CN113380674B - 晶粒针刺脱膜方法 - Google Patents

晶粒针刺脱膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113380674B
CN113380674B CN202110639495.2A CN202110639495A CN113380674B CN 113380674 B CN113380674 B CN 113380674B CN 202110639495 A CN202110639495 A CN 202110639495A CN 113380674 B CN113380674 B CN 113380674B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
needling
crystal
ring
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110639495.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113380674A (zh
Inventor
林政丰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Xinlianxin Intelligent Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Xinlianxin Intelligent Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Xinlianxin Intelligent Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Xinlianxin Intelligent Technology Co ltd
Priority to CN202110639495.2A priority Critical patent/CN113380674B/zh
Publication of CN113380674A publication Critical patent/CN113380674A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113380674B publication Critical patent/CN113380674B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及晶环薄膜的晶粒针刺挑选技术领域，特别涉及晶粒针刺脱膜方法，将带有矩阵式分布晶粒的晶环薄膜上料固定于控制机构上，视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描，识别出全部晶粒位置并建立一坐标系，赋予每一个晶粒一专属坐标点，完成预扫描后，控制机构按照回形轨迹或梅花形轨迹调整晶环薄膜，保证顶针能够精准对上晶粒进行针刺挑选脱膜。与现有技术相比，本发明的晶粒针刺脱膜方法可以保证晶环薄膜整体受力均匀，各晶粒的位置几乎不存在偏移量，在针刺挑选过程中便避免了薄膜与顶针的粘滞现象，间隔处的晶粒受到左右晶环薄膜的收缩量平衡，保证顶针针刺作业过程的精准挑选，提高工作效率，节约资源，降低生产成本。

Description

晶粒针刺脱膜方法
【技术领域】
本发明涉及晶环薄膜的晶粒针刺挑选技术领域，特别涉及晶粒针刺脱膜方法。
【背景技术】
如图1所示，现有晶粒300脱模轨迹方式，一般是顶针按弓字形轨迹400在晶环薄膜上对晶粒300进行针刺。在晶粒300针刺过程中，顶针在CCD工业相机影像范围内按照弓字形轨迹400将晶粒300从晶环薄膜中针刺顶起。晶环薄膜因晶粒300的缺失会留下一个小孔，随着薄膜上的晶粒300逐渐减少时，其上的小孔会相应的逐渐增多。若在此过程中晶框固定机构保持初始状态，那么晶环薄膜上无晶粒300的薄膜部分和有晶粒300的薄膜部分内部所受张力分布就会不同，直接导致还未脱膜的晶粒300的位置偏移。该情况的发生将使得晶环薄膜整体受力不均，会出现薄膜局部松垮局部张紧情形，进而影响到后续晶粒300顶起取走时顶针与薄膜之间的相对运动状态。变形后的晶环薄膜会使其上所载的晶粒300周边受力不均，可能使晶粒300发生位移甚至掉落损失，提高生产成本，也可能使薄膜与晶粒300、顶针出现一定程度的粘滞现象，从而延长晶粒300顶起时间，降低工作效率。
【发明内容】
为了克服上述问题，本发明提出一种可有效解决上述问题的晶粒针刺脱膜方法。
本发明解决上述技术问题提供的一种技术方案是：提供一种晶粒针刺脱膜方法，包括如下步骤：
步骤S1，将带有矩阵式分布晶粒的晶环薄膜上料固定于控制机构上；
步骤S2，视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描，识别出全部晶粒位置并建立一坐标系，赋予每一个晶粒一专属坐标点；
步骤S3，完成预扫描后，控制机构按照回形轨迹或梅花形轨迹调整晶环薄膜，保证顶针能够精准对上晶粒进行针刺挑选脱膜。
优选地，所述回形轨迹为从矩阵式分布晶粒的最外端开始，沿着外围绕圈从外到内的轨迹；或者从矩阵式分布晶粒的中心处开始，由内向外绕圈的轨迹。
优选地，所述梅花形轨迹为在矩阵式分布晶粒的每一行和每一列均采用间隔式挑选的轨迹。
优选地，所述控制机构包括角度调整装置和自动扩膜与膜量张力控制装置，所述角度调整装置包括滚动轴承内环固定片和扩膜环，所述扩膜环固定于滚动轴承内环固定片上端，所述自动扩膜与膜量张力控制装置固定于扩膜环上端外侧；所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括一扩膜升降平台，所述扩膜升降平台位于扩膜环上方，扩膜升降平台上端固定有盖板，扩膜升降平台与盖板之间固定有贴有晶环薄膜的支架。
优选地，所述角度调整装置包括一第一基板，所述滚动轴承内环固定片轴接于第一基板上，滚动轴承内环固定片可在第一基板上转动。
优选地，所述第一基板的一端固定有驱动电机，驱动电机的输出端连接有一主动轮，驱动电机驱动主动轮转动；所述主动轮的一侧设置有第一从动轮，第一从动轮的一侧设置有第二从动轮，所述主动轮、第一从动轮、第二从动轮的外围绕有传动带，传动带的两端固定于滚动轴承内环固定片外围。
优选地，所述第一基板上开设有一调节槽，所述调节槽内通过螺丝固定有从动轮调节块，所述第二从动轮轴接于从动轮调节块上。
优选地，所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括第二基板，所述第二基板开设有第一圆形开口，所述扩膜环上端设置一圈限位凸起，所述限位凸起穿过第一圆形开口，第二基板固定于扩膜环外围。
优选地，所述第二基板的对称两边分别固定有两驱动气缸，所述扩膜升降平台的底部连接于两驱动气缸的伸缩杆，驱动气缸驱动扩膜升降平台升降。
优选地，所述扩膜升降平台与第二基板之间还设置有多个缓冲装置。
与现有技术相比，本发明的本发明的晶粒针刺脱膜方法采用回形轨迹或梅花形轨迹进行针刺挑选脱膜，回形轨迹的针刺挑选轨迹方式，可以保证在顶针一圈一圈挑选晶粒的过程中晶环薄膜整体受力均匀，各晶粒的位置几乎不存在偏移量，且因晶环薄膜受力平衡，在针刺挑选过程中便避免了薄膜与顶针的粘滞现象，大大提高了针刺精度与工作效率，节约资源，降低加工成本；梅花形轨迹则在晶环薄膜向周边收缩时，间隔处的晶粒受到左右晶环薄膜的收缩量平衡，其晶粒位置不发生偏移，晶粒位置的稳定保证了顶针针刺作业过程的精准挑选，提高工作效率，节约资源，降低生产成本。
【附图说明】
图1为现有技术的晶粒脱膜轨迹示意图；
图2为本发明的晶粒针刺脱膜方法的回形轨迹示意图；
图3为本发明的晶粒针刺脱膜方法的梅花形轨迹示意图；
图4为本发明的晶粒针刺脱膜方法的流程图；
图5为本发明的晶粒针刺脱膜方法的控制机构整体结构图；
图6为本发明的晶粒针刺脱膜方法的角度调整装置结构图；
图7为本发明的晶粒针刺脱膜方法的自动扩膜与膜量张力控制装置第一结构图；
图8为本发明的晶粒针刺脱膜方法的自动扩膜与膜量张力控制装置第二结构图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
请参阅图1至图8，本发明的晶粒针刺脱膜方法，用于MINI、MICRO LED晶粒针刺脱膜，包括如下步骤：
步骤S1，将带有矩阵式分布晶粒300的晶环薄膜上料固定于控制机构上；
步骤S2，视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描，识别出全部晶粒300位置并建立一坐标系，赋予每一个晶粒300一专属坐标点；
步骤S3，完成预扫描后，控制机构按照回形轨迹500或梅花形轨迹调整晶环薄膜，保证顶针能够精准对上晶粒300进行针刺挑选脱膜。
所述回形轨迹500为从矩阵式分布晶粒300的最外端开始，沿着外围绕圈从外到内的轨迹，或者从矩阵式分布晶粒300的中心处开始，由内向外绕圈的轨迹。回形轨迹500的针刺挑选轨迹方式，可以保证在顶针一圈一圈挑选晶粒300的过程中晶环薄膜整体受力均匀，各晶粒300的位置几乎不存在偏移量。且因晶环薄膜受力平衡，在针刺挑选过程中便避免了薄膜与顶针的粘滞现象，大大提高了针刺精度与工作效率，节约资源，降低加工成本。
所述梅花形轨迹为在矩阵式分布晶粒300的每一行和每一列均采用间隔式挑选的轨迹。晶环薄膜向周边收缩时，间隔处的晶粒300受到左右晶环薄膜的收缩量平衡，其晶粒300位置不发生偏移。晶粒300位置的稳定保证了顶针针刺作业过程的精准挑选，提高工作效率，节约资源，降低生产成本。
所述控制机构，用于MINI LED针刺型(非传统Pick&Place)芯片排列机与固晶机设备，用于膜量扩膜与膜量张力控制，包括角度调整装置100和自动扩膜与膜量张力控制装置200，所述角度调整装置100包括滚动轴承内环固定片120和扩膜环140，所述扩膜环140固定于滚动轴承内环固定片120上端，所述自动扩膜与膜量张力控制装置200固定于扩膜环140上端外侧，自动扩膜与膜量张力控制装置200包括一扩膜升降平台220，所述扩膜升降平台220位于扩膜环140上方，扩膜升降平台220上端固定有盖板210，扩膜升降平台220与盖板210之间固定有贴有晶环薄膜的支架。工作时，扩膜升降平台220下降，晶环薄膜下降抵住扩膜环140，在晶粒300的针刺挑选过程中，晶环薄膜在扩膜环140和盖板210的限位作用下时刻保持张紧状态，滚动轴承内环固定片120可转动，带动扩膜环140转动，扩膜环140则带动扩膜升降平台220转动。
所述角度调整装置100包括一第一基板110，所述滚动轴承内环固定片120轴接于第一基板110上，滚动轴承内环固定片120可在第一基板110上转动。所述滚动轴承内环固定片120的外围设置有滚动轴承外环固定片130，用于限制滚动轴承内环固定片120在第一基板110上的上下位置，不影响转动。所述第一基板110的一端固定有驱动电机150，驱动电机150的输出端连接有一主动轮160，驱动电机150驱动主动轮160转动。所述主动轮160的一侧设置有第一从动轮161，第一从动轮161的一侧设置有第二从动轮162，所述主动轮160、第一从动轮161、第二从动轮162的外围绕有传动带170，传动带170的两端固定于滚动轴承内环固定片120外围。工作时，驱动电机150驱动主动轮160转动，主动轮160通过传动带170带动第一从动轮161、第二从动轮162转动，同时带动滚动轴承内环固定片120转动。所述第一基板110上开设有一调节槽181，所述调节槽181内通过螺丝固定有从动轮调节块180，所述第二从动轮162轴接于从动轮调节块180上，通过从动轮调节块180可调节第二从动轮162的位置，从而控制传动带170的松紧度。
所述自动扩膜与膜量张力控制装置200包括第二基板230，所述第二基板230开设有第一圆形开口，所述扩膜环140上端设置一圈限位凸起141，所述限位凸起141穿过第一圆形开口，第二基板230固定于扩膜环140外围。扩膜环140随滚动轴承内环固定片120转动，从而带动第二基板230转动。所述第二基板230的对称两边分别固定有两驱动气缸250，所述扩膜升降平台220的底部连接于两驱动气缸250的伸缩杆251，驱动气缸250驱动扩膜升降平台220升降。所述扩膜升降平台220与第二基板230之间还设置有多个缓冲装置240，用于扩膜升降平台220升降缓冲。所述扩膜升降平台220、支架和盖板210上均设置有与第一圆形开口相匹配的第二圆形开口，用于晶环薄膜露出与限位凸起141接触形成限位张紧。
工作流程：晶环薄膜上料，设备影像视觉系统对晶环薄膜上晶粒300的位置进行影像识别，判断晶粒位置是否需要调整；晶粒300位置需要调整时，驱动电机150启动，驱动电机150驱动主动轮160转动，主动轮160通过传动带170带动第一从动轮161、第二从动轮162转动，同时带动滚动轴承内环固定片120转动，滚动轴承内环固定片120带动扩膜升降平台220转动调节位置；位置调节好之后，影像视觉系统将获取的位置关系反馈到设备控制系统中，建立一坐标系，赋予所有晶粒300一坐标点，在整个针刺作业中，控制系统只需要根据坐标点调整顶针就可以进行针刺，这样的设定减少每张晶环薄膜针刺作业时影像识别的次数，提高工作效率；顶针对晶粒300进行针刺时，驱动气缸250启动，控制扩膜升降平台220持续下降，晶环薄膜下降抵住扩膜环140，在晶粒300的针刺挑选过程中，晶环薄膜在扩膜环140和盖板210的限位作用下时刻保持张紧状态，有利于减少顶针与薄膜之间因粘滞产生的摩擦力，进而降低顶针负载，提高工作效率，节约资源；采用自动扩膜与膜量张力控制装置200能够使受力均匀的晶环薄膜维系着其上所载的晶粒300，可以有效防止晶粒300自动掉落，保证每一个晶粒300都物尽其用，降低生产成本。
与现有技术相比，本发明的本发明的晶粒针刺脱膜方法采用回形轨迹500或梅花形轨迹进行针刺挑选脱膜，回形轨迹500的针刺挑选轨迹方式，可以保证在顶针一圈一圈挑选晶粒300的过程中晶环薄膜整体受力均匀，各晶粒300的位置几乎不存在偏移量。且因晶环薄膜受力平衡，在针刺挑选过程中便避免了薄膜与顶针的粘滞现象，大大提高了针刺精度与工作效率，节约资源，降低加工成本，梅花形轨迹则在晶环薄膜向周边收缩时，间隔处的晶粒300受到左右晶环薄膜的收缩量平衡，其晶粒300位置不发生偏移。晶粒300位置的稳定保证了顶针针刺作业过程的精准挑选，提高工作效率，节约资源，降低生产成本；在晶粒300的针刺挑选过程中，晶环薄膜在扩膜环140和盖板210的限位作用下时刻保持张紧状态，有利于减少顶针与薄膜之间因粘滞产生的摩擦力，进而降低顶针负载，提高工作效率，节约资源；采用自动扩膜与膜量张力控制装置200能够使受力均匀的晶环薄膜维系着其上所载的晶粒300，可以有效防止晶粒300自动掉落，保证每一个晶粒300都物尽其用，降低生产成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，将带有矩阵式分布晶粒的晶环薄膜上料固定于控制机构上；
步骤S2，视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描，识别出全部晶粒位置并建立一坐标系，赋予每一个晶粒一专属坐标点；
步骤S3，完成预扫描后，控制机构按照梅花形轨迹调整晶环薄膜，保证顶针能够精准对上晶粒进行针刺挑选脱膜；
所述梅花形轨迹为在矩阵式分布晶粒的每一行和每一列均采用间隔式挑选的轨迹。
2.如权利要求1所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述控制机构包括角度调整装置和自动扩膜与膜量张力控制装置，所述角度调整装置包括滚动轴承内环固定片和扩膜环，所述扩膜环固定于滚动轴承内环固定片上端，所述自动扩膜与膜量张力控制装置固定于扩膜环上端外侧；
所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括一扩膜升降平台，所述扩膜升降平台位于扩膜环上方，扩膜升降平台上端固定有盖板，扩膜升降平台与盖板之间固定有贴有晶环薄膜的支架。
3.如权利要求2所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述角度调整装置包括一第一基板，所述滚动轴承内环固定片轴接于第一基板上，滚动轴承内环固定片可在第一基板上转动。
4.如权利要求3所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述第一基板的一端固定有驱动电机，驱动电机的输出端连接有一主动轮，驱动电机驱动主动轮转动；所述主动轮的一侧设置有第一从动轮，第一从动轮的一侧设置有第二从动轮，所述主动轮、第一从动轮、第二从动轮的外围绕有传动带，传动带的两端固定于滚动轴承内环固定片外围。
5.如权利要求4所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述第一基板上开设有一调节槽，所述调节槽内通过螺丝固定有从动轮调节块，所述第二从动轮轴接于从动轮调节块上。
6.如权利要求2所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述自动扩膜与膜量张力控制装置包括第二基板，所述第二基板开设有第一圆形开口，所述扩膜环上端设置一圈限位凸起，所述限位凸起穿过第一圆形开口，第二基板固定于扩膜环外围。
7.如权利要求6所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述第二基板的对称两边分别固定有两驱动气缸，所述扩膜升降平台的底部连接于两驱动气缸的伸缩杆，驱动气缸驱动扩膜升降平台升降。
8.如权利要求6所述的晶粒针刺脱膜方法，其特征在于，所述扩膜升降平台与第二基板之间还设置有多个缓冲装置。
CN202110639495.2A 2021-06-08 2021-06-08 晶粒针刺脱膜方法 Active CN113380674B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110639495.2A CN113380674B (zh) 2021-06-08 2021-06-08 晶粒针刺脱膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110639495.2A CN113380674B (zh) 2021-06-08 2021-06-08 晶粒针刺脱膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113380674A CN113380674A (zh) 2021-09-10
CN113380674B true CN113380674B (zh) 2023-05-05

Family

ID=77572977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110639495.2A Active CN113380674B (zh) 2021-06-08 2021-06-08 晶粒针刺脱膜方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113380674B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114496844A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 深圳市八零联合装备有限公司 一种晶粒挑选方法、装置、电子设备和存储介质

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106816404A (zh) * 2017-01-19 2017-06-09 吉林麦吉柯半导体有限公司 晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5946409A (en) * 1995-05-31 1999-08-31 Nec Corporation Pick-up apparatus and method for semiconductor devices
JPH09223728A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Hitachi Ltd ペレットのピックアップ方法
JP2003007731A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Rohm Co Ltd 半導体チップのマウント方法及びその装置
JP4101618B2 (ja) * 2002-07-17 2008-06-18 シャープ株式会社 チップピックアップ方法およびチップピックアップ装置
JP2012004212A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
CN109979856B (zh) * 2019-04-03 2021-03-30 深圳市联得自动化装备股份有限公司 倒装固晶设备及其方法
CN210325719U (zh) * 2019-09-24 2020-04-14 安徽三安光电有限公司 一种晶粒分选机构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106816404A (zh) * 2017-01-19 2017-06-09 吉林麦吉柯半导体有限公司 晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113380674A (zh) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113380674B (zh) 晶粒针刺脱膜方法
US7284744B1 (en) Lifting device
CN105247978B (zh) 电子电路元件安装系统
US7165711B2 (en) Substrate alignment method and apparatus
US20190154557A1 (en) Tool-life determination device
WO2011159035A2 (ko) 다이 본딩 장치의 본드 헤드
KR100217889B1 (ko) 반도체 웨이퍼를 테이프로 보호하면서 다이싱하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법
CN112735982B9 (zh) 晶圆蓝膜取晶固晶装置
US20080295769A1 (en) Thin film forming apparatus and thin film forming method
KR20180109678A (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN215710868U (zh) 自动膜量扩膜与膜量张力控制机构
CN1189070C (zh) 布置在膜上电子电路的定位装置
CN115036254A (zh) 芯片转移方法和系统
US20180323088A1 (en) Die placement head with turret
JP2011211053A (ja) エキスパンド装置
JP2012049402A (ja) 半導体装置の製造装置、半導体装置のピックアップ方法、半導体装置の製造方法
KR100848263B1 (ko) 나노와이어 자동 전사시스템 및 그의 구동방법
CN115020277A (zh) 一种分选转移系统的晶粒旋转角度补偿方法
CN1956839A (zh) 用于将铸造透镜与壳型铸模分离的方法和装置
CN110126067B (zh) 偏心轮原点辨识方法、系统、设备及计算机可读存储介质
JP3153699B2 (ja) 電子部品のボンディング方法
CN1505122A (zh) 一种从箔片上拾取半导体芯片的方法
EP3410469B1 (en) Wafer holding apparatus
CN109686684B (zh) 一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备
US10414153B2 (en) Transfer apparatus and transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230418

Address after: 518000 A12, Floor 2, Baoyunda R&D Complex Building, Fuhua Community, Xixiang Street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province

Applicant after: Shenzhen Xinlianxin Intelligent Technology Co.,Ltd.

Address before: 518000 105, building B, dormitory building, Zhaofeng Industrial Park, No. 3, hanghang Road, Sanwei community, Hangcheng street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong

Applicant before: Guangdong Hexin microelectronic equipment Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 601, Building 6, No. 81 Dingye Road, High tech Zone, Zhuhai City, Guangdong Province, 519000

Patentee after: Guangdong Xinlianxin Intelligent Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 518000 A12, Floor 2, Baoyunda R&D Complex Building, Fuhua Community, Xixiang Street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen Xinlianxin Intelligent Technology Co.,Ltd.

Country or region before: China

CP03 Change of name, title or address