CN113395836A - 小间距高厚度纯铜电路板制作方法 - Google Patents

小间距高厚度纯铜电路板制作方法 Download PDF

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CN113395836A CN202110544257.3A CN202110544257A CN113395836A CN 113395836 A CN113395836 A CN 113395836A CN 202110544257 A CN202110544257 A CN 202110544257A CN 113395836 A CN113395836 A CN 113395836A
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刘敏
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Huizhou King Brother Circuit Technology Co Ltd
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Abstract

本发明属于电路板加工技术领域，具体涉及小间距高厚度纯铜电路板制作方法，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。通过本发明方法，通过使用蚀刻+电镀工艺结合，即可实现高厚度、小间距的纯铜电路板精密线距的加工，可有效避免间距过小、毛边过大导致的短路问题，保证产品的良品率。

Description

小间距高厚度纯铜电路板制作方法
技术领域
本发明属于电路板加工技术领域，具体涉及小间距高厚度纯铜电路板制作方法。
背景技术
随着电子产品越来越小型化、多功能化、高频化，电路的集成度越来越高，器件的散热成为一个重要的问题，其封装材料的高频特性也受到较大的关注，作为PCB基材的铜板性能则是封装材料中的一个非常关键的因素。目前市面上绝大部分采用的是覆铜板，如玻纤布覆铜板、合成纤维布覆铜板、复合覆铜板、陶瓷覆铜板等。对于覆铜板，对于其材料以及制备工艺都有较高要求。
纯铜电路板对比常规的覆铜电路板具有高导热、高电导率、高平整度等优点，适用于高功率芯片封装、高功率转换器等高端产品。随着各个集成电路模块的功率越来越大，作为载体的电路板各方面特性要求也越来越高，金属铜具有的高导热、高电导率等优点不断推动纯铜电路板的发展。
现有技术中，纯铜电路板线路的常规制作流程为：前处理清洗—压膜—曝光—显影—蚀刻—褪膜。
但是，纯铜电路板线路常规制作的方法只能加工厚度相对较低、线距较大的纯铜板，而且存在间距间毛边严重的问题，容易造成短路。对于高厚度、小间距的纯铜电路板，常规制作流程无法加工。
基于此，急需小间距高厚度纯铜电路板的制作方法。
发明内容
有鉴于此，本发明提供小间距高厚度纯铜电路板制作方法。
本发明的技术方案为：
小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
进一步的，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-500μm。
进一步的，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式（电镀金、化金、镍钯金等）。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为42-65N，HCl的当量浓度为2.5-3.8N，Cu2+含量为200-260g/L。
进一步的，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
进一步的，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥25μm。
进一步的，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜180-220g/L、低酸60-80ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为2-10ASD，时间为20-150min。选用对应的电镀药水（高铜低酸、专用添加剂）提升电镀效率，根据需求厚度规格设定对应的电流密度和电镀时间。
进一步的，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
进一步的，所述背面面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
本发明中，第一次褪膜、第二次褪膜、第三次褪膜的工艺相同，具体为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
本发明的加工方法，还包括：
针对100μm-300μm的铜基板，进行两面单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
针对100μm-300μm的铜基板，使用激光切割间距，包括以下流程：铜基板-激光切割-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-双面电镀铜-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间距，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-双面电镀铜-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚， 加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-单面电镀铜-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-单面电镀铜-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-激光切割-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-激光切割-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-单面镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
本发明的有益效果在于：
1、通过使用激光切割制作间距，间距精度更高，同时可以保证间距的一致性，适用于各种厚度的纯铜电路板，可满足高精密度化的需求；
2、通过电镀加镀后使用双面蚀刻的工艺，适用于厚度＜100μm，能够减少工艺环节，降低人工成本；生产高效，产品质量高，生产周期短；同时实现了零污染排放；
3、通过使用单面半蚀刻的工艺，更适用于厚度≥100μm的纯铜线路板, 工艺更加简单，生产周期短，管控成本低，均匀性好，大大的提高产品的竞争优势。
通过本发明方法，针对不同厚度的纯铜线路板，分别通过使用蚀刻、激光切割、电镀工艺的有机结合，即可实现高厚度、小间距的纯铜电路板精密线距的加工，可有效避免间距过小、毛边过大导致的短路问题，保证产品的良品率。本发明可实现弹性生产，满足客户各种产品规格要求。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
实施例1
小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
进一步的，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-300μm。
进一步的，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式（电镀金、化金、镍钯金等）。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为42N，HCl的当量浓度为2.5N，Cu2+含量为200g/L。
进一步的，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
进一步的，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥30μm。
进一步的，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜180g/L低酸80ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为3.0ASD，时间为60min。
进一步的，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
进一步的，所述背面面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
本发明中，第一次褪膜、第二次褪膜、第三次褪膜的工艺相同，具体为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
通过本方法加工高厚度精密线距的纯铜电路板，无毛边产生，有效避免了短路问题。
实施例2
小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
进一步的，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-300μm。
进一步的，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式（电镀金、化金、镍钯金等）。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为48N，HCl的当量浓度为2.9N，Cu2+含量为220g/L。
进一步的，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
进一步的，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥50μm。
进一步的，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜180g/L低酸80ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为3.0ASD，时间为90min。
进一步的，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
进一步的，所述背面面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
本发明中，第一次褪膜、第二次褪膜、第三次褪膜的工艺相同，具体为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
通过本方法加工高厚度精密线距的纯铜电路板，无毛边产生，有效避免了短路问题。
实施例3
小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
进一步的，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-300μm。
进一步的，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式（电镀金、化金、镍钯金等）。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为55N，HCl的当量浓度为3.1N，Cu2+含量为240g/L。
进一步的，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
进一步的，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥50μm。
进一步的，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜210g/L低酸70ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为2.5ASD，时间为120min。
进一步的，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
进一步的，所述背面面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
本发明中，第一次褪膜、第二次褪膜、第三次褪膜的工艺相同，具体为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
通过本方法加工高厚度精密线距的纯铜电路板，无毛边产生，有效避免了短路问题。
实施例4
小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
进一步的，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-300μm。
进一步的，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式（电镀金、化金、镍钯金等）。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
进一步的，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为65N，HCl的当量浓度为3.8N，Cu2+含量为260g/L。
进一步的，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
进一步的，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥100μm。
进一步的，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜220g/L低酸60ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为4.0ASD，时间为150min。
进一步的，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
进一步的，所述背面面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
本发明中，第一次褪膜、第二次褪膜、第三次褪膜的工艺相同，具体为膨松、退膜、酸洗、溢流水洗、加压水洗、摇摆高压水洗、干板组合。
通过本方法加工高厚度精密线距的纯铜电路板，无毛边产生，有效避免了短路问题。
实施例5
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对100μm-300μm的铜基板，进行两面单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
实施例6
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对100μm-300μm的铜基板，使用激光切割间距，包括以下流程：铜基板-激光切割-表面处理。
实施例7
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-双面电镀铜-表面处理。
实施例8
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间距，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-双面电镀铜-表面处理。
实施例9
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚， 加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-单面电镀铜-表面处理。
实施例10
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-单面电镀铜-表面处理。
实施例11
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理
实施例12
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
实施例13
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-激光切割-表面处理。
实施例14
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
实施例15
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
实施例16
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-激光切割-表面处理。
实施例17
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
实施例18
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
实施例19
本实施例提供一种与实施例1-4任一种相同的制作方法，所不同的是，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-单面镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。

Claims (25)

1.小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理清洗—第一次压膜—第一次曝光—第一次显影—正面半蚀刻—第一次褪膜—第二次压膜—第二次曝光—第二次显影—电镀—第二次褪膜—第三次压膜—第三次曝光—第三次显影—背面半蚀刻—第三次褪膜。
2.根据权利要求1所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，还包括纯铜板厚度选择，按照产品板厚要求选择对应厚度的纯铜板，所述纯铜板的厚度为20μm-500μm。
3.根据权利要求2所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，针对不同厚度纯铜板，包括以下工艺的组合：
双面蚀刻：选择双面蚀刻的方式对纯铜板进行小间距制作；
单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行小间距半蚀刻；
使用激光切割制作小间距；
单面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行单面电镀加厚；
双面电镀加厚：使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行双面电镀加厚；
背面单面半蚀刻：使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行小间距半蚀刻；
表面处理：选择对应的表面处理方式。
4.根据权利要求1所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述正面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板正面进行半蚀刻。
5.根据权利要求4所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述正面半蚀刻工艺为酸性蚀刻，其中NaClO3的当量浓度为42-65N，HCl的当量浓度为2.5-3.8N，Cu2+含量为200-260g/L。
6.根据权利要求1所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述电镀工艺，使用图形电镀的方式对线路区域按照产品板厚要求进行电镀加厚。
7.根据权利要求6所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述电镀工艺中，对线路区域电镀加厚≥25μm。
8.根据权利要求6或7所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述电镀工艺的的具体方法为：选用高铜180-220g/L、低酸60-80ml/L电镀药水，配专用添加剂，图形电镀时的电流密度为2-10ASD，时间为20-150min。
9.根据权利要求5所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述背面半蚀刻工艺，使用单面蚀刻的方式对铜板背面进行半蚀刻。
10.根据权利要求9所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在于，所述背面半蚀刻工艺与正面半蚀刻工艺相同。
11.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，于针对100μm-300μm的铜基板，进行两面单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
12.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对100μm-300μm的铜基板，使用激光切割间距，包括以下流程：铜基板-激光切割-表面处理。
13.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-双面电镀铜-表面处理。
14.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间距，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-双面电镀铜-表面处理。
15.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行双面蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚， 加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-双面蚀刻-单面电镀铜-表面处理。
16.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行激光切割间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，包括以下流程：铜基板-激光切割-单面电镀铜-表面处理。
17.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
18.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
19.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-激光切割-表面处理。
20.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-单面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
21.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行双面蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-双面蚀刻-表面处理。
22.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行激光切割，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-激光切割-表面处理。
23.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先在有需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再进行两次单面半蚀刻，包括以下流程：铜基板-双面电镀铜-单面半蚀刻-背面单面半蚀刻-表面处理。
24.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行双面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-双面电镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
25.根据权利要求3所述的小间距高厚度纯铜电路板制作方法，其特征在，针对50μm-200μm的铜基板，先进行单面半蚀刻间隙，再在需要的地方进行单面电镀铜加厚，加厚至要求厚度规格，再从背面进行单面半蚀刻间隙，包括以下流程：铜基板-单面半蚀刻-单面镀铜-背面单面半蚀刻-表面处理。
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