된 금속층(440) 상에 니들(500)의 빔(520)과 팁(540)을 동시에 형성한다. 빔(520)과 팁(540)은 텅스텐, 구리 및 니켈-코발트의 합금을 포함한다. 빔(520)과 팁(540)은 금속층(440)을 시드막으로 이용하는 전기도금(electroplating)법으로 형성된다. 이때, 빔(520)은 두께 20 내지 200㎛, 폭 40 내지 140㎛, 길이 300㎛ 내지 3㎜의 범위에서 형성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 팁(540)은 선단 10x10㎛, 밑면 30 내지 50㎛, 높이 30 내지 40㎛의 범위에서 형성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

도 3j를 참조하면, 제3 마스크 패턴(452)을 식각한다. 제3 마스크 패턴(452)은 식각 용액으로 예를 들어, 아세톤을 이용하는 습식 식각법으로 식각한다.

도 3k를 참조하면, 향후 실리콘 기판(400)으로부터 빔(520)과 팁(540)을 용이하게 제거하기 위하여 실리콘 기판(400)을 식각하여 빔(520)과 팁(540)을 플로팅시킨다. 실리콘 기판(400)은 SF6 가스 플라즈마를 사용하는 딥 식각(deep etching)법으로 식각한다.

도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물(100)에서 기판(200), 니들(500) 및 가이드(300)의 결합 과정을 나타내는 도면이다.

먼저, 전극(220)이 형성되어 있는 다층 세라믹 기판(200), 홀(320)이 형성되어 있는 가이드(300) 및 니들(500)의 스터드(560)을 각각 준비한다.

가이드(300)의 재질은 실리콘인 것이 바람직하다. 실리콘 가이드(300)의 홀(320)은 딥 식각법을 이용하여 식각한다. 홀(320)의 크기는 가로 60㎛, 세로 200㎛의 범위로 하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

스터드(560)의 재질은 빔(520) 및 팁(520)과 같이 텅스텐, 구리 및 니켈-코발트의 합금을 포함하며, 전기도금법을 이용하여 제조하는 것이 바람직하다. 스터드(520)의 크기는 가로 60㎛, 세로 200㎛, 높이 800 내지 1,000㎛의 범위로 하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

다층 세라믹 기판(200), 가이드(300) 및 스터드(560)의 제조 및 준비가 완료되면 스터드(560)를 가이드(300)의 홀(320)에 삽입시킨다. 그 후, 스터드(560)의 일단을 다층 세라믹 기판(200)의 전극에 본딩한다. 이 과정에서 다층 세라믹 기판(200), 가이드(300) 및 스터드(560)가 모두 접합되어 연결된다. 이 상태에서 스터드(560)의 타단과 도 3k 단계에서의 빔(520)을 본딩하면 도 4a와 같은 구성이 된다. 상기 모든 본딩은 솔더링 방법을 이용하여 이루어지며 이때 솔더의 재질은 Au-Sn 합금 또는 Ag-Sn 합금 중 어느 하나로 하는 것이 바람직하다.

도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 완성된 프로브 구조물(100)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 4b의 상태는 도 4a의 상태에서 실리콘 기판(400)을 제거하면 된다. 본 실시예에서는 실리콘 기판(400)으로부터 빔(520)과 팁(540)을 미리 플로팅시켜 놓았기 때문에(도 3k 참조), 종래와 같이 실리콘 기판(400)을 완전히 녹일 필요 없이 제1(414) 및 제2(424) 마스크 패턴만 제거하면 간단하게 실리콘 기판(400)으로부터 빔(520)과 팁(540)을 분리시킬 수 있다.

도 5a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 구조물에서 기판(200a), 니들(600) 및 가이드(300a)의 결합 과정을 나타내는 도면이다.

본 실시예와 제1 실시예는 프로브 구조물의 구조 및 전체제조 과정이 거의 동일하므로 여기에서는 양자의 차이점에 대해서만 설명한다. 본 실시예와 제1 실시예의 차이점은 팁이 빔에 일체로 형성되는지 여부에 있다. 즉, 제1 실시예는 스터드(560)와 빔(540)이 본딩되고 팁(540)은 빔(520)과 일체로 형성되는 구성인 반면에, 본 실시예에는 스터드(660)와 빔(620)이 일체로 형성되고 빔(620)과 팁(640)이 본딩되는 구성이다.

도 5a를 참조하면, 다층 세라믹 기판(200a), 가이드(300a), 스터드(660) 및 와 빔(620)을 서로 접합하여 연결할 때, 빔(620)의 일면이 가이드(300a)의 표면에 밀착되도록 하는 것이 좋다. 이는 빔(620)과 팁(640)을 본딩할 때 가이드(300a)가 빔(620)의 지지대 역할을 할 수 있기 때문이다. 한편, 본 실시예에서의 팁(640)의 형상은 제1 실시예에서의 팁(540)의 형상과 다르지만 그 제조 과정은 기본적으로 실리콘 기판의 습식 식각 공정을 사용하는 것이어서 양자는 큰 차이가 없으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 제1 실시예에서와 마찬가지로 팁(640)이 실리콘 기판과 용이하게 분리될 수 있도록 팁(640)을 플로팅시키는 것이 바람직하며 분리막(680)도 필요하다. 분리막(680)은 금속, 산화물을 포함할 수 있으나, 분리막의 재질이 금속인 경우에는 빔(620), 팁(640) 및 스터드(660)의 재질과 다르게 하여야 한다.

도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 완성된 프로브 구조물(100a)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 5b의 상태는 도 5a의 상태에서 분리막(680)을 제거하여 실리콘 기판(400a)을 분리시키면 된다. 또한, 니들(600)의 정상적인 작동을 위해서는 가이드(300a)의 일부를 식각하여 니들(600)의 유격을 확보해 놓는 것이 필요하다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 프로브 구조물(100b)에서 기판(200a), 니들(700) 및 가이드(300b)의 결합 과정과 완성된 프로브 구조물(100b)의 구성을 각각 나타내는 도면이다. 본 실시예는 제2 실시예에서 니들(600)의 유격을 확보할 목적으로 실리콘 가이드(300a)를 식각하는 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 가이드(300b)와 빔(720) 사이에 지지대(725)를 설치하는 것을 특 징으로 한다. 이러한 지지대(725)로 인하여 다층 세라믹 기판(200b), 가이드(300b), 스터드(760) 및 와 빔(720)을 서로 접합하여 연결할 때, 빔(720)의 일면이 가이드(300b)의 표면에 밀착되지 않아도 된다. 아울러, 도 6b에서와 같이, 분리막(780)을 제거하여 실리콘 기판(400b)을 분리시킨 후에 지지대(725)만 제거하면 실리콘 가이드(300b)의 추가 식각 없이도 나들(700)의 유격을 확보할 수 있다. 지지대(725)는 빔(720), 팁(740) 및 스터드(760)와 다른 금속 재질로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 빔(720), 팁(740) 및 스터드(760)의 재질을 텅스텐, 구리 및 니켈-코발트의 합금 중의 어느 하나로 하는 경우에 지지대(725)의 재질은 구리를 사용한다. 한편, 지지대(725)는 전기도금법을 이용하여 단일 기판 상에서 빔(720)과 스터드(760)와 같이 제조할 수 있다. 다만, 양자의 재질이 서로 다르기 때문에 두 단계로 나누어서, 즉 먼저 전기도금범으로 빔(720)과 스터드(760)를 형성한 후 이어서 전기도금법으로 지지대(725)를 형성하여야 한다.

이로써 니들의 스터드 부분만이 가이드 내에 삽입되어 있는 프로브 구조물이 완성되며, 본 발명은 고집적화된 반도체 칩 검사장비에 적용할 수 있는 고품질의 프로브 카드용 프로브 구조물을 제공한다는 장점이 있다.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.

도 1은 종래의 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면.

도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물에서 니들의 빔 및 팁을 제조하는 과정을 나타내는 도면.

도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 구조물에서 기판, 니들 및 가이드의 결합 과정을 나타내는 도면.

도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 완성된 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면.

도 5a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 구조물에서 기판, 니들 및 가이드의 결합 과정을 나타내는 도면.

도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 완성된 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면.

도 6a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 프로브 구조물에서 기판, 니들 및 가이드의 결합 과정을 나타내는 도면.

도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 완성된 프로브 구조물의 구성을 나타내는 도면.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -

100: 프로브 구조물

200: 다층 세라믹 기판

300: 가이드

400: 실리콘 기판

500: 니들

Claims (24)

1. 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물로서,

   전극이 형성되어 있는 기판 - 상기 기판은 다층 세라믹(Multi Layer Ceramic)을 포함하며, 상기 다층 세라믹 기판 상에는 보호층이 형성됨 - ;

   반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하며, 스터드, 빔 및 팁을 포함하는 니들; 및

   상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 포함하며,

   상기 스터드는 상기 빔과 상호 접합되어 연결되고, 상기 빔과 상기 팁은 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물.
2. 제1항에 있어서,

   상기 보호층은 패럴린(parylene) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,

   상기 가이드는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물.
6. 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물로서,

   전극이 형성되어 있는 기판;

   반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하며, 스터드, 빔 및 팁을 포함하는 니들; 및

   상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 포함하며,

   상기 스터드와 상기 빔은 일체로 형성되고, 상기 빔과 상기 팁은 상호 접합되어 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물.
7. 제6항에 있어서,

   상기 기판은 다층 세라믹(Multi Layer Ceramic)을 포함하며, 상기 다층 세라 믹 기판 상에는 패럴린(parylene) 성분을 포함하는 보호층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물.
8. 삭제
9. 삭제
10. 반도체 칩 검사 장비에 삽입되는 프로브 카드용 프로브 구조물의 제조 방법으로서,

    전극이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계;

    반도체 칩의 임의의 단자로부터의 전기적 신호를 전달하는 프로브의 역할을 하는 니들의 스터드를 제조하는 단계;

    상기 니들의 스터드를 지지하기 위하여 상기 스터드가 삽입되는 홀이 형성되어 있는 가이드를 제조하는 단계;

    상기 니들의 빔 및 팁을 일체로 제조하는 단계; 및

    상기 기판과 상기 니들의 스터드를 접합하고, 상기 니들의 스터드와 상기 니 들의 빔을 접합하여 상기 기판과 상기 니들을 연결하는 단계

    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
11. 제10항에 있어서,

    상기 기판은 다층 세라믹(Multi Layer Ceramic)을 포함하며, 상기 다층 세라믹 기판 상에는 패럴린(parylene) 성분을 포함하는 보호층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
12. 제10항에 있어서,

    상기 스터드는 텅스텐, 구리 및 니켈-코발트의 합금을 포함하며, 전기도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
13. 제10항에 있어서,

    상기 가이드는 실리콘을 포함하며, 상기 가이드의 홀은 딥 식각(deep etching)법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
14. 제10항에 있어서,

    상기 니들의 빔 및 팁을 일체로 제조하는 단계는,

    실리콘 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 단계;

    상기 제1 패턴에 의해 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하 는 단계;

    상기 실리콘 기판 상에 제2 패턴을 형성하는 단계,

    상기 제2 패턴에 의해 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하여 개구를 형성하는 단계;

    상기 실리콘 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;

    상기 금속층 상에 제3 패턴을 형성하는 단계; 및

    상기 제3 패턴에 의해 노출된 상기 금속층 상에 상기 빔 및 팁을 형성하는 단계;

    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
15. 제14항에 있어서,

    상기 제1 패턴은 상기 실리콘 기판을 산화시켜 형성한 실리콘 산화막이며, 상기 제2 패턴은 PECVD법을 이용하여 증착한 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
16. 제14항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 패턴에 의해 상기 실리콘 기판을 식각하는 방법은 습식 식각법을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
17. 제14항에 있어서,

    상기 금속층은 구리, 티탄을 포함하며, 상기 금속층의 형성 방법은 스퍼터링법을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
18. 삭제
19. 제14항에 있어서,

    상기 빔 및 팁은 텅스텐, 구리 및 니켈-코발트의 합금을 포함하며, 상기 빔 및 팁의 형성 방법은 상기 금속층을 시드로 하는 전기도금법을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
20. 제14항에 있어서,

    상기 실리콘 기판을 식각하여 상기 빔 및 팁을 플로팅 시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
21. 제20항에 있어서,

    상기 실리콘 기판을 식각하는 방법은 딥 식각(deep etching)법을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
22. 제10항에 있어서,

    상기 기판과 상기 니들을 연결하는 단계에서는 Au-Sn 합금 또는 Ag-Sn 합금 중 어느 하나가 솔더가 사용되는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
23. 제10항에 있어서,

    상기 스터드는 상기 가이드의 홀에 미리 삽입되어 있는 상태에서 상기 기판과 접합되고, 그 상태에서 상기 스터드는 상기 빔과 접합되는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.
24. 제23항에 있어서,

    상기 빔은 상기 가이드와 소정의 간격만큼 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 구조물 제조 방법.

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