CN113293416B - 一种铜薄膜的制备方法 - Google Patents
一种铜薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113293416B CN113293416B CN202110584597.9A CN202110584597A CN113293416B CN 113293416 B CN113293416 B CN 113293416B CN 202110584597 A CN202110584597 A CN 202110584597A CN 113293416 B CN113293416 B CN 113293416B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- conductive substrate
- electrodeposition
- salt electrolyte
- copper film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 76
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 claims description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical group Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 241000784732 Lycaena phlaeas Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本发明提供了一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1～5J/cm2的功率以平行光方式照射，或在500～700℃下加热处理，改性处理时间为1～2h；步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。本发明给出了通过对导电基底进行改性处理，进而获得具有不同特性(鳞片状的疏水性、方块状的导电性等)的不同形貌铜薄膜的技术手段。
Description
技术领域
本发明属于印刷电子技术领域，特别涉及一种铜薄膜的制备方法。
背景技术
由于在电、热等方面的优异性能，且环境友好，价格低廉，在微电子、柔性电子等方面广泛应用。随着技术的发展，新型电子器件开始向微型化和集成化发展，在微米和纳米尺度内的新型材料逐渐走入人们的视野，铜薄膜具有导电率高，导热性好，与各种基片附着性好等优点，其研究和制备也日益引起科研人员的重视。
现有技术中，所制备的铜薄膜内晶粒在基片上的生长情况通常比较单一，而不同形貌的铜薄膜通常具有不同的特性，如球状具有良好的光滑性，鳞片状具有良好的疏水性，方块状具有良好的导电性等，因此所制备的薄膜形貌和特性单一，功能受限。同时，在结合成膜的过程中容易因条件不当导致晶粒大小或分布不均匀的问题，甚至影响薄膜的织构和致密性。
发明内容
针对背景技术存在的问题，本发明提供铜薄膜的制备方法，通过对基底进行不同的改性处理，在基底表面电沉积合成了具有不同形貌颗粒(包括球状、鳞片状、方块状和斜块状)，进一步得到不同性能的铜薄膜。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1～5J/cm2的能量密度以平行光方式照射，或在500～700℃下加热处理，改性处理时间为1～2h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。
进一步，所述导电基底尺寸选为：长1～5cm，宽1～5cm，厚1～5mm，材料选为铜、铂、金中的一种。
进一步，步骤S3中，所述铜盐电解液中，铜离子浓度为0.1～0.5mol/L，促进剂浓度为0～1mol/L。
进一步，所述铜盐电解液中的铜盐为CuCl2、CuSO4或Cu(NO3)2的一种或几种。
进一步，所述促进剂为NaCl、KCl、Na2SO4、K2SO4中的一种或几种。
进一步，步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径2～10mm的铜棒为阳极、所述导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为1～5cm；
过程S3-2：以电压5～10V、电流密度0.1～0.5A/cm2进行电沉积，电解液温度30～50℃，沉积时间10～30min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有如下有益效果：
本发明给出了通过对导电基底进行改性处理，进而获得不同形貌铜薄膜的技术手段。本发明设计了对导电基底以氙灯照射或热处理进行改性，经改性处理，导电基底内部晶粒得到一定程度的粗化并具有不同的表面粗糙度，然后在基底表面电沉积合成了具有不同形貌的铜薄膜的新方法，与其他常见的铜薄膜制备方法相比具有多种形貌(包括球状、鳞片状、方块状和斜块状)的可控合成效果，能够满足不同性能需求下的不同形貌的获得(如鳞片状的良好疏水性能，方块状的良好导电性能等)，且得到的铜薄膜由均匀的铜颗粒组成，致密性高，同时不含如粘附剂等其他任何成分，纯度高，导电性能好。
附图说明
图1是实施例1制备的具有球状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图；
图2是实施例2制备的具有鳞片状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图；
图3是实施例3制备的具有方块状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图；
图4是实施例4制备的具有斜块状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图；
图5是对比例1制备的具有普通多面体形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图。
具体实施方式
实施例1
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；导电基底为长3cm、宽3cm、厚3mm的铜片；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气中，用氙灯以1J/cm2的能量密度以平行光方式照射，改性处理时间为1.5h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜；铜盐电解液中，铜盐为CuSO4，促进剂为NaCl，铜离子浓度为0.3mol/L，促进剂浓度为0.5mol/L；
步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径5mm的铜棒为阳极、导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为3cm；
过程S3-2：以电压8V、电流密度0.3A/cm2进行电沉积，电解液温度40℃，沉积时间20min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
图1是实施例1制备的具有球状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图，铜薄膜由均匀的球形铜颗粒组成，致密性良好。
实施例2
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；导电基底为长3cm、宽3cm、厚3mm的铜片；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气中，用氙灯以5J/cm2的能量密度以平行光方式照射，改性处理时间为1.5h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜；铜盐电解液中，铜盐为CuSO4，促进剂为NaCl，铜离子浓度为0.3mol/L，促进剂浓度为0.5mol/L；
步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径5mm的铜棒为阳极、导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为3cm；
过程S3-2：以电压8V、电流密度0.3A/cm2进行电沉积，电解液温度40℃，沉积时间20min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
图2是实施例2制备的具有鳞片状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图，铜薄膜由均匀的鳞片状铜颗粒组成，致密性良好。
实施例3
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；导电基底为长3cm、宽3cm、厚3mm的铜片；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氩气中，用马弗炉以500℃加热处理，改性处理时间为1.5h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜；铜盐电解液中，铜盐为CuSO4，促进剂为NaCl，铜离子浓度为0.3mol/L，促进剂浓度为0.5mol/L；
步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径5mm的铜棒为阳极、导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为3cm；
过程S3-2：以电压8V、电流密度0.3A/cm2进行电沉积，电解液温度40℃，沉积时间20min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
图3是实施例3制备的具有方块状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图，铜薄膜由均匀的方块状铜颗粒组成，致密性良好。
实施例4
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；导电基底为长3cm、宽3cm、厚3mm的铜片；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氩气中，用马弗炉以700℃加热处理，改性处理时间为1.5h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜；铜盐电解液中，铜盐为CuSO4，促进剂为NaCl，铜离子浓度为0.3mol/L，促进剂浓度为0.5mol/L；
步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径5mm的铜棒为阳极、导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为3cm；
过程S3-2：以电压8V、电流密度0.3A/cm2进行电沉积，电解液温度40℃，沉积时间20min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
图4是实施例4制备的具有斜块状形貌颗粒的铜薄膜的扫描电镜图，铜薄膜由均匀的斜块状铜颗粒组成，致密性良好。
对比例1
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；导电基底为长3cm、宽3cm、厚3mm的铜片；
步骤S2：在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜；铜盐电解液中，铜盐为CuSO4，促进剂为NaCl，铜离子浓度为0.3mol/L，促进剂浓度为0.5mol/L；
步骤S2中，电沉积包括如下过程：
过程S2-1：以直径5mm的铜棒为阳极、导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为3cm；
过程S2-2：以电压8V、电流密度0.3A/cm2进行电沉积，电解液温度40℃，沉积时间20min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
图5是对比例1制备的具有普通多面体状形貌的铜薄膜的扫描电镜图，铜薄膜由不均匀的普通多面体状铜颗粒组成，致密性较差。
不同实施例之间的区别仅在于步骤S2对导电基底的改性处理不同，得到了不同的特定形貌，而对比例1未进行改性处理，得到的是常见的普通多面体结构的铜薄膜，且形核位点不多，铜薄膜内铜颗粒之间致密性不好，可见不同的处理方式对不同形貌的铜薄膜的可控制备具有重要作用。本发明给出了通过对导电基底进行改性处理，进而获得不同形貌铜薄膜的技术手段。
需要指出，根据实施的需要，可将本申请中描述的各个步骤拆分为更多步骤，也可将两个或多个步骤或者步骤的部分操作组合成新的步骤，以实现本发明的目的。
应当理解的是，本说明书未详细阐述的部分均属于现有技术。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1~5J/cm2的能量密度以平行光方式照射，或在500~700℃下加热处理，改性处理时间为1~2h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电基底尺寸选为：长1~5cm，宽1~5cm，厚1~5mm，材料选为铜、铂、金中的一种。
3.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述铜盐电解液中，铜离子浓度为0.1~0.5mol/L，促进剂浓度为0~1mol/L。
4.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜盐电解液中的铜盐为CuCl2、CuSO4或Cu(NO3)2的一种或几种。
5.根据权利要求3所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述促进剂为NaCl、KCl、Na2SO4、K2SO4中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径2~10mm的铜棒为阳极、所述导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为1~5cm；
过程S3-2：以电压5~10V、电流密度0.1~0.5A/cm2进行电沉积，电解液温度30~50℃，沉积时间10~30min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110584597.9A CN113293416B (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 一种铜薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110584597.9A CN113293416B (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 一种铜薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113293416A CN113293416A (zh) | 2021-08-24 |
| CN113293416B true CN113293416B (zh) | 2022-03-04 |
Family
ID=77325505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110584597.9A Expired - Fee Related CN113293416B (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 一种铜薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113293416B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101250725A (zh) * | 2007-11-26 | 2008-08-27 | 南京大学 | 大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法 |
| CN109321952A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-12 | 嘉兴市劼力机械科技有限公司 | 一种五金件的镀铜工艺 |
| CN110760903A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-02-07 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种铜薄膜材料及其电沉积制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6951604B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-10-04 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Production method for flexible printed board |
-
2021
- 2021-05-27 CN CN202110584597.9A patent/CN113293416B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101250725A (zh) * | 2007-11-26 | 2008-08-27 | 南京大学 | 大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法 |
| CN109321952A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-12 | 嘉兴市劼力机械科技有限公司 | 一种五金件的镀铜工艺 |
| CN110760903A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-02-07 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种铜薄膜材料及其电沉积制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113293416A (zh) | 2021-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI337204B (zh) | ||
| CN110592621A (zh) | 采用高频脉冲制备纳米孪晶铜层的方法 | |
| CN113293416B (zh) | 一种铜薄膜的制备方法 | |
| CN106847667B (zh) | 一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法 | |
| CN111987291B (zh) | 用于电化学储锂的金属硫化物复合电极的制备方法 | |
| CN107298437A (zh) | 一种pvd法低温制备石墨烯的方法 | |
| CN109336099B (zh) | 一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法 | |
| CN114182231B (zh) | 一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法 | |
| CN112768901B (zh) | 三维石墨烯天线及其制备方法 | |
| CN114134566B (zh) | 提高金刚石异质外延形核均匀性的方法 | |
| CN112048746B (zh) | 一种镍基金属有机骨架薄膜的交流电镀方法 | |
| CN111074233A (zh) | 一种缺陷石墨烯与一种锂金属电池 | |
| CN110714212B (zh) | 一种水溶液体系中由氯化镍一步法制备超疏水镍薄膜的方法 | |
| CN113463151B (zh) | 在非金属材料表面镀镍的方法 | |
| CN113445022A (zh) | 一种硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用 | |
| Yang et al. | Photothermal fabric based on in situ growth of CuO@ Cu fractal dendrite fiber for personal thermal management | |
| CN114197014B (zh) | 一种实现复杂形状纯钛零件表面纳米化的方法 | |
| CN115233170B (zh) | 高催化性能超薄金属氧化物基纳米材料及其制法与应用 | |
| CN101403096B (zh) | 一种具有高耐蚀性纳米孪晶铝表面膜材料的制备方法 | |
| CN111293324B (zh) | 一种燃料电池抗氧化气体扩散层及其制备方法 | |
| WO2011130923A1 (zh) | 氧化铜纳米线的制备方法 | |
| CN113337847B (zh) | 一种具有多棱边结构的立方形铜颗粒的制备方法 | |
| CN115011922B (zh) | 一种石墨烯薄膜及由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法 | |
| CN105837843A (zh) | 一种用于电缆的聚酰亚胺/银复合薄膜的制备方法 | |
| CN109052369B (zh) | 一种纳米材料的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220304 |