CN108461533A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108461533A CN108461533A CN201810538413.3A CN201810538413A CN108461533A CN 108461533 A CN108461533 A CN 108461533A CN 201810538413 A CN201810538413 A CN 201810538413A CN 108461533 A CN108461533 A CN 108461533A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- slit
- layer
- display panel
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置,该显示面板包括:阵列基板、发光功能层和像素定义层,阵列基板包含衬底基板和薄膜晶体管阵列,发光功能层包含第一电极、发光材料层和第二电极,第一电极位于第一电极层;薄膜晶体管阵列设置于衬底基板的一侧,第一电极层设置于薄膜晶体管阵列远离衬底基板的一侧,包括多个第一电极,像素定义层设置于第一电极层远离衬底基板的一侧,包括多个开口区和包围开口区的多个非开口区,第一电极至少位于开口区,至少部分第一电极具有第一区域和第二区域,第二区域的透光率大于第一区域的透光率;指纹识别阵列包括若干指纹识别传感器,设置于第一电极层远离像素定义层的一侧。通过本发明,能够提升指纹识别准确性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
指纹对于每一个人而言是与生俱来的,随着科技的发展,市场上出现了多种带有指纹识别功能的显示装置,如手机、平板电脑以及智能可穿戴设备等。用户在操作带有指纹识别功能的显示装置前,只需要用手指触摸显示装置就可以进行权限验证,简化了权限验证过程,并且,随着指纹识别功能应用场景的逐渐增加,指纹识别区域逐渐由部分区域演变为全屏识别。
现有的基于光学式指纹识别技术的显示装置中,指纹识别传感器基于半导体器件形成,利用半导体器件受到光照会产生漏流的特性实现指纹检测,具体地,指纹识别光源产生的光线在手指与显示装置触控的表面发生反射后,反射光线照射到指纹识别传感,指纹识别传感器来检测由于指纹谷峰波动带来的光线强度,从而生成指纹谱,但是,现有技术中由于指纹识别传感器接收到的指纹信号量较小,导致指纹识别准确性无法进一步提高。
因此,提供一种显示面板和显示装置,以提高在显示面板上进行指纹识别的准确性,是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板和显示装置,解决了现有技术中在显示面板上指纹识别准确性较低的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提出一种显示面板。
该显示面板包括:阵列基板、发光功能层和像素定义层,其中:所述阵列基板包含衬底基板和薄膜晶体管阵列,所述发光功能层包含第一电极、发光材料层和第二电极,其中,所述第一电极位于第一电极层;所述薄膜晶体管阵列设置于所述衬底基板的一侧,所述第一电极层设置于所述薄膜晶体管阵列远离所述衬底基板的一侧,且包括多个第一电极,所述像素定义层设置于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧,且所述像素定义层包括多个开口区和包围所述开口区的多个非开口区,所述第一电极至少位于所述开口区,至少部分所述第一电极具有第一区域和第二区域,所述第一区域的透光率大于所述第二区域的透光率;指纹识别阵列,包括若干指纹识别传感器,设置于所述第一电极层远离所述像素定义层的一侧。
为了解决上述技术问题,本发明提出一种显示装置。
本发明提供的显示装置包括本发明提供的任意一种显示面板。
与现有技术相比,本发明的显示面板和显示装置,实现了如下的有益效果:
本发明的显示面板和显示装置,对显示面板中发光功能层的至少部分第一电极进行改变,使得至少部分第一电极具有较大透光率的第二区域,对于穿过这一部分第一电极的指纹反射光线来说,较大透光率的第二区域能够增加反射光线的信号量,使得指纹识别传感器接收到的信号量增加,从而提升指纹识别准确性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为现有技术所述的显示装置的膜层结构示意图;
图2为本发明实施例所述的显示面板的膜层结构示意图;
图3为本发明实施例所述的一种显示面板的第一电极的俯视图;
图4为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图;
图5为本发明实施例所述的一种显示面板的第一电极的剖面图;
图6本发明实施例所述的显示面板的成像小孔的示意图;
图7为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图;
图8为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图;
图9为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的剖面图;
图10为本发明实施例所述的一种光学双缝干涉的示意图;
图11为本发明实施例所述的另一种光学双缝干涉的示意图;
图12为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了提高有机发光显示面板的指纹识别准确性,发明人进行了如下的研究:图1为现有技术所述的显示装置的膜层结构示意图,如图1所示,显示装置包括显示面板10'、位于显示面板10'一侧盖板20'和位于显示面板10'另一侧的指纹识别装置30',其中,触摸主体TB'与盖板20'的表面相接触。指纹识别装置30'包括多个指纹识别传感器FS'。显示面板10'包括阵列基板11'、发光功能层12'和封装层13'。指纹识别光线入射至触摸主体TB'与盖板20'的界面后,在界面处反生反射,反射光线依次穿过盖板20'、封装层13'、发光功能层12'和阵列基板11',最终返回至指纹识别传感器FS'。
图1中示出了发光像素P'提供指纹识别光线L1',在触摸界面反射后形成反射光线L2',返回至指纹识别传感器FS'。其中,为了形成控制发光功能层12'发光的像素电路,阵列基板11'通常包括多个不透光的金属膜层,且不透光的金属膜层占据了阵列基板11'的大部分面积,使得阵列基板11'的透光率较低。因而,反射光线L2'在穿过阵列基板11'时,信号量会降低,使得指纹识别传感器FS'接收到的信号量降低,影响指纹识别准确性。
为了提高指纹识别准确性,发明人尝试提升阵列基板11'的透光率,但是在研究的过程中发现,要想提升阵列基板11'的透光率,第一种方式可以压缩Layout空间,但是会导致loading增高;第二种方式可以新增膜层,但会导致成本大量增加;第三种方式可以尝试改变膜层结构,但可能影响现实面板的显示光学特性。
在次基础上,发明人进一步地发现,图1中示出了发光像素P'提供指纹识别光线L3',反射光线L4'在穿过发光功能层12'时,需要穿过发光像素P'。其中,发光功能层12'包括多个发光像素P',每个发光像素包括阴极、阳极和设置于阴极和阳极之间的发光材料,各个发光像素P'的阴极通常采用透明或半透明材料形成一整层,发光材料产生的光线透过阴极进而出射,每个发光像素对应设置有一个阳极,且阳极通常包括金属材料,因而,对于发光功能层12'而言,在发光像素P'之间的位置能够透光,在发光像素P'处,透光率也较低。因此,对于反射光线L4',反射光线L4'在穿过发光功能层12'时,信号量也会降低,同样也会使得指纹识别传感器FS'接收到的信号量降低,影响指纹识别准确性。
基于上述研究,发明人转变通过提升阵列基板11'的透光率来提升纹识别传感器接收到的信号量的思路,而是通过提升发光功能层12'的透光率来提升纹识别传感器接收到的信号量,本申请提出了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置,以达到提升发光功能层透光率的目的。对于指纹识别而言,通过提升发光功能层的透光率,也能够增加指纹信号量,从而提升显示面板的指纹识别准确性。关于本申请提供的包括更高透光率的发光功能层的显示面板,详细说明如下。
图2为本发明实施例所述的显示面板的膜层结构示意图,在一种实施例中,如图2所示,该显示面板包括阵列基板10、发光功能层20、像素定义层30和指纹识别阵列。
其中,阵列基板10包含衬底基板11和薄膜晶体管阵列,其中,对于柔性显示面板,衬底基板11可采用柔性材料制成,对于刚性显示面板,衬底基板可采用玻璃等刚性材料制成。薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管T,薄膜晶体管T包括半导体有源层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。半导体有源层A包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂杂质的沟道区域。半导体有源层A可以通过非晶硅的结晶使非晶硅改变为多晶硅而形成。为了使非晶硅结晶,可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。栅电极G与半导体有源层A对应,栅电极G可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层,或者诸如铝(Al)、钕(Nd)合金、钼(Mo)和钨(W)合金的合金。以顶栅结构的薄膜晶体管T为例,源电极S和漏电极D分别通过接触孔电连接(或结合)到半导体有源层A的源极区域和漏极区域。
阵列基板10还包括位于上述各导电层之间的绝缘层,例如在方向a上,依次包括栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层等,具体可以采用现有技术中任意的阵列基板10的结构,本申请在此不再赘述。
发光功能层20包含第一电极21、发光材料层22和第二电极23,其中,每个第一电极21对应一个发光像素P,显示面板的各个第一电极21位于第一电极层,该第一电极层设置于薄膜晶体管阵列远离衬底基板11的一侧,包括多个第一电极21,也即多个阳极,第一电极层可采用金属材料制成。
发光材料层22被图案化为与每个发光像素P对应,即,与图案化的第一电极21对应。发光材料层22可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成,发光材料层22包括有机发射层,并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
第二电极23也即阴极,位于发光材料层22上,通常采用透明或半透明材料制成。第一电极21和第二电极23通过发光材料层22彼此绝缘。如果在第一电极21和第二电极23之间施加电压,则发光材料层22发射可见光,从而实现能被使用者识别的图像。
像素定义层30设置于第一电极层(第一电极21)远离衬底基板11的一侧,且像素定义层30包括多个开口区O和包围开口区O的多个非开口区NO,第一电极21至少位于开口区O,像素定义层30的开口区O限定发光像素P的发射区域,发光材料层22位于各个开口区O内。
指纹识别阵列包括若干指纹识别传感器FS,设置于所述第一电极层(第一电极21)远离像素定义层30的一侧,具体地,可以集成于阵列基板10内,或者贴附于阵列基板10的背面,对于指纹识别阵列集成于阵列基板10内的结构,有益于减薄显示面板的整体厚度,对于指纹识别阵列贴附于阵列基板10的背面的结构,可单独制作面板的显示部分和面板的指纹识别部分,指纹识别阵列不会影响到阵列基板10的各膜层结构,工艺简单,其中,图2示出了指纹识别阵列贴合于阵列基板10的背面的情况。
显示面板还包括封装层40,对于柔性显示面板,封装层40可采用柔性薄膜封装结构实现,对于刚性显示面板,封装层40采用刚性封装玻璃实现。
在显示面板中,至少部分第一电极21具有第一区域211和第二区域212,第二区域212的透光率大于第一区域211的透光率,可选地,设置所有的第一电极21均具有该第一区域211和第二区域212。
指纹识别光线在触摸界面反射后形成的反射光线,在返回至指纹识别传感器FS的过程中,会有部分光线穿过第一电极层,在现有技术中,第一电极层的各第一电极的透光率一致,而在该实施例中,对至少部分第一电极进行改变,使得至少部分第一电极具有较大透光率的第二区域,对于穿过这一部分第一电极的反射光线来说,较大透光率的第二区域能够增加反射光线的信号量,使得指纹识别传感器接收到的信号量增加,从而提升指纹识别准确性。
关于第一区域和第二区域的设置,可通过在第一电极的第一区域和第二区域选择不同材料,实现较大透光率的第二区域,或者,可通过在第一电极的第二区域进行结构调整,实现较大透光率的第二区域,例如,将第一电极的部分位置处的金属膜层刻蚀掉形成第二区域,被刻蚀掉的区域,也即第二区域,由于没有金属膜层,透光率会增加。
关于第二区域在第一电极上的位置,在一种实施例中,请继续参考图2,为了保证位于开口区O内的发光材料层22有效发光,像素定义层30会覆盖第一电极21的边缘,使得第一电极21的部分区域通过开口区O暴露,从而开口区O内的发光材料层22均会位于第一电极21和第二电极23之间,在此基础上,一种情况下,第二区域212可以设置于第一电极21中被像素定义层30覆盖的部分,使得第二区域212的设置不会影响到发光材料层22正常发光,避免第二区域212的设置对显示面板显示效果的影响。在另一种情况下,也可设置第二区域212位于第一电极21中被开口区O暴露的部分。在第三种情况下,第二区域212也可部分位于第一电极21中被像素定义层30覆盖的部分,部分位于被开口区O暴露的部分。
在一种实施例中,图3为本发明实施例所述的一种显示面板的第一电极的俯视图,如图3所示,第一电极21在第二区域处具有一个或多个通孔H,具体地,可在对第一电极层图案化形成各个第一电极21的制程中,同时在部分或全部第一电极21制作通孔H,不会增加显示面板的工艺制程,节省制作成本。
在另一种实施例中,图4为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图,图5为本发明实施例所述的一种显示面板的第一电极的剖面图,其中,图5为沿图4中切线A-A形成的切面图,如图4和图5所示,第一电极21包括金属层21a和透明导电层21b,例如,两层透明导电层21b夹置一层金属层21a,该金属层21a在第二区域处具有一个或多个通孔H。在该实施例中,仅仅将金属层21a设置通孔H,不对透明导电层21b进行改变,对第一电极21的电特性影响较小。
对于上述各实施例中的通孔的形状,可以设置为任意形状,例如,通孔设置为圆形、方形、菱形或不规则形状等,其在衬底基板上的投影为相应为圆形、方形、菱形或不规则形状,本申请对此并不进行限定,均可达到提升指纹识别准确性的效果。
在一种实施例中,设置通孔的孔径大于或等于1微米且小于或等于5微米,其中,对于圆形的通孔,通孔的孔径指孔的内直径,对于其他形状的通孔,通孔的孔径指孔的最大内径。基于显示面板的特有结构,发明人发现,按照光的波动性(其中,可见光波长380nm~780nm即0.038um~0.078um),限定通孔的孔径的小于或等于5微米,能够满足数倍光波长,使得通孔能够成为成像小孔,能够将在接触界面上形成的指纹图像成像至指纹识别传感器,具体地,图6本发明实施例所述的显示面板的成像小孔的示意图,如图6所示,平面S3为手指与显示装置的接触界面,也即指纹图像产生的界面;平面S2为通孔H,也即第一电极所在的平面;平面S1为成像平面,也即指纹识别传感器所在的平面。在第一电极设置通孔H,能够将指纹图像成像至指纹识别传感器。根据指纹识别传感器将接收到的光线能够得到指纹的图像信息,实现指纹的识别。同时,通孔的孔径的大于或等于1微米,在工艺上较容易成形。
采用该实施例提供的显示面板,在第一电极上设置孔径足够小的通孔,能够通过小孔成像的原理,将指纹图像成像至指纹识别传感器,进一步提升显示面板的指纹识别准确性。
进一步地,在一种实施例中,相邻两个通孔之间间隔1个至20个第一电极,具体地,相邻两个通孔之间间隔的第一电极的个数与指纹识别传感器的数目和排列位置相关,设置相邻两个通孔之间间隔1个至20个第一电极,一方面,避免在同一个第一电极上设置两个通孔而导致指纹识别传感器上的成像重叠,进而造成成像的相互干扰,影响指纹识别的准确性;另一方面,限定两个通孔之间的间隔的第一电极个数小于或等于20,避免通过小孔成像得到的指纹的图像信息,不能完整反应指纹图像,而影响指纹识别的准确性。
在一种实施例中,图7为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图,如图7所示,第一电极21在第二区域处具有一个或多个狭缝S,具体地,可在对第一电极层图案化形成各个第一电极21的制程中,同时在部分或全部第一电极21制作狭缝S,不会增加显示面板的工艺制程,节省制作成本。
在另一种实施例中,图8为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的俯视图,图9为本发明实施例所述的另一种显示面板的第一电极的剖面图,其中,图9为沿图8中切线B-B形成的切面图,如图8和图9所示,第一电极21包括金属层21a和透明导电层21b,例如,两层透明导电层21b夹置一层金属层21a,该金属层21a在第二区域处具有一个或多个狭缝S。在该实施例中,仅仅将金属层21a设置狭缝S,不对透明导电层21b进行改变,对第一电极21的电特性影响较小。
在一种实施例中,狭缝包括第一狭缝和第二狭缝,其中,第一狭缝和第二狭缝形成光学双缝干涉,在一种实施例中,如图8所示,第一狭缝S1和第二狭缝S2位于同一个第一电极21,在另一种实施例中,第一狭缝S1和第二狭缝S2也可以位于不同的第一电极。
基于光学双缝干涉的基本原理,相干光经双缝后再次在接收界面上相遇会相互叠加,从而,无论第一狭缝S1和第二狭缝S2是否位于同一第一电极,指纹识别时,人手与显示装置的接触界面上反射回的反射光线,经由第一狭缝S1和第二狭缝S2,会在指纹识别传感器上形成稳定的明暗相间的干涉条纹,图10为本发明实施例所述的一种光学双缝干涉的示意图,如图10所示,识别光源在接触界面TB上产生的反射光线,分别经第一狭缝S1和第二狭缝S2,在指纹识别传感器FS处叠加形成间隔设置的暗纹DL和明纹BL,具体形成的是暗纹DL还是明纹BL,与P点到O点的距离x有关,其中,P点为相干光叠加的位置,O点为第一狭缝S1和第二狭缝S2之间中心点在指纹识别传感器FS接收平面上的垂足,具体地:
也即,当指纹识别传感器FS上某P点与两个狭缝的路程差是波长λ的整数倍时,则经过第一狭缝S1和第二狭缝S2光波的波峰叠加,波谷与波谷叠加,形成亮条纹。当指纹识别传感器FS上某P点与两个狭缝的路程差是波长λ的奇数倍时,在这些地方波峰跟波谷相互叠加,光波的振幅互相抵消,出现暗条纹。
在该实施例提供的显示面板中,在同一个或不同的第一电极上设置两个狭缝形成光学双缝干涉,使得指纹识别传感器上接收到的、且通过两个双缝的指纹反射光线都经过了叠加,而指纹识别传感器上接收到的其他光线,例如显示像素的产生的干扰光线、在显示面板中多次折射和反射形成的干扰光线等,都没有经过叠加而直接入射至指纹识别传感器,从而指纹识别传感器能够通过是否经过叠加来区分指纹反射光线和干扰光线,减少干扰光线对指纹识别的影响,进一步提升指纹识别的准确性。
在一种实施例中,请继续参考图10,在指纹识别阵列垂直指向第一电极层的方向a上,第一电极层(第一电极21所在膜层)与指纹识别阵列(指纹识别传感器FS)之间的距离D大于或等于0.1毫米且小于或等于10毫米。
其中,形成光学双缝干涉时,需要的一个前提是距离D远大于d,采用该实施例提供的显示面板,设置距离D大于或等于0.1毫米,保证第一电极层与指纹识别阵列具有较远的距离,容易实现距离D远大于d,进而容易实现第一狭缝和第二狭缝形成光学双缝干涉,设置距离D小于或等于10毫米,避免为了形成光学双缝干涉而增大显示面板的厚度。可选地,将指纹识别阵列设置于阵列基板中衬底基板的背面,无需大显示面板的厚度,即可满足指纹识别阵列与第一电极层之间的距离要求。
在一种实施例中,请继续参考图10,第一狭缝S1和第二狭缝S2的宽度W大于或等于1微米且小于或等于5微米,按照光的波动性(其中,可见光波长380nm~780nm即0.038um~0.078um),第一狭缝S1和第二狭缝S2的宽度W在1微米与5微米之间,能够满足数倍光波长,宽度W在1微米与5微米之间,能够通过黄光工艺实现刻缝。
在一种实施例中,请继续参考图10,第一狭缝S1和第二狭缝S2位于同一个第一电极21内,第一狭缝S1与第二狭缝S2之间的距离d大于或等于10微米且小于或等于50微米。
如上文所述形成光学双缝干涉时,需要的一个前提是距离D远大于d,采用该实施例提供的显示面板,设置距离d大于或等于10微米且小于或等于50微米,保证两个狭缝之间具有较近的距离,容易实现距离D远大于d,进而容易实现第一狭缝和第二狭缝形成光学双缝干涉,设置距离d大于10微米,能够通过黄光工艺实现在单个第一电极上的刻缝。
在一种实施例中,图11为本发明实施例所述的另一种光学双缝干涉的示意图,如图11所示,第一狭缝S1位于第一电极21A,第二狭缝S2位于第一电极21B,第一狭缝S1和第二狭缝S2位于不同的电极,且第一狭缝S1与第二狭缝S2之间的距离d大于或等于50微米且小于或等于500微米。
如上文所述形成光学双缝干涉时,需要的一个前提是距离D远大于d,采用该实施例提供的显示面板,设置距离d大于或等于50微米且小于或等于500微米,保证两个狭缝之间具有较近的距离,容易实现距离D远大于d,进而容易实现第一狭缝和第二狭缝形成光学双缝干涉,设置距离d大于50微米,能够通过黄光工艺实现在不同第一电极上的刻缝。
以上为本发明实施例提供的有机发光显示面板的实施例,本发明还提供了一种显示装置,图12为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图,如图12所示,该显示装置包括壳体01和包裹于壳体01之内的显示面板02,该显示面板02为上述任意一种实施例提供的显示面板,具有相应的技术特征和技术效果,在此不再赘述。
通过上述实施例可知,本发明的显示面板和显示装置,达到了如下的有益效果:
对显示面板中发光功能层的至少部分第一电极进行改变,使得至少部分第一电极具有较大透光率的第二区域,对于穿过这一部分第一电极的指纹反射光线来说,较大透光率的第二区域能够增加反射光线的信号量,使得指纹识别传感器接收到的信号量增加,从而提升指纹识别准确性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板、发光功能层和像素定义层,其中:
所述阵列基板包含衬底基板和薄膜晶体管阵列,所述发光功能层包含第一电极、发光材料层和第二电极,其中,所述第一电极位于第一电极层;
所述薄膜晶体管阵列设置于所述衬底基板的一侧,所述第一电极层设置于所述薄膜晶体管阵列远离所述衬底基板的一侧,且包括多个第一电极,所述像素定义层设置于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧,且所述像素定义层包括多个开口区和包围所述开口区的多个非开口区,所述第一电极至少位于所述开口区,
至少部分所述第一电极具有第一区域和第二区域,所述第二区域的透光率大于所述第一区域的透光率;
指纹识别阵列,包括若干指纹识别传感器,设置于所述第一电极层远离所述像素定义层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极在所述第二区域处具有一个或多个通孔,或
所述第一电极包括金属层和透明导电层,所述金属层在所述第二区域处具有一个或多个通孔。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述通孔在所述衬底基板上的投影为圆形、方形、菱形或不规则形状。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述通孔的孔径大于或等于1微米且小于或等于5微米。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
相邻两个所述通孔之间间隔1个至20个所述第一电极。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极在所述第二区域处具有一个或多个狭缝,或
所述第一电极包括金属层和透明导电层,所述金属层在所述第二区域处具有一个或多个狭缝。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述狭缝包括第一狭缝和第二狭缝,所述第一狭缝和所述第二狭缝位于同一个或不同的所述第一电极,所述第一狭缝和所述第二狭缝形成光学双缝干涉。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
在所述指纹识别阵列垂直指向所述第一电极层的方向上,所述第一电极层与所述指纹识别阵列之间的距离大于或等于0.1毫米且小于或等于10毫米。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述狭缝的宽度大于或等于1微米且小于或等于5微米。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一狭缝和所述第二狭缝位于同一个所述第一电极内,所述第一狭缝与所述第二狭缝之间的距离大于或等于10微米且小于或等于50微米。
11.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一狭缝和所述第二狭缝位于不同的所述第一电极,所述第一狭缝与所述第二狭缝之间的距离大于或等于50微米且小于或等于500微米。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述指纹识别阵列集成于所述阵列基板内或贴附于所述阵列基板外。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至12中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810538413.3A CN108461533B (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810538413.3A CN108461533B (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108461533A true CN108461533A (zh) | 2018-08-28 |
CN108461533B CN108461533B (zh) | 2021-03-09 |
Family
ID=63214688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810538413.3A Active CN108461533B (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108461533B (zh) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037474A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled面板及显示装置 |
CN109040376A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-18 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 盖板、电子设备以及背光亮度控制方法 |
CN109449178A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-08 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏、显示装置及电子设备 |
CN110034153A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-07-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置及其制造方法和操作方法 |
CN110188702A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110326107A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组 |
CN110890388A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
CN111048570A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-21 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111221165A (zh) * | 2020-01-10 | 2020-06-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2020124775A1 (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled柔性显示装置 |
CN111508349A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
CN111739898A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
WO2020232915A1 (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、智能终端 |
CN113469079A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305477A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Fujitsu Ltd | 量子干渉効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0621480A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Canon Inc | 量子干渉素子 |
CN102629055A (zh) * | 2011-10-24 | 2012-08-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法 |
CN103529602A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-01-22 | 群康科技(深圳)有限公司 | 影像显示系统 |
US20150064857A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask for exposure, method of fabricating the same, and method of fabricating display panel using the mask |
CN106094354A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
CN106356395A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-01-25 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种oled成像装置及制备方法 |
CN107133613A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2018
- 2018-05-30 CN CN201810538413.3A patent/CN108461533B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02305477A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Fujitsu Ltd | 量子干渉効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0621480A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Canon Inc | 量子干渉素子 |
CN102629055A (zh) * | 2011-10-24 | 2012-08-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法 |
CN103529602A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-01-22 | 群康科技(深圳)有限公司 | 影像显示系统 |
US20150064857A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask for exposure, method of fabricating the same, and method of fabricating display panel using the mask |
CN106094354A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
CN106356395A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-01-25 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种oled成像装置及制备方法 |
CN107133613A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
ZHANG, CHUANFANG (JOHN): "Transparent, Flexible, and Conductive 2D Titanium Carbide (MXene) Films with High Volumetric Capacitance", 《ADVANCED MATERIALS》 * |
林锑杭: "可控液晶狭缝光栅及其在3D显示中的应用", 《福州大学博士学位论文》 * |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037474A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled面板及显示装置 |
CN109037474B (zh) * | 2018-07-24 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled面板及显示装置 |
CN110034153B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-03-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置及其制造方法和操作方法 |
CN110034153A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-07-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示装置及其制造方法和操作方法 |
US11876087B2 (en) * | 2018-08-30 | 2024-01-16 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display apparatus having an image acquisition region, manufacturing method and operating method thereof |
US11569214B2 (en) * | 2018-08-30 | 2023-01-31 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display apparatus with image acquisition region, manufacturing method and operating method thereof |
CN109040376B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-12-11 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 盖板、电子设备以及背光亮度控制方法 |
CN109040376A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-18 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 盖板、电子设备以及背光亮度控制方法 |
CN109449178A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-08 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏、显示装置及电子设备 |
CN109449178B (zh) * | 2018-10-15 | 2020-09-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏、显示装置及电子设备 |
WO2020124775A1 (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled柔性显示装置 |
CN111508349B (zh) * | 2019-01-31 | 2022-03-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
CN111508349A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
WO2020232915A1 (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、智能终端 |
US11233110B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-01-25 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display substrate, display panel, display device, manufacturing method thereof, and fingerprint identification module |
WO2020232692A1 (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组 |
CN110326107B (zh) * | 2019-05-23 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组 |
CN110326107A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组 |
CN110188702A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
US11093092B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-08-17 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN110890388B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
CN110890388A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
CN111048570B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-05-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111048570A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-21 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111221165B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-09-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111221165A (zh) * | 2020-01-10 | 2020-06-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111739898A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN111739898B (zh) * | 2020-07-29 | 2022-08-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN113469079A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108461533B (zh) | 2021-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108461533A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN107451576B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
US10810396B2 (en) | Fingerprint identification apparatus and electronic device | |
CN108229394B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
US11348356B2 (en) | Display substrate, fingerprint recognition method, and touch display device | |
US10627550B2 (en) | Fingerprint recognition sensor, manufacturing method thereof and display device | |
CN108321152B (zh) | 指纹识别传感器及其制备方法以及指纹识别设备 | |
CN107845666B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
US10297635B2 (en) | TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device | |
CN109950290B (zh) | Amoled显示屏、显示设备及移动终端 | |
CN107122750A (zh) | 一种光学指纹识别装置及显示面板 | |
CN111244196B (zh) | 光感薄膜晶体管、显示面板及显示装置 | |
CN110518150B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
CN108447937B (zh) | 一种感光组件、指纹识别面板及装置 | |
CN109858443A (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 | |
US11538848B2 (en) | Fingerprint identification substrate and manufacturing method therefor, identification method and display apparatus | |
CN110458036A (zh) | 指纹识别模组及其制备方法、相关装置 | |
CN108550606B (zh) | 一种显示屏的制作方法、显示屏及移动终端 | |
CN111384072A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
US11972629B2 (en) | Texture recognition apparatus and electronic apparatus | |
CN109686774B (zh) | 一种有机发光显示面板及其制造方法 | |
CN212257459U (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US20210313364A1 (en) | Array substrate and display panel | |
CN111370524B (zh) | 感光传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板 | |
CN109308470B (zh) | 指纹感测装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |