CN110033704A - 转印装置和转印方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 87
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 73
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 3
- -1 Diol ester Chemical class 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical class [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012120 mounting media Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本发明提供一种转印装置和转印方法,其中,转印装置包括:转印吸头,包括用于转移待转印元件的吸附端面;驱动组件,所述驱动组件与所述转印吸头连接;控制器,与所述驱动组件连接,用于控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面或曲面。本发明提供的转印装置和转印方法,能够提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
Description
技术领域
本发明涉及转印技术领域,尤其涉及一种转印装置和转印方法。
背景技术
由于柔性衬底上无法形成无机发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)模块,因此在大尺寸柔性显示面板的制作过程中,需要利用转印装置将在无机半导体衬底上形成的无机LED模块转印至柔性衬底上。
目前,市场上推出了曲面显示装置,其中的显示面板为三维的曲面柔性衬底,而现有技术中的转印装置在对三维的曲面柔性衬底转印无机LED模块时,印制过程中柔性衬底各位置承受的压力的均一性低,转印质量不佳。
发明内容
本发明实施例提供一种转印装置和转印方法,以解决现有技术中的转印装置在对三维的曲面柔性衬底转印无机LED模块时,印制过程中柔性衬底各位置承受的压力的均一性低,转印质量不佳的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供一种转印装置,包括:
转印吸头,包括用于转移待转印元件的吸附端面;
驱动组件,所述驱动组件与所述转印吸头连接;
控制器,与所述驱动组件连接,用于控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面或曲面。
进一步地,所述驱动组件包括多个驱动机构,多个驱动机构与多个转印吸头一一对应连接,每个驱动机构用于在所述控制器的控制下动作进而驱动与之相连的转印吸头发生位置变化。
进一步地,所述驱动机构包括分别与所述控制器连接的第一驱动单元和第二驱动单元,所述第一驱动单元用于带动所述转印吸头在第一方向上运动;所述第二驱动单元用于带动所述转印吸头旋转;所述第二驱动单元分别连接所述第一驱动单元和所述转印吸头。
进一步地,所述第一驱动单元包括与所述控制器连接的第一电机和与所述第一电机连接的推杆,所述第一电机用于驱动所述推杆在所述第一方向上运动;和/或,
所述第二驱动单元包括与所述控制器连接的第二电机和设置于所述推杆上的转轴,所述转轴与所述转印吸头连接,所述第二电机用于驱动所述转轴相对于所述推杆旋转。
进一步地,所述转印吸头包括转印基板、以及依次在所述转印基板上形成的形变层和吸附层;
所述吸附层用于转移待转印元件;所述形变层用于产生形变,以使所述吸附层转移的所述待转印元件产生对应的形变。
进一步地,所述形变层为压电材料层,所述压电材料层与所述控制器连接,用于在所述控制器的控制下发生形变。
进一步地,所述吸附层包括多个吸嘴,所述吸嘴为多棱台结构或圆台结构,其中,面积小的底面作为所述吸附端面。
进一步地,所述吸嘴用于静电吸附、真空吸附或胶水吸附所述待转印元件。
进一步地,所述转印吸头还包括位于所述形变层与所述转印基板之间的加热层,所述加热层与所述控制器连接,用于在所述控制器的控制下发热。
第二方面,本发明实施例还提供一种转印方法,应用于如上所述的转印装置,所述方法包括:
通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面,以吸附形成在无机半导体衬底的待转印元件;
在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
进一步地,所述在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上的步骤,包括:
在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,并且通过所述控制器控制所述形变层产生形变,使得所述形变层形变后形成与所述柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
本发明提供的技术方案中,通过控制器控制所述驱动组件动作,能够使得多个转印吸头的吸附端面处于同一个平面或曲面,在多个转印吸头的吸附端面处于同一平面时,转印装置用于吸附生长在无机半导体衬底上的待转印元件,或者,将待转印元件印制在平面的承印衬底上;在多个转印吸头的吸附端面处于同一曲面时,转印装置用于将待转印元件压力均匀的印制在曲面柔性承印衬底上,进而提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。因此,本发明提供的技术方案能够提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的转印装置的结构示意图;
图2为本发明一实施例提供的转印装置中待转印元件的立体图;
图3为本发明一实施例提供的转印装置中待转印元件的剖视图;
图4为本发明一实施例提供的转印装置中转印吸头的结构示意图;
图5为本发明一实施例提供的转印方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种转印装置,如图1所示,包括:
转印吸头110,包括用于转移待转印元件的吸附端面;
驱动组件120,所述驱动组件120与所述转印吸头110连接;
控制器(图未示),与所述驱动组件120连接,用于控制所述驱动组件120动作进而驱动多个转印吸头110的吸附端面处于同一平面或曲面。
本发明提供的技术方案中,通过控制器控制所述驱动组件动作,能够使得多个转印吸头的吸附端面处于同一个平面或曲面,在多个转印吸头的吸附端面处于同一平面时,转印装置用于吸附生长在无机衬底上的待转印元件,或者,将待转印元件印制在平面的承印衬底上;在多个转印吸头的吸附端面处于同一曲面时,转印装置用于将待转印元件压力均匀的印制在曲面柔性承印衬底上,进而提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。因此,本发明提供的技术方案能够提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
转印技术解决了无机LED微模块不能在柔性衬底上直接沉积的矛盾,是实现可延展柔性无机集成器件的一个最为重要的环节。转印过程包括两个阶段:一、拾取阶段,将生长在无机半导体衬底的待转印元件与无机半导体衬底分离;二、转印阶段,将与无机半导体衬底分离后的待转印元件转印至柔性承印衬底上。
上述待转印元件可以为无机LED微模块,如图2和图3所示,无机LED模块是采用传统的无机LED微模块制备技术在无机半导体基板上制成的。例如:根据预先设计的柔性承印衬底的像素图案进行相应的无机LED微模块沉积;之后,可印刷无机LED微模块分散在载体介质中,从而形成在载体介质中含有无机LED微模块的悬浮液;最后,通过将悬浮液溶液印刷至无机半导体基板的接受面上。当然,还可以是喷墨印刷法、丝网印刷法等方式来实现,此处不作限制。
柔性承印衬底是指制备无机发光器件时将要形成发光层的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)阵列基板或其他柔性基板。柔性承印衬底上预先设计有目标转印区域,目标转印区域包括对应待转印元件的像素图案。
上述转印吸头110可以是通过吸附的方式来转移待转印元件的,例如:静电吸附、真空吸附、胶水吸附等方式;本发明实施例对于转印吸头110具体采用何种方式转移待转印元件不作限定。其中,转印吸头110的吸附端面为用于接触待转印元件的一面,即也是在将待转印元件转印至承印衬底时向待转印元件施加压力的一面。
驱动组件120动作表示的是驱动组件120的移动和/或旋转。驱动组件120可以与转印吸头110远离吸附端面的一端连接,从而驱动组件120在动作的过程中转印吸头110会跟随驱动组件120的动作而发生位置变化。
上述驱动组件120可以是多个驱动机构组成的,每个驱动机构既与控制器连接又与转印吸头110连接;驱动组件120也可以是整体结构,控制器向驱动组件120发送控制信号后,驱动组件120根据控制信号统一驱动多个转印吸头110发生位置变化,使多个吸附端面处于同一平面或曲面。
控制器能够提前接收到转印吸头110的工作信息,从而向驱动组件发送对应的控制信号,以控制驱动组件120动作,使多个转印吸头110的吸附端面处于同一平面或曲面。例如:
在需要通过转印吸头110吸附生长在平面的无机半导体衬底上的待转印元件时,或者,需要通过转印吸头110将待转印元件印制在平面的承印衬底上时,可以通过控制器控制驱动组件动作,使得多个转印吸头的吸附端面处于同一平面;
在需要通过转印吸头110将待转印元件印制在曲面柔性承印衬底上时,可以通过控制器控制驱动组件动作,使得多个转印吸头的吸附端面处于与曲面柔性承印衬底匹配的曲面。这样,能够在印制过程中确保曲面柔性承印衬底各位置受到的压力均等,提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
需要说明的是,本发明实施例中提到的多个吸附端面处于与曲面柔性承印衬底匹配的曲面,指的是当柔性承印衬底中的目标转印区域具有凸起时,多个吸附端面在与柔性承印衬底的凸起位置对应的位置处产生凹陷的曲面;反之,当柔性承印衬底中的目标转印区域具有凹陷时,多个吸附端面在与柔性承印衬底的凹陷位置对应的位置处产生凸起的曲面,且多个转印吸头的吸附端面所在的曲面的曲率与曲面柔性承印衬底的曲率相等。
其中,转印过程中可以使用热压转印或激光转印,利用柔印承印衬底预先确定的目标转印区域进行高精度的转印。
进一步地,如图1所示,所述驱动组件120包括多个驱动机构121,多个驱动机构121与多个转印吸头110一一对应连接,每个驱动机构121用于在所述控制器的控制下动作进而驱动与之相连的转印吸头110发生位置变化。
本实施例中,每个驱动机构121均与控制器连接,控制器分别向每个驱动机构121发送控制信号,使得多个驱动机构121进行相应的动作,动作后使得多个转印吸头的吸附端面处于同一平面或曲面。
在需要多个转印吸头的吸附端面处于同一曲面以将待转印元件印制在曲面柔性承印衬底上时,控制器根据曲面柔性承印衬底的曲率、并结合每个驱动机构121的位置发出相应的控制信号,驱动机构121接收到控制信号后驱动与之相连的转印吸头110发生对应的位置变化,使得变化后的多个转印吸头110的吸附端面所处的曲面与曲面柔性承印衬底相匹配。
在需要多个转印吸头的吸附端面处于同一平面以将待转印元件从无机半导体衬底上剥离时,控制器发出相应的控制信号,驱动机构121接收到控制信号后驱动与之相连的转印吸头110发生对应的位置变化,使得变化后的多个转印吸头110的吸附端面处于同一平面。需要说明的是,在无机半导体衬底为水平面时,多个转印吸头110的高度均相同且多个转印吸头110的朝向竖直向下;在无极半导体衬底为斜面时,多个转印吸头110的高度逐级变化且多个转印吸头110的朝向垂直于斜面。
本实施例中,控制器与多个驱动机构分别连接,能够分别控制多个转印吸头的位置变化,提高了对转印吸头控制的灵活性。
进一步地,如图1所示,所述驱动机构121包括分别与所述控制器连接的第一驱动单元1211和第二驱动单元1212,所述第一驱动单元1211用于带动所述转印吸头110在第一方向上运动;所述第二驱动单元1212用于带动所述转印吸头110旋转;所述第二驱动单元1212分别连接所述第一驱动单元1211和所述转印吸头110。
第一驱动单元1211可以为能够在第一方向上完成伸缩的伸缩机构,也可以是在第一方向上来回运动的链条,或者与电机配合能够在第一方向上来回运动的螺杆。
本实施例中,所述第一驱动单元1211包括与所述控制器连接的第一电机和与所述第一电机连接的推杆,所述第一电机在控制器的控制下用于驱动所述推杆在所述第一方向上运动,进而带动转印吸头110在第一方向上移动。
第二驱动单元1212的第一端连接于第一驱动单元1211,第二驱动单元1212的第二端连接转印吸头110,第二驱动单元1212带动转印吸头110旋转的方式可以是第二端以第一端为圆心转动进而带动转印吸头110转动,也可以是第二驱动单元1212能够整体相对与第一驱动单元1211转动进而带动转印吸头110转动。
本实施例中,所述第二驱动单元1212包括与所述控制器连接的第二电机和设置于所述推杆上的转轴,所述转轴与所述转印吸头连接,所述第二电机用于驱动所述转轴相对于所述推杆旋转。转轴垂直于第一方向设置,转印吸头110固定连接于转轴上,转动旋转从而带动转印吸头110旋转。
进一步地,如图4所示,所述转印吸头110包括转印基板111、以及依次在所述转印基板111上形成的形变层112和吸附层113;
所述吸附层113用于转移待转印元件;所述形变层112用于产生形变,以使所述吸附层113转移的所述待转印元件产生对应的形变。
转印基板111为柔性结构,可以是利用导电橡胶或夹丝橡胶等柔性材料制成,也可以是由表面镀金或银的其他柔性材料制成。
形变层112可以为电致形变材料、也可以为磁致形变材料,通过控制器控制形变层112发生对应的形变,使得待转印元件产生与曲面柔性承印衬底匹配的形变。
转印吸头110中各部分的工作顺序如下:首先,吸附层113吸附待转印元件并将待转印元件从无机半导体衬底上分离;之后,控制形变层112发生形变能够使与之连接的吸附层113也发生相应的形变,进而导致待转印元件发生形变,形变后的待转印元件与曲面柔性承印衬底中对应的像素区域匹配;之后,将发生形变后的待转印元件印制到曲面柔性承印衬底上。
其中,在形变层112为电致形变层时,所述形变层112可以为压电材料层,压电材料层与控制器连接,用于在所述控制器的控制下发生形变。压电材料层是指用必要成分的原料进行混合后,通过造粒、成型、高温烧结等工艺而获得的由微细晶粒无规则集合而成的多晶体,如钛酸钡系、锆钛酸铅二元系等化合物。该压电材料层在外力或外加电压的作用下会发生形变。压电材料层表面经过镀膜处理,并且表面进行微观改造以适用于待转印元件的沉积。
在待转印元件的拾取过程中,增加压载荷使形变层112发生凹陷,此时待转印元件与吸附层113具有较大的接触面积,以较快的速度将待转印元件从无机半导体衬底上剥离,成功实现对待转印元件的吸附。
在待转印元件的印制过程中,释放外加压载荷使形变层112恢复初始形状,此时待转印元件与吸附层113的接触面积减小,以较慢的速度使吸附层113与待转印元件分离,使待转印元件成功转印至柔性承印衬底上。
吸附层113可以包括多个吸嘴,所述吸嘴为多棱台结构或圆台结构,例如:四棱台结构,其中,面积小的底面作为所述吸附端面。
吸嘴可以用于静电吸附、真空吸附或胶水吸附所述待转印元件,此处不限制吸嘴吸附待转印元件的方式。
进一步地,如图4所示,所述转印吸头110还包括位于所述形变层112与所述转印基板111之间的加热层114,所述加热层114与所述控制器连接,用于在所述控制器的控制下发热。
本实施例中,可以通过加热层114的加热来进行热压转印。首先将待转印元件与目标转印区域对准后进行压合,然后控制器控制加热层114对待转印元件进行加热,通过加热和压力使待转印元件紧紧印制在柔性承印衬底上。
进一步地,如图4所示,在加热层114与转印基板111之间还可以增设平坦层115,所述平坦层115能够使各功能膜层平坦化,且具有黏结作用,提高转印吸头110的柔性黏结特性。
进一步地,在形变层112与吸附层113之间还可以增设记忆形变层116,一般采用温度记忆材料或其他磁、电控记忆材料,用于改善吸附层的表面界面能,在吸附待转印元件时降低界面能,减少吸附造成的损耗。
另外,转印装置中多个转印吸头110设计为三维矩形阵列的结构,能够调节与柔性承印衬底接触时形成的界面强度,其调节机制主要有三方面的作用:由于自凹陷引入的变形能;由于目标转印区域和凹陷导致的实际接触面积的变化;由于界面裂纹尖端的不连续性,黏阻力会对目标转印区域本身及其转印吸头阵列引入附加的变形能。三维阵列排布的转印吸头110不仅能调节其与柔性承印基板形成的界面强度,此界面的强度还依赖于裂纹扩展方向。当界面破坏的方向垂直于像素阵列排布时,尖端随裂纹方向不连续,界面强度将增大或者降低;而当界面破坏的方向平行于像素阵列排布时,稳态裂间应力场连续并不随时间变化,界面强度因实际接触面积的减小而降低。
本发明实施例还提供一种转印方法,应用于如上所述的转印装置,如图5所示,所述方法包括:
步骤501:通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面,以吸附形成在无机半导体衬底的待转印元件;
步骤502:在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
本发明提供的技术方案中,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面,以吸附形成在无机半导体衬底的待转印元件;在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上,能够将待转印元件压力均匀的印制在曲面柔性承印衬底上,进而提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。因此,本发明提供的技术方案能够提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
转印技术解决了无机LED微模块不能在柔性衬底上直接沉积的矛盾,是实现可延展柔性无机集成器件的一个最为重要的环节。转印过程包括两个阶段:一、拾取阶段,将生长在无机半导体衬底的待转印元件与无机半导体衬底分离;二、转印阶段,将与无机半导体衬底分离后的待转印元件转印至柔性承印衬底上。
上述待转印元件可以为无机LED微模块,如图2和图3所示,无机LED模块是采用传统的无机LED微模块制备技术在无机半导体基板上制成的。例如:根据预先设计的柔性承印衬底的像素图案进行相应的无机LED微模块沉积;之后,可印刷无机LED微模块分散在载体介质中,从而形成在载体介质中含有无机LED微模块的悬浮液;最后,通过将悬浮液溶液印刷至无机半导体基板的接受面上。当然,还可以是喷墨印刷法、丝网印刷法等方式来实现,此处不作限制。
柔性承印衬底是指制备无机发光器件时将要形成发光层的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)阵列基板或其他柔性基板。柔性承印衬底上预先设计有目标转印区域,目标转印区域包括对应待转印元件的像素图案。
上述转印吸头可以是通过吸附的方式来转移待转印元件的,例如:静电吸附、真空吸附、胶水吸附等方式;本发明实施例对于转印吸头具体采用何种方式转移待转印元件不作限定。其中,转印吸头的吸附端面为用于接触待转印元件的一面,即也是在将待转印元件转印至承印衬底时向待转印元件施加压力的一面。
驱动组件动作表示的是驱动组件的移动和/或旋转。驱动组件可以与转印吸头远离吸附端面的一端连接,从而驱动组件在动作的过程中转印吸头会跟随驱动组件的动作而发生位置变化。
上述驱动组件可以是多个驱动机构组成的,每个驱动机构既与控制器连接又与转印吸头连接;驱动组件也可以是整体结构,控制器向驱动组件发送控制信号后,驱动组件根据控制信号统一驱动多个转印吸头发生位置变化,使多个吸附端面处于同一平面或曲面。
控制器能够提前接收到转印吸头的工作信息,从而向驱动组件发送对应的控制信号,以控制驱动组件动作,使多个转印吸头的吸附端面处于同一平面或曲面。例如:
在需要通过转印吸头吸附生长在平面的无机半导体衬底上的待转印元件时,或者,需要通过转印吸头将待转印元件印制在平面的承印衬底上时,可以通过控制器控制驱动组件动作,使得多个转印吸头的吸附端面处于同一平面;
在需要通过转印吸头将待转印元件印制在曲面柔性承印衬底上时,可以通过控制器控制驱动组件动作,使得多个转印吸头的吸附端面处于与曲面柔性承印衬底匹配的曲面。这样,能够在印制过程中确保曲面柔性承印衬底各位置受到的压力均等,提高将待转印元件转印至曲面柔性承印衬底的质量。
需要说明的是,本发明实施例中提到的多个吸附端面处于与曲面柔性承印衬底匹配的曲面,指的是当柔性承印衬底中的目标转印区域具有凸起时,多个吸附端面在与柔性承印衬底的凸起位置对应的位置处产生凹陷的曲面;反之,当柔性承印衬底中的目标转印区域具有凹陷时,多个吸附端面在与柔性承印衬底的凹陷位置对应的位置处产生凸起的曲面,且多个转印吸头的吸附端面所在的曲面的曲率与曲面柔性承印衬底的曲率相等。
其中,转印过程中可以使用热压转印或激光转印,利用柔印承印衬底预先确定的目标转印区域进行高精度的转印。
进一步地,所述转印吸头包括转印基板、以及依次在所述转印基板上形成的形变层和吸附层;所述吸附层用于转移待转印元件;所述形变层用于产生形变,以使所述吸附层转移的所述待转印元件产生对应的形变。
上述在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上的步骤,包括:
在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,并且通过所述控制器控制所述形变层产生形变,使得所述形变层形变后形成与所述柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
转印基板为柔性结构,可以是利用导电橡胶或夹丝橡胶等柔性材料制成,也可以是由表面镀金或银的其他柔性材料制成。
形变层可以为电致形变材料、也可以为磁致形变材料,通过控制器控制形变层发生对应的形变,使得待转印元件产生与曲面柔性承印衬底匹配的形变。
转印吸头中各部分的工作顺序如下:首先,吸附层吸附待转印元件并将待转印元件从无机半导体衬底上分离;之后,控制形变层发生形变能够使与之连接的吸附层也发生相应的形变,进而导致待转印元件发生形变,形变后的待转印元件与曲面柔性承印衬底中对应的像素区域匹配;之后,将发生形变后的待转印元件印制到曲面柔性承印衬底上。
其中,在形变层为电致形变层时,所述形变层可以为压电材料层,压电材料层与控制器连接,用于在所述控制器的控制下发生形变。压电材料层是指用必要成分的原料进行混合后,通过造粒、成型、高温烧结等工艺而获得的由微细晶粒无规则集合而成的多晶体,如钛酸钡系、锆钛酸铅二元系等化合物。该压电材料层在外力或外加电压的作用下会发生形变。压电材料层表面经过镀膜处理,并且表面进行微观改造以适用于待转印元件的沉积。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本发明的保护之内。
Claims (11)
1.一种转印装置,其特征在于,包括:
转印吸头,包括用于转移待转印元件的吸附端面;
驱动组件,所述驱动组件与所述转印吸头连接;
控制器,与所述驱动组件连接,用于控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面或曲面。
2.根据权利要求1所述的转印装置,其特征在于,所述驱动组件包括多个驱动机构,多个驱动机构与多个转印吸头一一对应连接,每个驱动机构用于在所述控制器的控制下动作进而驱动与之相连的转印吸头发生位置变化。
3.根据权利要求2所述的转印装置,其特征在于,所述驱动机构包括分别与所述控制器连接的第一驱动单元和第二驱动单元,所述第一驱动单元用于带动所述转印吸头在第一方向上运动;所述第二驱动单元用于带动所述转印吸头旋转;所述第二驱动单元分别连接所述第一驱动单元和所述转印吸头。
4.根据权利要求3所述的转印装置,其特征在于,所述第一驱动单元包括与所述控制器连接的第一电机和与所述第一电机连接的推杆,所述第一电机用于驱动所述推杆在所述第一方向上运动;和/或,
所述第二驱动单元包括与所述控制器连接的第二电机和设置于所述推杆上的转轴,所述转轴与所述转印吸头连接,所述第二电机用于驱动所述转轴相对于所述推杆旋转。
5.根据权利要求1所述的转印装置,其特征在于,所述转印吸头包括转印基板、以及依次在所述转印基板上形成的形变层和吸附层;
所述吸附层用于转移待转印元件;所述形变层用于产生形变,以使所述吸附层转移的所述待转印元件产生对应的形变。
6.根据权利要求5所述的转印装置,其特征在于,所述形变层为压电材料层,所述压电材料层与所述控制器连接,用于在所述控制器的控制下发生形变。
7.根据权利要求5所述的转印装置,其特征在于,所述吸附层包括多个吸嘴,所述吸嘴为多棱台结构或圆台结构,其中,面积小的底面作为所述吸附端面。
8.根据权利要求7所述的转印装置,其特征在于,所述吸嘴用于静电吸附、真空吸附或胶水吸附所述待转印元件。
9.根据权利要求5所述的转印装置,其特征在于,所述转印吸头还包括位于所述形变层与所述转印基板之间的加热层,所述加热层与所述控制器连接,用于在所述控制器的控制下发热。
10.一种转印方法,应用于如权利要求1-9中任一项所述的转印装置,其特征在于,所述方法包括:
通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于同一平面,以吸附形成在无机半导体衬底的待转印元件;
在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,应用于权利要求5所述的转移装置;所述在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上的步骤,包括:
在接收到转印图案信息后,通过所述控制器控制所述驱动组件动作进而驱动多个转印吸头的吸附端面处于与柔性承印衬底的形状匹配的曲面,并且通过所述控制器控制所述形变层产生形变,使得所述形变层形变后形成与所述柔性承印衬底的形状匹配的曲面,以将所述转印元件转印至所述柔性承印衬底上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201910317675.1A CN110033704B (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 转印装置和转印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201910317675.1A CN110033704B (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 转印装置和转印方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110033704A true CN110033704A (zh) | 2019-07-19 |
CN110033704B CN110033704B (zh) | 2022-07-19 |
Family
ID=67239323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910317675.1A Active CN110033704B (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 转印装置和转印方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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