CN113327964A - Oled显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：基底层；阵列层，形成在所述基底层的一侧；发光功能层，形成在所述阵列层的远离所述基底层的一侧；封装层，形成在所述发光功能层的远离所述阵列层的一侧；触控层，形成在所述封装层的远离所述发光功能层的一侧；滤光层，形成在所述触控层的远离所述封装层的一侧；以及保护层，形成在所述滤光层的远离所述触控层的一侧，其中，所述滤光层包括黑矩阵层和滤色器层，其中，所述触控层与所述滤光层之间以及所述滤光层与所述保护层之间不存在胶层。根据本申请的OLED显示面板能够实现显示面板轻薄化并提高出光率。

Description

OLED显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
OLED显示面板为一种以有机薄膜作为发光体的自发光显示器件。OLED显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器件。
OLED显示面板通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光功能层、设于发光功能层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极，发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
然而，现有OLED显示面板除包括基板外，还包括偏光片、保护基板等组件，且各组件之间多存在连接用的胶层，因而OLED显示面板仍存在整体厚度较大的问题，并且提高OLED显示面板的出光率是研发人员一直以来的追求。
发明内容
本申请的目的在于，针对现有技术中存在的问题，本申请提出了一种OLED显示面板，其能够有效减小OLED显示面板的厚度并提高出光率。
本申请提出了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：
基底层；
阵列层，形成在所述基底层的一侧；
发光功能层，形成在所述阵列层的远离所述基底层的一侧；
封装层，形成在所述发光功能层的远离所述阵列层的一侧；
保护层，形成在所述封装层的远离所述触控层的一侧，
其中，所述封装层和所述保护层之间还设置有触控层和滤光层，所述滤光层包括黑矩阵层和滤色器层，并且所述封装层和所述保护层之间不具有胶层。
在一些实施例中，所述基底层包括：
第一基底层；以及
第一阻隔层，形成在所述第一基底层的靠近所述阵列层的一侧，
其中，所述第一基底层和所述第一阻隔层采用化学气相沉积方式形成。
在一些实施例中，所述基底层进一步包括：
第二基底层，形成于所述第一阻隔层的远离所述第一基底层的一侧；以及
第二阻隔层，形成于所述第二基底层的远离所述第一阻隔层的一侧，
其中，所述第二基底层和所述第二阻隔层采用化学气相沉积方式形成。
在一些实施例中，所述触控层包括通过沉积形成的以下各层：
第一触控绝缘层，形成在所述封装层的远离所述发光功能层的一侧上；
第一触控金属层，形成在所述第一触控绝缘层的远离所述封装层的一侧上，并具有金属网格结构；
第二触控绝缘层，形成在所述第一触控金属层的远离所述第一触控绝缘层的一侧上，并在与所述第一触控金属层对应的位置处形成有接触孔；以及
第二触控金属层，形成在所述第二触控绝缘层的远离所述第一触控金属层的一侧上，其中，所述第二触控金属层为金属网格结构，并填充在所述接触孔内以接触所述第一触控金属层。
在一些实施例中，所述滤光层设置在所述触控层的远离所述基底层的一侧，所述黑矩阵层与所述第一触控金属层与所述第二触控金属层的位置对应设置，并且所述黑矩阵层在所述基底所在平面的投影与所述第一触控金属层和所述第二金属层在所述基底所在平面的投影叠置，以及
其中，所述黑矩阵中设置有多个开口区域，所述滤色器层填充在开口区域中以接收从所述发光功能层激发出的光线。
所述滤光层设置在所述触控层的靠近所述基底层的一侧，所述黑矩阵层与所述第一触控金属层与所述第二触控金属层的位置对应设置，并且所述黑矩阵层在所述基底所在平面的投影与所述第一触控金属层和所述第二金属层在所述基底所在平面的投影叠置，以及
其中，所述黑矩阵中设置有多个开口区域，所述滤色器层填充在开口区域中以接收从所述发光功能层激发出的光线。
在一些实施例中，任一所述开口区域的纵截面为上小下大的形状，且所述开口区域的侧表面形成有反射膜。
在一些实施例中，所述开口区域的纵截面为梯形。
在一些实施例中，所述反射膜厚度小于130nm。
在一些实施例中，所述保护层通过沉积的方式形成在所述滤光层上方。
有益效果：根据本发明的实施例的OLED显示面板，取代现有技术中的OLED显示面板具有的背板、触控面板、偏光板、玻璃盖板等结构，设置了通过涂布、沉积等方式形成的基底层、一体化的触控层、去偏光片结构的滤光层，并且相对于现有技术减少了胶层的使用，因而，大幅减小了OLED显示面板的厚度，并提高了透光率，有利于OLED显示面板的轻薄化并提升了显示质量。此外，根据本发明的实施例的OLED显示面板，通过将黑矩阵层的下表面设置得较小，使其侧表面相对于触控层平面具有锐角，从而能够汇聚发散的光线，提高显示面板的出光率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了现有技术中的OLED显示面板的示意图。
图2示出了现有技术中另一OLED显示面板的示意图。
图3示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意图。
图4示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
图5示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
图6示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意图。
图7示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
图8示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
图1示出了现有技术中OLED显示面板的示意图。
如图1所示，现有技术中的OLED显示面板100包括依次堆叠的背板1、阵列层3、发光功能层4、封装层5、触摸面板6、偏光片8以及玻璃盖板10。此外，如图1所示，背板1与阵列层3之间通过粘合层2连接，其中，粘合层2可以为压敏胶层。偏光片8设置在触摸面板6与玻璃盖板10之间，并且偏光片8与触摸面板6和玻璃盖板10之间分别设置有第一光学胶层7和第二光学胶层9以彼此连接。
现有技术的OLED显示面板100中各组件多为独立片材，且各组件多通过附加的胶层彼此连接，因而，现有技术中的OLED显示面板存在厚度偏大的问题。下表1示出了现有技术的OLED显示面板的各组件的示例性厚度数据。结合表1中数据可知，现有技术的OLED显示面板的总体厚度可达近400微米，OLED显示面板的厚度过大不利于显示面板的轻薄化，且导致显示面板的可弯曲特性劣化。
表1现有技术OLED显示面板参考厚度
Figure BDA0003088654100000051
Figure BDA0003088654100000061
图2示出了现有技术中另一种OLED显示面板的示意图。
如图2所示，与图1中示出的现有技术中的OLED显示面板100相比，图2中示出的OLED显示面板100’仅将触摸面板6和偏光片8的位置对调。触摸面板6设置在偏光片8与玻璃盖板10之间，并且触摸面板6与偏光片8和玻璃盖板10之间分别设置有第一光学胶层7和第二光学胶层9以彼此连接。图2中示出的OLED显示面板的总体厚度同样可达近400微米，OLED显示面板的厚度过大不利于显示面板的轻薄化，且导致显示面板的可弯曲特性劣化。
图3示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意图。
如图3所示，与图1示出的现有技术的OLED显示面板100相似地，根据本发明的实施例的OLED显示面板200同样包括依次堆叠设置的阵列层40、发光功能层50和封装层60。此外，OLED显示面板200还包括形成在阵列层40一侧的基底层20，以及依次堆叠在封装层60上的触控层70、滤光层80和保护层90，并且触控层70与滤光层80之间以及滤光层80与保护层90之间不存在胶层。进一步地，封装层60与保护层90之间不存在胶层。
进一步参照图3，在阵列层40的远离发光功能层50的一侧设置有沉积形成的基底层20，基底层20的厚度在5微米至10微米之间，优选地，可以为6微米。另外，在基底层20与阵列层40之间还可以设置有光学胶层30，并且光学胶层30的厚度在5微米至20微米之间，优选地，可以在5微米至15微米之间，进一步地，光学胶层30的厚度可以为10微米。与现有技术中的OLED显示面板100相比，根据本发明的实施例的OLED显示面板200采用基底层20与光学胶层30，取代了现有技术中的背板和压敏胶层，并本发明的OLED显示面板对基底层20和光学胶层30的厚度进行进一步设计，有效地减小了OLED显示面板200的厚度，从而有利于显示面板的轻薄化。
参照图3，在封装层60的远离发光功能层50的一侧形成有触控层70，根据本发明的实施例的触控层70可以采用封装触控一体化DOT技术形成，相比于现有技术中的OLED显示面板100，无需单独的触摸面板，而是采用封装触控一体化的技术，将实现触控功能的组件以层状结构形成在封装层60的一侧，因此，根据本申请的OLED显示面板200的触控层70的厚度相对于现有技术可以大大减小。在本实施例中，触控层70的厚度可以在3微米至15微米之间，优选地，在4微米至10微米之间，进一步地，触控层70的厚度可以为5微米。
触控层70的远离封装层60的一侧形成有滤光层80。其中，滤光层80包括黑矩阵层和滤色器层。其中，滤光层80的厚度在5微米至15微米之间，优选地，为10微米。相对于现有技术中采用的偏光片(POL)，本实施例的滤光层80为一种去偏光片(POL-less)结构。相比于偏光片价格高、膜材质地脆、厚度大、透过率低，难以满足产品对于低功耗、轻薄化柔性显示的需求的问题，黑矩阵和滤色器具备透过率高、膜厚小等优点，用其取代偏光片和偏光片两侧的光学胶层，可以提高OLED显示面板的出光率并能够进一步减小OLED显示面板的厚度。
进一步参照图3，在滤光层80的远离触控层70的一侧沉积有保护层90，保护层90的厚度优选可以为10微米。
图4示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
参照图4，并进一步结合图3，本发明的OLED显示面板200包括依次堆叠的基底层20、阵列层40、发光功能层50、封装层60、触控层70、滤光层80和保护层90。
OLED显示面板200通常采用聚酰亚胺(PI)作为柔性基底。如图4所示，基底层20包括第一基底层21以及形成在第一基底层21的靠近阵列层40一侧的第一阻隔层22。在本实施例中，第一基底层21可以包括聚酰亚胺，第一阻隔层22采用氧化硅或氮化硅材料制成，其具有高透过率。其中，第一基底层21和第一阻隔层22可以采用化学气相沉积等方式形成。
在一些实施例中，基底层20还可以进一步包括：第二基底层23，形成于第一阻隔层22的远离第一基底层21的一侧；第二阻隔层24，形成于第二基底层23的远离第一阻隔层22的一侧。其中，第二基底层23可以与第一基底层21由相同材料制成，第二阻隔层24可以与第一阻隔层22由相同的材料制成。并且，第一阻隔层22与第二阻隔层24可以采用相同的工艺形成，第一基底层21和第二基底层23可以采用相同的工艺形成。
此外，基底层20还可以包括形成在第二阻隔层24的远离第二基底层23的一侧的缓冲层25。其中，所述缓冲层25可以由化学气相沉积等技术形成，其可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅薄膜和氮化硅薄膜交替层叠设置形成的复合薄膜，用以进一步阻挡外界水氧的侵入。
与现有技术中的OLED显示面板相比，根据本发明的实施例的OLED显示面板200采用基底层20取代了现有技术中的背板和压敏胶层，其有效地减小了OLED显示面板的厚度，有利于显示面板的轻薄化。
进一步结合图1和图4所示，阵列层40包括形成在基底层20的一侧的薄膜晶体管层41和形成在薄膜晶体管层41的远离基底层的一侧的平坦化层42。
薄膜晶体管层41包括依次堆叠的第一绝缘层411、第二绝缘层412和第一层间绝缘层413。其中，第一绝缘层411、第二绝缘层412和第一层间绝缘层413均为无机材料形成。
薄膜晶体管层41还包括形成在基底层20和第一绝缘层411之间的有源层415，形成在第一绝缘层411和第二绝缘层412之间的第一金属层416以及形成在第二绝缘层412和第一层间绝缘层413之间的第二金属层417。其中，有源层415包括沟道区以及位于沟道区两端的源区和漏区。有源层415被第一绝缘层411覆盖，在第一绝缘层411上与有源层415对应的位置处形成有第一金属层416，第一金属层416被第二绝缘层412覆盖。此外，第二绝缘层412上与第一金属层416对应的位置处设置有第二金属层417，并且第二金属层417被第一层间绝缘层413覆盖。其中，第一金属层416和第二金属层417可以分别包括第一栅电极和第二栅电极。在一些实施例中，第一层间绝缘层413上方还可以设置第二层间绝缘层414。其中，第二层间绝缘层414也为无机材料形成。
源漏极层418形成在第二层间绝缘层414上方。如图4所示，源漏极层418中的源极和漏极通过形成在第一绝缘层411、第二绝缘层412、第一层间绝缘层413和第二层间绝缘层414上的过孔连接到下方的有源层415的源区和漏区。
平坦化层42形成在源漏极层418的上方，并覆盖源漏极层418。平坦化层42用于将薄膜晶体管层41上方的膜层与该膜层的其他区域进行平坦化处理，便于后续像素电极、OLED器件等制备在平整的膜层表面。
发光功能层50包括形成在阵列层40的远离基底层20的一侧的像素电极51以及形成在像素电极51的远离阵列层40的一侧的像素定义层52。像素定义层52具有暴露像素电极51的开口区域。发光功能层50还进一步包括形成在开口区域中的并位于像素电极51上的发光层53以及覆盖发光层和像素定义层52的阴电极层54。其中，像素电极51通过形成在平坦化层42中的开口连接到源漏极层418中的源极或漏极。在一些实施例中，像素定义层52还包括间隔粒子(Photo Spacer，简称PS)。
在本实施例中，封装层60可以为无机封装层61和有机封装层62的叠加层。其中，无机封装层61形成在有机封装层62与发光功能层50之间。并且，有机封装层62具有平坦化功能。
如图4所示，触控层70形成在封装层60上方。触控层70可以为自容式单层金属层，也可以为互容式双层金属层。在一些实施例中，触控层70可以为互容式，其可以包括：第一触控绝缘层71、第一触控金属层72、第二触控绝缘层73和第二触控金属层74。其中，第一触控绝缘层71形成在封装层60的远离发光功能层50的一侧上；第一触控金属层72形成在第一触控绝缘层71的远离封装层60的一侧上，并具有金属网格结构；第二触控绝缘层73形成在第一触控金属层72的远离第一触控绝缘层71的一侧上，并在与第一触控金属层72对应的位置处形成有接触孔；第二触控金属层74形成在第二触控绝缘层73的远离第一触控金属层72的一侧上，其中，第二触控金属层74为金属网格结构，并填充在接触孔内以接触第一触控金属层72。
具体地，在封装完成后，在平坦化的封装层60上沉积触控材料以形成触控层70。其可以采用封装触控一体化(DOT，Direct On-cell Touch)技术，在封装层60上形成触控金属层，首先在封装层60上形成第一触控绝缘层71，并在第一触控绝缘层71上形成第一触控金属层72。之后，在第一触控绝缘层71和第一触控金属层72上形成第二触控绝缘层73，并通过光刻工艺在第二触控绝缘层73上形成接触孔。最后，形成第二触控金属层74，一并完成接触孔内金属材料的填充，从而使第一触控金属层72和第二触控金属层74通过接触孔相接触。因此，相比于现有技术中的OLED显示面板，无需单独的触摸面板，而是采用封装触控一体化的技术，将实现触控功能的组件以层状结构形成在封装层60的一侧，因此，根据本申请的OLED显示面板200的触控层70的厚度相对于现有技术可以大大减小。
此外，触控层70还可以包括形成在第二触控金属层74上方的有机材料层75，其覆盖下方结构并提供平坦化的表面以便于形成后续结构。
在另一些实施例中，触控层70可以为自容式，其可以包括第一触控绝缘层和第一触控金属层。其首先在封装层60上形成第一触控绝缘层；随后，在第一触控绝缘层上形成第一触控金属层。其中，第一触控金属层可以采用金属网格结构。
滤光层80包括黑矩阵层81和滤色器层82。黑矩阵层81与第一触控金属层72和第二触控金属层74的位置对应设置，黑矩阵层81在基底所在平面的投影与第一触控金属层72和第二触控金属层74在所述基底所在平面的投影叠置，以遮挡下方的第一触控金属层72和第二触控金属层74。黑矩阵层81中设置有多个开口区域，滤色器层82填充在开口区域中，以接收从发光功能层50激发出的光线。
具体地，首先利用光刻工艺，在触控层70上涂布曝光显影低温黑矩阵材料；随后，在黑矩阵材料上开设凹槽形成黑矩阵层，利用掩膜板蒸镀或者喷墨打印方式，从凹槽内向外涂布曝光显影低温滤光材料以形成滤色器层。相比于现有技术，本申请的滤光层取代偏光片和偏光片两侧的光学胶层，可以提高OLED显示面板的出光率并能够进一步减小OLED显示面板的厚度。
在本实施例中，黑矩阵层81和滤色器层82上方还可以设置有绝缘盖层83。另外，在滤光层80上方还涂敷形成有保护层90以进一步保护下方材料。
根据本发明的示例性实施例的OLED显示面板，取代了现有技术中的玻璃盖板、偏光片、触摸面板和背板，而采用通过沉积、涂布等方式直接形成的保护层90、滤光层80、触控层70和基底层20，根据本发明的实施例的OLED显示面板200的总厚度相对于现有技术大大减小，其有效地提升了显示面板的轻薄度。
此外，根据本发明的实施例的OLED显示面板200相对于现有技术进一步省略了粘合玻璃盖板、偏光片和触摸面板的光学胶层，具体地，根据本发明的实施例的OLED显示面板200，滤光层80直接形成在触控层70上方，并且保护层90直接形成在滤光层上方，因而，触控层70与滤光层80之间以及滤光层80与保护层90之间不存在胶层，从而进一步减小了显示面板的厚度。然而，本申请不限于此，在一些实施例中，触控层70与保护层90之间不存在胶层。在一些实施例中，阵列层40与保护层90之间也不存在胶层。
图5示出了根据本发明的另一实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
首先参照图4所示，本发明的OLED显示面板200取代偏光片设置了滤色器层82和黑矩阵层81来减小厚度并提升透光率。然而，由于具有开口区域的黑矩阵层81的剖面通常为矩形或上窄下宽的梯形，图4示例性地示出了梯形截面。进一步参照图4的箭头所示，从发光功能层50发射的光线具有较大的发散角，除部分光线顺利入射滤色器层82外，部分发散角比较大的光线入射到黑矩阵层81，并且被黑矩阵层81部分反射，由于黑矩阵具有上窄下宽的截面，因而，光线首先会入射到黑矩阵的底表面，并经底表面反射后会具有更大的发散角，进而散射到其他结构形成杂散光并降低出光效率。因而，在本实施例中，对黑矩阵的形状进行改进以进一步利用反射光线提高出光效率。
如图5所示，本发明的OLED显示面板300包括依次堆叠的基底层20、阵列层40、发光功能层50、封装层60、触控层70、滤光层80_1和保护层90。图5中，除滤光层外，其他部件与参照图4描述的部件基本相同，因此，在此省略重复的描述。以下仅对滤光层进行详细描述。
参照图4和图2，滤光层设置在触控层70与保护层90之间，其包括黑矩阵层81_1和滤色器层82。在本实施例中，黑矩阵层81_1和滤色器层82上方还可以设置有绝缘盖层83。
黑矩阵层81_1与第一触控金属层72和第二触控金属层74的位置对应设置，并且黑矩阵层81_1在基底所在平面的投影与第一触控金属层72和第二触控金属层74在所述基底所在平面的投影叠置，以遮挡下方的第一触控金属层72和第二触控金属层74。黑矩阵层81_1中设置有开口区域，滤色器层82填充在开口区域中，以接收从发光功能层50激发出的光线。具体地，首先利用光刻工艺，在触控层70上涂布曝光显影低温黑矩阵材料；随后，在黑矩阵材料上开设凹槽形成黑矩阵层，利用掩膜板蒸镀或者喷墨打印方式，从凹槽内向外涂布曝光显影低温滤光材料以形成滤色器层。
此外，为了进一步提高反射光线利用率，图5示出的黑矩阵层81_1任一所述开口区域的纵截面为上小下大的形状，具体地，具有下窄上宽的倒梯形的截面形状，具体地，黑矩阵层81_1与触控层70接触的下表面的面积小于黑矩阵层81_1与保护层90接触的上表面的面积，且黑矩阵层81_1的下表面在触控层70所在平面的投影落于上表面在触控层70所在平面的投影内。在一些实施例中，连接上表面与下表面的侧表面与触控层70所在表面形成的夹角为锐角。
进一步参照图5的箭头所示，从发光功能层50发射的光线具有较大的发散角，除部分光线顺利入射滤色器层82_1外，部分发散角比较大的光线入射到黑矩阵层81_1，并且被黑矩阵层81_1部分反射，由于黑矩阵层81_1具有下窄上宽的截面形状，其与触控层70接触的下表面具有较小的面积，因而，仅有少部分光线会入射到黑矩阵层81_1的底表面并经底表面反射，大部分发散的光线会入射到黑矩阵层81_1的侧表面并经侧表面反射，因侧表面相对于触控层70所在平面呈锐角，因而，如图5所示，经侧表面反射后的光线会反向朝发光功能层50会聚，反射后的光线再次射向发光功能层50并在发光功能层50反射后朝向滤色器层82_1方向出射。因此，通过将黑矩阵层81_1的下表面设置得较小，使其侧表面相对于触控层70平面具有锐角，从而能够反射会聚发散的光线，提高显示面板的出光率。
在一些实施例中，为了提高光线利用率，可以在黑矩阵层81_1的侧表面形成反射膜。具体地，目前POL-less结构使用的黑矩阵是一种黑色聚酰亚胺薄膜，通过在聚酰亚胺树脂中加入黑色颜料制作而成，具有良好的遮光性、导热性等。通过将无机组分石墨烯引入到黑矩阵基体中，可提高黑矩阵材料的导电性，利用这一特质，可获得具有导电特性的黑矩阵材料。把具有导电性的黑矩阵材料作为阴极，采用Ag或其他金属作为阳极，利用电镀原理，可为黑矩阵表面电镀一层金属薄膜，用作金属反射膜。并且，通过利用cary5000紫外-可见-近红外光度计测量不同厚度Ag膜反射率的变化情况。在Ag膜厚度小于130nm的情况下，随着Ag膜的厚度增加，Ag的反射率也急剧增加。然而，当Ag膜的厚度超过130nm时，随着Ag膜的厚度继续增加，其反射率反而减小了。因此，在本申请的实施例中，Ag膜的厚度优选小于130nm。
根据本发明的实施例的OLED显示面板，取代现有技术中的OLED显示面板具有的背板、触控面板、偏光板、玻璃盖板等结构，设置了通过涂布、沉积等方式形成的基底层、一体化触控层、去偏光片的滤光层，并且相对于现有技术减少了胶层的使用，因而，大幅减小了OLED显示面板的厚度，并提高了透光率，有利于OLED显示面板的轻薄化并提升了显示质量。此外，根据本发明的实施例的OLED显示面板，通过将黑矩阵层的下表面设置得较小，使其侧表面相对于触控层平面具有锐角，从而能够反射会聚发散的光线，提高显示面板的出光率。
图6示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意图。
如图6所示，与图3示出的现有技术的OLED显示面板100相似地，根据本发明的实施例的OLED显示面板200同样包括依次堆叠设置的基底层20、阵列层40、发光功能层50和封装层60。与图3中示出的现有技术中的OLED显示面板200相比，图6中示出的OLED显示面板400仅将触控层70和滤光层80的位置对调。即，OLED显示面板400还包括依次堆叠在封装层60上的滤光层80、触控层70和保护层90，并且触控层70与滤光层80之间以及触控层70与保护层90之间不存在胶层。进一步地，封装层60与保护层90之间不存在胶层。
图7示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
参考图7并进一步结合图6，本发明的OLED显示面板400包括依次堆叠的基底层20、阵列层40、发光功能层50、封装层60、滤光层80、触控层70和保护层90。与图5示出的实施例相比，仅调换了滤光层80和触控层70的位置。因此，在此省略重复的描述。
如图7所示，滤光层80形成在封装层60上方。滤光层80包括黑矩阵层81和滤色器层82。具体地，首先利用光刻工艺，在封装层60上涂布曝光显影低温黑矩阵材料；随后，在黑矩阵材料上开设凹槽形成黑矩阵层，利用掩膜板蒸镀或者喷墨打印方式，从凹槽内向外涂布曝光显影低温滤光材料以形成滤色器层。
触控层70形成在滤光层80上方。具体地，在平坦化的封装层60上沉积触控材料以形成触控层70。通过封装触控一体化(DOT，Direct On-cell Touch)技术在滤光层80上方沉积触控材料从而形成触控层70。
根据本发明的示例性实施例的OLED显示面板，取代了现有技术中的玻璃盖板、偏光片、触摸面板和背板，而采用通过沉积、涂布等方式直接形成的保护层90、滤光层80、触控层70和基底层20，并进一步省略了粘合玻璃盖板、偏光片和触摸面板的光学胶层，根据本发明的实施例的OLED显示面板200的总厚度相对于现有技术大大减小，其有效地提升了显示面板的轻薄度。
图8示出了根据本发明的实施例的OLED显示面板的示意性剖视图。
与图7示出的OLED显示面板400相比，除滤光层外，其他部件与参照图7描述的部件基本相同，因此，在此省略重复的描述。以下仅对滤光层进行描述。
参照图8和图6，滤光层设置在触控层下方，其包括黑矩阵层81_1和滤色器层82。
如图8所示，为了提高反射光线利用率，黑矩阵层81_1具有下窄上宽的截面形状，具体地，黑矩阵层81_1与封装层60接触的下表面的面积小于黑矩阵层81_1与靠近触控层70的上表面的面积，且黑矩阵层81_1的下表面在封装层60所在平面的投影落于上表面在封装层60所在平面的投影内。在一些实施例中，连接上表面与下表面的侧表面与封装层60所在表面形成的夹角为锐角。
在一些实施例中，为了提高光线利用率，可以在黑矩阵层81_1的侧表面形成反射膜。
根据本发明的实施例的OLED显示面板，取代现有技术中的OLED显示面板具有的背板、触控面板、偏光板、玻璃盖板等结构，设置了通过涂布、沉积等方式形成的基底层、一体化触控层、去偏光片的滤光层，并且相对于现有技术减少了胶层的使用，因而，大幅减小了OLED显示面板的厚度，并提高了透光率，有利于OLED显示面板的轻薄化并提升了显示质量。此外，根据本发明的实施例的OLED显示面板，通过将黑矩阵层的下表面设置得较小，使其侧表面相对于触控层平面具有锐角，从而能够反射会聚发散的光线，提高显示面板的出光率。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括：
基底层；
阵列层，形成在所述基底层的一侧；
发光功能层，形成在所述阵列层的远离所述基底层的一侧；
封装层，形成在所述发光功能层的远离所述阵列层的一侧；
保护层，形成在所述封装层的远离所述封装层的一侧，
其中，所述封装层和所述保护层之间还设置有触控层和滤光层，所述滤光层包括黑矩阵层和滤色器层，并且所述封装层和所述保护层之间不具有胶层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述触控层包括通过沉积形成的以下各层：
第一触控绝缘层，形成在所述封装层的远离所述发光功能层的一侧上；
第一触控金属层，形成在所述第一触控绝缘层的远离所述封装层的一侧上，并具有金属网格结构；
第二触控绝缘层，形成在所述第一触控金属层的远离所述第一触控绝缘层的一侧上，并在与所述第一触控金属层对应的位置处形成有接触孔；以及
第二触控金属层，形成在所述第二触控绝缘层的远离所述第一触控金属层的一侧上，其中，所述第二触控金属层为金属网格结构，并填充在所述接触孔内以接触所述第一触控金属层。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述滤光层设置在所述触控层的远离所述基底层的一侧，所述黑矩阵层与所述第一触控金属层与所述第二触控金属层的位置对应设置，所述黑矩阵层在所述基底所在平面的投影与所述第一触控金属层和所述第二金属层在所述基底所在平面的投影叠置，以及
其中，所述黑矩阵中设置有多个开口区域，所述滤色器层填充在开口区域中以接收从所述发光功能层激发出的光线。
4.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述滤光层设置在所述触控层的靠近所述基底层的一侧，所述黑矩阵层与所述第一触控金属层与所述第二触控金属层的位置对应设置，并且所述黑矩阵层在所述基底所在平面的投影与所述第一触控金属层和所述第二金属层在所述基底所在平面的投影叠置，以及
其中，所述黑矩阵中设置有多个开口区域，所述滤色器层填充在开口区域中以接收从所述发光功能层激发出的光线。
5.如权利要求3或4所述的OLED显示面板，其特征在于，任一所述开口区域的纵截面为上小下大的形状，且所述开口区域的侧表面形成有反射膜。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述开口区域的纵截面为梯形。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述反射膜厚度小于130nm。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述基底层包括：
第一基底层；以及
第一阻隔层，形成在所述第一基底层的靠近所述阵列层的一侧，
其中，所述第一基底层和所述第一阻隔层采用化学气相沉积方式形成。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述基底层进一步包括：
第二基底层，形成于所述第一阻隔层的远离所述第一基底层的一侧；以及
第二阻隔层，形成于所述第二基底层的远离所述第一阻隔层的一侧，
其中，所述第二基底层和所述第二阻隔层采用化学气相沉积方式形成。
10.如权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保护层通过沉积的方式形成在所述滤光层上方。
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