CN113437100B - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示装置及其制备方法，其中，一种显示装置包括多个感光电路和至少一个微结构，多个所述感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生所述光生载流子的所述感光电路确定所述外界光信号对应所述显示装置的坐标信息；所述微结构设置在所述感光电路朝向外界光照方向一侧，每个所述微结构包括多个凸起部以及位于多个所述凸起部之间的凹陷部；所述微结构用于提高外界光信号的穿透率。本实施例通过微结构减小了显示装置表面的光反射，提高了外界光信号的穿透率，加强了外界光信号被感光电路识别的强度，感光电路可以确定外界光信号对应显示装置的坐标信息，进而改善了现有技术中显示装置对可见光识别的灵敏性较低的问题。

Description

显示装置及其制备方法
技术领域
本申请属于电子设备技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
随着时代的发展，具有交互功能的LCD显示设备越来越受到关注。比如，在大型的会议室或者教室，演讲者可以通过远距离激光笔代替手指对屏幕实现标记或者书写的功能，这将大大提高互动效率和方便性。对于LCD显示设备，为了节省成本，感光器件一般设计在array基板或者CF基板上，封装在LCD显示器内部。但是现有的显示装置对可见光识别的灵敏性较低。
因此需针对显示装置对可见光识别的灵敏性较低的问题进行进一步的研究。
发明内容
本申请实施例提供一种显示装置及其制备方法，以改善显示装置对可见光识别的灵敏性较低的问题。
本申请实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：
多个感光电路，多个所述感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生所述光生载流子的所述感光电路确定所述外界光信号对应所述显示装置的坐标信息；
至少一个微结构，所述微结构设置在所述感光电路朝向外界光照方向一侧，每个所述微结构包括多个凸起部以及位于多个所述凸起部之间的凹陷部；所述微结构用于提高外界光信号的穿透率。
可选的，所述显示装置包括承载部，所述承载部设置在所述感光电路朝向外界光信号一侧，多个所述微结构分别设置在所述承载部的两侧。
可选的，所述多个凸起部在所述承载部上呈阵列排布。
可选的，所述显示装置包括依次层叠设置的上偏光片、上层基板、下层基板和下偏光片，
当所述感光电路设置在所述上层基板远离所述上偏光片的一侧时，所述承载部为所述上层基板和所述上偏光片中的至少一个。
可选的，在所述上层基板和所述上偏光片之间设置有所述微结构，和/或
在所述上偏光片远离所述上层基板的一侧设置有所述微结构。
可选的，所述微结构还包括基材部，所述基材部设置在所述承载部和所述凸起部之间。
可选的，所述凸起部的高度为50nm～200nm，和/或
所述凹陷部的深度为50nm～200nm，和/或
相邻两个所述凸起部的间隔距离为10nm～100nm。
可选的，每个所述感光电路包括：
第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于将所述外界光信号转换为电信号，所述第一薄膜晶体管包括第一氧化物层和第二氧化物层；
第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管电连接，第二薄膜晶体管用于传输所述电信号；
当检测到有外界光信号时，所述第二氧化物层接收所述外界光信号并产生光生载流子，当外界光信号停止时，所述第一氧化物层吸收所述光生载流子。
可选的，所述第一氧化物层的材料为氧化亚锡，所述第二氧化物层的材料为氧化铟镓锌。
本申请实施例还提供一种液晶显示装置的制备方法，所述制备方法包括：
提供衬底；
在衬底上涂抹金属材料形成栅极层；
在所述栅极层上铺设绝缘材料形成绝缘层；
在所述绝缘层上铺设材料形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成多个感光电路，多个所述感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生所述光生载流子的所述感光电路确定所述外界光信号对应所述显示装置的坐标信息；
在所述感光电路上形成微结构；每个所述微结构包括多个凸起部以及位于多个所述凸起部之间的凹陷部；所述微结构用于提高外界光信号的穿透率。
本申请实施例中显示装置包括多个感光电路和至少一个微结构，其中，多个感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生光生载流子的感光电路确定外界光信号对应显示装置的坐标信息。微结构设置在感光电路朝向外界光照方向一侧，每个微结构包括多个凸起部和位于多个凸起部之间的凹陷部，用于提高外界光信号的穿透率。本实施例通过微结构中的凸起部和凹陷部减小了显示装置表面的光反射，提高了外界光信号的穿透率，加强了外界光信号被感光电路识别的强度，通过感光电路可以确定外界光信号对应显示装置的坐标信息，进而改善了现有技术中显示装置对可见光识别的灵敏性较低的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示装置的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第一种结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第二种结构示意图。
图5为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第三种结构示意图。
图6为本申请实施例提供的显示装置中感光电路的第一种结构示意图。
图7为本申请实施例提供的显示装置中感光电路的第二种结构示意图。
图8为本申请实施例提供的显示装置的制作方法的流程示意图。
图9为本申请实施例提供的与图8所示的感光电路的制备方法的各步骤对应的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
现有具有远程touch功能的激光笔需要穿透偏光片、玻璃、色阻和液晶等多层结构，这样就需要激光笔具有比普通激光笔更强的激光信号才能被感光器件感测到，而较强功率的激光笔光斑容易被LCD显示器最外层的偏光片反射，使得激光笔光斑的穿透率减小，使得显示装置对可见光识别的灵敏性较低。
因此，本申请实施例提供一种显示装置用来解决上述问题。本实施例提供的显示装置包括多个感光电路和至少一个微结构，微结构设置在感光电路朝向外界光照方向的一侧，微结构减小了显示装置表面的光反射现象，增强了外界光信号的穿透率，加强了外界光信号被感光电路识别的强度。其中，感光电路用于接收从微结构穿透的外界光信号，感光电路中的第一薄膜晶体管可以增强对外界光信号的光感能力，使得外界光信号更容易更识别，进而改善了现有技术中显示装置对可见光识别的灵敏性较低的问题。下面结合附图，对显示装置及其制备方法进行详细描述。
请参阅图1至图2，图1为本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图，图2为本申请实施例提供的显示装置的第二种结构示意图。本实施例提供一种显示装置，显示装置100包括多个感光电路10、至少一个微结构20和承载部30。微结构20设置在感光电路10朝向外界光照方向的一侧设置，微结构20用于减小外界光信号在显示装置100表面的光反射现象，多个感光电路10用于根据穿过微结构20的外界光信号产生光生载流子，并根据产生光生载流子的感光电路10确定外界光信号对应显示装置100的坐标信息，以此可以识别到外界光线在显示装置100上的具体位置，从而提高显示装置100对可见光识别的灵敏性。
微结构20是在物品表面形成具有纳米尺寸的间隔的凹凸图案，其凹凸图案的尺寸小于可见光波长，该微结构20具有超低的反射率，几乎能够完全消除该物品表面的光反射现象。由于其微结构20的特征尺寸小于入射光波长，使得入射光无法辨别出该抗反射微结构20，因此大部分的入射光线能够透过该抗反射微结构20，反射光线大大降低，可以将该物品表面的光反射几乎消除，进而增强了外界光照的穿透率。
请继续参阅图3至图5，图3为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第一种结构示意图。图4为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第二种结构示意图，图5为本申请实施例提供的显示装置中微结构的第三种结构示意图。每个微结构20包括多个凸起部21和位于多个凸起部21之间的凹陷部22，微结构20中相邻两个凸起部21在承载部30上在预设范围之内相互抵接设置，本实施例通过将微结构20设置为可见光波长以下的具有纳米尺寸的间隔的凹凸结构，相邻凸起部21之间无间隙排列，由于其纳米尺寸的效应，该微结构20具有超低的反射率。
凸起部21为圆弧状，凸起部21圆弧状的设置可以更好的对外界光照进行穿透，减小反射。在其他一些实施例中，凸起部21也可以为三角形状、圆台状或圆柱状等等。
可以理解的是，微结构20中的每个凸起部21的大小和形状相同，可以使得外界光照在微结构20上的反射率减小，穿透效果更好。在其他一些实施例中，微结构20中的每个凸起部21的大小和形状也可以不相同，只需要满足微结构20具有多个凸起部21和多个凹陷部22，且微结构20中相邻两个凸起部21在承载部30上在预设范围之内相互抵接设置即可。
相邻两个凸起部21的间隔距离L1为10nm～100nm，每个凸起部21的高度L2为50nm～200nm，每个凹陷部22的深度L3为50nm～200nm。在每个凸起部21的高度L2过低且相邻两个凸起部21之间的间隔距离L1较大的情况下，微结构20会反射长波长侧(黄～红)的光。因此，当每个凸起部21的高度L2和相邻两个凸起部21之间的距离L1调整为该范围内，可以使得外界光照反射率减小，穿透率增加。需要说明的是，微结构20的大小范围也可以根据实际应用和场景需要进行设置，在此不作具体地限定。
示例性的，当外界光线a1通过微结构20时，会反射部分外界光线形层反射光a2，剩余的外界光线a1会穿透微结构20射出形成穿透光a3，具有凸起部21和凹陷部22的微结构20可以减小反射光a2，增加穿透光a3。
请结合图3和图4，多个微结构20可以设置在承载部30的一侧，也可以设置在承载部30的两侧，两侧都设置微结构20可以使得外部光照的穿透率更大，反射率更小。
显示装置还包括依次层叠设置的上偏光片、上层基板、下层基板和下偏光片。多个凸起部21在承载部30上呈阵列排布，需要说明的是，当感光电路10设置在上层基板远离上偏光片的一侧时，承载部30可以是上层基板和上偏光片中的至少一个。当感光电路10设置在上层基板远离下层基板的一面时，承载部30可以是上偏光片。需要说明的是，多个微结构20可以设置在基板的两侧，也可以多个微结构20设置在偏光片的两侧，也可以是多个微结构20设置在基板和偏光片上。例如，微结构20可以是设置在上层基板和上偏光片之间，微结构20也可以设置在上偏光片远离上层基板的一侧。可以理解的是，微结构20具体设置的位置根据实际情况设定，在此本申请不作具体地限定，只需要满足微结构20设置在感光电路10朝向外界光照的一侧即可。
示例性的，当外界光线a1通过微结构20时，会反射部分外界光线形层反射光a2和a4，剩余的外界光线a1会穿透微结构20射出形成穿透光a3，在承载部30的两侧设置具有凸起部21和凹陷部22的微结构20可以减小反射光a2和a4，增加穿透光a3。
结合图5，微结构20还包括基材部23，基材部23设置在承载部30和凸起部21之间，本实施例通过设置基材部23，可以使得凸起部21更容易在承载部30上集成，使得加工工艺更加简单。在一些实施例中，基材部23和多个凸起部21一体成型设置，使得加工更加方便，进而简化了加工工艺流程。
请继续参阅图6至图7，图6为本申请实施例提供的显示装置中感光电路的第一种结构示意图，图7为本申请实施例提供的显示装置中感光电路的第二种结构示意图。感光电路10用于增强对外界光信号的光感应。每个感光电路10包括第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12，第一薄膜晶体管11用于接收外界光信号并将外界光信号转化成电信号输出，第二薄膜晶体管12与第一薄膜晶体管11电连接，且第二薄膜晶体管12用于传输电信号。
第一薄膜晶体管11包括第一氧化物层111和第二氧化物层112。第二氧化物层112主要用于将外界光信号转化成电信号。第一氧化物层111主要用于使第二氧化物层112处于接收光照的最佳状态。具体的，当有外界光照时，外界光信号会通过微结构20穿透到感光电路10上识别，第二氧化物接收穿过微结构20的外界光信号产生光生载流子，通过第二氧化物层112在光照时接收外界光信号并产生光生载流子，光生载流子形成的电信号会通过第二薄膜晶体管12传递出去，当光照停止后，第一氧化物层111会中和光生载流子，避免了光照停止后光生载流子依旧存在导致第二氧化物层112对光感应能力下降的问题，使得第一薄膜晶体管11恢复至接收光照的最佳状态，且微结构20的设置使得外界光信号的反射率减小，穿透率变大，进而改善了现有技术中感光电路10对可见光识别的灵敏性较低的问题。
具体的，当有光照时，外界光信号先通过微结构20，使得外界光信号穿透的更多，光信号强度更大，第二氧化物层112会产生氧空位，氧空位增加了第二氧化物层112促进可见光的吸收。氧空位接收外界光信号并产生光生载流子和离子化的氧缺陷，光生载流子的存在会产生电信号，使得第一薄膜晶体管11的电流变大，漏极和栅极之间的电容发生变化。
当光照停止后，第二氧化物层112中的光生载流子很难再与氧缺陷复合至初始的中性氧空穴状态，会导致电信号一直存在，使得感光电路10误判，进而导致激光笔在显示面板上的运用不够灵敏。但是，本实施例中的第一氧化物层111在光照结束后会和光生载流子反应，中和掉多余的光生载流子，使得漏极和栅极之间的电容恢复至平稳，并使得第二氧化物层112处于接收光照的最佳状态。
相比较现有技术，本实施例通过微结构20增加了外界光信号与感光电路10接收的强度，也通过第一薄膜晶体管11中第一氧化物层111和第二氧化物层112的配合，提高了第一薄膜晶体管11的感光性能，且提高了感光性能的长久性。
其中，第二氧化物层112为金属氧化物半导体，金属氧化物半导体材料本身具有不同的带隙，通过不同的金属掺杂进行带隙的调整，可以具有较好的感光性能，而且在制程上可以量产，提高加工工艺的便捷性。在本实施例中以第二氧化物层112是氧化铟镓锌层为例进行说明，但是第二氧化物层112并不限于氧化铟镓锌层，不应理解为对第二氧化物层112的限制。氧化铟镓锌(IGZO)相比于传统的a-Si半导体层具有更高的电子迁移率，具有较好的感光性能。需要说明的是，第二氧化物的具体材料会根据实际应用进行设置，只要使得第二氧化物层112具有较好的感光性能即可。
第一氧化物层111为P型半导体层，该半导体以带正电的空穴导电为主，在导电过程中起主要作用。P型半导体层可以和光生载流子快速结合，从而避免光照停止后光电信号依然存在的情况。在本实施例中以第一氧化物层111为氧化亚锡(SnO)层为例进行说明，但是第一氧化物层111并不限于氧化亚锡层，不应理解为对第一氧化物层111的限制。氧化亚锡是一种具有强还原性的无机化合物，可以应用为还原剂。第一氧化物层111也可以是氧化锡(SnO2)层，氧化锡是一种透明的导电能力好的导电材料，在其他实施例中，为了提高氧化亚锡的导电性和稳定性，常会将氧化亚锡和其他物质进行掺杂使用，例如SnO2和Sb、SnO2和F等。
第二薄膜晶体管12两端输入的是变换的高低电压，因此第二薄膜晶体管12处于开启和关闭的状态，当第二薄膜晶体管12处于打开状态时，可以将第一薄膜晶体管11产生的电信号传递出去，使得分析单元可检测到激光笔光斑的具体位置。当第二薄膜晶体管12处于关闭状态时，第二氧化物层112接收外界光信号并将外界光信号转化成电信号。通过第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12的配合，可以使得第一薄膜晶体管11处于接收外界光信号的最佳位置，且可以重复循环使用，使感光电路10保持长期的感光性。
需要说明的是，第二薄膜晶体管12可以为单层材料形成的结构，与第一薄膜晶体11的材料不一致，例如，第二薄膜晶体管12中可以只由氧化铟镓锌组成，而没有设置氧化亚锡层。第二薄膜晶体管12中可以由氧化铟镓锌与其他材料组成，与第一薄膜晶体管11的材料不一样。
也可以第二薄膜晶体管12的大小、形状和材料和第一薄膜晶体管11的大小、形状和材料等等都相同。具体的，第二薄膜晶体管12包括第三氧化物层121和第四氧化物层122，其中，第三氧化物层121大小、形状和材料和第一氧化物层111大小、形状和材料相同；第四氧化物层122大小、形状和材料和第二氧化物层112大小、形状和材料相同，如图7所示。第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12相同的制程，使得感光电路10的加工工艺制程简单，这样在制备半导体器件时更易于制备大尺寸和量产化。
请继续参阅图8和图9，图8为本申请实施例提供的显示装置100的制作方法的流程示意图，图9为本申请实施例提供的与图8所示的感光电路的制备方法的各步骤对应的示意图。本实施例还提供一种显示装置100的制备方法，具体如下：
101、提供衬底。
衬底13可以是由具有一定刚性的基板组成，用于支撑。衬底13也可以是由柔性的衬底13组成。
102、在衬底上涂抹金属材料形成栅极层。
通过物理气相沉积技术在衬底13的表面成膜，然后通过湿蚀刻制程进行图形化。其中，通过物理气相沉积进行栅极层层膜，得到栅极层15。通过物理气相沉积进行源漏极成膜，然后曝光，再通过湿法刻蚀得到源漏极图形，得到源极17和漏极18。源极17和漏极18图形的材料为铜。
Gate电极采用Cu或者Al金属。Source和drain电极采用Cu或者Al金属。
103、在栅极层上铺设绝缘材料形成绝缘层。
通过化学气相沉积技术在栅极层15远离基板的表面铺设绝缘材料制备绝缘层16。GI薄膜的材料为二氧化硅。
104、在绝缘层上铺设材料形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成多个感光电路，多个感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生光生载流子的感光电路确定外界光信号对应显示装置的坐标信息。
在绝缘层上通过喷涂或者真空蒸镀技术制备第二氧化物层112和第四氧化层，在第二氧化物层112上通过物理气相沉积技术形成第一氧化物层111，在第四氧化物层122上通过物理气相沉积技术形成第三氧化物层121。第一氧化物层111、第二氧化物层112和栅极层15形成第一薄膜晶体管11，第三氧化物层121、第四氧化物层122和栅极层15形成第二薄膜晶体12。具体的，通过物理气相沉积进行金属氧化物IGZO成膜，然后曝光，再通过湿法刻蚀得到IGZO图形，形成氧化铟镓锌层。
第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12形成多个感光电路10，多个感光电路10用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生光生载流子的感光电路10确定外界光信号对应显示装置100的坐标信息。
105、在感光电路上形成微结构，每个微结构包括多个凸起部以及位于多个凸起部之间的凹陷部，微结构用于提高外界光信号的穿透率。
在感光电路10的一侧的承载部30上涂抹第一材料形成一层膜，即通过UV硬化树脂先在承载部30上成一层膜，然后通过带有mask的UV光照射，使得该膜层形成高低起伏不平的结构，即凸起部21和凹陷部22。多个凸起部21以及位于多个所述凸起部21之间的凹陷部22形成了微结构20。
可以理解的是，在一些实施例中，通过带有mask的UV光照射膜层时，会在凸起部21和承载部30之间留下基材部23，基材部23的存在可以使得加工工艺更加简单，也可以避免在使用UV光照射膜层时，将承载部30破坏的问题。
需要说明的是，在承载部30的另一侧也可以通过相同的办法形成微结构20。承载部30的两侧都设置有多个微结构20可以使得外界光线的穿透率更好。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示装置及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
多个感光电路，多个所述感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生所述光生载流子的所述感光电路确定所述外界光信号对应所述显示装置的坐标信息，每个所述感光电路包括电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用于接收外界光信号并将外界光信号转化成电信号输出，所述第二薄膜晶体管用于传输电信号，所述第一薄膜晶体管包括第一氧化物层和第二氧化物层；
至少一个微结构，所述微结构设置在所述感光电路朝向外界光照方向一侧，每个所述微结构包括多个凸起部以及位于多个所述凸起部之间的凹陷部；所述微结构用于提高外界光信号的穿透率；
其中，当有外界光照时，所述第二氧化物层接收穿过所述微结构的外界光信号产生光生载流子；当光照停止后，所述第一氧化物层中和所述光生载流子。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括承载部，所述承载部设置在所述感光电路朝向外界光信号一侧，多个所述微结构分别设置在所述承载部的两侧。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个凸起部在所述承载部上呈阵列排布。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括依次层叠设置的上偏光片、上层基板、下层基板和下偏光片；
当所述感光电路设置在所述上层基板远离所述上偏光片的一侧时，所述承载部为所述上层基板和所述上偏光片中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，在所述上层基板和所述上偏光片之间设置有所述微结构，和/或
在所述上偏光片远离所述上层基板的一侧设置有所述微结构。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述微结构还包括基材部，所述基材部设置在所述承载部和所述凸起部之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起部的高度为50nm～200nm，和/或
所述凹陷部的深度为50nm～200nm，和/或
相邻两个所述凸起部的间隔距离为10nm～100nm。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物层的材料为氧化亚锡，所述第二氧化物层的材料为氧化铟镓锌。
9.一种显示装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在衬底上涂抹金属材料形成栅极层；
在所述栅极层上铺设绝缘材料形成绝缘层；
在所述绝缘层上铺设材料形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成多个感光电路，多个所述感光电路用于根据外界光信号产生光生载流子，并根据产生所述光生载流子的所述感光电路确定所述外界光信号对应所述显示装置的坐标信息，每个所述感光电路包括电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用于接收外界光信号并将外界光信号转化成电信号输出，所述第二薄膜晶体管用于传输电信号，所述第一薄膜晶体管包括第一氧化物层和第二氧化物层；
在所述感光电路上形成微结构；每个所述微结构包括多个凸起部以及位于多个所述凸起部之间的凹陷部；所述微结构用于提高外界光信号的穿透率；
其中，当有外界光照时，所述第二氧化物层接收穿过所述微结构的外界光信号产生光生载流子；当光照停止后，所述第一氧化物层中和所述光生载流子。
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