CN112420760A - 光感应阵列基板及其制备方法、显示器 - Google Patents

光感应阵列基板及其制备方法、显示器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种光感应阵列基板及其制备方法、显示器。本发明在用于制备传感器薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的区域处通过制备不同厚度的光刻胶图案，并蚀刻使得传感器薄膜晶体管具有二硫化钼层，开关薄膜晶体管无二硫化钼层。本发明既能提高传感器薄膜晶体管的光吸收，又能保证开关薄膜晶体管不受影响，能够同时满足传感器薄膜晶体管高效光吸收及开关薄膜晶体管较低光吸收的要求。

Description

光感应阵列基板及其制备方法、显示器
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种光感应阵列基板及其制备方法、显示器。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因具有轻、薄、小等特点，同时功耗低、无辐射、制造成本相对较低，在目前平板显示行业应用较为广泛。为拓宽液晶显示器商用及家用功能，现将诸多功能集成在显示器中，如色温感测，外部光源(如激光)感测，气体感测等，提高了液晶显示器可应用场景。但诸多集成功能均处在新开发阶段，尚有较多工艺制程及相关设计需要完善，以便提高多种集成功能液晶显示器性能。
为了实现液晶显示器能够感应外部光源(如激光)，同时将感应到的外部光源(如激光)信号传递给显示器，指示液晶显示器相应位置发生色彩变化，达到液晶显示器在外部光源(如激光)扫描位置产生相应信号的功能，目前的一种结构为在液晶显示器外部外挂具有光感应功能的光感应阵列基板(Sensor glass)，通过胶水，将光感应阵列基板与液晶面板(Open Cell)显示器粘结。该光感应阵列基板上分布着整面性的具有感光功能的传感器薄膜晶体管(Sensor TFT)，在外部光源(如激光)照射时，被外部光源(如激光)照射部位的传感器薄膜晶体管会产生一定的电流信号，该信号经过引线传送至具有信号识别及处理功能的可编程逻辑器件(FPGA)及固件(Firmwire)，可编程逻辑器件及固件再将处理过的信号传送至液晶显示器液晶面板，使得液晶面板固定位置产生颜色变化，实现外部光源(如激光)笔照射位置，液晶显示器颜色发生变化的功能。
作为一个完整的光感应阵列基板，通常搭配具有时序控制功能的开关薄膜晶体管，即周期性控制传感器薄膜晶体管产生的信号流出光感应阵列基板，使得外部光源(如激光)产生的信号，在开关薄膜晶体管打开前，信号累计到一定强度，再由开关薄膜晶体管导出，保证信号强度累积足够的强度，更易被识别。在传感器薄膜晶体管中起到将外部光源(如激光)的光信号转换为电信号的有源层决定了光电转换能力。因此，若想提高光感应阵列基板的性能，需要提高传感器薄膜晶体管对外部光源(如激光)的吸收，但是对于开关薄膜晶体管其本身对于光源具有低吸收的要求，因为较高的光吸收会导致开关薄膜晶体管产生漏电流的问题，因此如何同步满足光感应阵列基板中传感器薄膜晶体管的高效光吸收及开关薄膜晶体管较低光吸收的要求是需要克服的技术难题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种光感应阵列基板的制备方法及显示器，可以克服光感应阵列基板中传感器薄膜晶体管的高效光吸收及开关薄膜晶体管较低光吸收的要求的技术难题，既能提高传感器薄膜晶体管对外部光源的吸收，又能保证开关薄膜晶体管不受影响。
本发明提供了一种光感应阵列基板的制备方法，该光感应阵列基板的制备方法包括以下步骤：
步骤S1：提供一基板，其中所述基板上预先定义有多个用于制备传感器薄膜晶体管的第一区域及多个用于制备开关薄膜晶体管的第二区域；
步骤S2：于所述第一区域制备第一栅极层及于所述第二区域制备第二栅极层；
步骤S3：依序形成栅极绝缘保护层及有源膜层，所述绝栅极缘保护层覆盖所述第一栅极层与所述第二栅极层，所述有源膜层覆盖所述栅极绝缘保护层；
步骤S4：形成覆盖所述有源膜层的二硫化钼膜层；
步骤S5：在所述二硫化钼膜层上制备厚度不同的第一光刻胶图案与第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案分布于所述第一区域，所述第二光刻胶图案分布于所述第二区域；所述第一光刻胶图案的厚度大于所述第二光刻胶图案的厚度；
步骤S6：对所述第一光刻胶图案、所述第二光刻胶图案、所述二硫化钼膜层和所述有源膜层进行蚀刻，使得在所述第一区域内形成层叠的第一有源层、第一二硫化钼层和剩余的第一光刻胶图案，在所述第二区域内形成第二有源层；以及
步骤S7：去除剩余的第一光刻胶图案。
在一些实施例中，在步骤S3中，所述有源膜层采用载流子迁移率大于非晶硅(a-Si)的载流子迁移率的材料。
在一些实施例中，在步骤S1中，所述有源膜层的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)或低温多晶硅(LTPS)。
在一些实施例中，在步骤S5中，通过使用同时具有不同穿透率的光罩制备厚度不同的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案。
在一些实施例中，在步骤S6中，所述蚀刻采用干法刻蚀工艺。
在一些实施例中，在步骤S7之后还包括依序形成所述传感器薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管的源极、漏极、钝化层、以及与所述漏极连接的氧化铟锡电极或有机导电聚合物电极或金属纳米线电极或石墨烯电极。
本发明还提供了一种光感应阵列基板，所述光感应阵列基板包括一基板，以及位于所述基板上的多个传感器薄膜晶体管和多个开关薄膜晶体管；其中，
所述传感器薄膜晶体管包括第一有源层和覆盖在第一有源层上的第一二硫化钼层；
所述开关薄膜晶体管包括第二有源层，不包括二硫化钼层。
在一些实施例中，所述传感器薄膜晶体管包括：
第一栅极层，设于所述基板之上；
栅极绝缘保护层，设于所述基板之上，至少覆盖所述第一栅极层；
第一有源层，设于所述栅极绝缘保护层之上；
第一二硫化钼层，覆盖所述第一有源层；
第一源极和第一漏极，均与所述第一二硫化钼层和所述第一有源层相接触；
钝化层，至少覆盖所述第一源极、所述第一漏极和部分所述第一二硫化钼层；及
第一电极，设于所述钝化层之上且与所述第一漏极连接的第一电极；以及
所述开关薄膜晶体管还包括：
第二栅极层，设于所述基板之上；
栅极绝缘保护层，至少覆盖所述第二栅极层；
第二有源层，设于所述栅极绝缘保护层上；
第二源极和第二漏极，覆盖在所述第二有源层两端；
钝化层，至少覆盖所述第二源极、所述第二漏极和部分所述第二有源层；及
第二电极，设于所述钝化层上与所述第二漏极相连接；
其中，所述第一电极和所述第二电极的材料均采用氧化铟锡、有机导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。
在一些实施例中，所述光感应阵列基板还包括位于所述基板上的多个存储电容。
在一些实施例中，所述存储电容包括设于所述基板上的第三栅极层、覆盖所述第三栅极层的栅极绝缘保护层、设于所述栅极绝缘保护层上且对应于所述第三栅极层上方的第三源极/第三漏极、至少覆盖所述第三源极/第三漏极的钝化层、以及在所述钝化层上与所述第三源极/第三漏极相连接的信号导出电极；所述信号导出电极的材料为氧化铟锡或有机导电聚合物或金属纳米线或石墨烯。
本发明还提供了一种显示器，其包含所述光感应阵列基板的制备方法制备的光感应阵列基板。
在一些实施例中，所述显示器为激光感应显示器。
本发明有益效果：
本发明将二硫化钼层引入具有传感器薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的光感应阵列基板，并在同时制备传感器薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的过程中通过特殊的工艺方法使得传感器薄膜晶体管的结构中具有二硫化钼层，而开关薄膜晶体管的结构中无二硫化钼层，这样使得二硫化钼层能够有效提高传感器薄膜晶体管有源层的光吸收效率，同时还能够维持并保证开关薄膜晶体管不受影响，不会使开关薄膜晶体管的光吸收增加而产生漏电现象，同步满足了传感器薄膜晶体管的高效光吸收和开关薄膜晶体管较低光吸收要求。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S1和S2的示意图。
图2为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S3的示意图。
图3为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S4的示意图。
图4至图6为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S5的示意图。
图7为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S6的示意图。
图8为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S7的示意图。
图9为本发明实施例提供的一种光感应阵列基板的制备方法中实行步骤S8至S10的示意图。
图10为本发明实施例提供的一种具有存储电容的光感应阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1至图9，本发明实施例提供了一种光感应阵列基板100的制备方法，该光感应阵列基板100的制备方法包括以下步骤：
步骤S1：如图1所示，提供一基板100，其中所述基板100上预先定义有多个用于制备传感器薄膜晶体管的第一区域A及多个用于制备开关薄膜晶体管的第二区域B(图中仅以一个第一区域A及一个第二区域B作为示例)。
所述基板100可以为玻璃基板，聚酰亚胺(PI)基板或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板等。
步骤S2：如图1所示，于所述第一区域A制备第一栅极层201及于所述第二区域B制备第二栅极层202。
例如，在所述基板100上形成第一金属膜层并通过图案化所述第一金属膜层至少得到所述第一栅极层201与所述第二栅极层202。所述第一金属膜层的材料可以为氧化铟锡(ITO)，有机导电物PEDOT，金属纳米线或金属等。
步骤S3：如图1和图2所示，依序形成栅极绝缘保护层300及有源膜层400，所述栅极绝栅极缘保护层300覆盖所述第一栅极层201与所述第二栅极层202，所述有源膜层400覆盖所述栅极绝缘保护层300。
例如，如图1所示，先在所述基板100上形成覆盖所述第一栅极层201与所述第二栅极层202的栅极绝缘保护层300，即所述栅极绝缘保护层300至少同时覆盖所述第一区域A和所述第二区域B；如图2所示，然后在所述栅极绝缘保护层300上形成覆盖所述栅极绝缘保护层300的有源膜层400，所述有源膜层400也至少同时覆盖所述第一区域A和所述第二区域B。
在一些实施例中，所述栅极绝缘保护层300的材质可以为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等绝缘材料。
在一些实施例中，所述有源膜层400采用载流子迁移率高于非晶硅(a-si)的载流子迁移率的材质。例如，所述有源膜层400的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)或低温多晶硅(LTPS)。
步骤S4：如图3所示，在所述有源膜层400之上形成覆盖所述有源膜层400的二硫化钼膜层500。其中所述二硫化钼膜层500至少同时覆盖所述第一区域A和所述第二区域B。
步骤S5：如图4至图6所示，在所述二硫化钼膜层500上制备厚度不同的第一光刻胶图案601与第二光刻胶图案602，其中所述第一光刻胶图案601分布于所述第一区域A，所述第二光刻胶图案602分布于所述第二区域B；所述第一光刻胶图案601的厚度大于所述第二光刻胶图案602的厚度。具体地，所述第一光刻胶图案601与所述第二光刻胶图案602是同步制备的。
在一些实施例中，通过使用同时具有不同穿透率的光罩700同步制备厚度不同的第一光刻胶图案601和第二光刻胶图案602。例如，如图4所示，先在所述二硫化钼膜层500之上制备一覆盖所述二硫化钼膜层500的光刻胶层600，即光刻胶层600至少同时覆盖所述第一区域A和所述第二区域B，其中光刻胶层600的制备可以采用涂布的方式形成；如图5和图6所示，在使用同时具有不同穿透率的光罩700在同一曝光制程中对光刻胶层600进行曝光，然后进行显影及烘烤制程，同时形成分布于所述第一区域A的第一光刻胶图案601和分布于所述第二区域B的第二光刻胶图案602，所述第一光刻胶图案601的厚度大于所述第二光刻胶图案602的厚度。其中，所述光罩700上穿透率小的部分701用于制备所述第一光刻胶图案601、穿透率大的部分702用于制备所述第二光刻胶图案602。
步骤S6：如图7所示，对所述第一光刻胶图案601、所述第二光刻胶图案602、所述二硫化钼膜层500和所述有源膜层400进行蚀刻，使得在所述第一区域A内形成层叠的第一有源层401、第一二硫化钼层501和剩余的第一光刻胶图案601，在所述第二区域B内形成第二有源层402。
在一些实施例中，在步骤S6中，所述蚀刻制程可以采用干法刻蚀工艺。
本实施例在蚀刻的制程中，位于所述第一区域A的所述第一光刻胶图案601由于厚度较厚，只有部分所述第一光刻胶图案601被蚀刻去除，而位于所述第一光刻胶图案601下方的二硫化钼膜层500未被蚀刻；位于所述第二区域B的所述第二光刻胶图案602由于厚度较薄，其与位于其正下方的所述二硫化钼膜层500则全部被蚀刻去除；而其他位置由于没有光刻胶的保护，所述二硫化钼膜层500和所述有源膜层400均被蚀刻去除，进而使得在所述第一区域A内形成层叠的第一有源层401、第一二硫化钼层501和剩余的第一光刻胶图案601，在所述第二区域B内形成第二有源层402，即传感器薄膜晶体管具有二硫化钼膜层500，而开关薄膜晶体管无二硫化钼膜层500。
步骤S7：如图8所示，去除剩余的第一光刻胶图案601。
在一些实施例中，如图9所示，在步骤S7之后还包括依序形成所述传感器薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管的源极、漏极和钝化层900。其中，所述钝化层900材料可以采用氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等绝缘材料。
例如，图9所示，在步骤S7之后还包括以下步骤：
步骤S8：在所述第一区域A形成用于构成传感器薄膜晶体管的第一源极801和第一漏极802，并在所述第二区域B形成用于构成开关薄膜晶体管的第二源极803和第二漏极804。
例如，在所述栅极绝缘保护层300之上形成第二金属膜层，使其覆盖所述第一二硫化钼层501、所述第一有源层401和第二有源层402，并图案化至少得到第一源极801、第一漏极802、第二源极803和第二漏极804。其中，所述第一源极801由所述第一二硫化钼层501的一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401的一端；所述第一漏极802由所述第一二硫化钼层501的另一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401的另一端。所述第二源极803由所述第二有源层402的一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第二有源层402的一端；所述第二漏极804由所述第二有源层402的另一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第二有源层402的另一端。
步骤S9：形成钝化层900，使其至少覆盖所述第一源极801、所述第一漏极802、部分所述第一二硫化钼层501、所述第二源极803、所述第二漏极804和部分所述第二有源层402。
在一些实施例中，如图9所示，在形成所述钝化层900之后还包括步骤S10：形成氧化铟锡膜层(ITO)或有机导电聚合物膜层或金属纳米线膜层或石墨烯膜层，使其至少覆盖所述第一区域A和所述第二区域B，并图案化至少形成与所述第一漏极802相连接的第一电极1001、以及与所述第二漏极804相连接的第二电极1002。
例如，如图9所示，在步骤S9中，在所述钝化层900上形成与所述第一漏极802上方对应的第一通孔、以及与所述第二漏极804上方对应的第二通孔；在步骤S10中，所述第一氧化铟锡电极1001与所述第一漏极802通过第一通孔连接，所述第二氧化铟锡电极1002与所述第二漏极804通过第二通孔连接。
在一些实施例中，在步骤S10中对氧化铟锡膜层(ITO)或有机导电聚合物膜层或金属纳米线膜层或石墨烯膜层图案化时还可以在所述钝化层900上方的第一区域A和第二区域B处形成一些走线1003，1004。
在一些实施例中，如图10所示，在步骤S1中所述其中所述基板100上还预先定义有多个用于制备存储电容的第三区域C。在步骤S2中，于所述第三区域C制备第三栅极层203。例如，在所述基板100上形成第一金属膜层并通过图案化所述第一金属膜层在得到所述第一栅极层201与所述第二栅极层202的同时，还得到第三栅极层203。具体步骤例如：
在步骤S3中，所述栅极绝缘保护层300还覆盖所述第三栅极层203。
在步骤S8中，在所述第三区域C处、在所述栅极绝缘保护层300之上形成用于构成存储电容的第三源极/第三漏极805。例如，在形成所述第二金属膜层时还覆盖所述第三区域C处的栅极绝缘保护层300，对所述第二金属膜层图案化还得到第三源极/第三漏极805。
在步骤S9中，所述钝化层900还覆盖第三源极/第三漏极805。
在步骤S10中，所述氧化铟锡膜层或有机导电聚合物膜层或金属纳米线膜层或石墨烯膜层还覆盖所述第三区域C，经图案化还形成有与第三源极/第三漏极805相连接的信号导出电极1005。其中，所述信号导出电极1005与所述第三源极/第三漏极805相连接可以通过如下步骤实现，在步骤S9中，在所述钝化层900上形成与所述第三源极/第三漏极805上方对应的第三通孔；在步骤S10中，所述信号导出电极1005与所述第三源极/第三漏极805通过第三通孔相连接。
综上为本发明实施例提供的光感应阵列基板的制备方法，通过在第一区域A和第二区域B制备不同厚度的光刻胶图案，蚀刻使得传感器薄膜晶体管的有源膜层400上方具有二硫化钼膜层500(即第一二硫化钼层501)，而开关薄膜晶体管的有源膜层400上方的二硫化钼膜层500被蚀刻去除，进而实现了在同时具有传感器薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的器件中引入二硫化钼，既能够使得二硫化钼有效提高传感器薄膜晶体管有源层的光吸收效率，同时还能维持并保证开关薄膜晶体管不受影响，不会使开关薄膜晶体管的光照增加而产生漏电现象，同步满足了传感器薄膜晶体管的高效光吸收和开关薄膜晶体管较低光吸收要求。此外，需要说明的是，本发明的光感玻璃不仅仅适用于激光，对其他所有外部光源同样适用。
请参考图9，本发明实施例还提供了一种光感应阵列基板，所述光感应阵列基板包括一基板100，以及位于所述基板100上的多个传感器薄膜晶体管和多个开关薄膜晶体管；其中：
所述传感器薄膜晶体管包括第一有源层401和覆盖在第一有源层401上的第一二硫化钼层501；
所述开关薄膜晶体管包括第二有源层402，不包括二硫化钼层。
在一些实施例中，如图9所示，所述传感器薄膜晶体管包括：第一栅极层201，栅极绝缘保护层300，第一有源层401，第一二硫化钼层501，第一源极801，第一漏极802，钝化层900，及第一电极1001。
所述第一栅极层201设于所述基板100上。
所述栅极绝缘保护层300设于所述基板100上且覆盖所述第一栅极层201。
所述第一有源层401设于所述栅极绝缘保护层300上。其中，所述第一有源层401可以对应位于所述第一栅极层201上方。
所述第一二硫化钼层501覆盖在第一有源层401上。
所述第一源极801覆盖在所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401两端。例如，所述第一源极801由所述第一二硫化钼层501的一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401的一端。
所述第一漏极802，覆盖在所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401两端。例如，所述第一漏极802由所述第一二硫化钼层501的另一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第一二硫化钼层501和所述第一有源层401的另一端。
所述钝化层900至少覆盖所述第一源极801、所述第一漏极802和部分所述第一二硫化钼层501。
所述第一电极1001在所述钝化层900上与所述第一漏极802相连接。其中所述第一电极1001的材料可以为氧化铟锡或有机导电聚合物或金属纳米线或石墨烯。
在一些实施例中，如图9所示，所述开关薄膜晶体管还包括第二栅极层202，栅极绝缘保护层300，第二有源层402，第二源极803，第二漏极804，钝化层900，及第二电极1002。
所述第二栅极层202设于所述基板100上。
所述栅极绝缘保护层300覆盖所述第二栅极层202。
所述第二有源层402设于所述栅极绝缘保护层300上。其中所述第二有源层402可以对应位于所述第二栅极层202上方。
所述第二源极803覆盖所述第二有源层402两端。例如，所述第二源极803由所述第二有源层402的一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第二有源层402的一端。
所述第二漏极804，覆盖所述第二有源层402两端。例如，所述第二漏极804由所述第二有源层402的另一端延伸至所述栅极绝缘保护层300上，覆盖所述第二有源层402的另一端。
所述钝化层900至少覆盖所述第二源极803、所述第二漏极804和部分所述第二有源层402。
所述第二电极1002设在所述钝化层900上与所述第二漏极804相连接。其中第二电极1002的材料可以为氧化铟锡或有机导电聚合物或金属纳米线或石墨烯。
请参考图10，在一些实施例中，所述光感应阵列基板还包括位于所述基板100上的多个存储电容。
在一些实施例中，所述存储电容包括：第三栅极层203，栅极绝缘保护层300，第三源极/第三漏极805，钝化层900，及信号导出电极1005。
所述第三栅极层203设于所述基板100上。
所述栅极绝缘保护层300覆盖所述第三栅极层203。
所述第三源极/第三漏极805设于所述栅极绝缘保护层300上。其中所述第三源极/第三漏极805可以对应位于所述第三栅极层203上方的第三源极/第三漏极805。
所述钝化层900至少覆盖所述第三源极/第三漏极805。
所述信号导出电极1005设在所述钝化层900上，并与所述第三源极/第三漏极805相连接。其中，所述信号导出电极1005的材料可以为氧化铟锡或有机导电聚合物或金属纳米线或石墨烯。
本发明实施例还提供了一种显示器，其包含所述光感应阵列基板的制备方法制备的光感应阵列基板。具体地，可以将前述光感玻璃通过胶水与显示器面板粘结。
在一些实施例中，所述显示器为激光感应显示器。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种光感应阵列基板的制备方法，其特征在于，所述光感应阵列基板的制备方法包括以下步骤：
步骤S1：提供一基板，其中所述基板上预先定义有多个用于制备传感器薄膜晶体管的第一区域及多个用于制备开关薄膜晶体管的第二区域；
步骤S2：于所述第一区域制备第一栅极层及于所述第二区域制备第二栅极层；
步骤S3：依序形成栅极绝缘保护层及有源膜层，所述绝栅极缘保护层覆盖所述第一栅极层与所述第二栅极层，所述有源膜层覆盖所述栅极绝缘保护层；
步骤S4：形成覆盖所述有源膜层的二硫化钼膜层；
步骤S5：在所述二硫化钼膜层上制备厚度不同的第一光刻胶图案与第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案分布于所述第一区域，所述第二光刻胶图案分布于所述第二区域；所述第一光刻胶图案的厚度大于所述第二光刻胶图案的厚度；
步骤S6：对所述第一光刻胶图案、所述第二光刻胶图案、所述二硫化钼膜层和所述有源膜层进行蚀刻，使得在所述第一区域内形成层叠的第一有源层、第一二硫化钼层和剩余的第一光刻胶图案，在所述第二区域内形成第二有源层；以及
步骤S7：去除剩余的第一光刻胶图案。
2.如权利要求1所述的光感应阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述有源膜层采用载流子迁移率大于非晶硅的载流子迁移率的材料。
3.如权利要求2所述的光感应阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述有源膜层的材料为铟镓锌氧化物或低温多晶硅。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S5中，通过使用同时具有不同穿透率的光罩制备厚度不同的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案。
5.如权利要求1所述的光感应阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S7之后还包括依序形成所述传感器薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管的源极、漏极、钝化层、以及与所述漏极相连接的氧化铟锡电极或有机导电聚合物电极或金属纳米线电极或石墨烯电极。
6.一种光感应阵列基板，其特征在于，所述光感应阵列基板包括一基板，以及位于所述基板上的多个传感器薄膜晶体管和多个开关薄膜晶体管；其中，
所述传感器薄膜晶体管包括第一有源层和覆盖在第一有源层上的第一二硫化钼层；
所述开关薄膜晶体管包括第二有源层，不包括二硫化钼层。
7.如权利要求6所述的光感应阵列基板，其特征在于，所述传感器薄膜晶体管包括：
第一栅极层，设于所述基板之上；
栅极绝缘保护层，设于所述基板之上，至少覆盖所述第一栅极层；
第一有源层，设于所述栅极绝缘保护层之上；
第一二硫化钼层，覆盖所述第一有源层；
第一源极和第一漏极，均与所述第一二硫化钼层和所述第一有源层相接触；
钝化层，至少覆盖所述第一源极、所述第一漏极和部分所述第一二硫化钼层；及
第一电极，设于所述钝化层之上且与所述第一漏极连接的第一电极；以及
所述开关薄膜晶体管还包括：
第二栅极层，设于所述基板之上；
栅极绝缘保护层，至少覆盖所述第二栅极层；
第二有源层，设于所述栅极绝缘保护层上；
第二源极和第二漏极，覆盖在所述第二有源层两端；
钝化层，至少覆盖所述第二源极、所述第二漏极和部分所述第二有源层；及
第二电极，设于所述钝化层上与所述第二漏极相连接；
其中，所述第一电极和所述第二电极的材料均采用氧化铟锡、有机导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。
8.如权利要求6所述的光感应阵列基板，其特征在于，所述光感应阵列基板还包括位于所述基板上的多个存储电容。
9.一种显示器，其包含如权利要求1所述的方法制备的光感应阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示器，其特征在于，所述显示器为激光感应显示器。
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