CN113445130A - 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法 - Google Patents

一种AlGaN基紫外激光器的生长方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。

Description

一种AlGaN基紫外激光器的生长方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种AlGaN基紫外激光器的生长方法。
背景技术
基于AlGaN材料的紫外激光器在医疗消毒、数据存储、生化检测等领域有着广阔的应用前景，如何生长高质量的AlGaN材料是众多学者和业界关注的焦点。目前生长AlGaN层的衬底/模板材料主要有蓝宝石、Si、SiC、单晶AlN及其他工艺获得的AlN模板材料，而前两者以较大的晶格失配和热失配为缺点，尽管廉价却难以获得高质量的AlGaN层；AlN单晶衬底拥有最高的晶体质量和最小的晶格失配，但高昂的价格成本限制了研究和工程的使用。近年来基于溅射/高温退火的高质量AlN模板研究取得了显著的突破，在此基础上生长获得高质量AlGaN并制备AlGaN基紫外激光器成为可能。
与传统模板相比，高温退火AlN模板通常以超过1600℃条件获得，其与蓝宝石衬底的晶格失配和热失配比较显著，因而具有较高的压应力(＞2GPa)，随后外延AlGaN材料时容易形成高密度的失配位错和表面三维岛，AlGaN薄膜的晶体质量和表面形貌明显劣化。为了消除模板较大的残余应力的影响，已经有基于图形化衬底的侧向外延技术，通过对底层模板刻蚀出周期图形，使晶格的生长在水平方向具有一定的自由度来缓解压应力。图形衬底/模板工艺相对比较成熟，但工序较多，需要光刻、刻蚀、去膜、清洗等步骤，产生了一定的时间成本。当在图形衬底/模板上侧向外延AlN时，AlN模板内的缺陷密度下降至一定程度后便难以再继续降低，改善其上AlGaN材料的晶体质量变得困难；而在图形衬底/模板上侧向外延AlGaN时，由于图形周期一般＞500nm，；容易发生AlGaN组分偏析现象，且表面难以合并，这会增加激光器的界面散射损耗和激射阈值。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，旨在缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
为实现上述目的，本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，包括以下步骤：
步骤1：在蓝宝石衬底上沉积AlN模板层，并进行高温退火处理；
步骤2：在所述AlN模板层上生长AlGaN赝晶层；
步骤3：对所述AlGaN赝晶层进行原位热处理，以获得粗化的AlGaN赝晶层；
步骤4：在所述粗化的AlGaN赝晶层上，生长AlGaN厚膜，实现表面合并；
步骤5：在所述AlGaN厚膜上生长n-AlGaN光限制层、u-AlGaN下波导层、uAlGaN/uAlGaN量子阱有源层、电子阻挡层、u-AlGaN上波导层、pAlGaN光限制层、p型接触层。
可选地，在所述步骤1中的所述AlN模板层的沉积方法包括磁控溅射、MOCVD、MBE。
可选地，所述AlN模板层的厚度包括10nm～2μm。
可选地，在所述步骤1中所述AlN模板层的高温退火条件为1500℃～1800℃，以及氮气气氛。
可选地，在所述步骤2中所述AlGaN赝晶层的组分不高于所述步骤4中所述AlGaN厚膜的组分。
可选地，所述AlGaN赝晶层的厚度包括10nm-300nm。
可选地，在所述步骤3中所述AlGaN赝晶层的原位热处理温度为1000-1300℃，所用气氛为氢气。
可选地，在所述步骤4中所述AlGaN厚膜的厚度为1μm-10μm。
可选地，在所述步骤2与所述步骤4中生长的AlGaN均非故意掺杂。
本发明提供的AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明提供的AlGaN基紫外激光器的生长方法一实施例的流程图；
图2为图1中AlGaN厚膜结构和制备过程示意图；
图3为本发明AlGaN基紫外激光器的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。还有就是，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
参照图1、2、3所示，本发明为一种AlGaN基紫外激光器的生长方法。
图1展示了本发明提供的AlGaN基紫外激光器生长方法的核心思路，主要分为三个部分：一是采用沉积/高温退火获得高质量高压应力的AlN/蓝宝石模板；二是生长AlGaN赝晶层，进行原位热处理使其粗化，并生长出应力缓解、形貌改善的高质量AlGaN厚膜；三是继续生长紫外激光器各层结构。
步骤S1，获得AlN/蓝宝石模板，具体步骤如下：
第一步，在c面蓝宝石衬底上沉积10nm～2μm厚的AlN层。沉积方法包括磁控溅射、MOCVD、MBE。优选地，采用反应磁控溅射的方法获得10～2μm厚的AlN层，所选用高纯Al靶材，衬底温度范围500℃～750℃，气氛为氮气或氮气与惰性气体的混合气体。
第二步，对所获得的所述AlN层进行高温退火处理。时间为20min～20h，温度范围控制在1500℃～1800℃，气氛为氮气。优选地，样品在高温退火时可采用“面对面”放置，用来抑制AlN的分解。
第三步，将退火后的AlN进行有机/无机清洗除去表面的沾污，并用HF酸或盐酸除去表面氧化物，彻底烘干。
步骤S2，如图2所示，具体步骤如下：
第一步，将制备好的AlN/蓝宝石模板转移至MOCVD腔室
在所述AlN层表面，外延AlGaN赝晶层，依据预期的Al组分来优化温度、V/III和厚度。Al组分越高，其与模板的失配也越小，临界厚度则越大；温度范围为900～1200℃，厚度优选为10～300nm。所述AlGaN赝晶层为非故意掺杂，以减小掺杂元素的干扰，增大工艺的窗口范围。
优选地，在生长所述AlGaN赝晶层前，对所述AlN层表面进行热清洗，温度为1100～1300℃，气氛为氢气+氨气的混合气体，用来除去表面残余的氧化物、氮氧化物杂质。
优选地，在所述AlN层和所述AlGaN赝晶层之间，还可同质外延一层AlN恢复层。所述AlN恢复层的厚度为50nm～1μm，温度为1100～1300℃，用以改善高温退火模板的表面形貌，获得继承其应力和晶体质量的拥有原子级台阶的AlN。
第二步，原位热处理AlGaN赝晶层，关闭有机源和氨气的供应，在氢气环境下以温度1000-1300℃范围内热处理1～60min，以充分粗化AlGaN赝晶层。热处理使GaN分解脱离晶格产生孔隙，形成小尺寸的图形。
第三步，在粗化的AlGaN赝晶层上，继续外延AlGaN厚膜，厚度优选为1～10μm。赝晶层的Al组分应不高于厚膜的组分，可以形成应力突变层，更充分地容纳失配应力；在工艺上，Al组分更低的赝晶层所需生长温度也更低，而低温也更有利于赝晶层的生长；其所需粗化温度也更低，粗化效果更充分。
由于在小尺寸图形上进行侧向外延，所述AlN厚膜所需的合并厚度较薄，组分偏析现象不显著。
所述AlGaN厚膜不做掺杂，用以减少掺杂元素引入的缺陷，促进表面的平整和晶体质量的改善。
步骤S3，外延紫外激光器结构，其结构如图3所示，各层Al组分的高/低关系用颜色的深/浅示出，具体组分则须经过仿真各激射波段的器件结构来确定。其步骤如下：
第一步，外延nAlGaN光限制层，其厚度优选在1μm～10μm，选用Si作为掺杂剂，掺杂浓度为1018～1020cm-3。
第二步，外延uAlzGa1-zN下波导层，其厚度优选为30nm～100nm，组分须低于上述层用以提供光限制；波导层不引入掺杂剂可以降低激光谐振的损耗。
第三步，外延uAlxGa1-xN/uAlyGa1-yN量子阱，其中0≤x＜y≈z；单层量子阱和量子垒的厚度为1～10nm/5～20nm，包含1～10个量子阱。
第四步，外延uAlzGa1-zN上波导层，其组分与厚度与下波导层保持一致，用以提高光限制因子；
第五步，外延非掺杂的电子阻挡层，厚度优选为10～30nm，组分须高于量子垒，目的是阻挡电子泄露，同时阻挡p侧的受主原子向量子阱区域扩散。
第六步，外延pAlGaN光限制层，该层优选为组分渐变层，渐变末尾Al组分为0(GaN)，厚度优选为300～1000nm。掺杂剂为Mg，掺杂浓度为1018～1020cm-3，利用组分渐变产生的空间极化电荷改善p型掺杂效果。为避免Mg带来的材料缺陷和Mg本身对量子阱区辐射光的吸收，所述pAlGaN光限制层靠近电子阻挡层的一定厚度内，不进行Mg故意掺杂。
第七步，外延pGaN接触层，厚度优选为5～20nm，用以做P型电极的欧姆接触。
第八步，在MOCVD设备中进行原位低温退火，退火温度优选为500～800℃，以激活P型层的掺杂效果。
本发明主要通过S1和S2的紧密配合，首先获得了高温退火后具有较大压应力的高质量AlN/蓝宝石模板，为了解决应力对后续AlGaN外延带来的问题，采用了对AlGaN赝晶层原位热处理的方法。未发生应力释放的AlGaN赝晶层拥有较高的晶体质量和较好的表面形貌，而在此基础上进行原位热处理使其表面粗化形成小尺寸图形，能有效地缓解赝晶层积累的压应力，实现表面平整的、继承了模板高晶体质量的AlGaN外延薄膜，并在此基础上外延紫外激光器器件结构。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在蓝宝石衬底上沉积AlN模板层，并进行高温退火处理；
步骤2：在所述AlN模板层上生长AlGaN赝晶层；
步骤3：对所述AlGaN赝晶层进行原位热处理，以获得粗化的AlGaN赝晶层；
步骤4：在所述粗化的AlGaN赝晶层上，生长AlGaN厚膜，实现表面合并；
步骤5：在所述AlGaN厚膜上生长n-AlGaN光限制层、u-AlGaN下波导层、uAlGaN/uAlGaN量子阱有源层、电子阻挡层、u-AlGaN上波导层、pAlGaN光限制层、p型接触层。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤1中的所述AlN模板层的沉积方法包括磁控溅射、MOCVD、MBE。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，所述AlN模板层的厚度为10nm～2μm。
4.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤1中所述AlN模板层的高温退火条件为1500℃～1800℃，以及氮气气氛。
5.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤2中所述AlGaN赝晶层的Al组分不高于所述步骤4中所述AlGaN厚膜的Al组分。
6.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，所述AlGaN赝晶层的厚度为10nm-300nm。
7.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤3中所述AlGaN赝晶层的原位热处理温度为1000-1300℃，所用气氛为氢气。
8.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤4中所述AlGaN厚膜的厚度为1μm-10μm。
9.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤2与所述步骤4中生长的AlGaN均非故意掺杂。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101916965A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 中国科学院半导体研究所 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法
CN105489723A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 厦门市三安光电科技有限公司 氮化物底层及其制作方法
CN106299047A (zh) * 2016-10-17 2017-01-04 聚灿光电科技股份有限公司 AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法
US20170250308A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Riken Crystal substrate, ultraviolet light-emitting device, and manufacturing methods therefor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101916965A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 中国科学院半导体研究所 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法
CN105489723A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 厦门市三安光电科技有限公司 氮化物底层及其制作方法
US20170250308A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 Riken Crystal substrate, ultraviolet light-emitting device, and manufacturing methods therefor
CN106299047A (zh) * 2016-10-17 2017-01-04 聚灿光电科技股份有限公司 AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法

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