KR20050107751A

KR20050107751A - 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20050107751A
Application number: KR1020057014433A
Authority: KR
Inventors: 고 데지마; 도시아키 우에노
Original assignee: 애질런트 테크놀로지스, 인크.
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2004-01-28
Publication date: 2005-11-15
Also published as: CN1748151A; JP2004264348A; TW200419165A; US20060097744A1; WO2004070403A1

Abstract

박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판에 프로브를 대향시키는 공정과, 상기 기판과 상기 프로브의 사이에 유전성 유체를 공급하는 공정과, 상기 기판과 상기 프로브를 포함하는 폐회로에 전원을 공급하는 공정과, 상기 전원에 의해 상기 폐회로에 흐르는 상기 신호를 검출하는 공정을 포함하는 검사 방법이 개시되어 있다.

Description

박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING THIN FILM TRANSISTOR ACTIVE MATRIX SUBSTRATE}

본 발명은 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.

최근, 액정 모니터나 유기 EL 디스플레이로 대표되는 평판 디스플레이는 높은 화상 품질을 실현하기 위해서 박막트랜지스터(TFT)를 이용한 능동 매트릭스 방식이 주류를 이루고 있다. TFT 방식의 액정 또는 유기 EL 패널의 생산에 있어서, 비싼 액정이나 유기 EL 재료의 낭비를 막기 위해서, TFT 어레이를 유리 기판상에 형성한 단계, 즉 액정의 봉입 또는 유기 EL 도포 공정 이전에, 완성된 TFT 어레이가 동작하는지 여부를 전기적으로 시험하는 TFT 어레이 테스트가 매우 중요하다. 즉, 액정의 봉입 또는 유기 EL 도포 공정 이전에 TFT 어레이를 테스트하는 것에 의해, 특정한 화소를 구동하는 TFT 회로의 전기적 불량을 발견할 수 있어, 결함화소의 구제 처치나, 결함화소를 포함하는 기판을 공정에서 제거함으로써, 비용의 이러한 이후의 공정의 제품 비율을 향상시킬 수 있다.

도 2에 액정 패널에 있어서의 대표적인 1 화소분의 TFT 구동회로의 예를 나타낸다. 도면에 있어서, 참조 번호(50)는 데이터선을, 참조번호(51)는 게이트선을, 참조번호(52)는 공통선을, 참조번호(53)는 액정을, 참조번호(54)는 ITO(인디움 주석 산화물)을 이용한 투명전극을 나타낸다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 구동회로가 매트릭스 형상으로 화소의 수만큼 유리 기판상에 형성된 것을 TFT 어레이로 지칭한다. 상술한 TFT 어레이 테스트는 액정(53)의 봉입전에 행하여지기 때문에, 화소의 수 ITO 전극(54)이 노출된 상태로 검사가 실행된다. 이러한 구동회로의 시험방법으로서는 TFT을 전기적으로 스위칭시켜, 정상적인 전위가 ITO 전극(54)의 표면에 발생하고 있는지 어떤지를 계측하고 판단하는 것이 일반적이다. 전압을 데이터선(50)에 인가한 상태로, 시험대상으로 되는 구동회로의 게이트선(51)에 전압을 인가함으로써, 선택한 TFT 트랜지스터를 온 상태로 설정할 수 있다. 이 때에, ITO 전극(54)에 데이터선의 인가 전압과 같은 전압이 발생하고 있으면 TFT 트랜지스터는 정상이다고 판단할 수 있다.

도 3은 유기 EL 패널에 있어서의 대표적인 1 화소분의 TFT 구동회로의 예를 나타낸다. 도 3에 있어서, 참조 번호(42)는 구동용의 트랜지스터를, 참조 번호(50)는 데이터선을, 참조 번호(51)는 게이트선을, 참조 번호(52)는 공통선을, 참조 번호(54)는 ITO 전극을, 참조 번호(55)는 유기 EL을, 참조 번호(56)는 드라이브선을 나타낸다. 유기 EL 패널은, 액정패널과 달리 유기 EL 자체가 자기 발광하기 때문에 10μA 정도의 구동 전류가 필요하다. 이 때문에, 액정용의 TFT 어레이에 비교해, 구동용의 트랜지스터(42)와 구동전류를 공급하는 드라이브선(56)이 부가되어 있다는 점이 다르다. 유기 EL 패널의 TFT 어레이 테스트도 액정패널과 같이, 비용의 이러한 유기 EL(55) 도포 공정 이전에, 즉 ITO 전극(54)이 노출된 상태로 행하여지는 것이 바람직하다.

이와 같이, TFT 어레이 테스트는 기판상의 ITO 전극(54)이 노출된 상태로 행하여지기 때문에, 화소에 접촉하지 않고서 검사를 할 필요가 있다. 또한, 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판상에는 많은 화소가 존재하기 때문에, 경제성의 관점에서 높은 처리량(throughput)이 요구된다. 이러한 검사 장치로서, 특허 공개 평성 6-27494호 공보 및 일본 특허 공개 2002-22789호 공보에 나타내는 것 같은 비접촉형의 검사 장치가 제안되어 있다. 특허 공개 평성 제 6-27494 호 공보 기재의 장치는, 교류 전류를 인가한 기판에 프로브를 근접시켜, 프로브에 유기되는 전압을 측정함으로써 화소의 결함 유무를 판정하는 장치이다. 또한, 특허 공개 2002-22789호 공보 기재의 장치는, 펄스파 전류를 인가한 화소상의 구동회로에 화소보다 큰 프로브를 근접시켜, 프로브에 유기되는 전압을 측정함으로써 결함의 유무를 판정하는 장치이다.

그러나, 일본국 특허 공개 평성 제 6-27494 호 공보 및 일본 특허공개 2002-22789 호 공보 기재의 장치는, 공기의 유전율은 작기 때문에 프로브를 기판에 충분히 근접시키지 않으면 충분한 측정감도를 얻을 수 없고, 평탄도가 낮도록 면적이 넓은 패널용의 기판을 검사하는 경우에는, 넓은 검지면적을 갖는 프로브를 사용할 수 없다. 이 때문에, 프로브가 정밀한 갭 제어 수단이 필요하여지는 것 외에, 프로브를 이동하는 회수가 많아지기 때문에, 검사의 처리량이 낮게 된다고 하는 문제가 있다.

또한, 유기 EL 패널용의 기판의 경우는, ITO 전극(54)이 접속되어 있는 구동용의 트랜지스터(42)의 단자에는 조금도 부하가 접속되어 있지 않은 상태이기 때문에, 유기 EL 도포 이전의 상태에서는 트랜지스터(42)에 전류가 흐르지 않는다. 이 점, 도 3의 점선으로 나타낸 바와 같이, ITO 전극(54)과 병렬로 미리 검사용의 부하(Ct)를 마련하여 놓은 방법이 있지만, 기판 상에 쓸데없는 공간이 필요하게 되고, 또한 기판 작성 공정도 불어난다고 하는 문제가 있다. 또한, 전류 구동에 있어서의 유기 EL 패널의 검사는 실제의 사용조건과 같은 전류를 흘려 검사를 하는 것이 바람직하지만, 전압구동의 액정패널의 검사장치로 있는 특허 문헌 1 및 2의 장치로 이러한 전류를 흘리고자 하면 큰 인가전압이 필요로 하여지는 결과, 기판과 프로브 사이에서 절연파괴가 일어나게 된다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하여, 높은 처리량으로, 유기 EL 용의 기판의 검사에도 대응 가능한 비접촉형의 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태인 검사 장치의 전체도,

도 2는 액정 패널에 있어서의 대표적인 1 화소분의 TFT 구동회로를 도시하는 도면,

도 3은 유기 EL 패널에 있어서의 대표적인 1 화소분의 TFT 구동회로를 도시하는 도면,

도 4는 본 발명의 실시형태 변형예의 기판과 프로브의 근방도,

도 5는 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서의 TFT 어레이의 1화소와 그 구동회로의 확대도,

도 6은 본 발명의 검사신호의 설명도이며, (a)는 실시형태의 검사신호이며, (b)는 어레이에 화소결함이 없을 때의 전류 파형이고, (c)는 별도의 검사 신호의 예이며, (d)는 화소결함이 없을 때의 검지 파형인 도면,

도 7은 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서의 프로브의 움직임을 도시하는 도면,

도 8은 본 발명의 바람직한 실시형태의 기판과 프로브의 근방도,

도 9는 물의 비유전률의 온도변화를 도시하는 도면,

도 10은 본 발명의 바람직한 실시형태의 프로브 단면을 도시하는 도면,

도 11은 본 발명의 별도의 바람직한 실시형태에 있어서의 기판과 프로브의 근방도.

본 발명은 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판에 신호를 공급하는 신호 공급 수단과, 상기 기판에 대향하여 배치된 프로브와, 상기 프로브에 흐르는 신호를 검출하는 검출 수단을 갖는 검사 장치에 있어서, 상기 기판과 상기 프로브의 사이에 유전성 유체를 공급하는 유체 공급 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 검사장치를 제공하는 것이다.

이 장치에 있어서, 검사시에 기판과 프로브사이에 유전성 유체가 충전되기 때문에 큰 캐패시턴스를 얻을 수 있어, 갭이 넓더라도 고감도 검사가 가능해져, 갭 제어가 용이해진다. 또한, 갭이 넓더라도 좋기 때문에, 기판의 평탄도가 낮더라도 넓은 표면적을 갖는 프로브를 사용할 수 있어, 검사의 처리량을 비약적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 기판과 프로브사이에 유전성 유체가 충전되는 것에 의해, 개방상태에 있는 ITO 전극과 프로브를 큰 용량으로 결합시키는 수 있어, 기판과 프로브사이에 임피던스가 낮은 폐회로를 형성할 수 있으므로, 측정용의 부하가 없는 유기 EL 패널용의 기판의 검사도 실행할 수 있다.

바람직하게는, 상기 신호 공급 수단은, 비정상파 신호를 공급하는 신호 공급 수단으로 구성된다.

바람직하게는, 상기 유전성 유체는 유극성 분자의 액체로 구성된다.

바람직하게는, 상기 유전성 유체는 물로 구성된다.

바람직하게는, 상기 프로브는 복수의 검사용의 전극을 갖도록 구성된다.

바람직하게는, 상기 검출 수단은 상기 프로브에 흐르는 전류를 검출하는 검출 수단으로 구성된다.

또한, 본 발명은 박막 트랜지스터 능동 매트릭스기판에 프로브를 대향시키는 공정과, 상기 기판과 상기 프로브의 사이에 유전성 유체를 공급하는 공정과, 상기 기판, 상기 유전성 유체 및 상기 프로브를 포함하는 폐회로에 신호를 공급하는 공정과, 상기 폐회로에 흐르는 상기 신호를 검출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법을 제공하는 것이다.

바람직하게는, 상기 기판은 액정 패널용 기판으로 구성된다.

바람직하게는, 상기기판은 유기 EL 패널용 기판으로 구성된다.

바람직하게는, 상기 프로브의 검지 면적은 상기 기판상의 화소의 표면적보다도 넓게 되도록 구성된다.

바람직하게는, 상기 유전성 유체를 상기 기판과 상기 프로브 사이에서 배출하는 공정을 또한 포함한다.

바람직하게는, 상기 유전성 유체의 공급량에 의해서, 상기 기판과 상기 프로브와의 간격을 제어한다.

이하에 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태가 되는 검사 장치 및 방법에 대하여 상세히 설명한다. 또, 본 실시형태로서는 유기 EL 패널용의 기판의 검사를 상세히 설명하지만, 마찬가지인 원리와 장치로 액정패널용의 기판의 검사도 실행할 수 있는 것은 분명하다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태의 검사 장치의 전체의 구성을 나타낸다.

도 1에 있어서, 참조 번호(14)는 신호 공급 장치를, 참조 번호(15)는 화소 선택 장치를, 참조 번호(31)는 XY 스테이지를, 참조 번호(32)는 유기 EL 패널용의 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판을, 참조 번호(33)는 프로브를, 참조 번호(34)는 XY 스테이지와 프로브의 위치 제어 장치를, 참조 번호(35)는 물 공급 장치, 참조 번호(37)는 신호 검출 장치, 참조 번호(39)는 물이다. 도 7과 같이, 기판(32)상은 XY 스테이지(3l)에 설치되고, 100μm× 100μm의 크기의 화소(40)가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 위치 제어 장치(34)는 스테이지(31)와 프로브(33)에 접속되어, 스테이지(31)를 X 및 Y 방향으로 이동시켜 기판(32)의 위치 결정을 행함과 동시에, 프로브(33)를 X, Y, Z 방향으로 이동시켜 검사위치에 위치 결정을 한다. 기판(32)과 프로브(33)의 갭 제어는 레이저를 이용한 광학적 수법에 의한 거리의 측정과, 압전 소자에 의한 기계적인 위치 제어에 의해 실행할 수 있다. 물 공급 장치(35)는 프로브(33)에 접속되어, 프로브(33)에 유전성 유체인 물(39)을 공급한다. 여기서, 유전성 유체란 비유전률이 큰 유체이며, 메틸 알콜, 에틸 알콜, 물 등의 유극성 분자의 액체 등이 해당하지만, 본 실시형태에서는, 기판(32)을 부식시키지 않고, 제조 공정에서 사용하는 장치와 공통화가 용이한 순수한 물을 채용했다. 사용한 순수한 물의 도전율은 0.06μ S/cm 이하였다. 물 공급 장치(35)는 본 실시형태와 같이 검사 장치 전용의 것을 마련하더라도 좋고, 기판(32) 제작 공정에서의 기판 세정 장치 등과 공통화해도 좋다. 프로브(33)에는, 도 10과 같이 4개의 단면에 각각 물(39)의 급배수를 행하는 급배수관(20)이 마련되고, 또한 그 외측에 질소 가스의 공기 흐름부(21)를 마련하여 물(39)이 프로브의 밖으로 새어나가지 않도록 하고 있다. 물 공급 장치(35)로부터 공급된 물(39)은 프로브(33)의 임의의 단면의 급배수관(20)으로부터 기판(32)과 프로브(33) 사이에 공급되어, 대향하는 변의 급배수관(20)으로부터 배출된다. 또한, 화소 선택 장치(15)는 기판(32)에 접속되어, 검사 대상으로 되는 화소를 선택하는 신호를 공급한다. 신호 공급 수단인 신호 공급 장치(14)는 실사용 상태와 동등의 검사 신호를 기판(32)에 공급한다. 검출 수단인 전류 검출 장치(37)는 프로브(33)에 접속되어, 기판(32)에 흐르는 전류를 검출하여, 각 화소의 회로의 상태를 평가함으로써, 결함의 유무나 결함의 상태를 판정한다.

도 8은 기판(32)과 프로브(33)의 근방을 나타낸 도면이다. 기판(32)상에는 상술한 바와 같이, 구동용의 트랜지스터(42)에 접속된 IT0 전극(54)이 형성되어 있다. 도 8에 있어서, 각 IT0 전극(54)이 패널의 각 화소에 대응하고 있다. 프로브(33)에는, 기판(32)과 대향하는 면에서, 기판(32)상의 화소와 같은 100μ m× 100μ m의 크기의 복수의 전극(41)이 어레이 형상으로 설치된다. 이와 같이, 어레이 형상의 전극(41)을 이용하면, 드라이브선(56) 등의 ITO 전극(54) 이외의 배선과 프로브(33) 사이에 유기되는 캐패시턴스의 영향을 작게 할 수 있어, 고감도인 검사가 가능해진다. 또한, 드라이브선(56)에 공급된 검사용의 신호는, 화소 선택 장치(15)에 의해 도통 상태(온상태)로 된 구동용 트랜지스터(42)에 대응하는 화소에 공급되어, 그 신호를 전극(41)에 접속된 전류 검출 장치(37)로 검출함으로써 결함 화소의 유무와 그 상태를 판정한다.

도 5는 유기 EL 패널에 이용되는 TFT 어레이의 1 화소와 그 구동회로의 설명도이다. 도 5에 있어서 참조 번호(11)는 게이트선 구동회로, 참조 번호(12)는 데이터선 구동회로, 참조 번호(16)는 교류전원, 참조 번호(43)는 화소 선택용 트랜지스터이다. 화소 선택 장치(15)의 일부인 게이트선 구동회로(11)는 복수의 게이트선(51) 중 전부 또는 일부에 접속되어, 검사 대상으로 되는 화소가 접속되어 있는 게이트선(51)에 소정의 전압을 인가한다. 화소 선택 장치(15)의 일부인 데이터선 구동 회로(12)는, 복수의 데이터선(50) 중 전부 또는 일부에 접속되어, 검사 대상이 되는 화소가 접속되어 있는 데이터선(50)에 소정의 전압을 인가한다. 화소 선택용 트랜지스터(43)는 구동용 트랜지스터(42)의 게이트에 접속되어, 구동용 트랜지스터(42)의 동작 상태를 담당한다. 데이터선(50)과 게이트선(51)에 전압이 인가되면 화소 선택용 트랜지스터(15)가 온상태로 되어, 구동용 트랜지스터(42)가 도통상태(온상태)가 된다. 신호 공급 장치(14)의 일부인 교류전원(16)은 드라이브선(56)에 접속되어, 비정상파 신호의 펄스파 신호를 공급한다. 여기서, 비정상파 신호란 펄스파 신호나 정현파 신호등, 시간과 동시에 전압 또는 전류가 변화되는 신호를 말한다.

다음에 검사 장치의 동작을 설명한다. 우선, 측정 대상으로 되는 기판(32)을 스테이지(31) 상에 세트하고, 전류 검출 장치(37)와 화소 선택 장치(15)를 기판(32)에 접속한다. 다음에 위치 제어 장치(34)에 의해 스테이지(31) 및 프로브(33)를 움직여, 프로브(33)를 기판(32)의 검사위치의 위로 이동시켜, 프로브(33)를 기판(32)에 근접시킨다. 본 실시형태에서는 기판(32)과 프로브(33) 사이의 갭을 10μm으로 했다. 그리고 물 공급 장치(35)로부터 기판(32)과 프로브(33)의 사이에 물(39)의 공급을 시작한다. 이 상태에서, 최초로 검사하는 화소의 데이터선(50)과 게이트선(51)에 전압을 인가하여, 검사하는 화소의 구동용 트랜지스터(42)를 도통상태로 한다. 그리고, 신호 공급 장치(14)로 도 6(a)과 같은 펄스파 신호를 인가함으로써 폐회로에 검사 신호를 전압을 인가한다. 패널의 실사용 상태에 가까운 상태에서 검사를 하기 위해서, 유기 EL의 발광에 필요한 10μA의 전류를 인가했다. 또한, 측정 주파수는 10 MHz 이다. 이 때에 폐회로에 흐르는 전류를 전류 검출 장치(37)로써 검지한다. 화소에 결함이 없는 경우에는, 도 6(b)과같이 인가 전압(Vd)과 물(39)의 캐패시턴스에 의한 임피던스(Z)로부터 요구되는 미분파형의 전류 Is(Is= Vd/Z)가 검출된다. 만약에 전류가 흐르지 않거나 극단적으로 적은 경우에는 화소 선택용 트랜지스터(43)나 구동용 트랜지스터(42) 등의 결함이 생각된다. 또한 만약에 큰 전류가 흐르거나, 다른 파형의 신호가 검출되는 경우에는 구동용 트랜지스터(42)나 ITO 전극(54) 등으로부터의 누전이 생각된다. 이렇게 하여 검사 대상의 결함 화소를 검출한다.

이렇게 하여 하나의 화소의 검사가 종료하면, 인접하는 화소의 데이터선(50)과 게이트선(51)에 전압을 인가하여 마찬가지로 검사를 한다. 이렇게 하여 프로브(33)와 대향하는 모든 화소의 검사를 순차적으로 실행한다. 모든 화소의 검사가 종료하면, 도 7과 같이 프로브(33)를 이동하여, 기판(32)상의 모든 화소에 대하여 마찬가지인 검사를 되풀이하여 실행한다.

또, 불순물 혼입에 의한 유전성 유체의 오염방지나 프로브(33)의 이동 용이화를 위해, 검사중에는 항상 새로운 물(39)을 계속해서 공급한다. 이 때, 프로브(33)의 이동방향 전면에 대응하는 단면에 배치된 급배수관(20)으로부터 물(39)을 공급하여, 반대측의 급배수관(20)으로부터 배수함으로써, 검사 화소에 안정된 물(39)을 계속해서 공급할 수 있다.

또, 본 실시형태에서 검사신호로서 도 6(a)와 같은 펄스형 형상의 신호를 이용했지만, 도 6(c)와 같은 정현파형 형상의 신호라도 좋다. 이 경우, 화소에 결함이 없는 전류 검출 장치(37)에는 도 6(d)와 같은 90도 위상이 어긋난 전류(Is)가 검지된다.

또한, 물(39)의 비유전률은 도 9과 같이 온도와 동시에 변화되기 때문에, 검사에 시간이 걸리는 경우나 온도 변화가 있는 환경에서의 경우 등에서 검사를 행하는 경우에는, 온도 제어 장치를 마련하여 물(39)의 온도를 일정하게 유지하도록 하면, 보다 고밀도인 검사가 가능해진다.

또한, 각 화소의 개별 검사에 앞서, 모두 또는 임의의 복수의 화소를 동시에 선택하여, 선택된 화소 중, 프로브(33)가 대향하고 있는 범위의 화소에 결함화소가 포함되어 있는가 아닌가를 일괄 판정하여, 결함화소가 포함되어 있는 경우만 개별화소마다 검사를 하는 검사방법을 취함으로써, 또한 높은 처리량의 검사를 할 수 있다.

이상과 같은 실시 형태에 의해, 특허 문헌 1 및 2과 같이 기판(32)과 프로브(33) 사이에 공기층을 마련한 종래의 장치와 비교하여, 넓은 갭이라도 검사가 가능해져, 정밀한 갭 제어 수단이 불필요하게 되었다. 또한, 평탄도의 낮은 면적이 넓은 패널용 기판의 검사에서, 넓은 검지 면적을 갖는 프로브를 사용할 수 있기 때문에, 검사의 처리량이 비약적으로 향상한다.

또한, 종래와 같이, 기판(32)과 프로브(33)의 갭을 공기층에서 유기 EL 패널용의 기판을 검사하고자 하면, 유기 EL 소자의 발광에 필요한 10μ A의 전류를 흘리기 위해서는 갭 사이에 2 V의 전위차를 부여하는 필요가 있어, 절연파괴가 발생해 버리는 우려가 있었지만, 갭에 물(39)을 공급함으로써 0.2 V의 전위차로 10μA의 전류를 흘리는 수 있어, 안전히 검사를 할수 있게 되었다.

다음에, 본 발명의 실시형태의 변형예를 소개한다. 도 4는 상술한 실시형태의 도 8에 대응하는 기판(32)과 프로브(33)의 근방도이다. 상술한 실시형태와는 프로브상의 전극(41)이 평판으로 되어있다는 점이 다르다. 평판상의 전극(41)은 어레이 형상의 전극에 비교하여 제조 비용이 싸고, 위치 정렬이 용이하다는 장점을 갖는다. 전극(41)에는 무수한 잔 구멍(도시하지않음)이 마련되고 있고, 이 구멍에 의해 물 공급 장치(35)로부터 공급된 물(39)을 기판(32)과 프로브(33)의 사이에 공급하고 있다. 여기서, 프로브(33)에 의해 검지할 수 있는 검지 면적은, 전극(41)의 표면적이며, 이 검지면적이 넓을 수록 프로브(33)를 이동하지 않고서 검사할 수 있는 화소수가 불어난다. 이 때문에, 본 변형예로서는 화소의 표면적보다도 큰 검지면적을 갖는 프로브(33)를 채용하고 있다.

또한, 반대로 화소와 같거나 화소면적 이하의 크기의 프로브(33)를 이용하면, 평탄도가 낮은 기판이나 보다 정확성이 요구되는 검사에 대응할 수 있다.

또한, 물(39)의 공급량에 의해서 기판(32)과 프로브(33)의 갭 제어를 수행할 수 있다. 도 l1은 이러한 제어장치의 모식도로서, 참조 번호(23)는 레이저(24)에 의한 기판(32)과 프로브(33)의 갭 측정 장치, 참조 번호(35)는 물 공급 장치이다. 갭 측정 장치(23)는 기판 검사 중에, 수시로, 레이저(24)에 의해서 기판(32)과 프로브(33)의 갭을 측정하여, 미리 정해진 목표값과의 차이 정보를 물공급 장치(35)에 출력한다. 물공급 장치(35)는 차이 정보에 근거하여 프로브(33)에 공급하는 물량을 조절한다. 물공급 장치(35)로부터 프로브(33)에 공급된 물은 프로브(33)에 마련된 잔 구멍으로부터 기판(32)과 프로브(33) 사이에 공급된다. 이렇게 하여, 갭측정 장치(33)에 의해, 기판(32)과 프로브(33) 사이의 갭을 상시 감시하여, 물공급 장치(35)에 피드백함으로써, 간편한 구성으로, 수μm에서 수십μm이라는 미소갭을 안정하게 유지할 수 있다.

또, 상술한 본 실시형태 및 그 변형예는, 특허청구의 범위에 기재한 본 발명의 설명을 위한 1실시형태에 지나지 않고, 특허청구의 범위로 나타낸 권리 범위내에서 여러가지의 변형을 할 수 있는 것은, 당업자에 있어서 분명하다.

Claims

박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판에 신호를 공급하는 신호 공급 수단과,

상기 기판에 대향하여 배치된 프로브와,

상기 프로브에 흐르는 신호를 검출하는 검출 수단과,

상기 기판과 상기 프로브의 사이에 유전성 유체를 공급하는 유체 공급 수단

을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 신호 공급 수단은 비정상파 신호를 공급하는 신호 공급 수단인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 유전성 유체는 유극성 분자의 액체인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 유전성 유체는 물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 프로브는 복수의 검사용의 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 검출 수단은 상기 프로브에 흐르는 전류를 검출하는 검출 수단인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 장치.
박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판에 프로브를 대향시키는 공정과,

상기 기판과 상기 프로브의 사이에 유전성 유체를 공급하는 공정과,

상기 기판, 상기 유전성 유체 및 상기 프로브를 포함하는 폐회로에 신호를 공급하는 공정과,

상기 폐회로에 흐르는 상기 신호를 검출하는 공정

을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 기판은 액정 패널용 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 기판은 유기 EL 패널용 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 프로브의 검지면적은, 상기 기판상의 화소의 표면적보다도 넓은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 유전성 유체를 상기 기판과 상기프로브 사이에서 배출하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 유전성 유체의 공급량에 의해서, 상기 기판과 상기 프로브와의 간격을 제어하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 능동 매트릭스 기판의 검사 방법.