CN113489303A - 一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置 - Google Patents

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王志坤
杨书豪
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Abstract

本发明提供了一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置。本发明将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅功率半导体器件封装内部，大幅减小米勒钳位电路与碳化硅MOSFET功率半导体器件的封装杂散电感，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。

Description

一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置
技术领域
本申请涉及碳化硅功率半导体器件技术领域，具体涉及一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置。
背景技术
碳化硅MOSFET功率半导体器件由于高速开关，带来桥臂串扰，引起桥臂直通的危险，如图2所示。现有的方法是通过增加外置米勒钳位电路来抑制碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰，提高电路的可靠性，如图3所示。
现有方法通过增加外置米勒钳位电路来抑制碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰，但是由于碳化硅MOSFET功率半导体器件内部封装杂散电感以及器件内置门极驱动电阻的影响，米勒钳位电路的功能受到影响，难以实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置，将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅功率半导体器件封装内部，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。
本发明所采用的技术方案如下：
一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置，将米勒钳位电路的高频MOSFE的漏极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的门极通过覆铜陶瓷基板互连，形成米勒钳位电路高频MOSFET功率半导体器件和碳化硅MOSFET功率半导体器件在同一个封装的集成。
进一步，米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件的驱动信号通过碳化硅MOSFET功率半导体器件的驱动电路提供。
进一步，将米勒钳位电路的高频MOSFET的源极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的源极通过覆铜陶瓷基板互连。
通过本申请实施例，可以获得如下技术效果：
将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅功率半导体器件封装内部，大幅减小米勒钳位电路与碳化硅MOSFET功率半导体器件的封装杂散电感，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中碳化硅MOSFET功率半导体器件驱动电路示意图；
图2为现有技术中引起桥臂直通的危险的原理示意图；
图3为现有技术中通过增加外置米勒钳位电路来抑制桥臂串扰的原理示意图；
图4为本发明的碳化硅功率半导体器件装置的组成结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图4为本发明的碳化硅功率半导体器件装置的组成结构示意图。本发明将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅功率半导体器件封装内部，大幅减小米勒钳位电路与碳化硅MOSFET功率半导体器件的封装杂散电感，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件的驱动信号通过碳化硅MOSFET功率半导体器件的驱动电路提供。
在图4中，将米勒钳位电路的高频MOSFE的漏极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的门极通过覆铜陶瓷基板互连，将米勒钳位电路的高频MOSFET的源极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的源极通过覆铜陶瓷基板互连，形成米勒钳位电路高频MOSFET功率半导体器件和碳化硅MOSFET功率半导体器件在同一个封装的集成。
现有技术都是采用不分离的碳化硅MOSFET功率半导体器件，和米勒钳位电路的高频MOSFET器件，两者需要通过导线互连，导线将产生较大的引线电感，影响米勒钳位电路的性能，将导致碳化硅MOSFET桥臂串扰以及可靠运行。相比于现有技术，将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅MOSFET功率半导体器件封装内部，从而有效减小米勒钳位电路与碳化硅MOSFET功率半导体器件的互连电感，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件高频运行桥臂串扰的有效抑制，提高碳化硅MOSFET功率半导体器件运行可靠性。米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件的驱动信号通过碳化硅MOSFET功率半导体器件的驱动电路提供。

Claims (3)

1.一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置，其特征在于，
将米勒钳位电路的高频MOSFE的漏极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的门极通过覆铜陶瓷基板互连，形成米勒钳位电路高频MOSFET功率半导体器件和碳化硅MOSFET功率半导体器件在同一个封装的集成。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件的驱动信号通过碳化硅MOSFET功率半导体器件的驱动电路提供。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，将米勒钳位电路的高频MOSFET的源极和碳化硅MOSFET功率半导体器件的源极通过覆铜陶瓷基板互连。
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