CN113496664A - 显示面板的测试及分析方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示面板的测试及分析方法，包括：提供一显示面板，该显示面板具有一电路以及一画素，该画素连接到该电路，其中该画素具有一电容器、一晶体管以及一电极，该电极电性连接到该电容器及该晶体管；测量该显示面板的一第一参数；关闭该画素；测量该显示面板的一第二参数；以及通过该第一参数减掉该第二参数以取得一第三参数。

Description

显示面板的测试及分析方法
技术领域
本公开是涉及一种显示面板的分析方法。特别是涉及一种取得与在该显示面板中的一或多个组件相关的一参数。再者，本公开是涉及一种显示面板的制备方法。特别是涉及一种多个显示器的制备方法，该方法包括分析一或多个显示面板。
背景技术
制造显示面板(例如液晶显示面板(liquid crystal display(LCD)panel)、薄膜晶体管液晶显示面板(thin-film transistor(TFT)LCD panel)或者是有机发光二极管面板(organic light-emitting diode(OLED)panel))之后，是以如一探针卡(probe card)的一探测元件(probing device)测试该显示面板。随着电子科技的进步，该显示面板具有大量的半导体组件，例如晶体管、电容器等等，其是具有非常小的尺寸并提供先进的功能。因此，当科技持续进步时，显示面板的测试则渐渐地变得复杂。而为了保持测试持续时间最小化，则需要快速地测试显示面板。
由于关于在显示面板内的所述组件的参数(例如电容、电流等等)是为非常小的尺度，因此很困难或者是不可能在一短期间内直接的测量如此参数。按惯例，所述参数是依据模拟或计算所获得。然而，因为在显示面板的所述组件制造期间的变异(variation)，可显著地降低模拟的精确度(accuracy)，因此模拟的精确度是低的(例如50％或更低)。
制造所产生的变异是无法避免的。因此，无法通过模拟而精确地获得关于在显示面板中的所述组件的所述参数。模拟参数会因为制程偏离而与实质参数有所变异，影响最后测试结果的判读与分析，实际测量个别参数并提取个别数据最为准确。据此，有持续的需要来改善在显示面板中的所述组件的所述参数所得到的精确度。
上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。
发明内容
本公开的一实施例提供一种显示面板的分析方法。该分析方法包括：提供一显示面板，该显示面板包括一电路以及一画素，该画素连接到该电路，其中该画素具有一电容器、一晶体管以及一电极，该电极连接到该电容器及该晶体管；测量该显示面板的一第一参数；关闭(disabling)该画素；测量该显示面板的一第二参数；以及通过该第一参数减掉该第二参数以取得一第三参数。
在本公开的一些实施例中，该画素的关闭是在该显示器的该第二参数的测量之前执行。
在本公开的一些实施例中，通过断开该电路与该画素的连接或者是切断该画素的该电极，以关闭该画素。
在本公开的一些实施例中，通过具有一预定图案的一光罩形成该画素的该电极，以关闭该画素。
在本公开的一些实施例中，该第一参数包括该电路的一寄生电容以及该画素的该电容器的一电容。
在本公开的一些实施例中，该第二参数包括该电路的一寄生电容。
在本公开的一些实施例中，所述的显示面板的分析方法还包括：在该第一参数的测量与该第二参数的测量之前或期间，将一电信号传送至该显示面板。
在本公开的一些实施例中，该电信号是从一探针卡的一探针传送至该显示面板。
在本公开的一些实施例中，该第一参数包括该电路的一寄生电容、该探针卡的一寄生电容以及该画素的该电容器的一电容。
在本公开的一些实施例中，该画素的该电容是具有毫微微法拉(femto farad(fF))大小的电容。
在本公开的一些实施例中，该显示面板为一薄膜晶体管液晶显示面板(thin filmtransistor-liquid crystal display(TFT-LCD)panel)、一液晶显示面板(LCD panel)，或是有机发光二极管面板(organic light-emitting diode(OLED)panel)。
在本公开的一些实施例中，该晶体管为一薄膜晶体管(thin-film transistor(TFT))，而该电容器是经配置以存储或释放电能。
本公开的另一实施例提供一种显示面板的制备方法。该制备方法包括：制造一第一显示面板，该第一显示面板具有一第一电路以及一第一画素，该第一画素连接到该第一电路，其中该第一画素具有一第一电容器以及一第一电极，该第一电极电性连接到该第一电容器；制造一第二显示面板，该第二显示面板具有一第二电路以及一第二画素，该第二画素连接到该第二电路，其中该第二画素具有一第二电容器以及一第二电极，该第二电极电性连接到该第二电容器；将一电信号传送至该第一显示面板；测量该第一显示面板的一第一参数；将该电信号传送至该第二显示面板；测量该第二显示面板的一第二参数；以及通过该第一参数减掉该第二参数以取得该第一画素或该第二画素的一第三参数；其中该第二显示面板的制造包括关闭该第二画素。
在本公开的一些实施例中，该第二参数的测量是在该第二画素的关闭之后执行。
在本公开的一些实施例中，该第二显示面板的制造包括通过激光切断该第二电极。
在本公开的一些实施例中，该第二显示面板的制造还包括：将具有一预定图案的一光罩置放在该第二显示面板上；以及移除该第二电极透过该光罩暴露的一部份。
在本公开的一些实施例中，该第一参数大致地大于该第二参数与该第三参数。
在本公开的一些实施例中，该第一电极与该第二电极包含氧化铟锡(indium tinoxide(ITO))。
在本公开的一些实施例中，该第一画素包括多个第一画素单元，所述第一画素单元是以矩阵形式设置在该第一显示面板上，或者是该第二画素包括多个第二画素单元，所述第二画素单元以矩阵形式设置在该第二显示面板上。
在本公开中，该漏极应力源与该源极应力源是用来增加该基底的内原子间距，也因此产生具有一应变硅层的一层。在该应变硅层中的所述载子的移动率可显著地大于现有的所述硅层。结合该埋入式栅极结构与所述埋入式接触点的特征，导致产品具有较佳效能、较低能量损耗以及较佳的可靠度。
上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。
图1为依据本公开一些实施例中一种显示面板的顶视示意图。
图2为依据本公开一或多个实施例中一种显示面板以测试分析参数。
图3为依据本公开一或多个实施例另一种显示面板以测试分析参数。
图4为依据本公开一或多个实施例另一种显示面板以测试分析参数。
图5为依据本公开一或多个实施例中一种显示面板的分析方法的流程示意图。
图6为依据本公开一或多个实施例中一种多个显示面板的制备方法的流程示意图。
其中，附图标记说明如下：
100：显示面板
101：电路
102：画素
103：电容器
104：晶体管
105：电极
S100：分析方法
S101：步骤
S102：步骤
S103：步骤
S104：步骤
S105：步骤
S200：制备方法
S201：步骤
S202：步骤
S203：步骤
S204：步骤
S205：步骤
S206：步骤
S207：步骤
具体实施方式
本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部份的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。
“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。
为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了详细说明之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于详细说明的内容，而是由权利要求定义。
图1为依据本公开一些实施例中一种显示面板100的顶视示意图。在一些实施例中，显示面板100具有多个画素102，是如图1所示呈矩阵(matrix)或是阵列(array)形式设置。在一些实施例中，各画素102可以一驱动IC进行驱动，所述驱动IC是围绕显示面板100的一周围设置。由于一画素102与其相对应的驱动IC之间的一距离不同于另一画素102与其相对应的驱动IC之间的一距离，因此一画素102的参数(parameters)可不同于另一画素102所测量到的参数。举例来说，一较长的距离、因为线路的较长的长度所造成的一较高的电阻。然而，在针对显示面板100的电子测试模拟期间，如此的差异并不会被考虑进去的。举例来说，如此的差异将对瑕疵彩晕(mura defect)检测的精确度(accuracy)产生不利的影响。因此，需要关切测试结果的精确度。
在本公开中，是公开一种显示面板的分析方法。该分析方法包括提供一显示面板，该显示面板具有一电路以及一画素，该画素连接到该电路；测量该显示面板的一第一参数；关闭该画素；在关闭该画素之后，测量该面板的一第二参数；以及通过该第一参数减掉该第二参数以取得该画素的一第三参数。由于显示面板的所述参数是直接从显示面板进行测量，因此将改善或提升测量的精确度(相较于通过模拟所取得的测量的精确度)。因此，亦可改善显示面板的可靠度(reliability)。
图5是表示一实施例中的显示面板100的一分析方法S100的流程示意图。该方法S100包括步骤S101、S102、S103、S104以及S105。在一些实施例中，在显示面板100的制造期间或之后，执行所述步骤S101、S102、S103、S104以及S105。
在步骤S101中，提供一显示面板100。在一些实施例中，显示面板100为一面板，是经配置以发射光线或是发射一预定波长的电磁辐射。在一些实施例中，显示面板100为具有一小厚度的平板。在一些实施例中，显示面板100可为一薄膜晶体管液晶显示面板(thinfilm transistor-liquid crystal display(TFT-LCD)panel)、一液晶显示面板(LCDpanel)、一有机发光二极管面板(organic light-emitting diode(OLED)panel)，或其类似物。
在一些实施例中，显示面板100具有一电路101以及一画素102，画素102连接到电路101。在一些实施例中，显示面板100具有多个画素102，是呈阵列或矩阵形式设置。画素102重复地设置在显示面板100上。在一些实施例中，电路101具有多个导线以及多个电子组件，所述电子组件是以所述导线连接。在一些实施例中，电路101经配置以控制一或多个画素102。
在一些实施例中，画素102具有一电容器103、一晶体管104以及一电极105，电极105电性连接电容器103与晶体管104。在一些实施例中，电容器103为一存储电容器，是经配置以在一预定电压的应用下存储电能。在一些实施例中，电容器103是经配置以释放存储在电容器103内的电能。在一些实施例中，电容器103具有一电容(capacitance)，其为毫微微法拉第(femto farad(fF))大小，其为一非常小的尺度。在一些实施例中，晶体管104是电性连接电路101。
在一些实施例中，晶体管104可为一薄膜晶体管(thin-film transistor(TFT))、包括一玻璃基板的一晶体管，或其类似物。在一些实施例中，晶体管104是当成用于画素102的一切换开关(switch)。在一些实施例中，晶体管104是经配置以快速地控制画素102的状态(state(s))，以一高速开启画素102或关闭画素102。
在一些实施例中，画素102的电极105包含透明材料，例如氧化铟锡(indium tinoxide(ITO))。在一些实施例中，画素102包括相对设置的一对电极105。在一些实施例中，该对电极105具有一画素电极以及一共用电极(common electrode)。画素电极电性连接晶体管104，而共同电极电性接地。在一些实施例中，一液晶是配置在画素电极与共同电极之间。一数据信号可经由晶体管104而传送到画素电极，而画素电极与共同电极之间的一电压差透过液晶而产生一电场，以改变画素102的光传输特性(light-transmitting property)。
在步骤S102中，是测量显示面板100的一第一参数。在一些实施例中，是在制造显示面板100的一中间阶段期间或是制造显示面板100之后获得显示面板100的第一参数。在一些实施例中，第一参数可为任何与显示面板100相关的可测量参数，例如电容、电流、电阻、漏电流等等。在一些实施例中，第一参数包括电路101的一寄生电容(parasiticcapacitance)以及画素102的电容器103的一电容(capacitance)。在一些实施例中，第一参数包括电路101的一寄生电容、用于测试显示面板100的一探针卡(probe card)的一寄生电容，以及画素102的电容器103的一电容。
在一些实施例中，在第一参数的测量之前或期间，一电信号是传输至显示面板100。在一些实施例中，电信号是从一探针卡的一探针传送至显示面板100。在一些实施例中，一输出信号是从显示面板100的电路101传送至探针卡的探针。
在步骤S103中，关闭(disabled)画素102。在一些实施例中，是在第一参数的测量之后关闭画素102。在一些实施例中，是在制造显示面板100的一中间阶段期间或是制造显示面板100之后，执行画素102的关闭。在一些实施例中，可通过断开显示面板100的电路101与画素102之间的连接，以关闭画素102。在一些实施例中，可通过切断画素102的电极105以实施画素102的断开连接。在一些实施例中，是通过激光或其他任何适当的工具切断画素102的电极105。在一些实施例中，可在显示面板100的制造期间，通过透过具有一预定图案的光罩以形成画素102的电极105，以关闭画素102。在一些实施例中，是可通过桥接画素102的所述电极105(短路)，以实施画素102的断开连接。在一些实施例中，可以通过断开晶体管104和电容器103之间的电路径，测量晶体管104的漏电流，如图2所示。在一些实施例中，可以通过去除晶体管104，测量电容器103的漏电流和电容，如图3所示。在一些实施例中，可以通过去除电容器103，测量晶体管104的电流和电压。
在步骤S104中，是测量显示面板100的一第二参数。在一些实施例中，在制造显示面板100的一中间阶段期间或是制造显示面板100之后，是取得显示面板100的第二参数。在一些实施例中，画素102的关闭是在显示面板100的第二参数的测量之前执行。
在一些实施例中，第二参数是为关于显示面板100的任何可测量参数，例如电容、电流、电阻、漏电流等等。在一些实施例中，第二参数与第一参数是反映出显示面板100相同种类的物理特性。举例来说，若是第一参数为显示面板100的一电容，则当画素102关闭时，第二参数是亦为显示面板100的一电容。
在一些实施例中，第二参数包括电路101的寄生电容。在一些实施例中，第二参数包括电路101的寄生电容以及用于测试显示面板100的一探针卡的寄生电容。由于在第二参数测量之前或期间关闭画素102，因此不包括画素102的一或多个参数。
在一些实施例中，在第二参数的测量之前或期间，一电信号是传送至显示面板100。在一些实施例中，电信号是从一探针卡的一探针传送至显示面板100。在一些实施例中，一输出信号是从显示面板100的电路101传送至探针卡的探针。
在步骤S105中，是依据第一参数与第二参数而取得画素102的一第三参数。在一些实施例中，是通过第一参数减掉第二参数以取得第三参数。在一些实施例中，第三参数为第二参数从第一参数的一偏移(offset)。在一些实施例中，第三参数为画素102的一电容。在一些实施例中，第三参数为画素102的电容器103的一电容。
在第一参数与第二参数的测量之后，是依据计算以获得第三参数。举例来说，第一参数为显示面板100的一总电容，第二参数为显示面板100的一电容且没有画素102的一电容，而因此可通过显示面板100的总电容减掉显示面板100的电容且没有画素102的电容，以获得画素102的电容。由于是依据第一参数与第二参数的直接测量以取得画素102的第三参数，因此改善第三参数的精确度(例如相较于模拟结果所获得的精确度)。再者，在直接测量期间，亦包括电性连接到显示面板100的其他电子组件/元件的寄生参数(例如测试器、探测单元、探针或其类似物)，于此同时，在模拟期间并不包括那些寄生参数。因此，通过直接测量所获得的结果是比通过模拟所获得的结果更精确。在所述分析方法S100实施之后，显示面板100是可透过分析方法S100所依据的精确测量而可进行量产。
图6是表示一实施例中多个显示面板100的制备方法S200。在一些实施例中，制备方法S200是为制备许多显示面板的一部分。制备方法S200包括步骤S201、S202、S203、S204、S205、S206以及S207。在一些实施例中，步骤S201、S202、S203、S204、S205、S206以及S207是为多个显示面板100的制备方法的某些步骤。
在步骤S201中，是制造或提供一第一显示面板。在一些实施例中，第一显示面板是与如上所述或如图1所示的显示面板100相同。在一些实施例中，第一显示面板包括一第一电路以及一第一画素，该第一画素连接到该第一电路。在一些实施例中，第一电路是与如上所述或如图1所示的电路101相同。在一些实施例中，第一画素是与如上所述或如图1所示的画素102相同。在一些实施例中，第一画素包括一第一电容器、一第一晶体管以及一第一电极，该第一电极电性连接到该第一电容器与该第一晶体管。在一些实施例中，第一电容器、第一晶体管以及一第一电极是与如上所述或如图1所示的电容器103、晶体管104以及电极105相同。
在步骤S202中，是制造或提供一第二显示面板。在一些实施例中，第二显示面板是与如上所述或如图1所示的显示面板100相同。在一些实施例中，第二显示面板是类似于在步骤S201所制造或提供的第一显示面板。在一些实施例中，第一显示面板与第二显示面板是来自于相同的制造批量。
在一些实施例中，第二显示面板的制造包括关闭第二画素。在一些实施例中，是在制造第二显示面板的一中间阶段期间或是制造第二显示面板之后，执行第二画素的关闭。在一些实施例中，是可通过断开第二显示面板的第二电路与第二画素的连接，以关闭第二画素。在一些实施例中，可通过切断第二显示面板的第二电极，以实施第二画素的断开连接。在一些实施例中，是通过激光或其他任何合适的工具切断第二画素的第二电极。在一些实施例中，在制造第二显示面板期间，可通过透过具有一预定图案的光罩形成第二画素的第二电极，以关闭第二画素。在一些实施例中，可通过将具有一预定图案的光罩置放在第二显示面板上，以实施第二画素的关闭，之后移除第二电极透过光罩所暴露的一部分。在一些实施例中，通过微影(photolithography)与蚀刻，以实施第二画素的关闭。
在步骤S203中，一电信号传送至第一显示面板。在一些实施例中，电信号从一探针卡的一探针传送至第一显示面板。在一些实施例中，一输出信号从第一显示面板的第一电路传送至探针卡的探针。
在步骤S204中，测量第一显示面板的一第一参数。在一些实施例中，在制造第一显示面板的一中间阶段期间或是制造第一线是面板之后，是获得第一显示面板的第一参数。在一些实施例中，第一参数是可为任何关于第一显示面板的可测量参数，例如电容、电流、电阻、漏电流等等。在一些实施例中，第一参数包括第一电路的一寄生电容以及第一画素的第一电容器的一电容。在一些实施例中，第一参数包括第一电路的一寄生电容、用于测试第一显示面板的一探针卡的一寄生电容，以及第一画素的电容器的一电容。
在步骤S205中，一电信号传送至第二显示面板。在一些实施例中，电信号从一探针卡的一探针传送至第二显示面板。在一些实施例中，一输出信号从第二显示面板的第二电路传送至探针卡的探针。在一些实施例中，在电信号传送至第二显示面板之前，例如在步骤S205执行之前，关闭第二画素。
在步骤S206中，测量第二显示面板的一第二参数。在一些实施例中，在制造第二显示面板的一中间阶段期间或是制造第二显示面板之后，是获得第二显示面板的第二参数。在一些实施例中，是在第二显示面板的第二参数的测量之前，即关闭第二画素，意即在步骤S206执行之前。在关闭第二画素之后，是执行第二参数的测量。
在一些实施例中，第二参数是可为关于第二显示面板的任何可测量猜数，例如电容、电流、电阻、漏电流等等。在一些实施例中，第二参数与第一参数是反映出第一与第二显示面板相同种类的物理特性。举例来说，若是第一参数为第一显示面板的一电容，则当第二画素关闭时，第二参数是亦为第二显示面板的一电容。
在一些实施例中，第二参数包括第二电路的寄生电容。在一些实施例中，第二参数包括第二电路的寄生电容以及用于测试第二显示面板的一探针卡的寄生电容。由于在第二参数测量之前或期间，是关闭第二画素，因此并不包括第二画素的一或多个参数。在一些实施例中，第一参数是大致地大于第二参数。
在步骤S207中，是取得一第三参数。在一些实施例中，第三参数是相关于第一画素或第二画素。在一些实施例中，是通过第一参数减掉第二参数而取得第三参数。在一些实施例中，第三参数是为第二参数从第一参数的一偏移。在一些实施例中，第一参数是大致地大于第二参数与第三参数。
在一些实施例中，第三参数是为第一画素的一电容或第二画素的一电容。在第一参数与第二参数的测量之后，是依据计算以获得第三参数。举例来说，第一参数为第一显示面板的一总电容，第二参数为第二显示面板的一总电容且没有第二画素的一电容，而因此可通过第一显示面板的总电容减掉第二显示面板的总电容且没有第二画素的电容，以获得第二画素的电容。在一些实施例中，由于第一显示面板与第二显示面板是为相同的制造批量所制造，因此第二画素的架构大致地与第一画素的架构相同。因此，第二画素的电容大致地等于第一画素的电容。由于是依据第一参数与第二参数的直接测量以取得画素的第三参数，因此改善第三参数的精确度(例如相较于模拟结果所获得的精确度)。
虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多制程，并且以其他制程或其组合替代上述的许多制程。
再者，本申请的范围并不受限于说明书中所述的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的揭示内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质上相同结果的现存或是未来发展的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，此等制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本申请案的权利要求内。

Claims (19)

1.一种显示面板的分析方法，包括：
提供一显示面板(100)，该显示面板包括一电路(101)以及一画素(102)，该画素连接到该电路，其中该画素具有一电容器(103)、一晶体管(104)以及一电极(105)，该电极连接到该电容器及该晶体管；
测量该显示面板的一第一参数；
关闭该画素；
测量该显示面板的一第二参数；以及
通过该第一参数减掉该第二参数以取得一第三参数。
2.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该画素的关闭是在该显示器的该第二参数的测量之前执行。
3.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，通过断开该电路与该画素的连接或者是切断该画素的该电极，以关闭该画素。
4.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，通过具有一预定图案的一光罩形成该画素的该电极，以关闭该画素。
5.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该第一参数包括该电路的一寄生电容以及该画素的该电容器的一电容。
6.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该第二参数包括该电路的一寄生电容。
7.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，还包括在该第一参数的测量与该第二参数的测量之前或期间，将一电信号传送至该显示面板。
8.如权利要求7所述的显示面板的分析方法，其中，该电信号是从一探针卡的一探针传送至该显示面板。
9.如权利要求8所述的显示面板的分析方法，其中，该第一参数包括该电路的一寄生电容、该探针卡的一寄生电容以及该画素的该电容器的一电容。
10.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该画素的该电容是具有毫微微法拉大小的电容。
11.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该显示面板为一薄膜晶体管液晶显示面板、一液晶显示面板，或是有机发光二极管面板。
12.如权利要求1所述的显示面板的分析方法，其中，该晶体管为一薄膜晶体管，而该电容器是经配置以存储或释放电能。
13.一种显示面板的制备方法，包括：
制造一第一显示面板(100)，该第一显示面板具有一第一电路(101)以及一第一画素(102)，该第一画素连接到该第一电路，其中该第一画素具有一第一电容器(103)以及一第一电极(105)，该第一电极电性连接到该第一电容器；
制造一第二显示面板(100)，该第二显示面板具有一第二电路(101)以及一第二画素(102)，该第二画素连接到该第二电路，其中该第二画素具有一第二电容器(103)以及一第二电极(105)，该第二电极电性连接到该第二电容器；
将一电信号传送至该第一显示面板；
测量该第一显示面板的一第一参数；
将该电信号传送至该第二显示面板；
测量该第二显示面板的一第二参数；以及
通过该第一参数减掉该第二参数以取得该第一画素或该第二画素的一第三参数；
其中该第二显示面板的制造包括关闭该第二画素。
14.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中，该第二参数的测量是在该第二画素的关闭之后执行。
15.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中，该第二显示面板的制造包括通过激光切断该第二电极。
16.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中，该第二显示面板的制造还包括：
将具有一预定图案的一光罩置放在该第二显示面板上；以及
移除该第二电极透过该光罩暴露的一部份。
17.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中，该第一参数大于该第二参数与该第三参数。
18.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中该第一电极与该第二电极包含氧化铟锡。
19.如权利要求13所述的显示面板的制备方法，其中，该第一画素包括多个第一画素单元，所述第一画素单元是以矩阵形式设置在该第一显示面板上，或者是该第二画素包括多个第二画素单元，所述第二画素单元以矩阵形式设置在该第二显示面板上。
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