CN113410266A - 显示设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 113
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 255
- 239000010408 film Substances 0.000 description 219
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 30
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 25
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 101000982628 Homo sapiens Prolyl 3-hydroxylase OGFOD1 Proteins 0.000 description 8
- 101100336288 Mus musculus Nr3c1 gene Proteins 0.000 description 8
- 102100026942 Prolyl 3-hydroxylase OGFOD1 Human genes 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 101100029576 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) cwg2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 101100166839 Arabidopsis thaliana CESA1 gene Proteins 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 101100510326 Caenorhabditis elegans tpa-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
本公开涉及显示设备,所述显示设备包括:基底,包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;显示元件,布置在所述显示区域处;封装层,覆盖所述显示元件;传感器电极层,布置在所述封装层上方;以及第一连接布线组,布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述基底的第一边缘之间,布置在所述封装层的外部,并且包括第一连接布线,其中,从所述封装层的面对所述第一边缘的端部的第一部分到所述第一边缘的第一距离大于从所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第二部分到所述第一边缘的第二距离,并且其中,所述第一部分对应于所述第一连接布线组,并且所述第二部分与所述第一部分不同。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月17日提交的第10-2020-0032856号韩国专利申请的优先权以及权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示设备,并且更具体地,涉及其中可以减少无用空间并且可以降低故障率的显示设备。
背景技术
通常,显示设备包括显示元件以显示图像。可以以各种合适的形式利用显示设备,并且例如,显示设备可以用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置或智能电视机的各种合适的电子装置中。
为了用户的便利,显示设备具有触摸屏功能。例如,显示设备可以感测用户的触摸输入并显示相应的图像。
发明内容
相关技术的显示设备具有增加的不显示图像的无用空间的面积,以实现触摸屏功能。
一个或多个实施例的各方面和各特征涉及其中可以减少无用空间且可以降低故障率的显示设备。然而,本公开的各方面和各特征不限于此。
另外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述,并且通过该描述,另外的方面和特征将部分地是明显的,或者可以通过实践本公开的所提供的实施例来获知另外的方面和特征。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;封装层,所述封装层覆盖所述显示元件;传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方;以及第一连接布线组,所述第一连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述基底的第一边缘之间,布置在所述封装层的外部,并且包括第一连接布线,其中,从所述封装层的面对所述第一边缘的端部的第一部分到所述第一边缘的第一距离大于从所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第二部分到所述第一边缘的第二距离,并且其中,所述第一部分对应于所述第一连接布线组,并且所述第二部分与所述第一部分不同。
所述显示设备还可以包括:第二连接布线组,所述第二连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述第一边缘之间,包括第二连接布线,并且与所述第一连接布线组间隔开,其中,从所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第三部分到所述第一边缘的第三距离可以大于所述第二距离,并且其中,所述第三部分可以对应于所述第二连接布线组。
所述第二部分可以位于所述第一部分和所述第三部分之间。
当沿垂直于所述基底的方向观察时,所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部可以包括不平坦结构。
所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第四部分可以与所述第一部分和所述第二部分不同,并且当所述第一部分位于所述第二部分和所述第四部分之间时,所述第四部分可以与所述第二部分间隔开,并且其中,所述第一距离可以大于从所述第四部分到所述第一边缘的第四距离。
所述第四距离可以与所述第二距离相同。
所述显示设备还可以包括:布线,所述布线从所述显示区域内部延伸到所述显示区域和所述第一边缘之间的部分以面对所述第一连接布线组,其中,面对所述第一连接布线组的所述布线的端部的中心部分可以被暴露于所述第一部分的所述外部,其中,所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第一侧端可以由所述第二部分覆盖,并且所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第二侧端可以由所述第四部分覆盖。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;封装层,所述封装层覆盖所述显示元件;传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方;第一连接布线组,所述第一连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述基底的第一边缘之间,布置在所述封装层的外部,并且包括第一连接布线;以及布线,所述布线从所述显示区域内部延伸到所述显示区域和所述第一边缘之间的部分以面对所述第一连接布线组,所述布线具有面对所述第一连接布线组的端部,其中,所述封装层包括:主体部分,所述主体部分覆盖所述显示元件;第一突出部,所述第一突出部从所述主体部分突出以覆盖所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第一侧端;以及第二突出部,所述第二突出部从所述主体部分突出以覆盖所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第二侧端。
当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述第一侧端可以包括具有不平坦形状的部分。
当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述第二侧端可以包括具有不平坦形状的部分。
所述第一连接布线和所述布线可以布置在相同的层上。
所述布线可以包括三层结构。
所述布线的最下层的强度和最上层的强度可以各自大于所述布线的中间层的强度。
当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述布线的中间层的面积可以小于所述布线的最上层的面积。
所述显示元件可以包括像素电极和布置在所述像素电极上方并与所述像素电极对应的相对电极,其中,所述布线可以是电耦接到所述相对电极的电极电源线。
所述显示设备还可以包括:像素电路,所述像素电路布置在所述显示区域中并且电耦接到所述显示元件,其中,所述布线可以是电耦接到所述像素电路的电源线。
所述显示设备还可以包括:传感器布线,所述传感器布线配置为将所述传感器电极层电连接到所述第一连接布线。
所述传感器布线可以电耦接到所述第一连接布线的面对所述显示区域的端部。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;以及封装层,所述封装层覆盖所述显示元件并且包括第一无机膜,其中,当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述第一无机膜在与所述基底的第一边缘对应的边缘处具有至少一个凹进部。
所述封装层还可以包括有机膜,并且所述有机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘可以具有直线形状。
所述封装层还可以包括有机膜,并且所述有机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘可以具有与所述基底的所述第一边缘的形状对应的形状。
所述至少一个凹进部可以朝向所述显示区域凹入。
所述基底可以包括相对于所述显示区域的中心与所述第一边缘相对的第二边缘,其中,当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述第一无机膜可以在与所述基底的所述第二边缘对应的边缘处具有至少一个凹进部。
所述显示设备还可以包括:传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方,并且包括传感器区域和在所述传感器区域外部的传感器周边区域;和布线,所述布线从所述传感器周边区域朝向所述基底的所述第一边缘延伸到所述第一无机膜的所述外部,其中,当沿垂直于所述基底的方向观察时(当在平面图中观察时),所述布线可以与所述至少一个凹进部重叠。
所述布线可以包括:从所述传感器周边区域延伸到所述第一无机膜的所述外部的传感器布线和电耦接到所述传感器布线的第一连接布线。
所述传感器布线和所述第一连接布线可以通过被限定在所述传感器布线和所述第一连接布线之间的绝缘层中的接触孔彼此电耦接。
所述封装层还可以包括第二无机膜,并且所述第二无机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘可以具有与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘的形状对应的形状。
附图说明
通过下面结合附图的描述,本公开的某些实施例的以上和其它方面和特征将更明显,在附图中:
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图2是包括图1中示出的组件的显示设备的示意性侧视图;
图3是根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性侧视图;
图4是图1的显示设备的一部分的示意性平面图;
图5是图4的一部分的示意性概念图;
图6是示出图5的一部分的放大平面图;
图7是示出图6的一部分的放大平面图;
图8是示意性地示出沿着图7的线I-I’截取的截面和沿着图4的线II-II’截取的截面的截面图;
图9是图1的显示设备的一部分的放大平面图;
图10是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图;
图11是图10的显示设备的一部分的平面图;
图12是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图;
图13是图12的布线的示意性截面图;
图14是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图;
图15是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图;
图16是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图;以及
图17是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图。
具体实施方式
现在,将更详细地参照在附图中示出其示例的实施例,其中,同样的附图标记始终指示同样的元件。在这方面,本实施例可以具有不同的合适的形式,并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此,以下仅通过参照附图来描述所公开的实施例,以解释本说明书的各方面。如本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。如本文中所使用的,除非上下文另外明确指示,否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。在整个公开内容中,表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有的a、b和c或者它们的变化。如本文中所使用的,当描述本公开的实施例时,术语“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
由于本说明书考虑到各种合适的变化和许多实施例,因此一些实施例将在附图中示出并且将在书面描述中进行描述。通过以下结合附图对一个或多个实施例的详细描述,一个或多个实施例的各方面和各特征以及实现一个或多个实施例的各方面和各特征的方法将变得明显。然而,本公开可以具有不同的合适的形式,并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。
在下文中,将参照附图更详细地描述实施例,其中,同样的附图标记始终表示同样的元件,并且可以不提供其重复描述。
还将理解的是,当元件、层、膜、区域或板被称为“在”另一元件、层、膜、区域或板“上”时,所述元件、层、膜、区域或板可以直接或间接在所述另一元件、层、膜、区域或板上。例如,可以存在中间元件、层、膜、区域或板。为了便于描述,可以夸大或减小附图中的组件的尺寸。例如,由于为了便于描述而夸大了附图中的组件的尺寸和厚度,因此本公开不限于此。如本文中所使用的,术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语,并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。
X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的含义来解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示设备10的一部分的示意性平面图。图2是包括图1中示出的组件的显示设备的示意性侧视图。图2示出了在弯曲区域BA(参照图1)中具有弯曲形状的显示面板300。基底SUB可以是柔性基底。基底SUB的柔性可以允许显示面板300在弯曲区域BA中具有弯曲的形状。为了方便起见,图1示出了其中显示面板300不弯曲的状态。
参照图1和图2,根据本实施例的显示设备10是显示视频(例如,运动图像)或静止图像的设备,并且显示设备10可以用作不仅便携式电子装置的显示屏幕,而且还可以用作各种合适的产品的显示屏幕,所述便携式电子装置诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超级移动PC(UMPC),所述各种合适的产品诸如电视机、笔记本式计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)。此外,显示设备10可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。另外,显示设备10可以用作车辆的仪表盘、布置在车辆的中央仪表板或仪表盘上的中央信息显示器(CID)、替代车辆的侧视镜的室内镜显示器、作为用于车辆的后排座椅的娱乐的布置在前排座椅的背面上的显示器等。
为了便于描述,图1和图2示出了被用作智能电话的根据本实施例的显示设备10。根据本实施例的显示设备10包括覆盖窗100、显示面板300、显示电路板310、显示驱动器320、传感器驱动器330和面板下盖PB。另外,显示设备10还可以包括支架、主电路板、电池和下盖。
在下文中,“在……上”可以指其中覆盖窗100相对于显示面板300布置的方向,例如,方向+z(Z轴方向),而“在……下方”是指方向-z(负Z轴方向),方向-z是与其中覆盖窗100相对于显示面板300布置的方向相反的方向。另外,“左”和“右”是指当在垂直于显示面板300的方向上观察显示面板300时(例如,当在平面图中观察显示设备10时)的方向。例如,“左”是指方向-x(负X轴方向),而“右”是指方向+x(X轴方向)。
当在垂直于显示设备10的表面的方向上观察显示设备10时,显示设备10可以具有如图1中所示的大致矩形的形状。例如,如图1中所示,显示设备10通常可以具有矩形的平面形状,所述矩形具有在第一方向(X轴方向)上延伸的短边和在第二方向(Y轴方向)上延伸的长边。在第一方向上延伸的短边和在第二方向上延伸的长边彼此相交所在的角可以具有倒圆形状或直角形状。然而,显示设备10的平面形状不限于矩形,并且可以是其它多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
如图2中所示,覆盖窗100可以布置在显示面板300上以覆盖显示面板300的上表面。覆盖窗100可以保护显示面板300的上表面。
显示面板300可以布置在覆盖窗100下方。显示面板300可以与覆盖窗100的透射部分重叠。显示面板300可以包括基底SUB和在基底SUB上的显示元件。图2示出了包括基底SUB、显示层DISL、传感器电极层SENL和偏振膜PF的显示面板300。
显示面板300显示(输出)由显示设备10处理的信息。例如,显示面板300可以显示由显示设备10驱动的应用的执行屏幕信息或根据执行屏幕信息的用户界面(UI)和图形用户界面(GUI)信息。显示面板300可以包括显示图像的显示层DISL和感测用户的触摸输入的传感器电极层SENL。因此,显示面板300可以用作在显示设备10和用户之间提供输入接口的输入装置之一,并且还可以用作在显示设备10和用户之间提供输出接口的输出部分之一。
被包括在显示面板300中的基底SUB可以包括(例如,可以是)诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料。基底SUB可以是适当刚性的基底,或者可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。图2示出了在弯曲区域BA(参照图1)中具有弯曲形状的显示面板300。由于基底SUB是柔性基底,因此显示面板300可以在弯曲区域BA中弯曲。尽管图2仅示出了被弯曲的基底SUB,但是本公开不限于此。显示层DISL的至少一部分和/或传感器电极层SENL的至少一部分也可以在弯曲区域BA(参照图1)和焊盘区域(例如,焊盘区域PDA)中,并且在这种情况下,显示层DISL的一部分和传感器电极层SENL的一部分也可以在弯曲区域BA中弯曲。
基底SUB具有显示区域和在显示区域外部的周边区域,并且显示元件在基底SUB的显示区域处(例如,在基底SUB的显示区域上或在基底SUB的显示区域中)。图2的显示层DISL可以被理解为包括布置在基底SUB上的显示元件的层。例如,显示层DISL可以包括:包括薄膜晶体管的薄膜晶体管层;包括诸如有机发光元件的显示元件的显示元件层;以及用于封装显示元件层的封装层。
基底SUB的周边区域可以是不显示图像的区域。周边区域可以围绕显示区域。周边区域可以是从显示区域的边缘到显示面板300的边缘的区域。不仅像素,而且耦接(例如,连接)到像素的扫描布线、数据布线和电力布线也可以布置在显示区域中。在周边区域中可以布置将扫描信号施加到扫描布线的扫描驱动器和配置为将数据布线与显示驱动器320彼此连接的扇出布线。
显示元件可以包括例如发光元件。例如,显示面板300可以是利用包括有机发光层的有机发光二极管的有机发光显示面板、利用微型发光二极管(LED)的微型LED显示面板、利用包括量子点发光层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板或利用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。
如图2中所示,传感器电极层SENL可以包括传感器区域TSA和传感器周边区域TPA。其中布置有传感器电极的传感器区域TSA可以是用于感测用户的触摸输入的区域。传感器周边区域TPA是其中未布置传感器电极的区域,并且可以具有围绕传感器区域TSA的形状。传感器周边区域TPA可以是从传感器区域TSA的边缘到显示面板300的边缘的区域。在传感器区域TSA中可以布置传感器电极、连接部分和导电图案。在传感器周边区域TPA中可以布置耦接到传感器电极的传感器布线。
如上所述,被包括在显示面板300中的基底SUB包括显示区域和在显示区域外部的周边区域。传感器区域TSA可以与显示区域重叠,并且传感器周边区域TPA可以与周边区域重叠。在显示区域外部的周边区域可以是包括传感器周边区域TPA的较大区域。
传感器电极层SENL可以通过利用从诸如电阻法和电容法的各种合适的触摸方法中选择的至少一种方法来感测用户的触摸输入。例如,当传感器电极层SENL以电容性的方式感测用户的触摸输入时,传感器驱动器330可以将驱动信号施加到传感器电极中的驱动电极,并且传感器驱动器330可以通过传感器电极中的感测电极来感测在驱动电极和感测电极之间的互电容中充电的电压,从而确定用户的触摸。用户的触摸可以包括接触触摸和/或接近度触摸。接触触摸表示诸如用户的手指或笔的对象与布置在传感器电极层上的覆盖窗100接触或直接接触。接近度触摸表示诸如用户的手指或笔的对象接近覆盖窗100但离开覆盖窗100(例如,悬停接近覆盖窗100)。传感器驱动器330可以根据感测到的电压将传感器数据传输到主处理器,并且主处理器可以通过分析(例如,利用)传感器数据来计算触摸输入发生所在的触摸坐标。
偏振膜PF可以布置在传感器电极层SENL上。偏振膜PF可以包括线性偏振片和诸如λ/4片(四分之一波片)的相位延迟膜。相位延迟膜可以布置在传感器电极层SENL上,并且线性偏振片可以布置在相位延迟膜上。
显示面板300可以是适当刚性的且不易于弯曲的刚性显示面板,或者显示面板300可以是柔性的且可以易于弯曲、折叠和/或卷曲的柔性显示面板。例如,显示面板300可以是可以被折叠和展开的可折叠显示面板、其中显示表面的至少一部分是弯曲的或可弯曲的弯折显示面板、其中除显示表面之外的区域是弯曲的或可弯曲的弯曲显示面板、可以被卷曲或伸展的可卷曲显示面板或者可拉伸显示面板。可拉伸显示面板可以例如配置为被拉伸或翘曲。
显示面板300可以是透明显示面板。在这种情况下,显示面板300可以具有合适的透明度,并且因此,用户可以从显示面板300的上表面观察布置在显示面板300下方的对象或背景。在一些实施例中,显示面板300可以是可以反射显示面板300上的对象或背景的反射性显示面板。反射性显示面板可以例如反射入射在显示面板300上的对象或背景的图像。
如图1中所示,显示面板300可以(在方向-y(负Y轴方向)上)在一侧具有弯曲区域BA,并且因此,如图2中所示,显示面板300可以在弯曲区域BA中弯曲。例如,为了方便起见,图1示出了其中显示面板300未弯曲的状态。如上所述,当显示面板300弯曲时,焊盘区域PDA位于显示面板300的(在方向-z上的)另一部分的下方。
弯曲区域BA和焊盘区域PDA可以在第二方向(Y轴方向)的相反方向(方向-y)上从位于显示面板300的一侧的传感器周边区域TPA突出。尽管图1和图2示出了弯曲区域BA和焊盘区域PDA的在第一方向(X轴方向)上的长度小于传感器区域TSA的在第一方向(X轴方向)上的长度,但是本公开不限于此。
如上所述,显示面板300可以在弯曲区域BA中弯曲,并且因此,焊盘区域PDA可以在显示面板300的厚度方向(Z轴方向)上与传感器区域TSA重叠。显示驱动器320和显示电路板310可以布置在焊盘区域PDA中。
显示驱动器320可以接收控制信号和电力电压,并且可以生成并输出用于驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动器320可以包括集成电路(IC)。
显示电路板310可以电耦接(例如,电连接)到显示面板300。例如,如图2中所示,显示电路板310可以电耦接到基底SUB上的焊盘部分。例如,显示电路板310可以通过各向异性导电膜电耦接到基底SUB的焊盘部分。
显示电路板310可以是可以弯曲的(例如,可弯曲的)柔性印刷电路板(FPCB),或者显示电路板310可以是适当坚硬的且不易于弯曲的刚性印刷电路板(PCB)。在一些情况下,显示电路板310可以是包括刚性PCB和FPCB两者的复合PCB。
传感器驱动器330可以布置在显示电路板310上。传感器驱动器330可以包括IC。传感器驱动器330可以附接在显示电路板310上。传感器驱动器330可以通过显示电路板310电耦接到显示面板300的传感器电极层的传感器电极。
在一些实施例中,在显示电路板310上可以另外地布置供给用于驱动显示面板300的像素的驱动电压的电力供应器、扫描驱动器和显示驱动器320。在一些实施例中,显示驱动器320可以在基底SUB上。在一些实施例中,电力供应器可以与显示驱动器320集成,并且在这种情况下,显示驱动器320和电力供应器可以被实现为一个IC。
显示电路板310可以电耦接到主电路板。主电路板可以包括例如包括IC的主处理器、相机装置、无线通信器、输入部分、输出部分、接口部分、存储器和/或电力供应器。
面板下盖PB可以布置在显示面板300下方。面板下盖PB可以通过粘合构件附接到显示面板300的下表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板下盖PB可以包括从吸收从外部入射的光的光吸收构件、吸收来自外部的冲击的冲击吸收构件和有效地耗散显示面板300的热的散热构件中选择的至少一个。另外,在面板下盖PB和显示电路板310之间可以布置粘合构件391,并且因此,显示电路板310可以被固定到面板下盖PB。
光吸收构件可以布置在显示面板300下方。光吸收构件防止或阻止光的透射,并且因此,防止或阻止从显示面板300的顶部观察到(例如,在平面图中观察到)布置在光吸收构件下方的组件,所述组件例如为显示电路板310等。光吸收构件可以包括(例如,可以是)诸如黑色颜料和/或黑色染料的光吸收材料。
冲击吸收构件可以布置在光吸收构件下方。冲击吸收构件通过吸收外部冲击来防止或减少对显示面板300的损坏。冲击吸收构件可以具有单层结构或多层结构。例如,冲击吸收构件可以包括(例如,可以是)诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯等的聚合物树脂,或者冲击吸收构件可以包括(例如,可以是)诸如用橡胶发泡的海绵的弹性材料、聚氨酯基材料和/或丙烯酸基材料。
散热构件可以布置在冲击吸收构件下方。散热构件可以包括第一散热层和第二散热层,所述第一散热层包括(例如,是)石墨和/或碳纳米管,所述第二散热层包括(例如,是)能够屏蔽电磁波且具有优异的导热性的诸如铜、镍、铁氧体和/或银的金属薄膜。
然而,本公开的显示设备的结构不限于图2中示出的结构。例如,尽管图2示出了通过各向异性导电膜耦接到被布置在基底SUB的背面(例如,底侧)上的焊盘部分的显示电路板310,但是显示电路板310可以如图3中所示地通过各向异性导电膜耦接到布置在基底SUB的正面(例如,顶侧)上的焊盘部分,图3是根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性侧视图。另外,图案化的保护膜PTF可以附接到基底SUB的背面。例如,图案化的保护膜PTF可以附接到基底SUB的背面,但是可以附接到基底SUB的除了弯曲区域之外的部分。图案化的保护膜PTF可以包括第一部分和第二部分,所述第一部分与包括基底SUB的中心部分的部分对应,所述第二部分与所述第一部分间隔开并与基底SUB的一个侧边缘部分对应。例如,图案化的保护膜PTF的第一部分可以对应于基底SUB的中心部分。在图案化的保护膜PTF的第一部分和第二部分之间可以布置垫层CL。例如,垫层CL可以沿着第三方向(Z轴方向)将图案化的保护膜PTF的第一部分和第二部分分离。
图4是作为图1的显示设备10的一部分的传感器电极层SENL的示意性平面图。尽管为了方便起见,图4示出了传感器电极层SENL是平坦的,但是如以上参照图2所描述的,传感器电极层SENL的一部分可以在弯曲区域BA中是弯曲的。
图4示出了传感器电极层SENL的传感器电极TE和RE,传感器电极层SENL包括两种类型(例如,种类)的电极,例如,驱动电极TE和感测电极RE。在下文中,将参照图4主要描述通过两层互电容方法驱动的情况,在所述两层互电容方法中,在将驱动信号施加到驱动电极TE之后,通过感测电极RE感测在互电容中充电的电压。为了便于描述和便于说明,图4仅示出了传感器电极TE和RE、虚设图案DE、传感器布线TL1、TL2和RL、传感器焊盘区域TPA1和TPA2、保护布线GL1至GL5以及接地布线GRL1至GRL3。例如,为了便于说明,在图4中将诸如第一连接布线(图8至图10中示出的CW1)和第二连接布线(图10中示出的CW2)的连接布线示出为传感器布线TL1、TL2和RL的部分。请注意,诸如导电焊盘CP的其他焊盘可以从第一传感器焊盘区域TPA1在-x方向上定位并且从第二传感器焊盘区域TPA2在+x方向上定位。导电焊盘CP可以电连接到显示电路板310,使得基底上的用于天线的导电图案电连接到显示电路板310。显示焊盘DP还可以定位在第一传感器焊盘区域TPA1和第二传感器焊盘区域TPA2之间的显示焊盘区域DPA中。显示驱动器320可以通过显示焊盘DP电连接到显示电路板310。
参照图4,传感器电极层SENL包括用于感测用户的触摸的传感器区域TSA和布置在传感器区域TSA周围的传感器周边区域TPA。如上所述,被包括在显示面板300中的基底SUB包括显示区域和位于显示区域外部的周边区域,并且传感器区域TSA可以与显示区域重叠,并且传感器周边区域TPA可以与周边区域重叠。位于显示区域外部的周边区域可以是包括传感器周边区域TPA的较大区域。
传感器电极TE和RE可以包括第一传感器电极TE和第二传感器电极RE。在下文中,将描述其中第一传感器电极是驱动电极TE并且第二传感器电极是感测电极RE的情况。尽管图4示出了各自具有菱形的平面形状的驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE,但是本公开不限于此。
感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上彼此布置,并且可以彼此电耦接。例如,在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以彼此电耦接。驱动电极TE可以在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上彼此布置,并且可以彼此电耦接。例如,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以彼此电耦接。驱动电极TE和感测电极RE可以彼此电分离。驱动电极TE和感测电极RE可以彼此分开布置(例如,在平面图中彼此间隔开)。为了使感测电极RE和驱动电极TE在它们的交叉区域中彼此电分离,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分BE1彼此耦接,并且在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以通过第二连接部分BE2彼此耦接。
虚设图案DE可以与驱动电极TE和感测电极RE电分离。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此分开布置(例如,在平面图中彼此间隔开)。各个虚设图案DE可以各自被驱动电极TE或感测电极RE围绕。各个虚设图案DE可以各自被电浮置。
由于虚设图案DE,可以减小下述显示元件的相对电极173(参照图8)与驱动电极TE之间的寄生电容或者相对电极与感测电极RE之间的寄生电容。当寄生电容减小时,存在提高驱动电极TE和感测电极RE之间的互电容充电的充电速度的优点。然而,由于虚设图案DE的存在,驱动电极TE的面积和感测电极RE的面积可能减小,并且因此,驱动电极TE和感测电极RE之间的互电容可能会减小。结果,互电容中充电的电压可能易于被噪声影响。因此,需要通过考虑寄生电容和互电容来恰当地(例如,适当地)设置虚设图案DE的面积。
传感器布线TL1、TL2和RL可以布置在传感器周边区域TPA中。传感器布线TL1、TL2和RL可以包括耦接到感测电极RE的感测布线RL以及耦接到驱动电极TE的第一驱动布线TL1和第二驱动布线TL2。
布置在传感器区域TSA的一侧处(例如,布置在传感器区域TSA的一侧上)的感测电极RE可以耦接到感测布线RL。例如,如图4中所示,在第一方向(X轴方向)上彼此电耦接的感测电极RE中的布置在右端部处的感测电极可以耦接到感测布线RL。感测布线RL可以耦接到位于第二传感器焊盘区域TPA2中的第二传感器焊盘。因此,传感器驱动器330可以电耦接到感测电极RE。
布置在传感器区域TSA的一侧处(例如,布置在传感器区域TSA的一侧上)的驱动电极TE可以耦接到第一驱动布线TL1,并且布置在传感器区域TSA的另一侧(例如,与所述一侧相对的侧)上的驱动电极TE可以耦接到第二驱动布线TL2。例如,如图4中所示,在第二方向(Y轴方向)上彼此电耦接的驱动电极TE中,布置在下端部处的驱动电极TE可以耦接到第一驱动布线TL1,并且布置在上端部处的驱动电极TE可以耦接到第二驱动布线TL2。第二驱动布线TL2可以经由传感器区域TSA的左外侧耦接到位于传感器区域TSA的上侧处的驱动电极TE。第一驱动布线TL1和第二驱动布线TL2可以耦接到位于第一传感器焊盘区域TPA1中的第一传感器焊盘。例如,第二驱动布线TL2可以从第一传感器焊盘沿着传感器区域TSA的左外侧延伸,以耦接到位于传感器区域TSA的上侧处的驱动电极TE。因此,传感器驱动器330可以电耦接到驱动电极TE。
在感测布线RL中的最外面的感测布线RL的外侧可以布置第一保护布线GL1。另外,在第一保护布线GL1的外侧可以布置第一接地布线GRL1。如图4中所示,第一保护布线GL1可以布置在感测布线RL中的布置在右端部处的感测布线RL的右侧,并且第一接地布线GRL1可以布置在第一保护布线GL1的右侧。
在感测布线RL中的最里面的感测布线RL与第一驱动布线TL1中的布置在右端部处的第一驱动布线TL1之间可以布置第二保护布线GL2。如图4中所示,感测布线RL中的最里面的感测布线RL可以是感测布线RL中的布置在左端部处的感测布线RL。另外,第二保护布线GL2可以布置在第一驱动布线TL1中的布置在右端部处的第一驱动布线TL1与第二接地布线GRL2之间。
在感测布线RL中的最里面的感测布线RL与第二接地布线GRL2之间可以布置第三保护布线GL3。第二接地布线GRL2可以耦接到位于第一传感器焊盘区域TPA1中的第一传感器焊盘中的最右边的第一传感器焊盘,并且可以耦接到位于第二传感器焊盘区域TPA2中的第二传感器焊盘中的最左边的第二传感器焊盘。
在第二驱动布线TL2中的最外面的第二驱动布线TL2的外侧可以布置第四保护布线GL4。如图4中所示,第四保护布线GL4可以布置在第二驱动布线TL2中的布置在左端部处的第二驱动布线TL2的左侧。在第四保护布线GL4的外侧可以布置第三接地布线GRL3。如图4中所示,第四保护布线GL4可以布置在第二驱动布线TL2中的布置在左端部和上端部处的第二驱动布线TL2的左侧和上侧,并且第三接地布线GRL3可以布置在第四保护布线GL4的左侧和上侧。
在第二驱动布线TL2中的最里面的第二驱动布线TL2的内侧可以布置第五保护布线GL5。如图4中所示,第五保护布线GL5可以布置在第二驱动布线TL2中的布置在右端部处的第二驱动布线TL2与感测电极RE之间。
可以将接地电压施加到第一接地布线GRL1、第二接地布线GRL2和第三接地布线GRL3。另外,可以将接地电压施加到第一保护布线GL1、第二保护布线GL2、第三保护布线GL3、第四保护布线GL4和第五保护布线GL5。
如图4中所示,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE彼此电耦接,并且在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE彼此电绝缘。另外,在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE彼此电耦接,并且在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的感测电极RE彼此电绝缘。因此,可以在驱动电极TE和感测电极RE的交叉处或相交处形成互电容。
另外,如图4中所示,第一保护布线GL1布置在最外面的感测布线RL与第一接地布线GRL1之间。因此,可以减小第一接地布线GRL1的电压变化对最外面的感测布线RL的影响。第二保护布线GL2布置在最里面的感测布线RL和最外面(例如,最右边)的第一驱动布线TL1之间。因此,可以减小电压变化对最里面的感测布线RL和最外面的第一驱动布线TL1的影响。例如,可以减小最里面的感测布线RL的电压变化对最外面的第一驱动布线TL1的影响,并且可以减小最外面的第一驱动布线TL1的电压变化对最里面的感测布线RL的影响。第三保护布线GL3布置在最里面的感测布线RL和第二接地布线GRL2之间。因此,可以减小第二接地布线GRL2的电压变化对最里面的感测布线RL的影响。第四保护布线GL4布置在最外面的第二驱动布线TL2和第三接地布线GRL3之间。因此,可以减小第三接地布线GRL3的电压变化对第二驱动布线TL2(例如,最外面的第二驱动布线TL2)的影响。第五保护布线GL5布置在最里面的第二驱动布线TL2与传感器电极TE和RE之间。因此,可以减小最里面的第二驱动布线TL2与传感器电极TE和RE对彼此的影响(例如,可以减小最里面的第二驱动布线TL2与传感器电极TE和RE的电压变化对彼此的影响)。
图5是示出耦接到传感器电极的传感器驱动器330的示例图。
为了便于描述,图5示出了布置为一列且在第二方向(Y轴方向)上彼此电耦接的驱动电极TE,并且示出了布置为一行且在第一方向(X轴方向)上彼此电耦接的感测电极RE。
参照图5,传感器驱动器330可以包括驱动信号输出部分331、第一传感器感测部分332和第一模数转换器333。
驱动信号输出部分331可以通过第一驱动布线TL1将触摸驱动信号TD输出到驱动电极TE,并且可以通过第二驱动布线TL2将触摸驱动信号TD输出到驱动电极TE。触摸驱动信号TD可以包括多个脉冲。在一些实施例中,触摸驱动信号TD可以是电流或电压,并且触摸驱动信号TD的多个脉冲中的一个脉冲可以具有振幅VD。
驱动信号输出部分331可以根据先前确定的顺序将触摸驱动信号TD输出到第一驱动布线TL1和第二驱动布线TL2。例如,驱动信号输出部分331可以将触摸驱动信号TD从布置在图4的触摸传感器区域TSA的左侧的驱动电极TE顺序地输出到布置在触摸传感器区域TSA的右侧的驱动电极TE。
第一传感器感测部分332通过电耦接到感测电极RE的感测布线RL感测在第一互电容Cm1中充电的电压。如图5中所示,第一互电容Cm1可以形成在驱动电极TE和感测电极RE之间。
第一传感器感测部分332可以包括第一运算放大器OP1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1。第一运算放大器OP1可以包括第一输入端子(-)、第二输入端子(+)和输出端子(out)。第一运算放大器OP1的第二输入端子(+)可以耦接到感测布线RL,可以将初始化电压VREF供给到第一输入端子(-),并且第一运算放大器OP1的输出端子(out)可以耦接到第一存储电容器。第一存储电容器耦接在第一运算放大器OP1的输出端子(out)与地(例如,接地电压源)之间,以存储第一运算放大器OP1的输出电压Vout1。第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1可以并联耦接在第一运算放大器OP1的第二输入端子(+)和输出端子(out)之间。第一复位开关RSW1控制第一反馈电容器Cfb1的两端的连接(例如,控制第一反馈电容器Cfb1的两端之间的连接)。当第一复位开关RSW1导通以连接第一反馈电容器Cfb1的两端时,第一反馈电容器Cfb1可以被复位。
第一运算放大器OP1的输出电压Vout1可以被定义为Vout1=(Cm1×Vt1)/Cfb1。在这方面,“Cfb1”是指第一反馈电容器Cfb1的电容,并且“Vt1”是指在第一互电容Cm1中充电的电压。
第一模数转换器333可以将存储在第一存储电容器中的输出电压Vout1转换为第一数字数据并输出所述第一数字数据。
如图5中所示,传感器电极层SENL可以通过感测在第一互电容Cm1中充电的电压来确定用户的触摸。
图6是更详细地示出图4的传感器区域TSA的放大平面图。为了便于描述,图6仅示出了在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的两个感测电极RE和在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE。
参照图6,尽管驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中各自具有四边形的平面形状,但是本公开不限于此。另外,驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2可以在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中看起来具有网状结构。
感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上布置,并且可以彼此电耦接。驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上布置,并且可以彼此电耦接。虚设图案DE可以由驱动电极TE或感测电极RE围绕。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此电分离。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此分开布置(例如,在平面图中彼此间隔开)。
为了使感测电极RE和驱动电极TE在它们的交叉区域中彼此电分离,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分BE1彼此耦接,并且在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以通过第二连接部分BE2彼此耦接。第一连接部分BE1形成在与驱动电极TE不同的层上,并且可以通过第一接触孔CNT1耦接到驱动电极TE。例如,第一连接部分BE1可以布置在第二缓冲膜BF2(参照图8)上,并且驱动电极TE可以布置在第一传感器绝缘膜TINS1(参照图8)上。
第一连接部分BE1可以具有弯曲至少一次的形状。尽管图6示出了具有像尖括号(例如,“<”或“>”)一样的弯曲形状的第一连接部分BE1,但是第一连接部分BE1的形状不限于此。而且,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分BE1彼此耦接,以便即使当第一连接部分BE1中的一个第一连接部分BE1未被耦接(例如,断开)时,使得在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE也能够稳定地彼此耦接。尽管图6示出了通过两个第一连接部分BE1彼此耦接的相邻的驱动电极TE,但是第一连接部分BE1的数量不限于此。
第二连接部分BE2形成在与感测电极RE相同的层上,并且可以具有从感测电极RE延伸的形状。例如,感测电极RE和第二连接部分BE2可以被集成。因此,感测电极RE和第二连接部分BE2可以在制造工艺期间由相同的材料同时地或并发地形成。感测电极RE和第二连接部分BE2可以布置在第一传感器绝缘膜TINS1(参照图8)上。
如图8中所示,连接在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE的第一连接部分BE1可以布置在第二缓冲膜BF2上,图8是示意性地示出沿着图7的线I-I’截取的截面和沿着图4的线II-II’截取的截面的截面图。驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2可以布置在第一传感器绝缘膜TINS1上。因此,驱动电极TE和感测电极RE可以在它们的交叉区域中彼此电分离,感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上彼此电耦接,并且驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上彼此电耦接。
图7是更详细地示出图6的传感器电极和连接部分的放大平面图。图7是图6的区域A-1的放大图。
如图7中所示,驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2可以在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中看起来具有网状结构。虚设图案DE也可以在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中看起来具有网状结构。如图8中所示,当包括驱动电极TE和感测电极RE的传感器电极层SENL直接位于封装层TFEL上时,显示元件的相对电极173(参照图8)与传感器电极层SENL的驱动电极TE之间的距离或者相对电极173与传感器电极层SENL的感测电极RE之间的距离减小。因此,显示元件的相对电极173与传感器电极层SENL的驱动电极TE之间或者显示元件的相对电极173与传感器电极层SENL的感测电极RE之间的寄生电容可能增加。所述寄生电容与显示元件的相对电极173和传感器电极层SENL的驱动电极TE之间的重叠面积成比例,或者与显示元件的相对电极173和传感器电极层SENL的感测电极RE之间的重叠面积成比例。因此,驱动电极TE和感测电极RE可以在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中看起来具有网状结构,以减小寄生电容。
驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2位于彼此相同的层上,并且因此,可以彼此分开布置(例如,在平面图中彼此间隔开)。在驱动电极TE与感测电极RE之间、在驱动电极TE与第二连接部分BE2之间、在驱动电极TE与虚设图案DE之间以及在感测电极RE与虚设图案DE之间可以存在间隙。为了便于描述,图7用虚线示出了驱动电极TE与感测电极RE之间的边界、驱动电极TE与第二连接部分BE2之间的边界以及感测电极RE与第二连接部分BE2之间的边界。
第一连接部分BE1可以通过第一接触孔CNT1耦接到驱动电极TE。第一连接部分BE1的一个端部可以通过第一接触孔CNT1耦接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的一个驱动电极TE。第一连接部分BE1的另一端部可以通过第一接触孔CNT1耦接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的另一驱动电极TE。第一连接部分BE1可以与驱动电极TE和感测电极RE重叠。在一些实施例中,第一连接部分BE1可以与第二连接部分BE2重叠,而不是与感测电极RE重叠。在一些实施例中,第一连接部分BE1可以与感测电极RE和第二连接部分BE2两者重叠。第一连接部分BE1位于与驱动电极TE、感测电极RE和第二连接部分BE2不同的层上。因此,即使当第一连接部分BE1与感测电极RE和/或第二连接部分BE2重叠时,第一连接部分BE1可能也不会被感测电极RE和/或第二连接部分BE2短路。
第二连接部分BE2可以布置在感测电极RE之间。第二连接部分BE2位于与感测电极RE相同的层上,并且可以从感测电极RE中的每个感测电极RE延伸。例如,第二连接部分BE2可以在沿第一方向(X轴方向)相邻的感测电极RE中的两个感测电极RE之间延伸,以连接两个感测电极RE。因此,第二连接部分BE2可以耦接到感测电极RE,而不利用(例如,不使用)接触孔连接它们。例如,感测电极RE和第二连接部分BE2可以被集成(例如,可以是单个集成部分)。
子像素R、G和B可以包括发射第一颜色的光的第一子像素R、发射第二颜色的光的第二子像素G以及发射第三颜色的光的第三子像素B。尽管图7示出了第一子像素R是第一子像素,第二子像素G是第二子像素,并且第三子像素B是第三子像素,但是本公开不限于此。尽管图7示出了在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中各自具有四边形的平面形状的第一子像素R、第二子像素G和第三子像素B,但是本公开不限于此。例如,第一子像素R、第二子像素G和第三子像素B可以具有除了四边形之外的多边形、圆形或椭圆形的其它平面形状。另外,尽管图7示出了第三子像素B的尺寸最大并且第二子像素G的尺寸最小,但是本公开不限于此。
像素是指能够表示色阶的一组子像素。尽管图7示出了包括一个第一子像素R、两个第二子像素G和一个第三子像素B的像素,但是本公开不限于此。例如,像素可以包括一个第一子像素R、一个第二子像素G和一个第三子像素B。
在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中,驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2可以看起来具有网状结构。因此,子像素R、G和B可以不与驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和/或第二连接部分BE2重叠。结果,可以防止由于来自子像素R、G和B的光被驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和/或第二连接部分BE2遮蔽而降低光的亮度。在一些实施例中,可以减少由于驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和/或第二连接部分BE2的遮蔽所导致的来自子像素R、G和B的光的亮度的降低。
图8是示意性地示出沿着图7的线I-I’截取的截面(下文中,称为区域I-I’)和沿着图4的线II-II’截取的弯曲区域BA附近的一部分的截面(下文中,称为区域II-II’)的截面图。参照图8,包括第一缓冲膜BF1、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和封装层TFEL的显示层DISL可以布置在基底SUB上。
第一缓冲膜BF1可以位于基底SUB的表面上。第一缓冲膜BF1可以保护薄膜晶体管120和发光元件层EML的中间层172免受渗透通过基底SUB的湿气的影响。第一缓冲膜BF1可以具有单层结构或多层结构。例如,第一缓冲膜BF1可以具有其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机膜交替地堆叠的多层结构。在一些情况下,可以省略第一缓冲膜BF1。
布置在第一缓冲膜BF1上的薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管120、栅极绝缘膜130、层间绝缘膜140、第一平坦化膜150和第二平坦化膜160。
薄膜晶体管120包括有源层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。尽管图8示出了薄膜晶体管120为其中栅电极122位于有源层121上方的顶栅类型(例如,种类),但是本公开不限于此。例如,在一些实施例中,薄膜晶体管120可以采用其中栅电极122位于有源层121下方的底栅类型(例如,种类)或者其中栅电极122位于有源层121上方和下方的双栅类型(例如,种类)。
有源层121位于第一缓冲膜BF1上。有源层121可以包括(例如,可以是)多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体。例如,氧化物半导体可以包括(例如,可以是)包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和/或镁(Mg)的二元体系化合物(ABx)、三元体系化合物(ABxCy)或四元体系化合物(ABxCyDz)。在一些实施例中,有源层121可以包括(例如,可以是)ITZO(包含铟、锡和锌的氧化物)和/或IGZO(包含铟、镓和锌的氧化物)。在有源层121下方可以布置光阻挡层BML,并且光阻挡层BML可以具有包含(例如,是)钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)以及它们的合金中的一种的单层结构或多层结构。
栅极绝缘膜130可以位于有源层121上。栅极绝缘膜130可以是包含(例如,是)氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝的无机膜。
栅电极122和栅极布线可以位于栅极绝缘膜130上。栅电极122可以与有源层121重叠。栅电极122和栅极布线可以具有包含(例如,是)钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)以及它们的合金中的一种的单层结构或多层结构。
层间绝缘膜140可以位于栅电极122和栅极布线上。层间绝缘膜140可以是包含(例如,是)氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝的无机膜。
如图8的区域II-II’中所示,包含(例如,是)无机材料的第一缓冲膜BF1、栅极绝缘膜130和层间绝缘膜140可以不位于弯曲区域BA中。因此,可以有效地防止或减少在显示面板的弯曲期间在弯曲区域BA中的裂纹等的发生。下面描述的第一平坦化膜150和/或第二平坦化膜160包含(例如,是)有机材料。因此,即使当第一平坦化膜150或第二平坦化膜160位于弯曲区域BA中时,破裂等的可能性也非常低。
源电极123和漏电极124可以位于层间绝缘膜140上。源电极123和漏电极124中的每一个可以通过被限定在层间绝缘膜140中的接触孔接触有源层121。在一些实施例中,源电极123和漏电极124中的每一个可以通过贯穿层间绝缘膜140和栅极绝缘膜130的相应的接触孔来接触有源层121。源电极123和漏电极124可以具有包含(例如,是)钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)以及它们的合金中的一种的单层结构或多层结构。
使由薄膜晶体管120引起的台阶平坦化的第一平坦化膜150可以位于源电极123和漏电极124上。第一平坦化膜150可以包含(例如,可以是)诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的绝缘有机材料。
第二平坦化膜160可以位于第一平坦化膜150上。第二平坦化膜160还可以包含(例如,可以是)诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的绝缘有机材料。如果需要,在第一平坦化膜150和第二平坦化膜160之间可以布置包含(例如,是)导电材料的各种布线。
发光元件层EML位于薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括显示元件170和像素限定膜180。显示元件170和像素限定膜180可以位于第二平坦化膜160上。
如图8中所示,各个显示元件170可以各自是有机发光元件。有机发光元件可以包括像素电极171、包括发射层的中间层172以及相对电极173。
像素电极171可以位于第二平坦化膜160上。尽管图8示出了通过限定在第一平坦化膜150和第二平坦化膜160中以贯穿第一平坦化膜150和第二平坦化膜160的接触孔耦接到薄膜晶体管120的漏电极124的像素电极171,但是本公开不限于此。例如,在第一平坦化膜150和第二平坦化膜160之间可以存在中间导电层。中间导电层可以通过限定在第一平坦化膜150中以贯穿第一平坦化膜150的接触孔耦接到薄膜晶体管120的漏电极124,并且像素电极171可以通过限定在第二平坦化膜160中以贯穿第二平坦化膜160的接触孔耦接到中间导电层。在一些实施例中,像素电极171可以电耦接到源电极123而不是漏电极124。
在其中相对于包括发射层的中间层172(例如,从包括发射层的中间层172)通过相对电极173向外部发射光的顶部发射显示设备中,像素电极171可以包含(例如,可以是)诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金和/或APC合金和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的反射性(例如,高反射性)金属材料。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
在其中相对于包括发射层的中间层172(例如,从包括发射层的中间层172)通过像素电极171向外部发射光的底部发射显示设备中,像素电极171可以包含(例如,可以是)能够适当地透射光的诸如ITO和/或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料(TCO),或者可以包含(例如,可以是)诸如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料。
像素限定膜180可以覆盖每个像素电极171的边缘。像素限定膜180可以包含(例如,可以是)诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机材料。
包括发射层的中间层172位于像素电极171和像素限定膜180上。除了发射层之外,中间层172还可以包括空穴传输层或电子传输层。被包括在中间层172中的发射层可以具有与如图8中所示的每个像素电极171对应的图案化形状。除发射层以外的空穴传输层和/或电子传输层可以被图案化以对应于每个像素电极171,或者可以相对于多个像素电极171具有整体形状。例如,空穴传输层和/或电子传输层可以是与一些或全部像素电极171对应的公共层。在一些情况下,发射层还可以相对于多个像素电极171具有整体形状。在这种情况下,可以在光路上布置滤色器或量子点滤光器,并且因此,可以实现全色显示。例如,发射层可以是与一些或全部像素电极171对应的公共层,可以配置为发射一种颜色的光(例如,白光),并且可以包括多个滤色器,每个滤色器接收一种颜色的光(例如,白光)并且发射另一种颜色的光(例如,红光、绿光或蓝光)。
相对电极173位于包括发射层的中间层172上。在相对电极173上可以形成覆盖层。在顶部发射显示设备中,相对电极173可以包含(例如,可以是)能够适当地透射光的诸如ITO和/或IZO的透明导电材料(TCO),或者可以包含(例如,可以是)诸如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料。在底部发射显示设备中,相对电极173可以包含诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的反射性(例如,高反射性)金属材料。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
封装层TFEL位于发光元件层EML上,例如,位于相对电极173上。封装层TFEL可以包括无机膜和有机膜,并且因此可以防止或阻止氧和/或湿气渗透到包括发射层的中间层172中以及渗透到相对电极173中。例如,封装层TFEL可以包括布置在相对电极173上的第一无机膜IL1、布置在第一无机膜IL1上的有机膜OL和布置在有机膜OL上的第二无机膜IL2。第一无机膜IL1和第二无机膜IL2可以包含(例如,可以是)氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝。有机膜OL可以包含(例如,可以是)丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂。
封装层TFEL延伸到显示区域(例如,基底SUB的显示区域)的外部,并且第一无机膜IL1和第二无机膜IL2可以在显示区域的外部彼此接触。图8示出了在区域II-II’的一部分中的封装层TFEL的厚度小于在区域I-I’中的封装层TFEL的厚度。图8还在区域II-II’中示出了在封装层TFEL的第一无机膜IL1和第二无机膜IL2之间不存在有机膜OL,使得第一无机膜IL1和第二无机膜IL2可以彼此接触。如图8的实施例中所示,在区域II-II’中的第一无机膜IL1和第二无机膜IL2的端部的侧表面相对于基底SUB的上表面不是垂直的(例如,不是垂直地对准),而是倾斜的(例如,沿着倾斜的表面对准)。
传感器电极层SENL位于封装层TFEL上。如上所述,传感器电极层SENL可以包括第二缓冲膜BF2、驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1、第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2、感测布线RL、保护布线GL1至GL5、接地布线GRL1至GRL3、第一传感器绝缘膜TINS1以及第二传感器绝缘膜TINS2。在图8中,在区域I-I’中,示出了第二缓冲膜BF2、驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1、第一传感器绝缘膜TINS1和第二传感器绝缘膜TINS2。在图8中,在区域II-II’中,示出了第二缓冲膜BF2、第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2、感测布线RL和第一传感器绝缘膜TINS1。
第二缓冲膜BF2可以包括(例如,可以是)无机膜,例如,氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝。
第一连接部分BE1可以布置在第二缓冲膜BF2上。当在第三方向(Z轴方向)上观察时,第一连接部分BE1可以与像素限定膜180重叠。第一连接部分BE1可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。然而,本公开不限于此。
第一传感器绝缘膜TINS1位于第一连接部分BE1上。第一传感器绝缘膜TINS1可以包括(例如,可以是)无机膜,例如,氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝。在一些实施例中,第一传感器绝缘膜TINS1可以包含(例如,可以是)诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的绝缘有机材料。
驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第二连接部分BE2、第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2、感测布线RL、保护布线GL1至GL5和接地布线GRL1至GRL3可以布置在第一传感器绝缘膜TINS1上。当在第三方向(Z轴方向)上观察时,驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2可以与像素限定膜180重叠。驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第二连接部分BE2、第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2、感测布线RL、保护布线GL1至GL5和接地布线GRL1至GRL3可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。然而,本公开不限于此。当形成驱动电极TE和感测电极RE时,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和感测布线RL可以由相同的材料同时地或并发地形成。例如,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2、感测布线RL、驱动电极TE和感测电极RE可以同时地或并发地形成。
第一传感器绝缘膜TINS1可以具有被限定在第一传感器绝缘膜TINS1中以贯穿第一传感器绝缘膜TINS1并暴露第一连接部分BE1的第一接触孔CNT1。驱动电极TE可以通过第一接触孔CNT1耦接到第一连接部分BE1。
第二传感器绝缘膜TINS2可以位于驱动电极TE上。第二传感器绝缘膜TINS2可以使传感器电极层SENL的台阶平坦化。第二传感器绝缘膜TINS2可以包括(例如,可以是)无机膜,例如,氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝。在一些实施例中,第二传感器绝缘膜TINS2可以包含(例如,可以是)诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的绝缘有机材料。
如图8中所示,在第二缓冲膜BF2上可以布置连接在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE的第一连接部分BE1,并且在第一传感器绝缘膜TINS1上可以布置驱动电极TE、感测电极RE和第二连接部分BE2。因此,驱动电极TE和感测电极RE可以在它们的交叉区域中彼此电分离,感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上彼此电耦接,并且驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上彼此电耦接。
如以上参照图4所描述的,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和感测布线RL延伸到传感器周边区域TPA(例如,在传感器周边区域TPA中延伸),并且耦接到位于第一传感器焊盘区域TPA1中的第一传感器焊盘或位于第二传感器焊盘区域TPA2中的第二传感器焊盘。然而,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和感测布线RL不直接耦接到第一传感器焊盘或第二传感器焊盘。例如,如图8中所示,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL可以耦接到位于传感器周边区域TPA中的第一连接布线CW1,并且第一连接布线CW1可以耦接到第一传感器焊盘或第二传感器焊盘。
第一连接布线CW1可以在第一平坦化膜150和第二平坦化膜160之间。第一连接布线CW1可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。然而,本公开不限于此。由于第一连接布线CW1在包含(例如,是)有机材料的第一平坦化膜150与第二平坦化膜160之间,因此即使当显示面板在弯曲区域BA中弯曲时,也可以有效地防止或减少第一连接布线CW1中的裂纹等的发生。
为了将第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL连接到第一连接布线CW1,可以在第二平坦化膜160、第二缓冲膜BF2和第一传感器绝缘膜TINS1中限定第二接触孔CNT2以对应于第一连接布线CW1的面对显示区域的端部。例如,第二接触孔CNT2可以与第一连接布线CW1的端部重叠。
在制造工艺期间,在将第二接触孔CNT2形成在第二平坦化膜160中之后,形成封装层TFEL。因此,通过利用掩模在设定或预设的区域中形成封装层TFEL以不覆盖第二接触孔CNT2。然而,由于掩模的阴影效应,当形成封装层TFEL的第一无机膜和第二无机膜时,用于形成第一无机膜和第二无机膜的材料的一部分定位在第二接触孔CNT2中,第二接触孔CNT2被限定在第二平坦化膜160中。当保留用于形成第一无机膜和第二无机膜的材料的所述一部分时,第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL稍后可能无法适当地耦接到第一连接布线CW1。因此,在形成封装层TFEL之后,通过对第二接触孔CNT2的区域执行干法蚀刻以去除被限定在第二平坦化膜160中的第二接触孔CNT2中的用于封装层TFEL的材料。
图9是图1的显示设备10的一部分的放大平面图,该部分是与图8的区域II-II’对应的部分。如图9中所示,被包括在第一连接布线组中的第一连接布线CW1朝向基底SUB的第一边缘延伸。在这方面,例如,基底SUB的第一边缘可以是如图4中的附图标记“EG1”所指示的基底SUB的边缘中的最靠近(例如,最接近)传感器焊盘区域TPA1和TPA2的边缘。因此,第一连接布线CW1布置在显示区域与周边区域中的第一边缘EG1之间。
在沿基本上垂直于基底SUB的方向截取的平面图中,封装层TFEL的面对第一边缘EG1(例如,与第一边缘EG1相邻或者与第一边缘EG1平行地延伸)的边缘的部分在第一方向(X轴方向)上具有图9中所示的不平坦结构(例如,不平坦形状),而不是具有基本上直线形状。例如,从封装层TFEL的(在方向-y(负Y轴方向)上)面对第一边缘EG1的端部(例如,边缘或侧边)的第一部分P1到第一边缘EG1的第一距离d1可以大于从封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2到第一边缘EG1的第二距离d2,第一部分P1对应于第一连接布线组CWG1,第二部分P2不同于第一部分P1。在一些实施例中,第一连接布线组CWG1的至少一部分可以与封装层TFEL重叠(例如,可以与封装层TFEL的与第一部分P1对应的部分重叠),并且可以在第二方向(Y轴方向)上朝向第一部分P1延伸并经过第一部分P1。
为了减少显示设备的无用空间(dead space)的面积,将第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL与第一连接布线CW1彼此连接的第二接触孔CNT2可以定位为接近显示区域。然而,在这种情况下,第二接触孔CNT2变得接近封装层TFEL的端部。结果,当形成封装层TFEL的第一无机膜(例如,第一无机膜IL1)和第二无机膜(例如,第二无机膜IL2)时,用于形成第一无机膜和第二无机膜的较大量的材料定位在第二接触孔CNT2中,第二接触孔CNT2被限定在第二平坦化膜160中。因此,干法蚀刻以去除这种材料所需的时间增加,这可能导致制造速度的降低。而且,当长时间执行干法蚀刻时,在工艺期间产生的热量增加,并且因此,可能发生诸如对包括发射层的中间层172的损坏的问题。
然而,在根据本实施例的显示设备中,如图9中所示,从封装层TFEL的(在方向-y上)面对第一边缘EG1的端部的第一部分P1到第一边缘EG1的第一距离d1可以大于从封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2到第一边缘EG1的第二距离d2,第一部分P1对应于第一连接布线组CWG1,第二部分P2不同于第一部分P1。因此,即使当定位在其中第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL与第一连接布线CW1彼此重叠的位置中的第二接触孔CNT2与相关技术的显示设备相比更接近显示区域时,也可以充分地保持封装层TFEL的第一部分P1与第二接触孔CNT2之间的距离。例如,封装层TFEL的第一部分P1与第二接触孔CNT2之间的距离可以足够大,以防止用于形成封装层TFEL的材料(例如,用于形成第一无机膜和/或第二无机膜的材料)中的大量材料在形成封装层TFEL的工艺期间定位在第二接触孔CNT2中(例如,溢出到第二接触孔CNT2中)。因此,可以阻止或防止用于形成封装层TFEL的材料由于阴影效应而被定位在第二接触孔CNT2中。即使当用于形成封装层TFEL的材料由于阴影效应而被定位在第二接触孔CNT2中时,也可以阻止或减少所述材料的量。
图10是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图。图11是图10的显示设备的一部分的平面图。除了包含第一连接布线CW1的第一连接布线组CWG1之外,根据本实施例的显示设备还包括包含第二连接布线CW2的第二连接布线组CWG2。第二连接布线组CWG2还定位在周边区域中,以定位在显示区域和第一边缘EG1之间。另外,第二连接布线组CWG2与第一连接布线组CWG1间隔开(例如,在第一方向(X轴方向)上间隔开)。
在这方面,从封装层TFEL的(在方向-y上)面对第一边缘EG1的端部的第三部分P3到第一边缘EG1的第三距离d3大于第二距离d2,第三部分P3对应于第二连接布线组CWG2。例如,第三距离d3可以基本上等于第一距离d1,但是本公开不限于此。因此,即使当定位在其中第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL与第二连接布线CW2彼此重叠的位置中的第二接触孔CNT2与相关技术的显示设备相比更接近显示区域时,也可以充分地保持封装层TFEL的第三部分P3与第二接触孔CNT2(例如,与第二连接布线组CWG2对应的第二接触孔CNT2)之间的距离。因此,可以阻止或防止用于形成封装层TFEL的材料由于阴影效应而被定位在第二接触孔CNT2中。即使当用于形成封装层TFEL的材料由于阴影效应而被定位在第二接触孔CNT2中时,也可以阻止或减少所述材料的量。
如图10中所示,封装层TFEL的第二部分P2可以位于第一部分P1和第三部分P3之间。因此,在第二部分P2中,封装层TFEL可以朝向基底SUB的第一边缘EG1充分地延伸,从而保护显示区域的显示元件等。例如,封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2可以朝向基底SUB的第一边缘EG1突出,并且远离封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第一部分P1和第三部分P3。
用于将第一驱动布线TL1、第二驱动布线TL2和/或感测布线RL连接到传感器焊盘区域TPA1和TPA2的连接布线可以被划分为多个组。例如,尽管图10仅示出了两个组,即,第一连接布线组CWG1和第二连接布线组CWG2,但是可以存在更多个组。在这种情况下,在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中,如图11中所示,封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部可以具有多个不平坦结构。
图12是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图。如上所述,从封装层TFEL的(在方向-y上)面对第一边缘EG1的端部的第一部分P1到第一边缘EG1的第一距离d1可以大于从封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2到第一边缘EG1的第二距离d2,第一部分P1对应于第一连接布线组CWG1,第二部分P2不同于第一部分P1。另外,如图12中所示,封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第四部分P4布置为背对第二部分P2,使得第一部分P1位于第二部分P2和第四部分P4之间,第四部分P4不同于第一部分P1和第二部分P2。在一些实施例中,第四部分P4和第二部分P2面对第一边缘EG1,并且第四部分P4和第二部分P2可以在平面图中彼此间隔开(例如,在第一方向(X轴方向)上间隔开),第一部分P1位于第四部分P4和第二部分P2之间。在一些实施例中,封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第一部分P1可以远离封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2和第四部分P4(例如,可以从封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部的第二部分P2和第四部分P4凹入)。第一距离d1可以大于从第四部分P4到第一边缘EG1的第四距离d4。在这方面,第四距离d4可以与第二距离d2相同。
显示设备还可以包括图12中示出的布线PW。布线PW可以从显示区域内部延伸到显示区域和第一边缘EG1之间的部分,并且因此可以被引导到第一连接布线组CWG1(例如,可以朝向第一连接布线组CWG1延伸)。例如,布线PW的至少一部分可以朝向第一连接布线组CWG1延伸以与第一连接布线组CWG1的至少一部分重叠,并且布线PW的一部分可以在与第一连接布线组CWG1的一部分基本上相同的方向上延伸。然而,布线PW未耦接到第一连接布线组CWG1。布线PW可以位于与第一连接布线CW1相同的层上。
布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部的中心部分PWEC可以暴露于封装层TFEL的第一部分P1的外部。在这方面,耦接到布线PW的端部的布线PW的第一侧端PWSE1可以被封装层TFEL的第二部分P2覆盖(例如,可以与封装层TFEL的第二部分P2重叠),并且耦接到布线PW的端部的布线PW的第二侧端PWSE2可以被封装层TFEL的第四部分P4覆盖(例如,可以与封装层TFEL的第四部分P4重叠)。例如,布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部可以在平面图中基本上沿着第一方向(X轴方向)延伸,并且布线PW的第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2可以在平面图中沿着第二方向(Y轴方向)延伸以耦接到布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部。在一些实施例中,布线PW的至少一部分可以与封装层TFEL重叠,并且可以朝向封装层TFEL的面对第一边缘EG1的端部延伸,使得布线PW延伸超过封装层TFEL的第一部分P1,并且不延伸超过封装层TFEL的第二部分P2和第四部分P4。因此,布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部的中心部分PWEC可以不与封装层TFEL重叠,并且第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2可以与封装层TFEL重叠。
图13是图12的布线PW的示意性截面图。如上所述,布线PW可以位于与第一连接布线CW1相同的层上。因此,布线PW可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。图13是具有三层结构的布线PW的截面图。
如图13中所示,具有多层结构的布线PW的边缘可以针对每一层具有不同的形状。例如,如图13中所示,布线PW可以具有这样的形状,在该形状中,与上层PW1的边缘和/或下层PW3的边缘相比,中间层PW2的边缘向内凹入。
例如,如图13中所示,布线PW可以包括三层结构,并且布线PW的下层PW3的强度和上层PW1的强度可以各自大于布线PW的中间层PW2的强度,其中,下层PW3可以是布线PW的最下层并且上层PW1可以是布线PW的最上层。例如,中间层PW2可以包含(例如,可以是)铝,并且上层PW1和下层PW3可以包含(例如,可以是)钛。由于铝的强度通常小于钛的强度,例如,铝的蚀刻速率通常高于钛的蚀刻速率,因此在形成并图案化导电层以形成布线PW的工艺期间,与包含(例如,是)钛的上层PW1和下层PW3相比,包含(例如,是)铝的中间层PW2可能被过度蚀刻。然而,本公开不限于此。
因此,布线PW可以具有图13中示出的截面形状。例如,当沿垂直于基底SUB的方向观察时,布线PW的中间层PW2的面积可以小于作为布线PW的最上层的上层PW1的面积。在这种情况下,当布线PW的边缘未被具有足够厚度的绝缘材料覆盖时,可能会产生其中外部杂质沿着中间层PW2的边缘渗入到显示区域中的渗透路径。
然而,在根据本实施例的显示设备中,如图12中所示,耦接到布线PW的端部的第一侧端PWSE1被封装层TFEL的第二部分P2覆盖,并且耦接到布线PW的端部的第二侧端PWSE2被封装层TFEL的第四部分P4覆盖。因此,布线PW的第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2可以被具有足够厚度的绝缘膜覆盖。结果,可以有效地防止或阻止外部杂质通过布线PW的第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2渗入到显示区域中。
此外,如图14中所示,当沿垂直于基底SUB的方向观察时,布线PW的第一侧端PWSE1可以包括具有不平坦形状的部分,图14是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图。布线PW的第二侧端PWSE2还可以包括具有不平坦形状的部分。例如,布线PW的第一侧端PWSE1和/或第二侧端PWSE2可以具有一个或多个突出部和/或凹进部(例如,凹口)。因此,即使当外部杂质渗透通过布线PW的第一侧端PWSE1或第二侧端PWSE2时,通向显示区域的渗透路径的长度也可以增加,从而有效地减小了损坏显示区域的可能性。布线PW的具有不平坦形状的第一侧端PWSE1的一部分可以被封装层TFEL的第二部分P2覆盖,并且布线PW的具有不平坦形状的第二侧端PWSE2的一部分可以被封装层TFEL的第四部分P4覆盖。
布线PW可以是被称为ELVSS线的电极电源线,所述电极电源线电耦接到布置在显示区域中的相对电极173。在一些实施例中,布线PW可以是被称为ELVDD线的电源线,所述电源线电耦接到像素电路,所述像素电路包括被布置在显示区域中并电耦接到显示元件的薄膜晶体管120等。
图15是根据另一实施例的显示设备的一部分的放大平面图。
根据本实施例的显示设备与以上参照图12所描述的显示设备的不同之处在于封装层TFEL的形状。被包括在根据本实施例的显示设备中的封装层TFEL具有主体部分MP、第一突出部PR1和第二突出部PR2。主体部分MP覆盖显示元件,例如,显示区域。第一突出部PR1是从主体部分MP突出以覆盖布线PW的第一侧端PWSE1的部分,布线PW的第一侧端PWSE1耦接到布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部。第二突出部PR2也是从主体部分MP突出以覆盖布线PW的第二侧端PWSE2的部分,布线PW的第二侧端PWSE2耦接到布线PW的面对第一连接布线组CWG1的端部。
在根据本实施例的显示设备中,如图15中所示,布线PW的耦接到布线PW的端部的第一侧端PWSE1被封装层TFEL的第一突出部PR1覆盖,并且布线PW的耦接到布线PW的端部的第二侧端PWSE2被封装层TFEL的第二突出部PR2覆盖。因此,布线PW的第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2可以被具有足够厚度的绝缘膜覆盖。结果,可以有效地防止或阻止外部杂质通过布线PW的第一侧端PWSE1和第二侧端PWSE2渗入到显示区域中。
作为根据本实施例的变型示例,在沿垂直于基底SUB的方向截取的平面图中,布线PW的第一侧端PWSE1可以包括具有不平坦形状的部分。布线PW的第二侧端PWSE2还可以包括具有不平坦形状的部分。因此,即使当外部杂质渗透通过布线PW的第一侧端PWSE1或第二侧端PWSE2时,通向显示区域的渗透路径的长度也可以增加,从而有效地减小了损坏显示区域的可能性。布线PW的具有不平坦形状的第一侧端PWSE1的一部分被封装层TFEL的第一突出部PR1覆盖,并且布线PW的具有不平坦形状的第二侧端PWSE2的一部分被封装层TFEL的第二突出部PR2覆盖。
布线PW可以是被称为ELVSS线的电极电源线,所述电极电源线电耦接到布置在显示区域中的相对电极173。在一些实施例中,布线PW可以是被称为ELVDD线的电源线,所述电源线电耦接到包括布置在显示区域中并电耦接到显示元件的薄膜晶体管120等的像素电路。
图16是根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性平面图。
根据另一实施例,显示设备可以包括:具有显示区域和在显示区域外部的周边区域的基底SUB、布置在基底SUB的显示区域处(例如,布置在基底SUB的显示区域上或布置在基底SUB的显示区域中)的显示元件以及覆盖显示元件的封装层TFEL。封装层TFEL可以包括第一无机膜IL1。如图16中所示,当沿垂直于基底SUB的方向观察时,第一无机膜IL1在与基底SUB的第一边缘对应(例如,面对基底SUB的第一边缘)的边缘处具有至少一个凹进部RCS。所述至少一个凹进部RCS可以(在方向+y上)朝向显示区域凹入。
在这方面,基底SUB的第一边缘可以是以上参照图4所描述的第一边缘。例如,如图4中的附图标记“EG1”所指示的,第一边缘可以是基底SUB的边缘中的最靠近传感器焊盘区域TPA1和TPA2的边缘。
除了第一无机膜IL1之外,封装层TFEL还可以包括布置在第一无机膜IL1上的有机膜OL。在这方面,有机膜OL的边缘的形状可以与第一无机膜IL1的边缘的形状不同。例如,有机膜OL的与第一无机膜IL1的具有至少一个凹进部RCS的边缘对应的边缘可以具有如图16中所示的基本上直线形状。在一些实施例中,有机膜OL的与第一无机膜IL1的具有至少一个凹进部RCS的边缘对应的边缘可以具有与基底SUB的第一边缘的形状对应的形状。
当形成封装层TFEL的有机膜OL时,可以形成限定有机膜OL的外边缘的坝。所述坝可以是例如布置在有机膜OL下方的第一无机膜IL1的突出部分。因此,当形成有机膜OL时,用于形成有机膜OL的材料无法越过突出的坝,或者可以被阻止越过突出的坝。因此,有机膜OL的边缘可以对应于坝的位置。坝可以形成为第一无机膜IL1自身突出,或者可以形成为布置在第一无机膜IL1下方的层突出并且第一无机膜IL1覆盖该层。例如,可以通过将第一无机膜IL1形成为包括具有大于第一无机膜IL1的其它部分的厚度的厚度的突出部分来限定坝,以便形成所述坝。在一些实施例中,突出层可以形成在第一无机膜IL1下方以被第一无机膜IL1覆盖,并且使第一无机膜IL1在厚度方向(例如,Z轴方向)上突出以限定坝。在图16中,由这样的坝形成的有机膜OL的边缘的形状基本上对应于显示区域的形状。
此外,如图17中所示,封装层TFEL还可以包括布置在有机膜OL上的第二无机膜IL2,图17是根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性平面图。在这种情况下,有机膜OL位于第一无机膜IL1与第二无机膜IL2之间。第一无机膜IL1和第二无机膜IL2可以在有机膜OL的外部彼此接触。在这方面,第二无机膜IL2的边缘的形状可以类似于第一无机膜IL1的边缘的形状。例如,第二无机膜IL2的与第一无机膜IL1的具有至少一个凹进部RCS的边缘对应的边缘可以具有与第一无机膜IL1的具有至少一个凹进部RCS的边缘的形状对应的形状。
在制造工艺期间,可以通过利用相同的掩模来形成第一无机膜IL1和第二无机膜IL2。因此,第二无机膜IL2的边缘的形状可以对应于第一无机膜IL1的边缘的形状。然而,由于工艺误差等,第一无机膜IL1的边缘和第二无机膜IL2的边缘可能无法完美地匹配。
图16和图17示出了第一无机膜IL1的边缘中的第一无机膜IL1的面对基底SUB的第一边缘的边缘,例如,第一无机膜IL1的具有凹进部RCS的边缘。图16和图17还示出了封装层TFEL的第一无机膜IL1的边缘中的耦接到第一无机膜IL1的具有凹进部RCS的边缘的边缘的一部分。然而,本公开不限于此。例如,基底SUB可以具有相对于显示区域的中心与第一边缘相对的第二边缘。在这方面,当沿垂直于基底SUB的方向观察时,即使在与基底SUB的第二边缘对应的边缘处,第一无机膜IL1也可以具有至少一个凹进部。即使在与基底SUB的第二边缘对应的边缘处,第二无机膜IL2也可以具有至少一个凹进部。
具有传感器区域TSA和在传感器区域TSA外部的传感器周边区域TPA的传感器电极层SENL(参照图2、图4和/或图8)可以位于封装层TFEL上。在这方面,如图16和图17中所示,布线WR可以从传感器周边区域TPA延伸到第一无机膜IL1的外部。布线WR可以被引导到基底SUB的第一边缘(例如,可以朝向基底SUB的第一边缘延伸)。在这方面,当沿垂直于基底SUB的方向观察时,布线WR可以与至少一个凹进部RCS重叠。图9或图10可以是图16或图17中示出的凹进部RCS中的一些凹进部RCS的放大图。例如,布线WR可以包括从传感器周边区域TPA延伸到第一无机膜IL1的外部的传感器布线TL1、TL2和RL以及电耦接到传感器布线TL1、TL2和RL的第一连接布线CW1。传感器布线TL1、TL2和RL以及第一连接布线CW1可以通过被限定在传感器布线TL1、TL2和RL与第一连接布线CW1之间的绝缘层中的第二接触孔CNT2(参照图8)而彼此电耦接。
根据上述实施例中的一个或多个实施例,可以实现其中可以减少无用空间且可以降低故障率的显示设备。然而,本公开不限于这样的方面。
应当理解的是,本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑而不是为了限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可以用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离由以下权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下,可以在其中作出形式和细节上的各种适当的变化。
Claims (37)
1.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;
显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;
封装层,所述封装层覆盖所述显示元件;
传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方;以及
第一连接布线组,所述第一连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述基底的第一边缘之间,布置在所述封装层的外部,并且包括第一连接布线,
其中,从所述封装层的面对所述第一边缘的端部的第一部分到所述第一边缘的第一距离大于从所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第二部分到所述第一边缘的第二距离,并且
其中,所述第一部分对应于所述第一连接布线组,并且所述第二部分与所述第一部分不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:第二连接布线组,所述第二连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述第一边缘之间,包括第二连接布线,并且与所述第一连接布线组间隔开,
其中,从所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第三部分到所述第一边缘的第三距离大于所述第二距离,并且
其中,所述第三部分对应于所述第二连接布线组。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部包括不平坦结构。
5.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述封装层的面对所述第一边缘的所述端部的第四部分与所述第一部分和所述第二部分不同,并且当所述第一部分位于所述第二部分和所述第四部分之间时,所述第四部分与所述第二部分间隔开,并且
其中,所述第一距离大于从所述第四部分到所述第一边缘的第四距离。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第四距离与所述第二距离相同。
7.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:布线,所述布线从所述显示区域内部延伸到所述显示区域和所述第一边缘之间的部分以面对所述第一连接布线组,
其中,面对所述第一连接布线组的所述布线的端部的中心部分被暴露于所述第一部分的所述外部,并且
其中,所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第一侧端由所述第二部分覆盖,并且所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第二侧端由所述第四部分覆盖。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第一侧端包括具有不平坦形状的部分。
9.根据权利要求7所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第二侧端包括具有不平坦形状的部分。
10.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第一连接布线和所述布线布置在相同的层上。
11.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述布线包括三层结构。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述布线的最下层的强度和最上层的强度各自大于所述布线的中间层的强度。
13.根据权利要求11所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述布线的中间层的面积小于所述布线的最上层的面积。
14.根据权利要求7所述的显示设备,
其中,所述显示元件包括像素电极和布置在所述像素电极上方并与所述像素电极对应的相对电极,并且
其中,所述布线是电耦接到所述相对电极的电极电源线。
15.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:像素电路,所述像素电路布置在所述显示区域中并且电耦接到所述显示元件,
其中,所述布线是电耦接到所述像素电路的电源线。
16.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:传感器布线,所述传感器布线配置为将所述传感器电极层电连接到所述第一连接布线。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述传感器布线电耦接到所述第一连接布线的面对所述显示区域的端部。
18.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;
显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;
封装层,所述封装层覆盖所述显示元件;
传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方;
第一连接布线组,所述第一连接布线组布置在所述周边区域中以布置在所述显示区域和所述基底的第一边缘之间,布置在所述封装层的外部,并且包括第一连接布线;以及
布线,所述布线从所述显示区域内部延伸到所述显示区域和所述第一边缘之间的部分以面对所述第一连接布线组,所述布线具有面对所述第一连接布线组的端部,
其中,所述封装层包括:主体部分,所述主体部分覆盖所述显示元件;第一突出部,所述第一突出部从所述主体部分突出以覆盖所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第一侧端;以及第二突出部,所述第二突出部从所述主体部分突出以覆盖所述布线的耦接到所述布线的所述端部的第二侧端。
19.根据权利要求18所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第一侧端包括具有不平坦形状的部分。
20.根据权利要求18所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第二侧端包括具有不平坦形状的部分。
21.根据权利要求18所述的显示设备,其中,所述第一连接布线和所述布线布置在相同的层上。
22.根据权利要求18所述的显示设备,其中,所述布线包括三层结构。
23.根据权利要求22所述的显示设备,其中,所述布线的最下层的强度和最上层的强度各自大于所述布线的中间层的强度。
24.根据权利要求22所述的显示设备,其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述布线的中间层的面积小于所述布线的最上层的面积。
25.根据权利要求18所述的显示设备,
其中,所述显示元件包括像素电极和布置在所述像素电极上方并与所述像素电极对应的相对电极,并且
其中,所述布线是电耦接到所述相对电极的电极电源线。
26.根据权利要求18所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:像素电路,所述像素电路布置在所述显示区域中并且电耦接到所述显示元件,
其中,所述布线是电耦接到所述像素电路的电源线。
27.根据权利要求18所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:传感器布线,所述传感器布线配置为将所述传感器电极层电连接到所述第一连接布线。
28.根据权利要求27所述的显示设备,其中,所述传感器布线电耦接到所述第一连接布线的面对所述显示区域的端部。
29.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,所述基底包括显示区域和在所述显示区域外部的周边区域;
显示元件,所述显示元件布置在所述基底的所述显示区域处;以及
封装层,所述封装层覆盖所述显示元件并且包括第一无机膜,
其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第一无机膜在与所述基底的第一边缘对应的边缘处具有至少一个凹进部。
30.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述封装层还包括有机膜,并且所述有机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘具有直线形状。
31.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述封装层还包括有机膜,并且所述有机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘具有与所述基底的所述第一边缘的形状对应的形状。
32.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述至少一个凹进部朝向所述显示区域凹入。
33.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述基底包括相对于所述显示区域的中心与所述第一边缘相对的第二边缘,
其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述第一无机膜在与所述基底的所述第二边缘对应的边缘处具有至少一个凹进部。
34.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
传感器电极层,所述传感器电极层布置在所述封装层上方,并且包括传感器区域和在所述传感器区域外部的传感器周边区域;和
布线,所述布线从所述传感器周边区域朝向所述基底的所述第一边缘延伸到所述第一无机膜的所述外部,
其中,当在所述基底的平面图中观察时,所述布线与所述至少一个凹进部重叠。
35.根据权利要求34所述的显示设备,其中,所述布线包括:从所述传感器周边区域延伸到所述第一无机膜的所述外部的传感器布线和电耦接到所述传感器布线的第一连接布线。
36.根据权利要求35所述的显示设备,其中,所述传感器布线和所述第一连接布线通过被限定在所述传感器布线和所述第一连接布线之间的绝缘层中的接触孔彼此电耦接。
37.根据权利要求29所述的显示设备,其中,所述封装层还包括第二无机膜,并且所述第二无机膜的与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘对应的边缘具有与所述第一无机膜的具有所述至少一个凹进部的所述边缘的形状对应的形状。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0032856 | 2020-03-17 | ||
KR1020200032856A KR20210116840A (ko) | 2020-03-17 | 2020-03-17 | 디스플레이 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113410266A true CN113410266A (zh) | 2021-09-17 |
Family
ID=74947003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110277612.5A Pending CN113410266A (zh) | 2020-03-17 | 2021-03-15 | 显示设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251256B2 (zh) |
EP (1) | EP3940501B1 (zh) |
KR (1) | KR20210116840A (zh) |
CN (1) | CN113410266A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11803280B2 (en) * | 2020-08-18 | 2023-10-31 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Touch panel with modified touch electrodes adjacent to the non-touch area and electronic device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102296919B1 (ko) | 2015-01-16 | 2021-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법 |
JP6901888B2 (ja) | 2017-03-27 | 2021-07-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵表示装置 |
CN107425033B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-12-17 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示设备 |
KR102399820B1 (ko) | 2017-10-27 | 2022-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 및 터치 디스플레이 패널 |
KR102408164B1 (ko) | 2017-10-31 | 2022-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR102510942B1 (ko) | 2017-12-19 | 2023-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102524346B1 (ko) * | 2018-01-03 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
KR20200053991A (ko) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2020
- 2020-03-17 KR KR1020200032856A patent/KR20210116840A/ko active Search and Examination
- 2020-09-24 US US17/031,752 patent/US11251256B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-15 CN CN202110277612.5A patent/CN113410266A/zh active Pending
- 2021-03-16 EP EP21162928.2A patent/EP3940501B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210116840A (ko) | 2021-09-28 |
EP3940501A1 (en) | 2022-01-19 |
EP3940501B1 (en) | 2023-05-10 |
US20210296421A1 (en) | 2021-09-23 |
US11251256B2 (en) | 2022-02-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |