CN113437195A - 一种微型器件转移装置及转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种微型器件转移装置及转移方法，主题一包括控制模块、供给基板和转移头，所述供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。本发明通过转动供给基板使得若干列转移头上的微型器件依次与接收基板相接触，并利用控制模块控制若干列转移头依次释放微型器件，使得若干列转移头上的微型器件依次转移，由于采用分批分列的方式转移微型器件，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。

Description

一种微型器件转移装置及转移方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型器件转移装置及转移方法。
背景技术
目前微发光二极管的巨量转移技术主要分为印章式转移、激光转移、流体自组装和滚轮转印等。其中印章式需要有专用转移头，实现微发光二极管的拾取和转移，这些转移头可以利用范德华力、磁力、静电吸附或者真空吸附等原理。激光转移利用特定波长的激光照射牺牲层，实现为微发光二极管与蓝宝石衬底的剥离，从而实现转移。流体自组装利用流体的拖拽力，将微发光二极管转移到背板上。滚轮转印使用软的滚轮印章将微发光二极管和薄膜晶体管(简称TFT)从晶圆上进行三次转移，能够实现在柔性基底上构建微发光二极管阵列。
印章式转移方式可以实现巨量的微发光二极管转移，这种方式的核心在于转移机构与转移头的设计。目前印章式巨量转移方式一般将转移头分布在平面型衬底上，通过将平面型衬底与微发光二极管接收供给基板对齐后，再释放电磁力或者范德华力，实现转移头衬底上全部微发光二极管的转移。然而，由于在印章巨量转移中一次转移的微发光二极管数量庞大(百万级别)，而且现有平面型衬底印章存在压力不均匀等问题，因此现有印章式巨量转移方式的转移良率无法提高，限制了微发光二极管组装技术的发展。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种微型器件转移装置及转移方法，旨在解决现有印章式巨量转移方式的转移良率无法提高的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种微型器件转移装置，包括控制模块、供给基板和转移头，所述供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。
可选地，所述供给基板与第一侧面相对向的侧面为第二侧面，所述第二侧面为与所述第一侧面弯曲方向相同的曲面。
可选地，所述曲面为弧形曲面。
可选地，所述控制模块用于控制所述若干列转移头以列为单位依次释放微型器件。
可选地，所述供给基板与所述转移头之间设有柔性安装层，所述柔性安装层固定设置在所述供给基板的一侧面上，所述若干列转移头设在所述柔性安装层远离所述供给基板的侧面上。
可选地，所述每列转移头包括若干个转移头。
可选地，所述柔性安装层为聚氯乙烯层或聚酰亚胺层或聚二甲基硅氧烷层。
可选地，所述控制模块的数量为若干个且与所述转移头的列数相等，每个控制模块控制一列转移头。
可选地，所述转移头为静电转移头或磁场转移头或范德华力转移头。
可选地，所述静电转移头包括第一介电层、第二介电层、第一电极和第二电极，所述供给基板的一侧面设有相间隔的第一凸起和第二凸起，所述第一介电层固定在所述第一凸起上，所述第二介电层固定在所述第二凸起上，所述第一电极设在所述第一介电层上，所述第二电极设在所述第二介电层上。
可选地，所述磁场转移头包括磁芯以及缠绕在磁芯上的线圈，所述磁芯固定在所述供给基板的一侧面上。
可选地，所述控制模块为继电器。
本发明还提出一种基于上述微型器件转移装置的转移方法，包括以下步骤：
利用控制模块控制若干列转移头吸附微型器件；
将吸附有微型器件的若干列转移头向接收基板移动并靠近接收基板，直至位于首列转移头上的微型器件与接收基板相接触；
通过控制模块控制首列转移头释放微型器件落在接收基板上；
转动供给基板，使得位于次列转移头上的微型器件与接收基板相接触，通过控制模块控制次列转移头释放微型器件，次列转移头上的微型器件落在接收基板上，如此循环重复该步骤直至将若干列转移头上的微型器件都转移在接收基板上。
可选地，所述微型器件为微发光二极管，所述微发光二极管的阴极和阳极朝向接收基板，所述转移头吸附在微发光二极管与阴极和阳极相背向的面上。
可选地，当若干列转移头中的其中一列转移头上的微型器件与接收基板相接触时，其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触。
可选地，所述曲面为弧形曲面，在转动供给基板时：以供给基板的弧形截面的圆心为轴心转动供给基板。
本发明的技术方案通过在供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。通过转动供给基板使得若干列转移头上的微型器件依次与接收基板相接触，并利用控制模块控制若干列转移头依次释放微型器件，使得若干列转移头上的微型器件依次转移，由于采用分批分列的方式转移微型器件，能够保证同批同列转移的微型器件受压均匀，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明主题一的结构示意图；
图2为本发明主题一使用状态一的结构示意图；
图3为本发明主题一使用状态二的结构示意图；
图4为本发明主题一静电转移头的结构示意图；
图5为本发明主题一磁场转移头的结构示意图；
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
10 供给基板 24 第二电极
11 第一凸起 25 磁芯
12 第二凸起 26 线圈
20 转移头 30 控制模块
21 第一介电层 40 柔性安装层
22 第二介电层 50 微型器件
23 第一电极 60 接收基板
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”或者“及/或”，其含义包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
由于在现有的印章巨量转移中一次转移的微发光二极管数量庞大(百万级别)，由于微发光二极管的集成度较高，过于密集的微发光二极管设置导致微发光二极管的利用率不高，造成浪费，因此，实际使用时需要通过巨量转移将微发光二极管转移至稀疏排列的驱动电路板上，由于微发光二极管的体积较小，而且现有平面型衬底印章存在压力不均匀等问题，因此现有印章式巨量转移方式的转移良率无法提高，限制了微发光二极管组装技术的发展。本发明为了解决上述问题，通过转动供给基板使得若干列转移头上的微型器件依次与接收基板相接触，并利用控制模块控制若干列转移头依次释放微型器件，使得若干列转移头上的微型器件依次分批分列地转移，采用分批分列的方式转移微型器件，能够保证同批同列转移的微型器件受压均匀，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。
请参考图1至图5，本发明提出一种微型器件转移装置，包括控制模块30、供给基板10和转移头20，所述供给基板10的第一侧面设有若干列转移头20，所述供给基板10的第一侧面为朝所述供给基板10方向弯曲的曲面，所述控制模块30用于控制所述若干列转移头20吸附和释放微型器件50而转移微型器件50。
本微型器件转移装置通过采用第一侧面为曲面的供给基板，从而使得设在供给基板的一侧面的若干列转移头在转移微型器件时，若干列转移头上的微型器件每次只有部分列才能与接收基板相接触，然后再利用控制模块控制与接收基板相接触的列转移头将微型器件释放，使得与接收基板相接触的列转移头放置在接收基板上，从而实现依次分批分列地转移微型器件，采用分批分列的方式转移微型器件，能够保证同批同列转移的微型器件受压均匀，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。
请参考图1至图3，本微型器件转移装置在使用时，首先将吸附有微型器件50的若干列转移头20向接收基板移动并靠近接收基板60，直至位于首列转移头20上的微型器件50与接收基板60相接触；通过控制模块30控制首列转移头20释放微型器件50落在接收基板60上；转动供给基板10，使得位于次列转移头上的微型器件50与接收基板60相接触，通过控制模块30控制次列转移头释放微型器件50，次列转移头上的微型器件50落在接收基板60上，如此循环重复该步骤直至将若干列转移头上的微型器件都转移在接收基板60上。
在本实施例中，所述供给基板与第一侧面相对向的侧面为第二侧面，所述第二侧面为与所述第一侧面弯曲方向相同的曲面。通过将第二侧面设为与所述第一侧面弯曲方向相同的曲面，使得供给基板的第一侧面和第二侧面相对称，以便于在转动时供给基板更加平稳。
具体地，在本实施例中，所述曲面为弧形曲面。弧形曲面较为光滑，可以保证供给基板在转动时，供给基板上的若干列转移头的微型器件能够依次与接收基板相接触，且能保证当若干列转移头中的其中一列转移头上的微型器件与接收基板相接触时，其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触。
在本实施例中，所述控制模块30用于控制所述若干列转移头20以列为单位依次释放微型器件50，也即是说若干列转移头每次只有一列转移头上的微型器件能与接收基板相接触，实现每次转移一列转移头上的微型器件。
其中，对于转移头和控制模块的连接方式，可以为一个控制模块控制一个转移头，也可以为一个控制模块控制多个转移头。因此在本实施例中，为了降低成本，进一步地，所述控制模块的数量为若干个且与所述转移头的列数相等，每个控制模块控制一列转移头，每列转移头对应一个控制模块，可以避免误操作。而且，在本实施例中，所述每列转移头包括若干个转移头，通过若干列转移头且每列转移头包括由若干个转移头，当若干列转移头都全部转移后，即可实现巨量转移。
在本实施例中，所述供给基板10与所述转移头20之间设有柔性安装层40，所述柔性安装层40固定设置在所述供给基板10的一侧面上，所述若干列转移头20设在所述柔性安装层40远离所述供给基板10的侧面上。通过柔性安装层可以方便将转移头固定在基板的侧面上。具体地，所述柔性安装层为聚氯乙烯层或聚酰亚胺层或聚二甲基硅氧烷层，具体结构可以根据实际情况设定。
在本实施例中，所述转移头20为静电转移头或磁场转移头。静电转移头产生的静电使得微型器件表面电荷的极化形成电场吸附力而吸附微型器件，而磁场转移头产生磁场而极化微型器件中的导磁物质并形成磁场吸力而吸附微型器件。容易想到的是，转移头也可以为范德华力转移头等现有的转移头。
请参考图4，在一实施例中，所述静电转移头包括第一介电层21、第二介电层22、第一电极23和第二电极24，所述供给基板10的一侧面设有相间隔的第一凸起11和第二凸起12，所述第一介电层21固定在所述第一凸起11上，所述第二介电层22固定在所述第二凸起12上，所述第一电极23设在所述第一介电层21上，所述第二电极24设在所述第二介电层22上。静电转移头的第一电极和第二电极分别与静电发生器电连接，然后控制模块连接于静电发生器和静电转移头之间，使用时，静电转移头的第一介电层和第二介电层同时接触微型器件，通过控制静电发生器和静电转移头之间的通断从而控制静电转移头吸附微型器件和释放微型器件。具体地，所述控制模块30为继电器，继电器连接于静电发生器和静电转移头之间，可以一列静电转移头对应一个继电器，通过继电器控制静电发生器和静电转移头之间的通断。
请参考图5，在又一实施例中，所述磁场转移头包括磁芯25以及缠绕在磁芯25上的线圈26，所述磁芯25固定在所述供给基板10的一侧面上。磁场转移头的线圈与电源连接，然后控制模块连接于磁场转移头的线圈与电源之间，通过控制磁场转移头的线圈与电源之间的通断从而控制磁场转移头吸附微型器件和释放微型器件。具体地，所述控制模块30为继电器，继电器连接于磁场转移头的线圈与电源之间，可以一列磁场转移头对应一个继电器，通过继电器控制磁场转移头的线圈与电源之间的通断。
一种基于上述微型器件转移装置的转移方法，包括以下步骤：
利用控制模块控制若干列转移头吸附微型器件；
将吸附有微型器件的若干列转移头向接收基板移动并靠近接收基板，直至位于首列转移头上的微型器件与接收基板相接触；
通过控制模块控制首列转移头释放微型器件落在接收基板上；
转动供给基板，使得位于次列转移头上的微型器件与接收基板相接触，通过控制模块控制次列转移头释放微型器件，次列转移头上的微型器件落在接收基板上，如此循环重复该步骤直至将若干列转移头上的微型器件都转移在接收基板上。
本发明的技术方案通过转动供给基板使得若干列转移头上的微型器件依次与接收基板相接触，并利用控制模块控制若干列转移头依次释放微型器件，使得与接收基板相接触的列转移头放置在接收基板上，从而实现依次分批分列地转移微型器件，采用分批分列的方式转移微型器件，能够保证同批同列转移的微型器件受压均匀，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。
在本实施例中，所述微型器件为微发光二极管，所述微发光二极管的阴极和阳极朝向接收基板，所述转移头吸附在微发光二极管与阴极和阳极相背向的面上。
在本实施例中，当若干列转移头中的其中一列转移头上的微型器件与接收基板相接触时，其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触。通过其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触，可以避免其余列转移头上的微型器件出现失误而掉落。
在本实施例中，所述曲面为弧形曲面，在转动供给基板时：以供给基板的弧形截面的圆心为轴心转动供给基板。以供给基板的弧形截面的圆心为轴心转动供给基板，由于供给基板转移头侧面，可以保证若干列转移头中的其中一列转移头上的微型器件与接收基板相接触时，其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种微型器件转移装置，其特征在于，包括控制模块、供给基板和转移头，所述供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。
2.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述供给基板与第一侧面相对向的侧面为第二侧面，所述第二侧面为与所述第一侧面弯曲方向相同的曲面；和/或，所述曲面为弧形曲面。
3.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述控制模块用于控制所述若干列转移头以列为单位依次释放微型器件。
4.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述供给基板与所述转移头之间设有柔性安装层，所述柔性安装层固定设置在所述供给基板的一侧面上，所述若干列转移头设在所述柔性安装层远离所述供给基板的侧面上。
5.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移头为静电转移头或磁场转移头或者范德华力转移头。
6.如权利要求5所述的转移装置，其特征在于，所述静电转移头包括第一介电层、第二介电层、第一电极和第二电极，所述供给基板的一侧面设有相间隔的第一凸起和第二凸起，所述第一介电层固定在所述第一凸起上，所述第二介电层固定在所述第二凸起上，所述第一电极设在所述第一介电层上，所述第二电极设在所述第二介电层上；
和/或，所述控制模块为继电器。
7.如权利要求5所述的转移装置，其特征在于，所述磁场转移头包括磁芯以及缠绕在磁芯上的线圈，所述磁芯固定在所述供给基板的一侧面上；
和/或，所述控制模块为继电器。
8.一种基于权利要求1至7任一所述转移装置的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用控制模块控制若干列转移头吸附微型器件；
将吸附有微型器件的若干列转移头向接收基板移动并靠近接收基板，直至位于首列转移头上的微型器件与接收基板相接触；
通过控制模块控制首列转移头释放微型器件落在接收基板上；
转动供给基板，使得位于次列转移头上的微型器件与接收基板相接触，通过控制模块控制次列转移头释放微型器件，次列转移头上的微型器件落在接收基板上，如此循环重复该步骤直至将若干列转移头上的微型器件都转移在接收基板上。
9.如权利要求8所述的转移方法，其特征在于，当若干列转移头中的其中一列转移头上的微型器件与接收基板相接触时，其余列转移头上的微型器件与接收基板不接触。
10.如权利要求8所述的转移方法，其特征在于，所述曲面为弧形曲面，在转动供给基板时：以供给基板的弧形截面的圆心为轴心转动供给基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023108449A1 (zh) * 2021-12-15 2023-06-22 厦门市芯颖显示科技有限公司 寻址转移设备和寻址转移方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040197712A1 (en) * 2002-12-02 2004-10-07 Jacobson Joseph M. System for contact printing
US20130207309A1 (en) * 2010-03-29 2013-08-15 Fujifilm Corporation Minute convexo-concave pattern forming method and forming device, and transfer substrate producing method and transfer substrate
JP2018060878A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 大日本印刷株式会社 パターン構造体の製造方法およびインプリント用モールドの製造方法
US20180158807A1 (en) * 2016-08-11 2018-06-07 Lumens Co., Ltd. Led module and method for fabricating the same
CN109524339A (zh) * 2018-11-20 2019-03-26 韩进龙 一种微型器件转移装置、转移系统及转移方法
CN110033704A (zh) * 2019-04-19 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 转印装置和转印方法
CN110265426A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种转印装置及转印方法
US20190300289A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 X-Celeprint Limited Micro-transfer printers with roll stamp(s)
CN110534621A (zh) * 2019-08-26 2019-12-03 武汉大学 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法
CN111524844A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 普因特工程有限公司 微发光二极管转移头
TWI720772B (zh) * 2020-01-08 2021-03-01 錼創顯示科技股份有限公司 基板和顯示裝置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040197712A1 (en) * 2002-12-02 2004-10-07 Jacobson Joseph M. System for contact printing
US20130207309A1 (en) * 2010-03-29 2013-08-15 Fujifilm Corporation Minute convexo-concave pattern forming method and forming device, and transfer substrate producing method and transfer substrate
US20180158807A1 (en) * 2016-08-11 2018-06-07 Lumens Co., Ltd. Led module and method for fabricating the same
JP2018060878A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 大日本印刷株式会社 パターン構造体の製造方法およびインプリント用モールドの製造方法
US20190300289A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 X-Celeprint Limited Micro-transfer printers with roll stamp(s)
CN109524339A (zh) * 2018-11-20 2019-03-26 韩进龙 一种微型器件转移装置、转移系统及转移方法
CN111524844A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 普因特工程有限公司 微发光二极管转移头
CN110033704A (zh) * 2019-04-19 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 转印装置和转印方法
CN110265426A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种转印装置及转印方法
CN110534621A (zh) * 2019-08-26 2019-12-03 武汉大学 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法
TWI720772B (zh) * 2020-01-08 2021-03-01 錼創顯示科技股份有限公司 基板和顯示裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023108449A1 (zh) * 2021-12-15 2023-06-22 厦门市芯颖显示科技有限公司 寻址转移设备和寻址转移方法

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