CN113325662A - 辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备，其中所述配置方法包括：提供主图形，所述主图形具有沿第一方向延伸的边，第二方向与第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量；在所述主图形周围提供初始辅助图形；提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系；基于配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息；根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。本发明实施例有利于提高光刻质量。

Description

辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上。在进行光刻工艺后，通常还包括进行刻蚀步骤，也就是说，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features)、光学临近修正(Optical ProximityCorrection，简称OPC)、反向光刻(Inverse Lithography Technology，简称ILT)、双重图形(Double Patterning)、自对准双重图形(Self-aligned Double Patterning)等技术手段均被用来提高光刻分辨率。
散射条(Scattering Bar，简称SB或者Sbar)是一种亚分辨率辅助图形，其利用在主图形(Main Pattern)周围设置辅助图形，以提高主图形的光刻质量。其中，主图形为可曝光图形，而散射条通常为不可曝光图形。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种辅助图形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相关设备，以提高主图形的光刻质量。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种辅助图形的配置方法，包括：提供主图形，所述主图形具有沿第一方向延伸的边，第二方向与所述第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量；在所述主图形周围提供初始辅助图形；提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系；基于所述配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息；根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。
可选地，所述配置参数包括：所述初始辅助图形的尺寸，以及所述初始辅助图形与主图形之间的距离中的一种或两种。
可选地，所述初始辅助图形包括：第一初始辅助图形和第二初始辅助图形，所述第二初始辅助图形的长宽比与所述第一初始辅助图形的长宽比不同。
可选地，所述配置参数包括：第一初始辅助图形的长宽比，第二初始辅助图形的长宽比，或者第一初始辅助图形与第二初始辅助图形的数量比中的一种或多种。
可选地，所述配置参数包括：所述第一初始辅助图形的宽度、所述第一初始辅助图形的长度、相邻第一初始辅助图形的间距、所述第一初始辅助图形与主图形之间的距离、所述第二初始辅助图形的宽度、所述第二初始辅助图形的长度、所述第二初始辅助图形与主图形之间的距离、相邻第二初始辅助图形的间距、以及第一初始辅助图形和第二初始辅助图形的数量比例中的一种或多种。
可选地，所述第一初始辅助图形为正方形，所述第二初始辅助图形为长方形。
可选地，在主图形周围提供初始辅助图形的步骤包括：以所述主图形为中心向外围依次配置至少一组初始辅助图形，所述一组初始辅助图形包括：第一初始辅助图形以及位于所述第一初始辅助图形外围的第二初始辅助图形。
可选地，所述第一初始辅助图形与所述第二初始辅助图形间隔排布。
可选地，所述主图形为条形主图形，所述条形主图形沿第一方向具有辅助图形的第一配置信息；所述条形主图形沿第二方向具有辅助图形的第二配置信息；所述第二配置信息与所述第一配置信息不同。
可选地，通过建模的方式在所述主图形周围提供初始辅助图形；通过改变模型中的数据进行配置参数的调整，获得配置信息。
可选地，在所述主图形周围提供初始辅助图形的步骤包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括主图形以及位于主图形周围的辅助图形；通过所述掩膜版进行光刻形成的光刻图形调整配置参数，以获得配置信息。
可选地，所述辅助图形为散射条。
相应地，本发明实施例还提供一种掩膜版的形成方法，包括：提供芯片设计图形，所述芯片设计图形包括多类主图形；采用所述的配置方法对每一类主图形进行辅助图形配置，获得与每一类主图形相对应的辅助图形配置信息；提供芯片掩膜版，包括至少一类主图形；根据与所述主图形相对应的辅助图形配置信息，对掩膜版上的主图形进行辅助图形配置。
可选地，获得与每一类主图形相对应的辅助图形配置信息的步骤中，将每一类主图形对应的辅助图形配置参数汇总成表；根据与所述主图形相对应的辅助图形配置信息的步骤中，通过查表的方式获取与掩膜版上的主图形相对应的辅助图形配置参数。
可选地，所述主图形包括：一维主图形、长方形主图形或正方形主图形。
相应地，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括：多种主图形以及位于所述主图形周围的辅助图形，所述辅助图形由所述的配置方法获得。
相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如所述的配置方法。
相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现所述的配置方法。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例提供的辅助图形的配置方法中，在所述主图形周围先提供初始辅助图形，并对初始辅助图形进行配置参数提取，所述配置参数与第一方向(比如：与边相平行的水平方向)的最佳焦平面与第二方向(比如：与边相垂直的垂直方向)的最佳焦平面的偏移量具有对应关系，通过调整所述配置参数对所述最佳焦平面的偏移量进行调整，以符合预设的规格，之后以符合预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息在主图形周围配置设置辅助图形，这样可以在对设置有所述辅助图形的主图形进行曝光时，使第一方向的最佳焦平面和第二方向的最佳焦平面的偏移量较小，从而增大曝光过程的工艺窗口，进而提高主图形的光刻质量。
附图说明
图1和图2分别是1D散射条沿不同方向设置的光路示意图；
图3是本发明实施例辅助图形的配置方法的流程示意图；
图4是多类主图形分别在垂直和水平方向的最佳焦平面的示意图；
图5是多种散射条的最佳焦平面偏移量的统计图；
图6和图7分别示出了1D和长方形主图形周围预设的辅助图形示意图；
图8是沿Y、X方向1D主图形的辅助图形配置信息示意图；
图9是沿Y、X方向长方形主图形的辅助图形配置信息示意图；
图10为本发明一实施例所提供的设备的硬件结构图。
具体实施方式
由背景技术可知，在掩膜版的主图形周围设置亚分辨率辅助图形(比如：Scattering Bar，Sbar)是常用的分辨率增强技术之一，以提高主图形的光刻质量。
随着光刻技术的发展，入射光采用与基底表面呈一定角度的入射光进行曝光，在这样的光刻技术中掩膜版的图形成像质量不高，具体地说，沿不同方向的图形在进行同一曝光步骤时的成像质量不同。
以1D(One Dimension，一维)图形作为示例分析产生上述问题的原因。
结合参考图1和图2，分别示出了1D图形沿不同方向设置的光路示意图。以基底的平面建立坐标系，包括X轴以及与X轴相垂直的Y轴。
如图1所示，在基底上的1D主图形沿着X轴的方向延伸，入射光A1呈一定入射角度入射至基底，并形成第一反射光B1。
如图2所示，基底上的主图形沿着Y轴的方向，采用同样入射角的入射光A1进行曝光时，由于1D图形沿着Y轴延伸，入射光A1采用一定入射角倾斜入射时，所述1D图形在X方向上容易对如入射光A1造成遮挡，形成第二反射光B2。
由此可见，即便是同样的1D图形，在基底上放置的方向有所不同时，曝光光路也存在较大偏差，相应地掩膜版曝光成像的位置也有所不同。具体地说，光刻机对位于基底上不同方向设置的1D图形进行曝光时的Common DOF过小，掩膜版在不同方向的最佳焦平面有较大偏差，即存在较大的最佳焦平面偏移量。
为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种辅助图形的配置方法，包括：供主图形，所述主图形具有沿第一方向延伸的边，第二方向与所述第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量；在所述主图形周围提供初始辅助图形；提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系；基于所述配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息；根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。
本发明实施例提供的辅助图形的配置方法中，在所述主图形周围先提供初始辅助图形，并对初始辅助图形进行配置参数提取，所述配置参数与第一方向(比如：与边相平行的水平方向)的最佳焦平面与第二方向(比如：与边相垂直的垂直方向)的最佳焦平面的偏移量具有对应关系，通过调整所述配置参数对所述最佳焦平面的偏移量进行调整，以符合预设的规格，之后以符合预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息在主图形周围配置设置辅助图形，这样可以在对设置有所述辅助图形的主图形进行曝光时，使第一方向的最佳焦平面和第二方向的最佳焦平面的偏移量较小，从而增大曝光过程的工艺窗口，进而提高主图形的光刻质量。
图3示出了本发明实施例辅助图形的配置方法的流程图。所述辅助图形的配置方法包括：
步骤S1，提供主图形，所述主图形具有沿第一方向延伸的边，第二方向与所述第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量；
步骤S2，在所述主图形周围提供初始辅助图形；
步骤S3，提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系；
步骤S4，基于所述配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息；
步骤S5，根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。
为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
结合参考图3，执行步骤S1，提供主图形。
芯片图形是由多个基本图形组成的，常见的基本图形包括：一维(One Dimension，1D)图形、长方形或正方形。
所述1D图形包括1D多边形图形、1D间隙图形，其中1D间隙指的是图形与图形之间围成狭长图形。
此外基本图形还包括头对头(Head To Head，HTH)的图形，例如相邻长方形图形的短边与短边相对，构成HTH图形。
在设置亚分辨率辅助图形时，所述基本图形为主图形。
对掩膜版进行曝光时，位于掩膜版上不同方向的图形具有不同的最佳焦平面。参考图4，示意图出了不同形状的主图形分别在垂直和水平方向最佳焦平面的示意图。
具体地，图4a示意了头对头(Head To Head，HTH)主图形的最佳焦平面位置。图4b示意了1维多边形(1D polygon)主图形的最佳焦平面的位置。图4c示意了1维间隙(1DSpace)主图形的最佳焦平面的位置。图4d示意了长方形(Rectangle polygon)主图形最佳焦平面的位置。
图4a-4d中的水平指沿着图形延伸的方向为水平，例如1D图形或者长方形长边方向为水平方向。垂直指的是与所述水平方向相垂直的方向。
图4a、图4b和图4d分别对应的头对头、1维多边形和长方形的主图形对应的数据中，水平方向图形的最佳焦平面位置相对于垂直方向图形最佳焦平面位置均有一定程度的左移(此处“左”指的是正对图4的左向)。而图4c对应的1维间隙的数据中，水平方向图形的最佳焦平面位置相对于垂直方向图形最佳焦平面的位置则有所右移(此处“右”指的是正对图4的右向)。
由此可见，所述主图形具有沿第一方向(水平方向)延伸的边，第二方向(垂直方向)与第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量。
执行步骤S2，在所述主图形周围提供初始辅助图形。
本发明实施例是通过在主图形周围设置辅助图形(即散射条)的方式来优化曝光形成的图形质量。主图形为待曝光的图形，散射条图形通常不会被曝光，而用来优化图所述曝光图形，使所述曝光形成的图形更符合主图形的形貌。
目前设置散射条的方法包括基于经验规则的辅助图形(Rules-based SRAF)设置方法，所述方法基于经验规则先将散射条设置在主图形周围，即根据经验人为初始配置规则，结合主图形的特征尺寸、间距等信息，对散射条的宽度以及散射条至主图形的距离进行设置。
本实施例通过建模的方式在所述主图形周围提供初始辅助图形。例如：通过模型模拟主图形以及主图形曝光的过程，在主图形周围模拟设置初始辅助图形，后续在进行配置参数调整的时候，也通过模拟的方式模拟整个曝光的过程。
在其他实施例中，还可以通过工艺在掩膜版的主图形周围形成预设辅助图形；后续可以通过带有预设辅助图形的掩膜版进行曝光，基于光刻工艺形成的光刻图形调整配置参数，以获得配置信息。
参考图5，示了不同散射条的最佳焦平面偏移量的统计图。图5中的三个区域，分别示意了1D散射条、正方形散射条以及长方形散射条最佳焦平面偏移量的分布。具体地，以水平方向最佳焦平面与垂直方向最佳焦平面的差作为最佳焦平面偏移量，统计图中的每个点分别示意了对应形状的最佳焦平面偏移量的大小。
如图5所示，1D散射条相对于长方形散射条在在正向最佳焦平面偏移量的绝对值更大一些。
本实施例在主图形周围提供初始辅助图形的步骤中，所述初始辅助图形包括：第一初始辅助图形和第二初始辅助图形，所述第二初始辅助图形的长度与所述第一初始辅助图形的长宽比不同。例如所述第一初始辅助图形为正方形，所述第二初始辅助图形为长方形。
在以所述主图形为中心向外围配置辅助图形的步骤中，依次配置至少一组初始辅助图形，所述一组初始辅助图形包括：第一初始辅助图形以及位于所述第一初始辅助图形外围的第二初始辅助图形。
即，配置过程中初始辅助图形成对出现，从而可以对一组辅助图形中的第一初始辅助图形和第二辅助图形进行更加精细化调整。
执行步骤S3，提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系。
需要说明的是，此处有对应关系指的是，所述配置参数为最佳焦平面偏移量的相关量。改变所述配置参数可以相应地改变最佳焦平面偏移量。
如图5所示，散射条越长，最佳焦平面越往正方向偏。即散射条的形状与最佳焦平面的偏移量有关。通过提取能够量化所述散射条形状的配置参数，可以改变所述最佳焦平面的偏移量。
例如，所述配置参数包括：所述初始辅助图形尺寸，以及所述初始辅助图形与主图形之间的距离中的一种或两种。
继续参考图5，1D散射条和长方形散射条的数据点大部分落入在最佳焦平面偏移量为正的区间，而正方形散射条的数据点大部分落入在最佳焦平面偏移量为负的区间。由此可见，可以在主图形周围配置不同形状的散射条，对最佳焦平面进行调整。
对于设置不同尺寸初始辅助图形的实施例，可以通过调整初始辅助图形本身的尺寸以及辅助图形的数量比例，调整主图形的最佳焦平面偏移量。例如：所述配置参数包括：第一初始辅助图形的长宽比，第二初始辅助图形的长宽比，或者第一初始辅助图形与第二初始辅助图形的数量比中的一种或多种。
结合参考图6和图7，分别示出了1D和长方形主图形周围预设的辅助图形示意图。
本实施例中1D图形100的长度l1远大于宽度w1，可以归入1D图形的一类。长方形200长度l2与宽度w2的比值小于1D图形100长度l1与宽度w1的比值，因此还不能归入1D图形这一类，而是归入长方形主图形的类别。
本实施例中，所述第一初始辅助图形为正方形，所述第二初始辅助图形为长方形。
具体地提取辅助图形配置参数的步骤中，所述配置参数包括：
所述第一初始辅助图形的宽度SW、所述第一初始辅助图形的长度SL、相邻第一初始辅助图形的间距STS、所述第一初始辅助图形与主图形之间的距离SO、所述第二初始辅助图形的宽度RW、所述第二初始辅助图形的长度RL、所述第二初始辅助图形与主图形之间的距离RO、相邻第二初始辅助图形的间距RTR、以及第一初始辅助图形和第二初始辅助图形的数量比例R中的一种或多种。
本实施例中，所述第一初始辅助图形为正方形，因此所述SL与所述SW相等，因此，对于1D、长方形、正方形三大类主图形，可以用以下公式表达配置参数与最佳焦平面偏移量的对应关系。
Figure BDA0002395652370000091
其中BF1表示的为1D主图形的最佳焦平面偏移量，其中BF2表示的为长方形主图形的最佳焦平面偏移量，BF3表示的为正方形主图形的最佳焦平面偏移量。
执行步骤S4，基于配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息。
为了减小所述最佳焦平面偏移量，可以调整配置参数使最佳焦平面偏移量向0趋近。在达到最佳焦平面偏移量的预设规格值(即符合设计规格的较小的最佳焦平面偏移量)时，可以将配置参数对应的配置信息确定下来作为辅助图形的配置方案。
例如所述预设规格值为10-5至10-1。
具体的，可以通过之前积累的数据(例如图5所示的数据)，判断参数的调整方向。比如，增加初始预设辅助图形后最佳焦平面偏移量为负，如图5所示长方形辅助图形对应的最佳焦平面偏移量为正，而正方形辅助图形对应的最佳焦平面为负，可以增加长方形辅助图形与正方形辅助图形的数量比，使最终主图形对应的最佳焦平面偏移量朝正向进行调整。
因为本发明实施例通过建模方式进行辅助图形的配置，可以通过改变模型中的数据进行配置参数的调整，获得配置信息。
具体地，可以通过以下公式表达“基于配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息”的内容。
Figure BDA0002395652370000101
其中S＝BFH-BFV
也就是说，通过对不同的配置参数进行调整，以得到最佳焦平面偏移量的最优解，此处最优解的含义为使所述最佳焦平面偏移量为0或者无限接近0。而实际过程中，可以通过设置预设最佳焦平面偏移量的值，确定调整配置参数的结点。
需要说明的是，在进行配置参数调整的过程中，还满足以下条件|SO-RO|>2max(SW，LW)，即第一初始辅助图形和第二初始辅助图形间隔排布，相互之间具有一定的空间(space)，以保持辅助图形不相交叠，而保持各个辅助图形的完整性。
在其他采用具体工艺进行辅助图形配置的实施例中，在所述主图形周围提供初始辅助图形的步骤包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括主图形以及位于主图形周围的辅助图形；通过所述掩膜版进行光刻形成的光刻图形调整配置参数。即通过工艺实际检测到的结果，反馈到掩膜版图形辅助图形的配置上，通过不断地调整掩膜版上的辅助图形，减小通过所述掩膜版曝光时最佳焦平面偏移量。
执行步骤S5，根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。
参考图8a和8b，分别示意了沿Y、X方向延伸的1D主图形的辅助图形配置信息示意图。
如图8a所示，沿Y方向延伸的1D主图形的第一配置信息包括：1D主图形两侧设置有辅助图形，与所述1D主图形相邻的为一列正方形辅助图形，次相邻的为一列长方形辅助图形。
如图8b所示，沿X方向延伸的1D主图形的第二配置信息包括：1D主图形两侧设置有辅助图形，与所述1D主图形相邻的为一行长方形辅助图形，次相邻的为一行正方形辅助图形。所述X方向延伸的1D主图形的第二配置信息还包括位于所述1D主图形两端的正方形辅助图形。
由此可见，对于相同的1D主图形，在不同方向设置时第一配置信息与第二配置信息不同。
且所述配置信息的不同还包括：在辅助图形排布方式的不同、辅助图形本身的尺寸、长方形辅助图形和正方形辅助图形的数量比例等不同。
参考图9a和9b，分别示意了沿Y、X方向延伸的长方形主图形的辅助图形配置信息示意图。
如图9a所示，沿Y方向延伸的长方形主图形的第一配置信息包括：长方形主图形两侧设置有辅助图形，与所述长方形主图形相邻的为一列正方形辅助图形，次相邻的为一列长方形辅助图形。且在长方形主图形的短边一侧各设置有正方形辅助图形。
如图9b所示，沿X方向延伸的长方形主图形的第二配置信息包括：长方形主图形两侧设置有辅助图形，与所述1D主图形相邻的为一行长方形辅助图形，次相邻的为一行正方形辅助图形。所述X方向延伸的长方形主图形的第二配置信息还包括位于所述长方形主图形短边一侧各设置的两个正方形辅助图形。
由此可见，同样的对于相同长方形主图形，在不同方向设置时第一配置信息与第二配置信息不同。
这是因为对于条形主图形受倾斜入射的光源的影响较大，在不同方向的条形主图形周围设置的配置信息会有所不同。通过设置不同的辅助图形(散射条)，可以使位于不同方向的主图形保持光刻后图形的一致性，进而提高光刻工艺的质量。
本发明实施例还提供一种掩膜版的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片设计图形，所述芯片设计图形包括多类主图形；对每一类主图形进行辅助图形配置，获得与每一类主图形相对应的辅助图形配置信息；提供芯片掩膜版，包括至少一类主图形；根据与所述主图形相对应的辅助图形配置信息，对掩膜版上的主图形进行辅助图形配置。
提供芯片设计图形的步骤中，可以将所述设计图形中所包含的所有主图形都进行辅助图形的配置，并获得与每一类主图形相对的辅助图形的配置信息。所述主图形包括以下几大类：一维主图形、长方形主图形或正方形主图形。
这样在取得实际芯片掩膜版时，对位于掩膜版上存在主图形提取对应的配置信息，从而对掩膜版上的主图形进行辅助图形的添加，进而提高掩膜版上的图形曝光时的图像质量。
需要说明的是，在进对芯片设计图形的主图形进行辅助图形配置时，将每一类主图形对应的辅助图形配置参数汇总成表。这样，针对掩膜版上的主图形，可以通过查表的方式获取与掩膜版上的主图形相对应的辅助图形配置参数。查表的方式更加清楚和方便，便于快速获得辅助图形配置参数，进而提高工艺效率。
相应地，本发明还提供一种掩膜版，包括：多种主图形以及位于所述主图形周围的辅助图形，所述辅助图形由所述的配置方法获得。
所述掩膜版用于作为掩膜对晶圆上的光刻胶进行曝光，以形成晶圆上各芯片区域的光刻胶图形，以所述光刻胶图形能够对晶圆的芯片区域进行刻蚀，用于在晶圆的芯片区域形成栅极、金属互连线或导电插塞等半导体结构。
由前述的实施例可知，采用前述实施例的配置了所述辅助图形后，同一主图形在水平和垂直方向的最佳焦平面偏移量较小，同一主图形在两个方向上的共同焦深较大，从而通过采用本发明实施例的掩膜版，在进行光刻时，有利于使光刻工艺的共同工艺窗口最大化，相应提高图形转移的精度。
本发明实施例还提供一种设备，该设备可以通过装载程序的形式执行上述辅助图形的配置方法。
本发明实施例提供的终端设备的一种可选硬件结构可以如图10所示，包括：至少一个处理器01，至少一个通信接口02，至少一个存储器03和至少一个通信总线04。
在本发明实施例中，处理器01、通信接口02、存储器03、通信总线04的数量为至少一个，且处理器01、通信接口02、存储器03通过通信总线04完成相互间的通信。
通信接口02可以为用于进行网络通信的通信模块的接口，如GSM模块的接口。
处理器01可能是中央处理器CPU，或者是特定集成电路ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。
存储器03可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatilememory)，例如至少一个磁盘存储器。
其中，存储器03存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令被处理器01执行以实现本发明实施例的辅助图形的配置方法。
需要说明的是，上述的实现终端设备还可以包括与本发明实施例公开内容可能并不是必需的其他器件(未示出)；鉴于这些其他器件对于理解本发明实施例公开内容可能并不是必需，本发明实施例对此不进行逐一介绍。
本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的辅助图形的配置方法。
上述本发明的实施方式是本发明的元件和特征的组合。除非另外提及，否则所述元件或特征可被视为选择性的。各个元件或特征可在不与其它元件或特征组合的情况下实践。另外，本发明的实施方式可通过组合部分元件和/或特征来构造。本发明的实施方式中所描述的操作顺序可重新排列。任一实施方式的一些构造可被包括在另一实施方式中，并且可用另一实施方式的对应构造代替。对于本领域技术人员而言明显的是，所附权利要求中彼此没有明确引用关系的权利要求可组合成本发明的实施方式，或者可在提交本申请之后的修改中作为新的权利要求包括。
本发明的实施方式可通过例如硬件、固件、软件或其组合的各种手段来实现。在硬件配置方式中，根据本发明示例性实施方式的方法可通过一个或更多个专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器等来实现。
在固件或软件配置方式中，本发明的实施方式可以模块、过程、功能等形式实现。软件代码可存储在存储器单元中并由处理器执行。存储器单元位于处理器的内部或外部，并可经由各种己知手段向处理器发送数据以及从处理器接收数据。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种辅助图形的配置方法，其特征在于，包括：
提供主图形，所述主图形具有沿第一方向延伸的边，第二方向与所述第一方向垂直，所述主图形曝光时在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面与所述第二最佳焦平面之间具有最佳焦平面偏移量；
在所述主图形周围提供初始辅助图形；
提取所述初始辅助图形的配置参数，所述配置参数与所述最佳焦平面偏移量具有对应关系；
基于所述配置参数的调整，获得与预设最佳焦平面偏移量对应的配置信息；
根据所述配置信息在主图形周围配置辅助图形。
2.如权利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述配置参数包括：所述初始辅助图形的尺寸，以及所述初始辅助图形与主图形之间的距离中的一种或两种。
3.如权利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述初始辅助图形包括：第一初始辅助图形和第二初始辅助图形，所述第二初始辅助图形的长宽比与所述第一初始辅助图形的长宽比不同。
4.如权利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述配置参数包括：第一初始辅助图形的长宽比，第二初始辅助图形的长宽比，或者第一初始辅助图形与第二初始辅助图形的数量比中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述配置参数包括：所述第一初始辅助图形的宽度、所述第一初始辅助图形的长度、相邻第一初始辅助图形的间距、所述第一初始辅助图形与主图形之间的距离、所述第二初始辅助图形的宽度、所述第二初始辅助图形的长度、所述第二初始辅助图形与主图形之间的距离、相邻第二初始辅助图形的间距、以及第一初始辅助图形和第二初始辅助图形的数量比例中的一种或多种。
6.如权利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述第一初始辅助图形为正方形，所述第二初始辅助图形为长方形。
7.如权利要求3所述的配置方法，其特征在于，在主图形周围提供初始辅助图形的步骤包括：
以所述主图形为中心向外围依次配置至少一组初始辅助图形，
所述一组初始辅助图形包括：第一初始辅助图形以及位于所述第一初始辅助图形外围的第二初始辅助图形。
8.如权利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述第一初始辅助图形与所述第二初始辅助图形间隔排布。
9.如权利要求1～8任一项权利要求所述的配置方法，其特征在于，所述主图形为条形主图形，所述条形主图形沿第一方向具有辅助图形的第一配置信息；
所述条形主图形沿第二方向具有辅助图形的第二配置信息；
所述第二配置信息与所述第一配置信息不同。
10.如权利要求1～8任一项权利要求所述的配置方法，其特征在于，通过建模的方式在所述主图形周围提供初始辅助图形；
通过改变模型中的数据进行配置参数的调整，获得配置信息。
11.如权利要求1～8任一项权利要求所述的配置方法，其特征在于，在所述主图形周围提供初始辅助图形的步骤包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括主图形以及位于主图形周围的辅助图形；
通过所述掩膜版进行光刻形成的光刻图形调整配置参数，以获得配置信息。
12.如权利要求1～8任一项权利要求所述的配置方法，其特征在于，所述辅助图形为散射条。
13.一种掩膜版的形成方法，其特征在于，包括：
提供芯片设计图形，所述芯片设计图形包括多类主图形；
采用权利要求1～12任一项的配置方法对每一类主图形进行辅助图形配置，获得与每一类主图形相对应的辅助图形配置信息；
提供芯片掩膜版，包括至少一类主图形；
根据与所述主图形相对应的辅助图形配置信息，对掩膜版上的主图形进行辅助图形配置。
14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，获得与每一类主图形相对应的辅助图形配置信息的步骤中，将每一类主图形对应的辅助图形配置参数汇总成表；
根据与所述主图形相对应的辅助图形配置信息的步骤中，通过查表的方式获取与掩膜版上的主图形相对应的辅助图形配置参数。
15.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述主图形包括：一维主图形、长方形主图形或正方形主图形。
16.一种掩膜版，其特征在于，包括：多种主图形以及位于所述主图形周围的辅助图形，所述辅助图形由如权利要求1-12任一项所述的配置方法获得。
17.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-12任一项所述的配置方法。
18.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-12任一项所述的配置方法。
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