CN113496964A - 器件及器件的形成方法 - Google Patents

器件及器件的形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113496964A
CN113496964A CN202110072581.XA CN202110072581A CN113496964A CN 113496964 A CN113496964 A CN 113496964A CN 202110072581 A CN202110072581 A CN 202110072581A CN 113496964 A CN113496964 A CN 113496964A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
contact
circuit member
contact point
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110072581.XA
Other languages
English (en)
Inventor
上田真慈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Original Assignee
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Aviation Electronics Industry Ltd filed Critical Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Publication of CN113496964A publication Critical patent/CN113496964A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • A61B5/024Detecting, measuring or recording pulse rate or heart rate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/345Arrangements for heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Cardiology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Physiology (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Bag Frames (AREA)

Abstract

一种器件及器件的形成方法,该器件包括:第一膜,其具有第一内部,第一密封部分和第一接触部分;以及第二膜,其具有第二内部,第二密封部分和第二接触部分;具有第一接触点的第一电路构件;具有第二接触点的第二电路构件。第一密封部分和第二密封部分结合在一起。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触,该接触区域在第一内部和第二内部的整个边缘上围绕第一内部和第二内部。第一电路构件和第二电路构件封闭在被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一接触点和第二接触点彼此接触。本发明提供一种可以制作更薄的新型器件。

Description

器件及器件的形成方法
技术领域
本发明涉及一种包括通过薄膜密封的电路构件的器件及器件的形成方法。
背景技术
例如,在JP2001-332654A(专利文献1)中公开了可以做得更薄的器件,其内容通过引用并入本文。
参考图17,专利文献1公开了具有内置半导体芯片的模块(器件)90。器件90包括热固性树脂组合物(密封树脂)92和包括半导体芯片96和布线图案98的电路构件94。形成密封树脂92以使得电路构件94被嵌入其中。然后,密封树脂92的表面被抛光,使得器件90变薄。
对于包括电路构件的器件,需要进一步减小厚度。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种可以制作更薄的新型器件。
本发明的一方面提供了一种包括第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件的器件。第一膜具有第一内部和第一外部。第一内部位于第一外部的内侧。第二膜具有第二内部和第二外部。第二内部位于第二外部的内侧。第一外部具有第一密封部分和第一接触部分。第二外部具有第二密封部分和第二接触部分。第一密封部分和第二密封部分结合在一起以形成密封迹线。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触。接触区域围绕第一内部和第二内部的整个边缘。该器件形成有被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一电路构件和第二电路构件在封闭空间中被封闭。第一电路构件具有第一接触点。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。
本发明的另一方面提供了一种器件的形成方法,该器件包括第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件。形成方法包括准备步骤,布置步骤和密封步骤。在准备步骤中,准备第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件。第一电路构件包括第一接触点。第二电路构件包括第二接触点。在布置步骤中,在第一接触点和第二接触点彼此面对的同时,将依次堆叠的第一膜,第一电路构件,第二电路构件和第二膜布置在腔室内。在密封步骤中,在腔室被抽真空的状态下密封第一膜和第二膜,使得第一电路部件和第二电路部件被封闭在由第一膜和第二膜包围的封闭空间中,并且第一接触点和第二接触点彼此接触。
根据本发明的一个方面的器件,第一膜和第二膜彼此重叠以彼此接触,第一电路构件和第二电路构件(以下简称为“电路构件”)夹在它们之间。除了应该为每个电路构件设置接触点之外,每个电路构件的结构均不受限制。因此,本发明的一个方面的每个电路构件具有简单的结构,并且可以由各种材料形成。例如,每个电路构件可以是形成有具有接触点的导电图案的绝缘膜。在这种情况下,整个器件的厚度可以做得非常薄。从而,本发明的一个方面提供了一种可以制造得更薄的新型器件。
通过研究以下对优选实施例的描述并参考附图,可以对本发明的目的有所理解并对其结构有更完整的理解。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的器件的透视图,其中,用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线,以及放大并示出了该器件的一部分点划线所包围的部分。
图2是示出图1的器件的分解透视图,其中,第一膜和第二膜的每一个的接触区域的边界线用虚线示出。
图3是示出图1的器件的透视图,其中未示出第一膜,用虚线示出了第二膜的接触区域的边界线,以及隐藏的第一导电体的轮廓图案和隐藏的第二导电图案用点划线表示。
图4是示出图3的第一电路构件的第一导电图案和第二电路构件的第二导电图案的具体示例的图。
图5是沿线VV截取的图1的器件的剖视图,其中器件的三个部分(分别由点划线包围)被放大并示出,并且接触区域的边界线在放大的视图之一中用虚线示出。
图6是示出用于形成图1的器件的形成方法的示例的流程图。
图7是示出在图6的形成方法的准备步骤中制备的器件材料组的透视图,其中用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
图8是示出图7的器件材料组的侧视图,其中,用虚线包围的器件材料组的三个部分被放大并示出。
图9是示出图6的形成方法的布置步骤中的腔室和布置在该腔室中的器件材料组的侧面的示意性结构的视图。
图10是示出包括多个图7的器件材料组的构件的视图,其中,用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓,器件材料组中的每一个与其它器件材料组之间的边界线用点划线示出。
图11是示出图7的器件材料组的变型的透视图,其中,用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
图12是示出由图11的器件材料组形成的器件的透视图,其中,用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线。
图13是示出图7的器件材料组的另一变型的透视图,其中,用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
图14是示出由图13的器件材料组形成的器件的透视图,其中用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线。
图15是示出图2的器件的变型的分解透视图,其中,用虚线示出了隐藏的第一导电图案的轮廓。
图16是示出图15的器件的器件材料组的侧视图,其中,用虚线包围的器件材料组的一部分被放大并示出,压缩弹性部件的主表面的位置在图中的放大图用双点划线表示,放大了一部分用点划线包围的图,用放大图表示所制作的器件的截面。
图17是示出专利文献1的器件的剖视图。
尽管本发明易于进行各种变型和替代形式,但是在附图中以示例的方式示出了本发明的特定实施例,并且在此将对其进行详细描述。然而,应当理解,附图及其详细描述并非旨在将本发明限制为所公开的特定形式,相反,其意图是涵盖落入本发明的精神和范围内的所有变型,等同形式和替代形式。如所附权利要求书所定义的本发明。
具体实施方式
参考图1,根据本发明实施例的器件10是独立的电子器件。更具体地,器件10可以单独工作而无需物理附接到另一电子器件(未示出)。例如,器件10通过将器件10附接到被检对象的心脏附近来测量被检对象的心率,并且将测量结果发送到另一电子器件。因此,器件10可以用作用于测量诸如心律的生物信息的电子器件。然而,本发明不限于此,而是可应用于具有各种功能的各种器件。
本实施例的器件10包括电路结构12和膜构件14。电路结构12是用于使器件10能够用作电子器件的构件。例如,电路结构12具有用于测量心率的电子电路(未示出)和用于将测量结果传输到另一电子器件(未示出)的另一电子电路(未示出)。膜构件14将电路结构12完全容纳在其中,并保护电路结构12不受外部环境的影响。因此,电路结构12被封闭在膜构件14中。
以下,将对本实施方式的器件10的结构进行说明。
参考图2,本实施例的电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。本实施例的膜构件14包括由绝缘体构成的第一膜20和由绝缘子构成的第二膜30。因此,器件10包括第一膜20,第二膜30,第一电路构件40和第二电路构件50。上述四个构件,即第一膜20,第二膜30,第一电路构件40和第二电路构件50在上下方向(Z方向)上堆叠并组合以形成器件10之一(参见图1)。本实施方式的器件10仅包括上述四个构件。但是,本发明不限于此,除了上述四个部件之外,器件10还可以包括其他部件。例如,器件10可以进一步包括附加电路构件。
参考图2和图3,本实施例的第一电路构件40具有第一基部42和第一导电图案44。本实施例的第一基部42是由绝缘膜形成的矩形薄片,并且是可弯曲的。第一基部42平行于垂直于Z方向的水平面(片状平面:XY平面)延伸。第一导电图案44形成在第一基部42上。具体地,第一导电图案44由诸如铜的导体制成,并且通过诸如银墨印刷或蚀刻的形成方法形成在第一基部42的下表面(负Z侧表面)上。
本实施例的第二电路构件50具有第二基部52和第二导电图案54。本实施例的第二基部52是由膜形成的薄且矩形的片,并且是可弯曲的。第二基底部52平行于XY平面延伸。第二导电图案54形成在第二基部52上。具体地,第二导电图案54由诸如铜的导体制成,并且通过诸如银墨印刷或蚀刻的形成方法形成在第二基部52的上表面(正Z侧表面)上。
本实施例的第一电路构件40和第二电路构件50中的每一个均具有前述结构。然而,本发明不限于此。例如,第一基部42和第二基部52中的每一个的形状不限于矩形,而是可以根据需要变型。第一基部42和第二基部52中的每一个可以是刚性电路板。第一导电图案44和第二导电图案54中的每个的形成方法不受具体限制,只要第一导电图案44和第二导电图案54中的每一个由导体制成。
在本实施例中,第一导电图案44具有第一接触点48,并且第二导电图案54具有第二接触点58。因此,第一电路构件40包括第一接触点48,第二导电构件包括第二接触点58。在制造的器件10(见图1)中,第一接触点48和第二接触点58彼此接触(见图3中的点划线)。因此,第一电路构件40和第二电路构件50彼此组合,使得第一接触点48和第二接触点58彼此接触。如上所述组合的第一电路构件40和第二电路构件50形成电路结构12。电路结构12的第一导电图案44和第二导电图案54彼此电连接。
图2和图3所示的第一导电图案44和第二导电图案54用于简单说明本发明的抽象导电图案,并且没有特定功能。换句话说,即使当图示的第一接触点48和图示的第二接触点58彼此接触时,器件10(见图1)也不能用作电子器件。实际的第一导电图案44和实际的第二导电图案54具有例如图4所示的结构。
参考图4,第一基部42具有在其下表面上形成的第一电路43,并且第二基部52具有在其上表面上形成的第二电路53。第一电路43具有纽扣电池46和分别形成有第一接触点48的两个第一导电图案44。第二电路53具有发光二极管(LED)56和分别形成有第二接触点58的两个第二导电图案54。当第一接触点48分别与第二接触点58接触时,纽扣电池46向LED56供电,并且LED 56发光。第一电路43和第二电路53的结构可以变型为比图4的示例的结构更实用的结构。例如,第二电路53可以具有用于测量心率的电路和用于发送测量结果的另一电路,而不是LED56。
根据图4的示例,第一接触点48的数量和第二接触点58的数量均为两个。然而,第一接触点48的数量和第二接触点58的数量可以是如图2所示的一个,或者可以为三个或更多。因此,参考图2和图3,第一电路构件40应具有一个或多个第一接触点48,第二电路构件50应具有一个或多个分别对应于第一接触点48的第二接触点58。在制成的器件10(见图1)中,每个第一接触点48应该与相应的第二接触点58接触。
参考图2,本实施例的第一膜20和第二膜30具有彼此相似的结构。更具体地,第一膜20和第二膜30中的每一个是由绝缘膜形成的矩形薄片,并且是可弯曲的。第一膜20和第二膜30中的每一个都平行于XY平面延伸。第一膜20在XY平面上具有外围边缘29。第二膜30在XY平面上具有外围边缘39。
参考图1和图2,本实施例的第一膜20和第二膜30彼此重叠,使得外围边缘29的位置和外围边缘39的位置在XY平面上彼此对准。然而,本发明不限于此。例如,第一膜20在XY平面上的尺寸和第二膜30在XY平面上的尺寸可以彼此不同。第一膜20和第二膜30中的每一个的形状不限于矩形,而是可以根据需要变型。
参考图2,第一膜20具有第一内部22和第一外部24。第一内部22在XY平面上位于第一外部24的内侧。换句话说,第一外部24是第一膜20的围绕第一内部22的一部分。第二膜30具有第二内部32和第二外部34。第二内部32在XY平面上位于第二外部34的内侧。换句话说,第二外部34是第二膜30的围绕第二内部32的一部分。
参考图1、2和5,器件10的第一膜20的第一内部22和第二膜30的第二内部32是用于容纳电路结构12的部分。根据本实施例,在器件10形成之前,第一膜20沿着XY平面均匀地延伸,并且在第一内部22和第一外部24之间没有可见的边界。在形成器件10之前,第二膜30沿着XY均匀地延伸。平面,并且在第二内部32和第二外部34之间没有可见的边界。然而,本发明不限于此。例如,可以在第一内部22和第一外部24之间形成诸如凹陷的可见边界,并且诸如凹陷的可见边界可以形成在第二内部32和第二外部34之间。
参考图2,第一外部24具有第一密封部分26和第一接触部分28。第二外部34具有第二密封部分36和第二接触部分38。请一并参考图1与图2,将第一密封部分26和第二密封部分36粘合在一起以形成密封迹线16。根据本实施例,通过加热将第一密封部分26和第二密封部分36粘合在一起。因此,本实施例的密封迹线16是其中第一密封部分26和第二密封部分36通过加热彼此焊接的迹线。然而,本发明不限于此,第一密封部分26和第二密封部分36可以通过诸如高频,超声或激光的各种方法结合在一起。
参考图1和图2,本实施例的密封迹线16形成在第一密封部分26和第二密封部分36的整个边缘上。换句话说,密封迹线16在XY平面上围绕第一内部22和第二内部32的整个边缘。同时,第一密封部分26的一部分和第二密封部分36的一部分,特别是第一密封部分26和第二密封部分36在XY平面上的外周没有被热封,从而没有形成密封迹线16。然而,本发明不限于此,密封迹线16可形成在整个第一密封部分26和第二密封部分36的上。
参考图1和图5,如稍后所述,第一密封部分26和第二密封部分36在真空环境中结合在一起。当第一密封部分26和第二密封部分36结合在一起时,由于气压差,第一接触部分28和第二接触部分38在接触区域17中彼此接触。接触区域17在XY平面内无缝地包围第一内部22和第二内部32的整个边缘。结果,器件10形成有封闭空间18,该封闭空间18被第一内部22和第二内部32包围。在将封闭空间18内的气压设定为接近真空的低压的状态下,第一密封部26和第二密封部36接合在一起。另外,接触区域17阻隔可能在封闭空间18的内部和外部之间流动的空气。因此,封闭空间18中的空气压力被保持为低于大气压的低压。
参考图5,第一电路构件40和第二电路构件50在保持具有上述低压的封闭空间18中被关闭。第一接触点48和第二接触点58在封闭空间18中彼此接触。具体地,由于封闭空间18的内部和外部之间的气压差,第一接触点48和第二接触点58彼此压靠。因此,即使在第一接触点48和第二接触点58中的每一个都没有镀有诸如金的材料的情况下,也可以可靠地保持第一接触点48和第二接触点58之间的接触。
总结上述说明,本实施例的器件10的第一膜20和第二膜30彼此重叠以彼此接触,同时第一电路构件40和第二电路构件50(在下文中,简称为“电路构件”)夹在其间。除了应该为每个电路构件设置诸如第一触点48或第二触点58之类的触点之外,每个电路构件的结构均不受限制。因此,本实施例的每个电路构件具有简单的结构,并且可以由各种材料形成。例如,每个电路构件可以是形成有具有接触点的导电图案的绝缘膜,例如,第一导电图案44或第二导电图案54。在这种情况下,整个器件10的厚度可以做得非常薄。因此,本实施例提供了新的并且可以做得更薄的新器件10。
参考图2和图5,第一膜20的第一密封部分26和第二膜30的第二密封部分36是用于通过诸如热封的密封将第一膜20和第二膜30牢固地结合在一起的部分。第一膜20的第一接触部分28和第二膜30的第二接触部分38是在低压下根据第一密封部分26和第二密封部分36的结合而彼此接触的部分。根据本实施例,在密封之前,在第一密封部分26和第一接触部分28之间没有可见的边界。类似地,在密封之前,第二密封部分36和第二接触部分38之间没有可见的边界。然而,本发明不限于此。例如,可以在第一密封部分26和第一接触部分28之间形成诸如凹陷的可见边界,并且可以在第二密封部分36和第二接触部分38之间形成诸如凹陷的可见边界。
根据本实施例,第一接触部分28和第二接触部分38在XY平面上无缝地围绕第一内部22和第二内部32的整个边缘。第一密封部分26和第二密封部分36在XY平面内无缝地包围第一接触部28和第二接触部38的整个边缘。根据该结构,能够可靠地将密闭空间18保持为气密状态。另外,通过切断第一密封部分26和第二密封部分36,能够容易地从密闭空间18取出第一电路构件40和第二电路构件50。因此,根据本实施方式,易于将构件分别回收并可以重复使用。然而,本发明不限于此。例如,第一密封部分26和第二密封部分36可以在XY平面中部分地围绕第一接触部分28和第二接触部分38。此外,第一密封部分26和第二密封部分36可以部分地被第一接触部分28和第二接触部分38围绕。
参考图1和图8,本实施方式的第一膜20和第二膜30均包括两层,该两层由通过热封可熔融的可熔层146和通过热封不可熔融的不可熔层148组成。换句话说,第一膜20和第二膜30均具有由可熔层146和不可熔层148形成的两层结构。例如,可熔层146由聚乙烯制成,不可熔层148由尼龙制成。根据该结构,在保持第一密封部26和第二密封部36的不可熔层148的同时,可熔层146彼此熔融。根据该结构,可熔融层146可彼此熔合,同时保持第一密封部分26和第二密封部分36的不可熔融层148。但是,本发明不限于此,但是第一膜20和第二膜30中的每一个可以具有根据密封方法的结构。例如,第一膜20和第二膜30中的每一个可以仅包括一层,或者可以包括三层或更多层。
本实施例的第一膜20和第二膜30中的每一个形成为使得其除了第一密封部分26和第二密封部分36之外的一部分还包括可熔层146和不可熔层148。然而,本发明不限于此。例如,可熔层146可以仅形成在第一密封部分26和第二密封部分36的每一个中。
参考图1,第一膜20和第二膜30中的每一个优选具有对氧气的高阻隔性。更具体地,第一膜20和第二膜30中的每一个优选包括由高阻氧材料制成的层,该高阻氧材料是对氧具有高阻隔性能的材料。根据该层结构,可以减少电路结构12的金属构件的氧化。
例如,高阻氧材料可以是线性低密度聚乙烯(LLDPE)。更具体地,高阻氧材料可以是通过层压聚对苯二甲酸乙二醇酯、铝和聚乙烯而形成的PET/Al/PE;通过层压双轴拉伸的尼龙和聚乙烯形成的ON/PE;通过层压聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚氯乙烯和聚乙烯形成的PET/EVOH/PE;或者可以通过层压透明高阻隔膜和聚乙烯来形成。透明高阻隔膜可以是沉积有SiOx或氧化铝的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
本实施方式的第一膜20和第二膜30优选除了对氧的高阻隔性以外,还具有对水蒸气的高阻隔性。更具体地,第一膜20和第二膜30中的每一个优选包括由高水蒸气阻隔材料制成的层,该高水蒸气阻隔材料是对水蒸气具有高阻隔性能的材料。根据该层结构,电路结构12可以是防水的。例如,高水蒸气阻隔材料可以是由ON/PE、双轴拉伸聚丙烯(OPP)或PET制成的片材,并且涂覆有聚偏二氯乙烯(PVDC)的材料。
第一膜20和第二膜30中的每一个除了对氧的高阻隔性和对水蒸气的高阻隔性之外,还可以具有诸如对氮的阻隔性的各种阻隔性。因此,第一膜20和第二膜30中的每一个优选地根据其用途具有高的阻隔性。
参考图6,通过三个步骤形成本实施例的器件10(见图1),该三个步骤包括准备步骤(步骤1),布置步骤(步骤2)和密封步骤(步骤3)。然而,本发明不限于此,而是可以根据需要变型器件10的形成方法。以下,对本实施方式的器件10的形成方法进行说明。
参考图7,在准备步骤(见图6)中,准备器件材料组11。器件材料组11包括第一膜20、第二膜30、第一电路构件40和第二电路构件50。参考图8,如前所述,第一电路构件40包括第一接触点48,并且第二电路构件50包括第二接触点58。因此,本实施例的形成方法包括制备第一膜20,第二膜30,第一电路构件40以及第二电路构件50,第一电路构件40包括第一接触点48,第二电路构件50包括第二接触点58。
然后,在布置步骤(参见图6)中,第一膜20,第一电路构件40,第二电路构件50和第二膜30沿Z方向自上向下依次堆叠。同时,第一电路构件40和第二电路构件50在XY平面上位于第一膜20和第二膜30的中间。另外,第一电路构件40和第二电路构件50被布置为使得第一接触点48和第二接触点58在Z方向上彼此面对。另外,第一膜20和第二膜30被布置为使得其两个可熔层146在Z方向上彼此面对。
然后,参考图9,将如上所述布置的器件材料组11容纳在腔室70中。因此,本实施例的形成方法包括布置第一膜20,第一电路构件40,第二电路构件50和第二膜30然后,在第一接触点48和第二接触点58彼此面对的同时,在腔室70中以该顺序堆叠这些部件。
腔室70是能够使其内部空间非常接近真空的器件。本实施例的腔室70包括模具74和热封棒78。将器件材料组11放置在模具74上。此后,随着腔室70的内部空间的空气压力降低,第一膜20和第二膜30被密封。
详细地,本实施例的热封棒78具有加热部782。根据本实施例,加热部782被加热,以具有高于可熔层146的熔点的温度(见图8)。如此加热的加热部782被压在彼此垂直重叠的第一膜20的第一密封部分26和第二膜30的第二密封部分36上,从而第一密封部分26和第二密封部分36被热封。结果,第一电路构件40和第二电路构件50在由第一膜20和第二膜30包围的封闭空间18(见图5)中被封闭。同时,第一接触点48和第二接触点48彼此接触。
因此,本实施例的形成方法包括在对腔室70进行抽真空的状态下密封第一膜20和第二膜30,从而将第一电路构件40和第二电路构件50封闭在由第一膜20和第二膜30围成的密闭空间18中(参考图5),并且第一接点48和第二接点58彼此接触。
根据本实施例的密封步骤,在接近真空的低压下对第一膜20和第二膜30进行热封。根据该形成方法,第一接触点48和第二接触点58在不使用诸如粘合剂的固定构件的情况下牢固地彼此接触。因此,当不再使用器件10(见图1)时,仅通过切断第一密封部分26和第二密封部分36就可以拆卸器件10。另外,第一电路构件40和第二电路构件50可以在具有低压的封闭空间18(见图5)中关闭,从而可以减少例如由于氧化引起的金属部件的劣化。但是,本发明不限于此,而是可以根据需要变型器件10的形成方法和密封方法。
参考图6至图9,根据上述形成方法,通过从准备步骤到密封步骤的步骤,由器件材料组11中的一个形成器件10中的一个(见图1)。然而,本发明不限于此。例如,参考图10,可以准备并布置包括多个器件材料组11的构件。可以对整个构件执行密封步骤(见图6和9)。此外,图10所示的构件可以通过诸如辊的器件移动到腔室70(见图9)中。
除了已经描述的变型之外,可以进一步对本实施例进行各种变型。以下,将对两个变型进行说明。
参考图11和图12,根据本实施例的变型的器件10A由器件材料组11A形成。参考图11,器件材料组11A包括与器件材料组11相同的电路结构12,并且包括由绝缘体制成的一个平板14A,以代替器件材料组11(参见图7)的第一膜20(参见图7)和第二膜30(见图7)。电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。
平板14A在前后方向(X方向)上在其中央即预定部分142A处弯曲,从而形成在Z方向上彼此重叠的第一膜(片材)20A和第二膜(片材)30A。因此,第一膜20A和第二膜30A是彼此重叠的单片膜构件14A的两片。膜构件14A是单个平面片。膜构件14A具有预定部分142A和切割边缘144A。切割边缘144A是膜构件14A在XY平面上的边缘。
本变型例的器件10A可以通过与器件10(参考图1)同样的形成方法来形成。例如,在布置步骤(参见图6)中,电路结构12在Z方向上布置在第一膜20A和第二膜30A之间。
参考图12,器件10A具有类似于器件10(见图1)的结构。例如,第一密封部分26A和第二密封部分36A结合在一起以形成密封迹线16A。第一接触部分28A和第二接触部分38A在接触区域17A中彼此接触。接触区域17A围绕第一内部22和第二内部32的整个边缘。器件10A形成有由第一内部22和第二内部32包围的封闭空间18。第一电路构件40(见图10)和第二电路构件50(见图10)被封闭在封闭空间18内。第一电路构件40的第一接触点48(见图3)和第二接触点58(见图3)彼此接触。
然而,器件10A在以下几点上不同于器件10(参见图1)。首先,第一膜20A和第二膜30A是在预定部分142A处折叠以彼此重叠的两个片材。因此,第一膜20A和第二膜30A在预定部分142A处彼此连接。根据该结构,不需要密封预定部分142A和接触区域17A之间的部分。因此,仅接触区域17A与切割边缘144A之间的部分被密封。换句话说,密封迹线16A仅形成在接触区域17A与切割边缘144A之间。然而,本发明不限于此,而是可以密封预定部分142A和接触区域17A之间的部分。因此,密封迹线16A应至少形成在接触区域17A和切割边缘144A之间。
参考图13和图14,根据本实施例的另一变型的器件10B由器件材料组11B形成。参考图13,器件材料组11B包括与器件材料组11相同的电路结构12,并且包括由绝缘体制成的一个折叠状片材14B,而不是器件材料组11(见图7)的第一膜20(见图7)和第二膜30(见图7)。电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。
折叠状片材14B在XY平面上具有三个连接侧,即预定部分142B,并且在其前端(X侧正端)开口。根据该结构,折叠状片材14B形成有在Z方向上重叠的第一膜(片材)20B和第二膜(片材)30B。因此,第一膜20B和第二膜30B是彼此重叠的单片膜构件14B的两片。膜构件14B是单个折叠状片。膜构件14B具有预定部分142B和切割边缘144B。切割边缘144B是膜构件14B的开口的边缘。
本变型例的器件10B可以通过与器件10(参考图1)相同的形成方法来形成。例如,在布置步骤(见图6)中,电路结构12被放入膜构件14B中,并且沿Z方向布置在第一膜20B和第二膜30B之间。
参考图14,器件10B具有类似于器件10(见图1)的结构。例如,第一密封部分26B和第二密封部分36B结合在一起以形成密封迹线16B。第一接触部分28B和第二接触部分38B在接触区域17B中彼此接触。接触区域17B围绕第一内部22和第二内部32的整个边缘。器件10B形成有由第一内部22和第二内部32包围的封闭空间18。第一电路构件40(见图12)和第二电路构件50(见图12)被封闭在封闭空间18中,第一电路构件40的第一接触点48(见图3)和第二接触点58(见图3)彼此接触。
然而,器件10B在以下几点上不同于器件10(见图1)。首先,第一膜20B和第二膜30B是在预定部分142B处彼此连接的两个片材。因此,第一膜20B和第二膜30B在预定部分142B处彼此连接。根据该结构,不需要密封预定部分142B和接触区域17B之间的部分。因此,仅接触区域17B与切割边缘144B之间的部分被密封。换句话说,密封迹线16B仅形成在接触区域17B和切割边缘144B之间。然而,本发明不限于此,而是可以密封预定部分142B和接触区域17B之间的部分。因此,密封迹线16B应当至少形成在接触区域17B和切割边缘144B之间。
在上述两个变型中,膜构件是一个平面片材或一个折叠形片。然而,根据本发明的膜构件不限于此,而是可以进行各种变型。
参考图1,除了已经描述的变型之外,还可以对器件10进行各种变型。例如,如前所述,器件10除了第一膜20,第二膜30,第一电路构件40和第二电路构件50这四个构件之外,还可以包括另一构件。关于其中器件10包括其他构件的变型进行说明。
与图15与图2进行比较,本变型例的器件10C包括两个弹性构件60C,除了第一膜20,第二膜30,第一电路构件和第二电路构件50之外,器件10不包括两个弹性构件60C。本变型例中的第二电路构件50和第二电路构件50与器件10的构件相同。本变型例的弹性构件60C包括第一弹性构件62C和第二弹性构件64C。参考图1至图4。如图15和图16所示,弹性构件60C与第一电路构件40和第二电路构件50一起被封闭在封闭空间18(见图5)中。第一弹性构件62C Z在方向上位于第一膜20和第一接触点48之间。第二弹性构件64C在Z方向上位于第二膜30与第二接触点58之间。
参考图15,本变型例的每个弹性构件60C是具有弹性的发泡缓冲材料。更具体地,本变型例的每个弹性构件60C是诸如聚氨酯海绵、聚烯烃海绵或氯丁橡胶(CR)海绵的开孔结构。本变型例的开孔结构由可膨胀且可压缩的弹性体和在弹性体中致密地形成的大量的孔形成。孔相互连接以形成开孔。开孔从弹性体向外打开。当开孔结构被压缩时,开孔结构收缩,同时排出孔中的空气。当开孔结构的压缩停止时,开孔结构膨胀以恢复到压缩之前的形状,同时外部空气被吸收到孔中。本变型例的各弹性部件60C是由这种开孔结构构成的优异的缓冲材料。
如图15和图16所示,本变型例的每个弹性构件60C具有主体602C和两个主表面604C。每个弹性构件60C的两个主表面604C在预定方向上或在图15和图16中的Z方向上彼此相对。它们穿过主体602C并沿垂直于预定方向的平面或沿图15和16的XY平面彼此平行地延伸。对于每个弹性构件60C,当主体602C被压缩以使得两个主表面604C在预定方向上彼此靠近时,排出主体602C中包含的空气的一部分,并且当主体602C的压缩停止时,空气流入主体602C。
与图1一起参考图15,与器件10相似地形成器件10C。详细地,与图1和图15一起参考图6,与器件10类似,通过包括准备步骤(步骤1),布置步骤(步骤2)和密封步骤(步骤3)的三个步骤来形成器件10C。以下,对本变型例的器件10C的形成方法进行说明,主要对与器件10的形成方法的不同之处进行说明。
将图16与图8进行比较,在本变型例的准备步骤(见图6)中,准备了器件材料组11C。器件材料组11C除了与器件材料组11相同的第一膜20、第二膜30、第二电路部件40和第二电路部件50之外,器件材料组11C还包括两个弹性构件60C,该弹性构件60C包括第一弹性构件62C和第二弹性构件64C。
然后,在本变型例的布置步骤(参见图6)中,第一膜20,第一弹性构件62C,第一电路构件40,第二电路构件50,第二弹性构件64C和第二膜30沿Z方向从上到下依次层叠。同时,第一弹性构件62C在Z方向上布置在第一膜20和第一电路构件40之间,从而位于第一接触点48的正上方。另外,第二弹性构件64C在Z方向上布置在第二膜30和第二电路构件50之间,从而位于第二接触点58的正下方。
然后,与图16一起参考图9,将如上所述布置的器件材料组11C容纳在腔室70中。将器件材料组11C放置在模具74上。之后,执行与器件10(见图1)的密封步骤(见图6)相似的密封步骤。更具体地,在通过真空抽吸降低腔室70的内部空间的气压的同时,热密封第一膜20和第二膜30。结果,第一电路构件40、第二电路构件50和弹性构件60C被封闭在由第一膜20和第二膜30包围的封闭空间18(见图16)中。同时,第一接触点48和第二接触点58彼此接触。
参考图16,在密封步骤(见图6)中,当腔室70(见图9)的内部空间的气压降低时,第一膜20将第一弹性构件62C压靠在第一电路构件40的位于第一接触点48正后方的部分上,并且第二膜30将第二弹性构件64C压靠在第二电路构件50的位于第二接触点58正后方的部分上。结果,在排出主体602C中的空气的同时,每个弹性构件60C主要在预定方向(Z方向)上被压缩(参见图16的放大图中压缩后的主表面604C的位置,用双点划线表示)。因此,器件10C的每个弹性件60C的厚度或在Z方向上的尺寸非常薄。因此,本变型提供了一种新的并且可以做得更薄的器件10C。
通过压缩的第一弹性构件62C的恢复力,器件10C的第一接触点48被压靠在第二接触点58上。第二接触点58通过压缩的第二弹性构件64C的恢复力压靠在第一接触点48上。根据本变型例,第一接触点48和第二接触点58能够通过两个弹性构件60C进一步稳定地彼此连接,所述两个弹性构件被布置成使得第一接触点48和第二接触点58被夹在并压在它们之间。
即使在使用中空气流入器件10C的封闭空间18中,空气也被吸收到弹性构件60C中。在这种情况下,由于仅略微减小了每个弹性构件60C的恢复力,所以可以减小第一接触点48和第二接触点58之间的接触力的变化。此外,包括弹性构件60C的器件10C即使被弯曲也几乎不被损坏。本变型例提供了可以在各种环境下长时间稳定工作的器件10C。
本变型例可以进一步如下所述进行各种变型。
参考图15,每个弹性构件60C具有矩形平板形状。每个弹性构件60C在XY平面中的尺寸与第一接触点48和第二接触点58的每个在XY平面中的尺寸大约相同。然而,本发明不限于此。例如,每个弹性构件60C的形状没有特别限制。弹性构件60C在XY平面上的尺寸没有特别限制,只要弹性构件60C能够在封闭空间18(参见图5)中闭合以使第一接触点48和第二接触点彼此压靠即可。因此,第一弹性构件62C应至少部分位于第一膜20与第一接触点48之间,并且第二弹性构件64C应至少部分地位于第二膜30和第二接触点58之间。
例如,每个弹性构件60C在XY平面中的尺寸可以与第一电路构件40和第二电路构件50在XY平面中的尺寸大约相同。如上所述,在使每个弹性构件60C的尺寸较大的情况下,即使空气流入封闭空间18,也可以减小弹性构件60C的膨胀。另外,在布置步骤(见图6)中,可以容易地布置均具有大尺寸的弹性构件60C,以对应于第一接触点48和第二接触点58。特别地,特别地,即使当第一接触点48和第二接触点的数量分别为第二接触点58的数量为两个以上时,在布置步骤中也能够容易地布置每个都具有大尺寸的弹性构件60C,而不增加弹性构件60C的数量。
本变型例的弹性构件60C包括第一弹性构件62C和第二弹性构件64C。然而,本发明不限于此。例如,弹性构件60C可以仅包括第一弹性构件62C和第二弹性构件64C中的一个。可替代的,第一弹性构件62C的数量和第二弹性构件64C的数量可以分别为两个以上。因此,器件10C应包括一个或多个弹性构件60C。弹性构件60C可以包括第一弹性构件62C和第二弹性构件64C中的至少一个。
每个弹性构件60C可以由不同于开孔结构的材料形成。例如,每个弹性构件60C可以由闭孔结构形成,该闭孔结构包括彼此独立的大量孔,以类似于开孔结构工作。更具体地,闭孔结构可以由向外开口的孔形成,使得孔中的空气在压缩时被排出。每个弹性构件60C可以由两个通过大量的弹簧彼此连接的平板形成,从而类似于开孔结构工作。而且,每个弹性构件60C可以由诸如橡胶的弹性体形成,其不包含任何开孔。然而,当每个弹性构件60C由不包含开孔的弹性体形成时,在压缩时弹性变型的部分可能不平衡,从而第一接触点48或第二接触点58不能被完全均匀地挤压。因此,从第一接触点48和第二接触点58之间的稳定连接的观点来看,每个弹性构件60C优选地由开孔结构形成。
参考图15以及图1、图12和图14,本变型例的器件10C能够与上述的器件10,器件10A以及器件10B同样地进行变型。例如,器件10C的膜构件14可以是一张平板片材,或者可以是一张折叠状片材。器件10C的形成方法也可以与器件10的形成方法类似地变型(例如,参见图10)。
尽管已经描述了被认为是本发明的优选实施例,但是本领域技术人员将认识到,在不脱离本发明的精神的情况下,可以对其进行其他和进一步的变型,并且其旨在要求保护所有落入本发明真实范围内的实施例。

Claims (15)

1.一种器件,包括第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件,其特征在于:
第一膜具有第一内部和第一外部;
第一内部位于第一外部的内侧;
第二膜具有第二内部和第二外部;
第二内部位于第二外部的内侧;
第一外部具有第一密封部分和第一接触部分;
第二外部具有第二密封部分和第二接触部分;
第一密封部分和第二密封部分结合在一起以形成密封迹线;
第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触;
接触区域围绕第一内部和第二内部的整个边缘;
该器件形成有被第一内部和第二内部包围的封闭空间;
第一电路构件和第二电路构件封闭在封闭空间中;
所述第一电路构件包括第一接触点;
第二电路构件包括第二接触点;以及
第一接触点和第二接触点彼此接触。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一密封部分和所述第二密封部分通过热密封结合在一起。
3.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述第一膜和所述第二膜分别包括两层,所述两层由通过热封可熔融的可熔层和通过所述热封不可熔融的不可熔层组成。
4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于:
第一膜和第二膜是单个膜构件的彼此重叠的两片;
膜构件具有预定部分和切割边缘;
第一膜和第二膜在预定部分处彼此连接;以及
密封迹线至少形成在接触部分和切割边缘之间。
5.根据权利要求4所述的器件,其特征在于:
膜构件是单个平面片才;和
第一膜和第二膜是在预定部分折叠以彼此重叠的两个片。
6.根据权利要求4所述的器件,其特征在于:
膜构件是单个折叠状片材;和
第一膜和第二膜是在预定部分彼此连接的两个片。
7.根据权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一电路构件具有第一基部和第一导电图案。
第一基部由绝缘膜形成;
第一导电图案形成在第一基部上并具有第一接触点;
第二电路构件具有第二基部和第二导电图案;
第二基部由绝缘膜形成;以及
第二导电图案形成在第二基部上并具有第二接触点。
8.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一膜和所述第二膜中的每一个都具有高阻隔性。
9.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,所述第一膜和所述第二膜中的每一个都具有对氧气的高阻隔性。
10.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,所述第一膜和所述第二膜中的每一个具有对水蒸气的高阻隔性。
11.根据权利要求1所述的器件,其特征在于:
该器件包括一个或多个弹性构件;
弹性件封闭在封闭空间内;
弹性构件包括第一弹性构件和第二弹性构件中的至少一个;
第一弹性构件至少部分地位于第一膜和第一接触点之间;以及
第二弹性构件至少部分地位于第二膜和第二接触点之间。
12.根据权利要求11所述的器件,其特征在于:
每个弹性构件具有主体和两个主表面。
每个弹性构件的两个主表面在在预定方向上彼此相对地定位在主体上;以及
对于每个弹性构件,当压缩主体以使得两个主表面在预定方向上彼此靠近时,主体中所包含的一部分空气被排出,并且当主体的压缩停止时,空气流入主体中。
13.如权利要求12所述的器件,其特征在于,每个弹性构件是开孔结构。
14.一种器件的形成方法,其特征在于,该器件包括第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件,该形成方法包括:
制备第一膜,第二膜,第一电路构件和第二电路构件,第一电路构件包括第一接触点,第二电路构件包括第二接触点;
在第一接触点和第二接触点彼此面对的情况下,将第一膜,第一电路构件,第二电路构件和第二膜中依次堆叠的腔室中;以及
在对腔室进行抽真空的状态下密封第一膜和第二膜,从而将第一电路构件和第二电路构件封闭在由第一膜和第二膜所包围的封闭空间中,并且第一接触点和第二接触点彼此接触。
15.根据权利要求14所述的形成方法,其特征在于,在所述密封中,将所述第一膜和所述第二膜热封。
CN202110072581.XA 2020-03-18 2021-01-20 器件及器件的形成方法 Pending CN113496964A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-047177 2020-03-18
JP2020047177 2020-03-18
JP2020-131420 2020-08-03
JP2020131420A JP2021153164A (ja) 2020-03-18 2020-08-03 デバイス及びデバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113496964A true CN113496964A (zh) 2021-10-12

Family

ID=77886729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110072581.XA Pending CN113496964A (zh) 2020-03-18 2021-01-20 器件及器件的形成方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2021153164A (zh)
KR (1) KR102495771B1 (zh)
CN (1) CN113496964A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023113372A (ja) * 2022-02-03 2023-08-16 日本航空電子工業株式会社 デバイス

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5776278A (en) * 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
JP3537400B2 (ja) 2000-03-17 2004-06-14 松下電器産業株式会社 半導体内蔵モジュール及びその製造方法
JP2006216758A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Three M Innovative Properties Co プリント回路基板の接続方法
KR101306190B1 (ko) * 2010-12-02 2013-09-09 주식회사 엘지화학 절연성이 향상된 이차전지

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021153164A (ja) 2021-09-30
KR102495771B1 (ko) 2023-02-06
KR20210117143A (ko) 2021-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8986861B2 (en) Electricity accumulation device
JP5526475B2 (ja) 薄型電池
JP4600632B2 (ja) 燃料電池用構成部品
US20050201034A1 (en) Anisotropic conductive sheet
CN114630537B (zh) 器件及其形成方法
CN113496964A (zh) 器件及器件的形成方法
EP4081003A1 (en) Device comprising a circuit member sealed by a film
US11315809B2 (en) Device and forming method of device
EP4081002A1 (en) Device comprising a circuit member sealed by a film
EP3882014A1 (en) Device and forming method of device
US10546700B2 (en) Laminate-type power storage element and method of implementing the same
US10553908B2 (en) Method of manufacturing a laminated power storage element
JP6868399B2 (ja) ラミネート型蓄電素子
JP2002231197A (ja) 電池の封口構造および電池並びにその製造方法
JP6876425B2 (ja) ラミネート型蓄電素子
EP1655794A2 (en) Double-electrode plate with electrical circuitry layer laminate and the secondary battery with the same
JPS6337922A (ja) 熱圧着方法
JP2022159982A (ja) デバイス
JPH05246185A (ja) Icカード及びその製造方法
JPH11306914A (ja) 実装メンブレンスイッチ及びその製造方法
JPH0376198A (ja) 電子装置のカード型パッケージング
JP2020053260A (ja) 蓄電モジュールの製造方法及び蓄電モジュールの製造装置
JP2018037338A (ja) 蓄電素子
JP2002185086A (ja) 配線組立体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination