CN113423858B - 铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法 - Google Patents

铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。

Description

铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法
技术领域
本发明涉及一种铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。
背景技术
在液晶显示元件、有机EL显示元件等薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)中，例如，存在将Al那样的低电阻金属用作布线材料的情况。
但是，关于栅电极，因为在制造工序的中途形成，所以在形成栅电极后，栅电极承受退火处理所产生的热历史。因此，作为栅电极的材料，较多使用能够耐受热历史的具有耐热性的高熔点金属(例如Mo)(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-156482号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，当在具有曲面形状的画面的显示器或能够折叠的可折叠显示器的曲面部适用Mo这样的高熔点金属来作为电极材料时，因为高熔点金属没有足够的耐弯曲性，所以电极有可能因为弯曲而断裂。
而且，Mo这样的高熔点金属与Al这样的低电阻金属相比，电阻率高。因此，随着显示器的尺寸变大，有可能导致显示器中的显示延迟。
鉴于以上情况，本发明的目的在于，提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。
用于解决问题的手段
为了达成上述目的，本发明的一方式的铝合金靶材，具有：由铝构成的主要成分，以及元素组，添加在上述主要成分中，由0.005at％以上且0.88at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。
若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
在上述铝合金靶材中，还可以由上述主要成分、上述元素组以及不可避免的成分构成。
若使用这样的铝合金靶材，则能够形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
本发明的一方式的铝合金靶材，具有：由铝构成的主要成分，以及添加元素，添加在上述主要成分中，由0.2at％以上且0.88at％以下的铁构成。
若使用这样的铝合金靶材，则能够形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
本发明的一方式的铝合金布线膜，具有：由铝构成的主要成分，以及元素组，添加在上述主要成分中，由0.005at％以上且0.88at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。
通过这样的铝合金布线膜，能够得到低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
在上述铝合金布线膜中，还可以由上述主要成分、上述元素组以及不可避免的成分构成。
根据这样的铝合金布线膜，能够得到低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
在本发明的一方式的铝合金布线膜的制造方法中，准备溅射靶材，上述溅射靶材具有由铝构成的主要成分以及元素组，上述元素组添加在上述主要成分中，由0.005at％以上且0.88at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成，使用上述溅射靶材在基板上形成铝合金布线膜，上述铝合金布线膜在450℃以下被加热处理。
根据这样的制造方法，能够形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
发明的效果
如上所述，根据本发明，能够提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。
附图说明
图1中的(a)以及图1中的(b)是具有本实施方式的Al合金膜的薄膜晶体管的概略剖视图。
图2是示出多个Al合金膜在刚成膜后以及加热处理后的表面粗糙度的变化的图表。
图3是示出Al纯金属膜、多个Al合金膜在刚成膜后以及加热处理后的电阻率ρ(μΩ·cm)的变化的图表。
图4中的(a)是示出Fe的浓度为0.1at％以上的Al-Fe-V三元系的表面粗糙度的图表。图4中的(b)是示出Fe的浓度为0.1at％以上的Al-Fe-V三元系在刚成膜后以及加热处理后的电阻率ρ(μΩ·cm)的变化的图表。
图5中的(a)～(h)是加热处理后的Al纯金属膜以及多个Al合金膜的表面SEM(Scanning Electron Microscope：扫描电子显微镜)像。
图6中的(a)和(b)示出在将形成于玻璃基板上的Al合金膜蚀刻之后的玻璃基板表面的SEM像的一个示例。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。在各附图中，存在导入XYZ轴坐标的情况。另外，有时对相同构件或者具有相同功能的构件标注相同的附图标记，在说明该构件之后有时适当省略说明。
在说明本实施方式的铝合金靶材之前，说明使用铝合金靶材的装置的结构、作用的一个示例。
(薄膜晶体管)
图1中的(a)以及图1中的(b)是具有本实施方式的Al合金膜的薄膜晶体管的概略剖视图。
图1中的(a)示出顶栅型薄膜晶体管1。在薄膜晶体管1中，在玻璃基板10上层叠有活性层(半导体层)11、栅绝缘膜12、栅电极13以及保护层15。活性层11由例如LTPS(lowtemperature poly-silicon：低温多晶硅)构成。活性层11与源电极16S以及漏电极16D电连接。
图1中的(b)所示的薄膜晶体管2为底栅型薄膜晶体管。在薄膜晶体管2中，在玻璃基板10上层叠有栅电极13、栅绝缘膜22、活性层21、源电极26S以及漏电极26D。活性层21由例如IGZO(In-Ga-Zn-O)类氧化物半导体材料构成。活性层21与源电极26S以及漏电极26D电连接。
栅电极13的厚度不受特别限定，例如为100nm以上且600nm以下，优选为200nm以上且400nm以下。当厚度小于100nm时，难以实现栅电极13的低电阻化。当厚度大于600nm时，薄膜晶体管2的耐弯曲性有下降的倾向。栅电极13由本实施方式的铝(Al)合金膜构成。栅电极13的电阻率被设定为例如15μΩ·cm以下，优选为10μΩ·cm以下，进一步优选为3.7μΩ·cm以下。
在通过溅射法形成固体状的Al合金膜后，通过图案化为规定形状来形成栅电极13。溅射法适用例如DC溅射法、脉冲DC溅射法、RF溅射法等。固体状的Al合金膜的图案化能够适用湿蚀刻或干蚀刻。栅电极13的成膜以及图案化一般在薄膜晶体管1、2的制造工序的中途进行。
另外，对于薄膜晶体管1、2，根据需要在制造工序中进行加热处理(退火)。例如，对于薄膜晶体管1，在形成栅电极13之后，为了活性层11的活性化或者活性层11的氢填充，存在在450℃以下进行30分钟以下的加热处理的情况。对于薄膜晶体管2，在活性层21或者栅绝缘膜22中，为了修复缺陷，也进行同样的热处理。
以往，作为栅电极13的材料，一般选择这样的能够耐受热历史的高熔点金属(例如Mo)。
但是，最近，有时薄膜晶体管1、2不仅适用在平面型显示装置中，还适用在周缘部弯曲的曲面(Curved)型的显示装置，弯折成圆弧状的可弯曲(Bendable)型的显示装置，能够180度折叠的折叠(Foldable)型的显示装置等中。
若在这样的显示装置的曲面部适用高熔点金属(例如Mo)为主要成分的栅电极，则因为高熔点金属没有足够的耐弯曲性，所以栅电极的一部分会产生裂纹，该电极有可能断裂。栅电极具有经由栅绝缘膜在相向的活性层形成沟槽(channel)的作用。因此，当在显示装置的曲面部适用栅电极时，优选栅电极不会产生裂纹，不会断裂，具有优异的耐弯曲性。
而且，高熔点金属的电阻率在金属中较高，随着内置有薄膜晶体管1或2的显示器的尺寸变大，会产生显示器中的显示延迟。
为了应对该情况，存在将柔软性优异、低电阻的Al纯金属适用为栅电极的材料的方法。但是，若由Al纯金属构成栅电极，则由于热历史而使Al的结晶粒径大径化，在栅电极内产生应力(压缩应力、拉伸应力)，存在在电极表面产生小丘(Hillock)的情况。
若这样的小丘从栅电极剥离，则栅电极有可能变为高电阻或者栅电极断线。而且，当在小丘上形成其他膜时，该膜受到基底的小丘的形状的影响，变为高电阻或者膜断线。
另外，在栅电极13的图案化中，因为适用湿蚀刻或干蚀刻，所以在栅电极13中，需要通过湿蚀刻以及干蚀刻来无残渣地进行加工。
这样，作为构成栅电极13的电极材料，不仅要求栅电极13为低电阻，还要求其具有即使以弯曲半径1mm弯折也能够耐受的耐弯曲性，具有难以产生小丘的优异的耐热性，能够无残渣地进行蚀刻加工。
(Al合金膜)
在本实施方式中，为了应对上述课题，作为栅电极13的材料，适用Al合金膜。例如在真空槽内通过溅射成膜形成Al合金膜。另外，因为Al合金膜像栅电极13那样被图案化为规定的布线形状，所以在本实施方式中，存在将Al合金膜统称为金属布线膜的情况。
在准备好作为溅射靶材的铝合金靶材之后，使用该靶材，通过溅射法，在玻璃基板等基板上形成Al合金膜。Al合金膜例如在对活性层11、21实施热处理的同时在450℃以下被进行加热处理。
本实施方式的Al合金膜具有由铝构成的主要成分以及添加到铝的主要成分中的元素组。元素组由0.005at％以上且0.88at％以下的铁(Fe)以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒(V)构成(at％：atom％)。除此之外，Al合金膜还可以含有不可避免的成分。在该情况下，Al合金膜由主要成分、元素组以及不可避免的成分构成。其中，不可避免的成分可例举出Si、Cu、Mn、Zn等。
其中，若铁的含量小于0.005at％，则在对Al合金膜进行加热处理的情况下，变得容易在Al合金膜产生小丘，因此不优选。另一方面，若铁的含量大于0.88at％，则难以控制靶材组分，变得难以使膜质均匀化，或难以进行铝合金膜的干蚀刻加工，因此不优选。
另外，若钒的含量小于0.01at％，则在对Al合金膜进行加热处理的情况下，变得易于在Al合金膜产生小丘，因此不优选。另一方面，若钒的含量大于0.05at％，则Al合金膜的电阻率变高，因此不优选。
另外，Al合金膜也可以具有由铝构成的主要成分以及在该主要成分中添加的由0.2at％以上且0.88at％以下的铁构成的添加元素。该Al合金膜可以含有不可避免的元素。在该情况下，Al合金膜由主要成分、铁以及不可避免的成分构成。其中，若铁的含量小于0.2at％，则在对Al合金膜进行加热处理的情况下，具有变得易于在Al合金膜产生小丘的倾向，因此不优选。另一方面，若铁的含量大于0.88at％，则难以控制靶材组分，难以使膜质均匀化，或难以进行铝合金膜的干蚀刻加工，因此不优选。
若使用这样的Al合金膜，则可形成例如电阻率为3.7μΩ·cm以下，优选为3.3μΩ·cm以下的低电阻的栅电极13。而且，Al合金膜具有优异的耐弯曲性且通过添加元素组而发挥优异的效果。
例如，作为添加元素组的作用，即使已经对Al合金膜进行加热处理(450℃max、30分钟max)，也变得难以在Al合金膜产生小丘。例如，即使已经对Al合金膜进行加热处理(450℃max、30分钟max)，Al合金膜中的Al粒子间的铁浓度变得相对高，相邻的Al粒子彼此的结合被抑制，Al粒子保持在微小粒子的状态(微小粒径：1μm以下)。本实施方式中的粒子的平均粒径通过激光衍射法、使用了电子显微镜图像的图像解析等求出。
而且，当在Al合金膜中含有钒时，因为钒相对于铝是固溶强化元素，所以在Al粒子内促进Al与V的固溶。由此，分散形成Al-V的金属间化合物，抑制Al粒子内的Al的移动(Al迁移)。
由此，即使已经对Al合金膜进行了加热处理，也能够抑制Al粒子的巨大化，即抑制生成小丘，形成耐热性高的Al合金膜。
另外，若是上述Al合金膜，则能够进行使用了氯基蚀刻剂的湿蚀刻或干蚀刻。另外，铁、钒与稀土类元素相比，易于进行干蚀刻，能够以与铝相同的蚀刻速率进行加工。
(铝合金靶材)
作为在溅射成膜中使用的溅射靶材，使用铝合金靶材(Al合金靶材)。
作为Al合金靶材，准备与Al合金膜相同组分的靶材。例如，关于Al合金靶材，在主要成分的纯度5N(99.999％)以上的Al纯金属片中，具有向铝的主要成分中添加的元素组。元素组由0.005at％以上且0.88at％以下的铁(Fe)以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒(V)构成(at％：原子％)。
除此之外，Al合金靶材还可以含有20ppm以下的不可避免的成分。在该情况下，Al合金靶材由主要成分、元素组、不可避免的成分构成。其中，不可避免的成分可举出Si、Cu、Mn、Zn等。作为一个示例，Si为4ppm以下，Cu为3ppm以下，Mn为1ppm以下，Zn为0.3ppm以下。
另外，Al合金靶材可以具有由铝构成的主要成分以及向该主要成分中添加的由0.2at％以上且0.88at％以下的铁构成添加元素。该Al合金靶材可以含有不可避免的元素。在该情况下，Al合金靶材由主要成分、铁、不可避免的成分构成。
在Al合金靶材中，元素组混合在Al纯金属片中，这些混合材料通过感应加热等熔解法而在坩埚内被熔解，首先形成为Al合金锭。对Al合金锭进行锻造、压延、冲压等塑性加工，通过将Al合金锭加工为板状、圆板状，制作Al合金靶材。
例如，在坩埚中设置Al、Fe以及V的各自的金属材料(金属片、金属粉)。或者，设置Al以及Fe的各自的金属材料(金属片、金属粉)。接着，通过感应加热，各金属材料被加热至比Al合金的熔点(例如655℃)高300℃以上的熔融温度(例如955℃)，各金属材料在坩埚内熔融。接着，已熔融的金属从该熔融温度被冷却至室温，形成铝合金锭。之后，铝合金锭根据需要被锻造，铝合金锭被切为板状或圆板状。由此形成Al合金靶材。
其中，作为形成溅射靶材用的合金锭的方法，存在如下方法，即，在通过比金属材料的熔点略高的熔融温度将金属材料熔融，金属材料从该略高的熔融温度被冷却，形成合金锭。这是为了通过缩短从熔融状态到冷却为止的冷却时间，避免在冷却过程中产生的金属间化合物的析出。但是，在该方法中，因为将熔融温度设定为比熔点略高的温度，所以金属材料有可能无法充分混合。
对此，在本实施例中，因为以比Al合金的熔点高300℃以上的熔融温度将金属材料加热熔融，所以各自的金属材料能够充分混合。其中，熔融温度越高，从熔融温度冷却至室温为止的冷却时间越长，金属间化合物越容易析出。但是，在本实施方式中，即使从比这样的Al合金的熔点高300℃以上的熔融温度冷却Al合金锭，也以Al合金锭中变得难以析出金属间化合物的方式，对添加元素的浓度进行调整。
通过将添加的元素组的添加量设定在上述范围，形成金属化合物的相图中的固相线与液相线的温度差变小，金属间化合物等的初晶难以在坩埚内沉淀的Al合金锭。添加元素在Al合金锭中均匀分散。
使用这样的Al合金靶材溅射成膜的Al合金膜实现上述优异的效果。
另外，若仅通过Al纯金属制作溅射靶材，则存在Al锭在锻造、压延、冲压等塑性加工中受热，Al锭中的Al结晶粒成长的情况。在由这样的Al锭制作出的Al靶材中也存在Al结晶粒，在成膜中，Al结晶粒承受来自等离子体的热量而在Al靶材表面形成突起物。该突起物有可能成为异常放电的原因，或者在成膜中突起物有可能从Al靶材飞出。
对此，在本实施方式的Al合金靶材中，在Al纯金属中以上述添加量添加有Fe或V。由此，即使Al合金锭在锻造、压延、冲压等塑性加工中受热，在Al合金锭中Al合金结晶粒也变得难以成长。因此，即使Al合金靶材从等离子体受热，也难以在Al合金靶材表面产生突起物，变得难以出现异常放电以及突起物的飞溅。另外，由于抑制异常放电、突起物的飞溅，所以也能够将Al合金靶材适用于高功率的溅射成膜中。
尤其是，在添加有Fe的Al合金锭(或者Al合金靶材)中，粒子间的晶界中的Fe的含量比粒子内的Fe的含量高。而且，由于在Al合金锭(或者Al合金靶材)中含有作为固溶强化元素的钒，所以在Al粒子内促进Al与V的固溶，分散形成Al-V的金属间化合物。由此，抑制Al粒子内的Al的移动。其中，Al合金锭(或者Al合金靶材)中的粒子的平均粒径被调整为100μm以上且200μm以下。
由此，在Al合金锭(或者Al合金靶材)中，晶界成为屏障，抑制相邻的微粒子结合而使微粒子粗大化的现象。其结果是，进一步提高Al合金靶材的耐热性。
以下示出Al合金膜的成膜条件以及使用了多个Al合金靶材的Al合金膜的各自的特性。以下示出的Al合金膜为上述组分的一个示例，本实施方式中的Al合金膜不限于以下的例子。
(Al合金膜的制造条件的一个示例)
放电电力：DC放电、5W/cm2、
成膜温度：100℃、
成膜压力：0.3Pa、
膜厚：200nm、
加热处理：氮气环境气体、450℃、0.5小时。
通过上述成膜条件，例如，形成Al纯金属膜、Al-0.10at％Fe膜、Al-0.05at％V-0.05at％Fe膜。此外，作为Al合金膜，制作出Al-0.05at％Mn膜、Al-0.10at％Mn膜、Al-0.20at％Mn膜、Al-0.05at％V膜、Al-0.05at％Fe膜、Al-0.08at％Ti膜、Al-0.05at％Mn膜-0.05at％Fe膜、Al-0.08at％Ti膜-0.05at％Fe膜、Al-0.03at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.2at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.4at％Fe膜以及Al-0.01at％V膜-0.8at％Fe膜。
在图1所示的装置中，由于进行加热处理，所以其目的在于在加热处理后的Al合金膜中没有小丘，电阻低。
图2是示出多个Al合金膜在刚成膜后以及加热处理后的表面粗糙度的变化的图表。图2还示出Al纯金属膜的结果。图2的纵轴为通过AFM(Atomic Force Microscope：原子力显微镜)测量的粗糙度曲线的最大谷深度(P-V)。图中的“○”表示刚成膜后的P-V，“●”表示加热处理后的P-V。
在图2中，在最左侧示出Al纯金属膜(纯Al)的结果，除此之外，示出多个Al合金膜的各自的结果。关于Al纯金属膜，形成2个膜(附图标记1、2)。刚成膜后的P-V与加热处理后的P-V的差ΔPV越大，则意味着加热处理后的表面凹凸越大，暗示加热处理后形成小丘的可能性高。
从图2的结果可知，与其他的Al合金膜相比，在Al纯金属膜中，ΔPV变大。另外，可知Al-0.08at％Ti膜的ΔPV与Al纯金属膜的ΔPV为相同程度。
在Al-0.05at％Mn膜、Al-0.1at％Mn膜、Al-0.05at％V膜、Al-0.05at％Fe膜、Al-0.05at％Mn膜-0.05at％Fe膜、Al-0.08at％Ti膜-0.05at％Fe膜中，虽然比Al纯金属膜的ΔPV小，但观察到ΔPV变大。
与之相对，在Al-0.2at％Mn膜、Al-0.1at％Fe膜、Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜中，ΔPV渐进至0。
尤其是，可知，通过向Al-Fe合金膜中添加V，能够得到比Al-Fe合金膜还低的ΔPV。
图3是示出Al纯金属膜、多个Al合金膜在刚成膜后以及加热处理后的电阻率ρ(μΩ·cm)的变化的图表。图中的虚线为加热处理后的电阻率的目标值的最大值3.7μΩ·cm以下。图中的“○”表示刚成膜后的电阻率，“●”表示加热处理后的电阻率。
若关注于ΔPV渐进至0的Al-0.2at％Mn膜、Al-0.1at％Fe膜以及Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜的电阻率变化，则其中Al-0.2at％Mn膜的电阻率未达到目标值(3.7μΩ·cm以下)。
与之相对，可知，在Al-0.1at％Fe膜以及Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜中，ΔPV渐进至0，且各自的电阻率成为目标值(3.7μΩ·cm以下)。
上述结果意味着，关于Al-Fe二元系的Al合金膜，为了形成无小丘且低电阻的Al合金膜，需要在Al合金膜中存在0.1at％以上的Fe。另外，可知，即使Fe的浓度低于0.1at％，通过设为Al-Fe-V三元系的Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜，也可形成无小丘且低电阻的Al合金膜。
图4中的(a)是示出Fe的浓度为0.1at％以上的Al-Fe-V三元系的表面粗糙度的图表。图4中的(b)是示出Fe的浓度为0.1at％以上的Al-Fe-V三元系在刚成膜后以及加热处理后的电阻率ρ(μΩ·cm)的变化的图表。
作为Al-Fe-V三元系的膜，制作出了Al-0.03at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.2at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.4at％Fe膜以及Al-0.01at％V膜-0.8at％Fe膜。
在这样的Al-Fe-V三元系中，可知，通过构成为Al-0.03at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.1at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.2at％Fe膜、Al-0.02at％V膜-0.4at％Fe膜、Al-0.01at％V膜-0.8at％Fe膜，从而形成无论在哪一种膜中表面粗糙度都被抑制在100nm以下，无小丘且电阻率为比3.7μΩ·cm更低的3.5μΩ·cm以下的Al合金膜。
图5中的(a)～图5中的(h)为加热处理后的Al纯金属膜以及多个Al合金膜的表面SEM像。在表面SEM像中，当小丘在Al合金膜表面析出时，小丘被描绘为白色粒子。
在图5中的(a)的Al纯金属膜、图5中的(b)的Al-0.1at％Mn膜、图5中的(d)的Al-0.05at％V膜、图5中的(f)的Al-0.05at％Fe膜、图5中的(g)的Al-0.08at％Ti膜中，观察到了小丘。此外，在图5中的(c)的Al-0.2at％Mn膜中，虽然ΔPV渐进于0，但在SEM中观察到了若干小丘。
与之相对，在图5中的(e)的Al-0.1at％Fe膜以及图5中的(h)的Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜中未观察到小丘。
图6中的(a)以及图6中的(b)示出在将形成于玻璃基板上的Al合金膜蚀刻之后的玻璃基板表面的SEM像的一个示例。其中，图6中的(a)示出将Al-0.1at％Fe膜蚀刻的例子，图6中的(b)示出将Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜蚀刻的例子。
在干蚀刻中，蚀刻气体为Cl2(50sccm)/Ar(20sccm)的混合气体。蚀刻压为1.0Pa。放电电力在基板偏置电力处在400W的状态下为600W。作为湿蚀刻液，使用磷酸/硝酸/醋酸/水的混合溶液(通称PAN)。液温为40℃。
如图6中的(a)、(b)所示，可知，在Al-0.1at％Fe膜以及Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜中，均能够在玻璃基板上无残渣地进行干蚀刻以及湿蚀刻。
另外，作为弯曲试验用的基板，准备2层结构的SiN膜(200nm)/聚酰亚胺层(25μm)基板，在SiN膜上分别形成Al-0.1at％Fe膜以及Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜。弯曲试验中的弯曲半径为1mm。试验速度为30rpm。
在Al-0.1at％Fe膜以及Al-0.05at％Fe-0.05at％V膜中的任一个膜中，确认在加热处理后，经过100000次的弯曲次数未产生断裂。
以上说明了本发明的实施方式，但本发明不仅限于上述实施方式，毫无疑问能够进行各种变更。各实施方式不限于独立的方式，在技术可行的范围内能够进行复合。
附图标记说明
1、2：薄膜晶体管、
10：玻璃基板、
11、21：活性层、
12、22：栅绝缘膜、
13：栅电极、
15：保护层、
16S、26S：源电极、
16D、26D：漏电极。

Claims (3)

1.一种铝合金靶材，其特征在于，
由由铝构成的主要成分、元素组以及不可避免的成分构成，
其中，所述元素组添加在所述主要成分中，由0.005at％以上且0.2at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。
2.一种铝合金布线膜，电阻率在3.7μΩ·cm以下，其特征在于，
由由铝构成的主要成分、元素组以及不可避免的成分构成，
其中，所述元素组添加在所述主要成分中，由0.005at％以上且0.2at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。
3.一种铝合金布线膜的制造方法，所述铝合金布线膜的电阻率在3.7μΩ·cm以下，其特征在于，
准备溅射靶材，所述溅射靶材由由铝构成的主要成分、元素组以及不可避免的成分构成，其中，所述元素组添加在所述主要成分中，由0.005at％以上且0.2at％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成，
使用所述溅射靶材在基板上形成铝合金布线膜，
在450℃以下对所述铝合金布线膜进行加热处理。
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