CN113355636B - 掩膜结构及掩膜组件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种掩膜结构及掩膜组件，掩膜结构包括：蒸镀掩膜，包括开口区和包围开口区的遮挡区；加强连接部，在蒸镀掩膜厚度方向的一侧表面设置于遮挡区，加强连接部的磁化率大于蒸镀掩膜的磁化率。本发明能够提高蒸镀过程中掩膜组件与显示基板的贴合程度，有效避免因贴合不良导致的蒸镀质量问题。

Description

掩膜结构及掩膜组件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜结构及掩膜组件。
背景技术
与传统液晶显示面板相比，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有自发光、低能耗、响应速度快、对比度更高以及超薄可卷曲等优势，在手机、平板电脑、可穿戴产品等中应用越来越广泛。
在OLED显示面板制造技术中，真空蒸镀用的掩膜板是至关重要的部件，掩膜板可以控制有机材料沉积在基板上的位置。现有技术中利用掩膜板对基板进行蒸镀时，存在掩膜板与显示基板贴合不良的问题，导致蒸镀阴影较大，影响显示面板边框尺寸甚至产品性能。
发明内容
本发明实施例提供一种掩膜结构及掩膜组件，能够提高蒸镀过程中掩膜组件与显示基板的贴合程度。
第一方面，本发明实施例提供一种掩膜结构，用于显示基板的蒸镀，掩膜结构包括：蒸镀掩膜，包括开口区和包围开口区的遮挡区；加强连接部，在蒸镀掩膜厚度方向的一侧表面设置于遮挡区，加强连接部的磁化率大于蒸镀掩膜的磁化率。
根据本发明第一方面的前述实施方式，加强连接部的摩尔磁化率大于或等于1×10，蒸镀掩膜的摩尔磁化率大于0且小于或等于1×10-1。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部的材料包括因瓦合金，蒸镀掩膜的材料包括不锈钢与奥氏体钢中的至少一者。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部与遮挡区在蒸镀掩膜厚度方向上的正投影的面积之比为1:50-1:1。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，遮挡区为网状，遮挡区包括相交设置的第一挡条和第二挡条；开口区呈类矩形，第一挡条和第二挡条中的一者的延伸方向平行于开口区的长度方向，另一者的延伸方向平行于开口区的宽度方向。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部至少设置于第一挡条和第二挡条中与开口区的长边平行的一者。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部包括多个连接块，多个连接块在第一挡条和第二挡条中的一者上间隔分布。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，连接块呈类矩形，连接块的长边平行于开口区的长边。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，第一挡条和第二挡条相交的位置设置有连接块。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部在蒸镀掩膜厚度方向上的正投影与遮挡区在自身厚度方向上的正投影重叠。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，蒸镀掩膜具有厚度方向上的正面和背面，蒸镀掩膜的正面用于贴合显示基板。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部层叠设置于蒸镀掩膜的背面一侧。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部包括多个连接块，蒸镀掩膜的背面设置有卡槽，连接块嵌入卡槽内。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，加强连接部包括多个连接块，蒸镀掩膜的正面设置有卡槽，连接块嵌入卡槽内且加强连接部的表面与蒸镀掩膜的正面平齐。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，蒸镀掩膜的背面设置有凹槽，凹槽的深度小于蒸镀掩膜的厚度。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，多个凹槽在蒸镀掩膜的遮挡区间隔分布。
第二方面，本发明实施例提供一种掩膜组件，用于显示基板的蒸镀，掩膜组件包括：框架，所述框架具有镂空区域；掩膜结构，所述掩膜结构为如前任一实施例所述的掩膜结构，所述掩膜结构设置于所述框架且覆盖所述镂空区域。
本发明实施例提供的掩膜结构及掩膜组件，掩膜结构包括蒸镀掩膜和加强连接部，加强连接部的磁化率大于蒸镀掩膜的磁化率；利用掩膜结构对显示基板进行蒸镀时，由于蒸镀掩膜的磁化率小于加强连接部，因此蒸镀掩膜不同位置所受到的磁性吸附力差异较小，蒸镀掩膜发生翻转的程度也会较小，同时加强连接部所受到的较强磁性吸附力一方面能够提高掩膜组件与显示基板的贴合能力，另一方面能够减弱并阻挡蒸镀掩膜的挡条发生翻转，进而使掩膜组件能够与显示基板有效且紧密地贴合，有效避免因贴合不良导致的蒸镀质量问题。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1为本发明一实施例提供的掩膜组件的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的掩膜组件的使用状态示意图；
图3为本发明一实施例提供的掩膜结构的结构示意图；
图4为图3所示掩膜结构的俯视图；
图5为本发明一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图；
图6为本发明另一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图；
图7为本发明又一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图；
图8为本发明一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图；
图9为本发明另一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图；
图10为本发明又一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图；
图11为本发明一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的结构示意图；
图12为图8所示掩膜结构的A-A向侧剖图。
附图标记说明：
1-掩膜组件；2-显示基板；3-磁背板；
10-掩膜结构；
100-蒸镀掩膜；
110-开口区；
120-遮挡区；121-第一挡条；122-第二挡条；123-凹槽；
100a-正面；100b-背面；
200-加强连接部；210-连接块；
20-框架。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
在OLED显示面板制造技术中，真空蒸镀用的掩膜板是至关重要的部件，掩膜板可以控制有机材料沉积在基板上的位置。掩膜板通常采用磁性材质制作，对基板进行蒸镀时，将基板设置在蒸镀机的磁背板与掩膜板之间，利用磁背板与掩膜板的磁性吸附力固定基板并使掩膜板与基板贴合。
为避免因磁性吸附力不足使掩膜板与基板贴附不良，掩膜板通常使用磁性较强的材质制作，但强磁性材料在磁背板的宏观磁场下会受到磁化，磁背板与掩膜板吸附时，掩膜板的部分挡条磁化后会因与磁背板磁条不完全匹配致使不同位置受到的磁性吸附力不同，磁性吸附力不均会使挡条所受吸附力较小的位置在重力方向上向下发生翻转，导致贴合不良，蒸镀阴影较大。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种掩膜结构及掩膜组件，以下将结合附图1至12对掩膜结构及掩膜组件的各实施例进行说明。
图1为本发明一实施例提供的掩膜组件的结构示意图；图2为本发明一实施例提供的掩膜组件的使用状态示意图。
本申请实施例提供一种掩膜组件1，用于显示基板2的蒸镀。
掩膜组件1包括框架20和掩膜结构10。框架20具有镂空区域，掩膜结构10设置于框架20上且覆盖镂空区域。
掩膜结构10包括蒸镀掩膜和加强连接部。蒸镀掩膜包括开口区和包围开口区的遮挡区。
加强连接部在蒸镀掩膜厚度方向的一侧设置于遮挡区，加强连接部的磁化率大于蒸镀掩膜的磁化率。
根据本申请实施例提供的掩膜组件1，利用掩膜组件1蒸镀时，将待蒸镀的显示基板2设置在蒸镀机的磁背板3与掩膜组件1之间，由于蒸镀掩膜的磁化率小于加强连接部，因此与加强连接部相比，蒸镀掩膜不同位置所受到的磁性吸附力差异较小，蒸镀掩膜发生翻转的程度也会较小，同时加强连接部与磁背板3之间的较强磁性吸附力会提高掩膜组件1与显示基板2的贴合能力，减弱并阻挡蒸镀掩膜发生翻转，进而使掩膜组件1能够与显示基板2有效且紧密地贴合，有效避免因贴合不良导致的蒸镀质量问题。
需要说明的是，部件的磁化率越大，所受到磁背板3的磁性吸附力越大，在部件与磁背板磁条不完全匹配的情况下，部件不同位置所受到的磁性吸附力差异越大，越容易出现翻转问题，翻转程度越大；反之，部件的磁化率越小，翻转程度越小。
可以理解的是，利用掩膜组件1蒸镀时，蒸镀材料可以通过蒸镀掩膜的开口区蒸镀到基板上，而遮挡区能够对蒸镀材料起到阻挡作用，从而在特定区域进行蒸镀。
图3为本发明一实施例提供的掩膜结构的结构示意图；图4为图3所示掩膜结构的俯视图。
本申请实施例提供的掩膜结构10，包括蒸镀掩膜100和加强连接部200。蒸镀掩膜100包括开口区110和遮挡区120。加强连接部200在蒸镀掩膜100厚度方向的一侧设置于遮挡区120，加强连接部200的磁化率大于蒸镀掩膜100的磁化率。
掩膜结构10使用时，由于蒸镀掩膜100的磁化率小于加强连接部200，因此与加强连接部200相比，蒸镀掩膜100不同位置所受到的磁性吸附力差异较小，蒸镀掩膜100发生翻转的程度也会较小，同时加强连接部200与磁背板3之间的较强磁性吸附力能够提高掩膜结构10与显示基板2的贴合能力，减弱并阻挡蒸镀掩膜100发生翻转，使掩膜结构10能够与显示基板2有效且紧密地贴合，有效避免因贴合不良导致的蒸镀质量问题。
可以理解的是，本申请实施例提供的掩膜结构10，蒸镀掩膜100具有厚度方向上的正面100a和背面100b，蒸镀掩膜100的正面100a用于贴合显示基板2，即利用掩膜组件1对显示基板2进行蒸镀时，蒸镀掩膜100的正面100a朝向显示基板2，背面100b背向显示基板2。
可以理解的是，OLED显示面板中共通膜层多采用通用金属掩膜板(Common MetalMask，CMM)蒸镀制备而成，发光层多采用精密金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)蒸镀制备而成。
本申请实施例提供的掩膜结构10中，蒸镀掩膜100可以为通用蒸镀掩膜，蒸镀掩膜100可以一体成型制作而成，对蒸镀掩膜100张网并将蒸镀掩膜100准确固定在框架20上，即可形成通用金属掩膜板，蒸镀掩膜100上的开口区110即为通用掩膜板的蒸镀开口。在另一些可选的实施例中，本申请实施例提供的掩膜结构10，也可以用于精密金属掩膜板，蒸镀掩膜100上的开口区110可对应于一个显示面板区域，也在本申请的保护范围之内。
图5为本发明一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图；图6为本发明另一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图。
蒸镀掩膜100通常可以呈类矩形，具有预定的长度和宽度。需要说明的是，类矩形包括矩形以及圆角矩形、平行四边形等类似矩形的形状。
在一些可选的实施例中，蒸镀掩膜100可以为网状，蒸镀掩膜100包括多个开口区110，蒸镀掩膜100的遮挡区120可以包括相交设置的第一挡条121和第二挡条122。
可选的，第一挡条121和第二挡条122中的一者可以平行于蒸镀掩膜100的长度方向(图中X方向)，另一者可以平行于蒸镀掩膜100的宽度方向(图中Y方向)，以使开口区110可以呈类矩形。
可选的，蒸镀掩膜100可以为矩形，蒸镀掩膜100的长度方向和宽度方向相垂直，第一挡条121和第二挡条122可以相垂直，即第一挡条121和第二挡条122之间的夹角可以呈90度，使得开口区110为矩形。
在一些可选的实施例中，第一挡条121可以沿蒸镀掩膜100的长度方向延伸，第二挡条122可以沿蒸镀掩膜100的宽度方向延伸。
遮挡区120可以包括多个第一挡条121和多个第二挡条122，多个第一挡条121可以在蒸镀掩膜100的宽度方向上间隔设置，多个第二挡条122在蒸镀掩膜100的长度方向上间隔设置。
可以理解的是，开口区110呈类矩形时，具有预定的长度和宽度，开口区110的长边和宽边中的一者平行于蒸镀掩膜100的长度方向，另一者平行于蒸镀掩膜100的宽度方向。
如图5所示，在一些可选的实施例中，开口区110的长边平行于蒸镀掩膜100的宽度方向，短边平行于蒸镀掩膜100的长度方向。
如图6所示，在另一些可选的实施例中，开口区110的长边平行于蒸镀掩膜100的宽度方向，短边平行于蒸镀掩膜100的长度方向。开口区110采用这种横向排布的方式，在相同大小的蒸镀掩膜100上，开口区110的数量更多，能够提高显示基板2的利用率。
图7为本发明又一实施例提供的掩膜结构的蒸镀掩膜的结构示意图。
在一些可选的实施例中，蒸镀掩膜100的背面100b可以设置有凹槽123，凹槽123的深度小于蒸镀掩膜100的厚度；这样既能保证遮挡区120对应位置处不会存在材料蒸镀到显示基板2上，又能减小蒸镀掩膜100的重量，能够减小蒸镀掩膜100重量对磁性吸附力的消耗，有利于掩膜结构10与显示基板2的贴合。
可选的，凹槽123可以设置有多个，多个凹槽123在蒸镀掩膜100的遮挡区120上可以间隔分布。
可选的，蒸镀掩膜100为网状，遮挡区120包括相交设置的第一挡条121和第二挡条122时，在第一挡条121和第二挡条122上可以均设置有凹槽123；当然，也可以仅在第一挡条121或第二挡条122上设置凹槽123，也在本申请的保护范围之内。
可选的，在第一挡条121和第二挡条122相交的位置处不设置凹槽123，以保证蒸镀掩膜100的结构强度。
加强连接部200的结构和设置方式有多种，本申请对此不作具体限制。图8为本发明一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图；图9为本发明另一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图；图10为本发明又一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的设置示意图。
在一些可选的实施例中，加强连接部200可以包括多个连接块210，多个连接块210可以在第一挡条121和/或第二挡条122上间隔分布。可选的，连接块210可以呈类矩形。
将加强连接部200设置为多个连接块210，单个连接块210尺寸较小，与磁背板3磁性吸时不易发生翻转。
在一些可选的实施例中，可以将加强连接部200设置于第一挡条121和第二挡条122中与开口区110的长边平行的一者；这样掩膜结构10蒸镀使用时，可以有效避免与开口区110的长边平行的挡条翻转。
可选的，连接块210可以呈类矩形时，连接块210的长边可以平行于开口区110的长边。
如图8所示，开口区110的长边平行于蒸镀掩膜100的长度方向，短边平行于蒸镀掩膜100的宽度方向时，可以将加强连接部200设置于与开口区110的长边平行的第一挡条121。
可选的，加强连接部200包括多个连接块210时，多个连接块210在第一挡条121上间隔分布。
如图9所示，开口区110的长边平行于蒸镀掩膜100的宽度方向，短边平行于蒸镀掩膜100的长度方向时，可以将加强连接部200设置于与开口区110的长边平行的第二挡条122。
可选的，加强连接部200包括多个连接块210时，多个连接块210在第二挡条122上间隔分布。
在一些可选的实施例中，第一挡条121和第二挡条122相交的位置可以设置有连接块210，以使第一挡条121和第二挡条122相交的位置能够与显示基板2紧密贴合。
如图10所示，在一些可选的实施例中，也可以在第一挡条121和第二挡条122上均间隔设置有连接块210。
本申请实施例提供的掩膜结构10，加强连接部200的结构和具体设置位置并不限于此。图11为本发明一实施例提供的掩膜结构的加强连接部的结构示意图。如图11所示，加强连接部200在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影与遮挡区120在自身厚度方向上的正投影可以重叠，即加强连接部200的形状可以与蒸镀掩膜100的遮挡区120一致，此时蒸镀掩膜100相当于设置在磁背板3与加强连接部200之间的缓冲层，也能够减轻加强连接部200因磁性吸附力不均导致的翻转问题。
图12为图8所示掩膜结构的A-A向侧剖图。
在一些可选的实施例中，可以将加强连接部200层叠设置于蒸镀掩膜100的背面100b一侧，利用掩膜结构10对显示基板2进行蒸镀时，蒸镀掩膜100与显示基板2直接接触并贴合。可选的，加强连接部200与蒸镀掩膜100可以焊接固定。
可选的，在蒸镀掩膜100的背面100b对应可以设置有多个卡槽，每个连接块210可以嵌入一个卡槽内。与将加强连接部200层叠设置于蒸镀掩膜100一侧相比，在蒸镀掩膜100上设置卡槽并将连接块210嵌入卡槽内，可以减小掩膜结构10的重量和厚度，能够减小掩膜结构10重量对磁性吸附力的消耗，有利于掩膜结构10与显示基板2的贴合。
当然，加强连接部200的设置方式并不限于此，也可以将加强连接部200设置于蒸镀掩膜100的正面100a一侧，加强连接部200的形状与蒸镀掩膜100一致时，可以直接将加强连接部200层叠设置于蒸镀掩膜100的正面100a一侧，加强连接部200包括多个连接块210时，为了不影响显示基板2的蒸镀，在蒸镀掩膜100的正面100a可以设置有卡槽，连接块210嵌入卡槽内，且连接块210背向卡槽内底面的一端与蒸镀掩膜100的正面100a平齐。
在一些可选的实施例中，加强连接部200包括多个连接块210时，也可以将多个连接块210中的一部分设置于蒸镀掩膜100的正面100a一侧，将多个连接块210中的另一部分设置于蒸镀掩膜100的背面100b一侧，也在本申请的保护范围之内。
可以理解的是，本申请实施例提供的掩膜结构10，为保证掩膜结构10整体能够与显示基板2有效且紧密地贴合，加强连接部200与遮挡区120的面积占比不能太小。在一些可选的实施例中，加强连接部200在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影的面积与遮挡区120在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影的面积之比可以在1:50至1:1之间。
可以理解的是，加强连接部200在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影的面积与遮挡区120在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影的面积之比为1:1时，加强连接部200在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影与遮挡区120在蒸镀掩膜100厚度方向上的正投影完全重叠。
在一些可选的实施例中，加强连接部200可以选用摩尔磁化率大于或等于1×10的材料制作，蒸镀掩膜100可以选用摩尔磁化率大于0且小于或等于1×10-1材料制作，即，加强连接部200的摩尔磁化率大于或等于1×10，蒸镀掩膜100的摩尔磁化率小于或等于1×10-1。
可选的，加强连接部200可以选用摩尔磁化率在1×102至1×106之间材料制作，蒸镀掩膜100选用摩尔磁化率在1×10-5至1×10-3之间材料制作，即加强连接部200的摩尔磁化率的范围为1×102至1×106，蒸镀掩膜100的摩尔磁化率的范围为1×10-5至1×10-3。
蒸镀掩膜100的摩尔磁化率较小，蒸镀使用时蒸镀掩膜100所受至的磁性吸附力较小，蒸镀掩膜100不同位置所受磁场力偏差较小，不易出现挡条翻转的问题；同时加强连接部200的摩尔磁化率较大，加强连接部200所受到的磁性吸附力较大，提高了蒸镀掩膜100与显示基板2的贴合能力，同时减弱并阻挡蒸镀掩膜发生翻转，使得掩膜结构10能够与显示基板2有效且紧密地贴合，有效避免了因磁性吸附力不足使蒸镀掩膜100与显示基板2贴附不良的问题。
可以理解的是，蒸镀掩膜100可以选用弱磁性材料制作，加强连接部200可以选用强磁性材料制作；掩膜结构10使用时，弱磁性的蒸镀掩膜100上下位置所受磁场力偏差较小，不易出现挡条翻转的问题，同时强磁性的加强连接部200能够提高掩膜结构10所受到的磁性吸附力，保证掩膜结构10能够与显示基板2有效且紧密地贴合。弱磁性材料和强磁性材料有多种，本申请对加强连接部200和蒸镀掩膜100的具体选材不作限制。
可选的，蒸镀掩膜100可以选用不锈钢、奥氏体钢材料等材料制作，加强连接部200可以选用因瓦合金、铁硅合金等材料制作。优选地，蒸镀掩膜100由不锈钢制成，加强连接部200由因瓦合金制成，不锈钢属于顺磁性材料，磁导率较小，因瓦合金磁导率较高，且膨胀系统小，能够提高蒸镀精度。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (13)

1.一种掩膜结构，用于显示基板的蒸镀，其特征在于，包括：
蒸镀掩膜，包括开口区和包围所述开口区的遮挡区，所述蒸镀掩膜具有厚度方向上的正面和背面；
加强连接部，在所述蒸镀掩膜厚度方向的一侧设置于所述遮挡区，所述加强连接部的磁化率大于所述蒸镀掩膜的磁化率，所述加强连接部在所述蒸镀掩膜厚度方向上的正投影与所述遮挡区在自身厚度方向上的正投影重叠，所述加强连接部凸出于所述蒸镀掩膜的所述背面；
所述加强连接部包括多个连接块，所述蒸镀掩膜的所述背面设置有卡槽，所述连接块嵌入所述卡槽内并凸出于所述蒸镀掩膜的所述背面；
所述蒸镀掩膜的所述背面设置有凹槽，多个所述凹槽在所述蒸镀掩膜的所述遮挡区间隔分布。
2.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述加强连接部的摩尔磁化率大于或等于1×10，所述蒸镀掩膜的摩尔磁化率大于0且小于或等于1×10-1。
3.根据权利要求2所述的掩膜结构，其特征在于，所述加强连接部的材料包括因瓦合金，所述蒸镀掩膜的材料包括不锈钢与奥氏体钢中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述加强连接部与所述遮挡区在所述蒸镀掩膜厚度方向上的正投影的面积之比为1:50-1:1。
5.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述遮挡区为网状，所述遮挡区包括相交设置的第一挡条和第二挡条；
所述开口区呈类矩形，所述第一挡条和所述第二挡条中的一者的延伸方向平行于所述开口区的长度方向，另一者的延伸方向平行于所述开口区的宽度方向。
6.根据权利要求5所述的掩膜结构，其特征在于，所述加强连接部至少设置于所述第一挡条和所述第二挡条中与所述开口区的长边平行的所述一者。
7.根据权利要求5所述的掩膜结构，其特征在于，多个所述连接块在所述第一挡条和所述第二挡条中的所述一者上间隔分布。
8.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，所述连接块呈类矩形，所述连接块的长边平行于所述开口区的长边。
9.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一挡条和所述第二挡条相交的位置设置有所述连接块。
10.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述蒸镀掩膜的所述正面用于贴合所述显示基板。
11.根据权利要求10所述的掩膜结构，其特征在于，所述加强连接部层叠设置于所述蒸镀掩膜的所述背面一侧；或
所述加强连接部包括多个所述连接块，所述蒸镀掩膜的所述正面设置有所述卡槽，所述连接块嵌入所述卡槽内且所述加强连接部的表面与所述蒸镀掩膜的所述正面平齐。
12.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述蒸镀掩膜的厚度。
13.一种掩膜组件，用于显示基板的蒸镀，其特征在于，包括：
框架，所述框架具有镂空区域；
掩膜结构，所述掩膜结构为权利要求1-12任一项所述的掩膜结构，所述掩膜结构设置于所述框架且覆盖所述镂空区域。
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