CN113287326A - 音响装置 - Google Patents

音响装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113287326A
CN113287326A CN202080008773.8A CN202080008773A CN113287326A CN 113287326 A CN113287326 A CN 113287326A CN 202080008773 A CN202080008773 A CN 202080008773A CN 113287326 A CN113287326 A CN 113287326A
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezoelectric vibrator
piezoelectric
viewed
acoustic apparatus
vibrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080008773.8A
Other languages
English (en)
Inventor
太田佳生
堀井拓人
志村寿一
江泽敦
番场美帆
木嶋薰
武田明丈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN113287326A publication Critical patent/CN113287326A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/24Structural combinations of separate transducers or of two parts of the same transducer and responsive respectively to two or more frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04Plane diaphragms
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047Membrane type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/875Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2499/00Aspects covered by H04R or H04S not otherwise provided for in their subgroups
    • H04R2499/10General applications
    • H04R2499/11Transducers incorporated or for use in hand-held devices, e.g. mobile phones, PDA's, camera's
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H10N30/503Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/874Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices embedded within piezoelectric or electrostrictive material, e.g. via connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
  • Obtaining Desirable Characteristics In Audible-Bandwidth Transducers (AREA)

Abstract

本发明的音响装置具备振动构件和设置于振动构件的第一压电振子及第二压电振子。第一压电振子的固有振动频率比第二压电振子的固有振动频率大。

Description

音响装置
技术领域
本发明的一个方式涉及音响装置。
背景技术
专利文献1中记载了一种压电扬声器,其具备具有弯曲性的支承体和配置于支承体的压电元件。根据该压电扬声器,与使用电磁铁的电磁扬声器相比,能够实现小型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第6010525号公报
发明内容
发明所要解决的问题
上述压电扬声器与电磁扬声器相比,音域窄。
本发明的一个方式提供一种音响装置,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方式所涉及的音响装置具备:振动构件;以及第一压电振子和第二压电振子,其设置于振动构件。第一压电振子的固有振动频率比第二压电振子的固有振动频率大。
在该音响装置中,第一压电振子的固有振动频率比第二压电振子的固有振动频率大。因此,第一压电振子与第二压电振子相比,能够在高音域提高音质。第二压电振子与第一压电振子相比,能够在低音域提高音质。因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在上述一个方式中,也可以是,从与振动构件的主面正交的方向观察,第一压电振子的最大长度比第二压电振子的最大长度短。在这种情况下,能够容易实现第一压电振子的固有振动频率比第二压电振子的固有振动频率大的结构。
在上述一个方式中,也可以是,第一压电振子和第二压电振子通过相同驱动信号同步驱动。在这种情况下,与通过不同的驱动信号驱动第一压电振子和第二压电振子的情况相比,能够一边抑制控制电路的结构复杂化,一边在宽的音域提高音质。
在上述一个方式中,也可以是,从与振动构件的主面正交的方向观察,第一压电振子与第二压电振子之间的距离比第二压电振子的最大长度长。在这种情况下,能够将第一压电振子的声音和第二压电振子的声音设为分别独立的声音。
在上述一个方式中,也可以是,从与振动构件的主面正交的方向观察,第一压电振子与第二压电振子之间的距离比第二压电振子的最大长度短。在这种情况下,第一压电振子的声音和第二压电振子的声音的连接变好。
在上述一个方式中,也可以是,还具备:限制构件,其限制振动构件,从与振动构件的主面正交的方向观察,第一压电振子与限制构件之间的距离比第二压电振子与限制构件之间的距离长。在这种情况下,第一压电振子到限制构件的距离比较长,因此,能够在高音域进一步提高音质。第二压电振子到限制构件的距离较比较短,因此,能够在低音域进一步提高音质。因此,能够在宽的音域进一步提高音质。
在上述一个方式中,也可以是,从与振动构件的主面正交的方向观察,第一压电振子与主面的重心之间的距离比第二压电振子与重心之间的距离短。在这种情况下,第一压电振子能够在高音域可靠地提高音质。因此,能够在宽的音域可靠地提高音质。
发明效果
根据本发明的一个方式,提供一种音响装置,其能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图2是示出图1的音响装置的截面图。
图3是图1的压电振子的分解立体图。
图4是图1的压电振子的截面图。
图5是示出第二实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图6是示出第三实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图7是示出第四实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图8是示出第五实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图9是用于对振动构件的位移进行说明的图。
图10是示出第六实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图11是示出第七实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图12是示出第八实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图13是示出第九实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图14是示出第十实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图15是示出第十一实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图16是示出第十二实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图17是示出第十三实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
图18是示出第十四实施方式所涉及的音响装置的俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行详细说明。此外,说明中,对同一要素或具有同一功能的要素使用同一符号,并省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式所涉及的音响装置的俯视图。图2是示出图1的音响装置的截面图。如图1及图2所示,第一实施方式所涉及的音响装置1A具备限制构件2、振动构件3、一对压电振子P1、一对压电振子P2。压电振子P1和压电振子P2具有相互不同的固有振动频率。固有振动频率根据压电振子P1及压电振子P2的形状、材料、密度、结构、及应力等而变化。密度不仅根据材料发生变化,还根据制造方法发生变化。音响装置1A例如通过一对压电振子P1及一对压电振子P2使振动构件3振动,由此产生声音。音响装置1A例如用作扬声器或蜂音器。
限制构件2例如为长方形状的框体,限制振动构件3的外缘部。限制构件2限制外缘部的整周。在限制构件2的内缘部形成有接合外缘部的台阶部2a。长方形状包含例如各角被倒角的形状、及各角被倒圆的形状。
振动构件3例如为长方形状的板构件。振动构件3具有弯曲性。振动构件3例如由树脂、玻璃、或金属构成。振动构件3具有彼此相对的一对主面3a、3b。各主面3a、3b呈具有一对长边和一对短边的长方形状。主面3b的外缘部与限制构件2的台阶部2a接合。主面3b的外缘部在支承于台阶部2a的状态下被限制。振动构件3的外缘部具有包含各主面3a、3b的长边的一对长边部分3c和包含各主面3a、3b的短边的一对短边部分3d。
以下,将各主面3a、3b的长边方向设为第一方向D1,将短边方向设为第二方向D2,将相对方向设为第三方向D3。第三方向D3也为与各主面3a、3b正交的方向。振动构件3的长度(第一方向D1上的振动构件3的长度)例如为240mm。振动构件3的宽度(第二方向D2上的振动构件3的长度)例如为160mm。振动构件3的厚度(第三方向D3上的振动构件3的长度)例如为1.05mm。
图3是图1的压电振子P1的分解立体图。图4是图1的压电振子P1的截面图。如图3及图4所示,压电振子P1具有压电素体11和多个(在此为三个)外部电极13、14、15。压电振子P1例如为双压电晶片型(bimorph)的压电元件。
压电素体11呈长方体形状。长方体形状包含例如角部及棱线部被倒角的长方体的形状、以及角部及棱线部被倒圆的长方体的形状。压电素体11具有彼此相对的一对主面11a、11b和将一对主面11a、11b相互连接的四个侧面11c。一对主面11a、11b相对的方向与第三方向D3一致。
各主面11a、11b呈具有一对长边和一对短边的长方形状。即,压电振子P1(压电素体11)在俯视时呈具有一对长边和一对短边的长方形状。压电素体11的长度(主面11a的长边方向上的压电素体11的长度)例如为30mm。压电素体11的宽度(主面11a的短边方向上的压电素体11的长度)例如为15mm。压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.7mm。
压电素体11包含多个压电体层17a、17b、17c、17d。依次层叠有多个压电体层17a、17b、17c、17d。多个压电体层17a、17b、17c、17d的层叠方向与第三方向D3一致。压电体层17a具有主面11a。压电体层17d具有主面11b。压电体层17b、17c位于压电体层17a与压电体层17d之间。在本实施方式中,各压电体层17a、17b、17c、17d的厚度同等。同等包含制造误差的范围。
各压电体层17a、17b、17c、17d由压电材料构成。在本实施方式中,各压电体层17a、17b、17c、17d由压电陶瓷材料构成。压电陶瓷材料例如可使用PZT[Pb(Zr、Ti)O3]、PT(PbTiO3)、PLZT[(Pb、La)(Zr、Ti)O3]、或钛酸钡(BaTiO3)。各压电体层17a、17b、17c、17d例如由包含上述压电陶瓷材料的陶瓷生片的烧结体构成。在实际的压电素体11,各压电体层17a、17b、17c、17d被一体化为不能够识别各压电体层17a、17b、17c、17d之间的边界的程度。
各外部电极13、14、15配置于主面11a上。外部电极13、14、15在主面11a的一方的短边侧按外部电极13、外部电极14、外部电极15的顺序沿着该一方的短边排列。外部电极13和外部电极14在主面11a的短边方向上相邻。外部电极14和外部电极15在主面3a的短边方向上相邻。在主面11a的短边方向上,外部电极14和外部电极15之间的距离(最短距离)比外部电极13和外部电极14之间的距离(最短距离)长。从第三方向D3观察,各外部电极13、14、15从主面11a的全部的边缘(四边)分离。
从第三方向D3观察,各外部电极13、14呈长方形状。在本实施方式中,长方形状的各角被倒圆。从第三方向D3观察,外部电极15呈正方形状。正方形状例如包含各角被倒角的形状、以及各角被倒圆的形状。在本实施方式中,正方形状的各角被倒圆。各外部电极13、14、15由导电性材料构成。导电性材料例如可使用Ag、Pd、Pt、或Ag-Pd合金。各外部电极13、14、15例如作为包含上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。
压电振子P1具备配置于压电素体11内的多个内部电极21、22、23。各内部电极21、22、23由导电性材料构成。导电性材料例如可使用Ag、Pd、Pt、或Ag-Pd合金。各内部电极21、22、23例如作为包含上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。在本实施方式中,各内部电极21、22、23的外形形状呈长方形状。
各内部电极21、22、23在第三方向D3上配置于不同的位置(层)。内部电极21、22、23的各个在第三方向D3上相互具有间隔地相对。各内部电极21、22、23未露出于压电素体11的表面。即,各内部电极21、22、23未露出于各侧面11c。从第三方向D3观察,各内部电极21、22、23从主面11a、11b的全部的边缘(四边)分离。
内部电极21位于压电体层17a和压电体层17b之间。内部电极22位于压电体层17b和压电体层17c之间。内部电极23位于压电体层17c和压电体层17d之间。
外部电极13通过多个通孔导体43与内部电极21和多个连接导体33电连接。多个连接导体33分别位于与内部电极22、23相同的层。具体而言,各连接导体33位于形成于各内部电极22、23的开口内。从第三方向D3观察,各开口形成于与外部电极13相对应的位置。即,从第三方向D3观察,各连接导体33被各内部电极22、23包围。各连接导体33从各内部电极22、23分离。
各连接导体33在第三方向上D3与外部电极13相对,从第三方向D3观察,配置于与外部电极13重叠的位置。各连接导体33在第三方向D3上与内部电极21相对,从第三方向D3观察,配置于与内部电极21重叠的位置。多个通孔导体43分别位于外部电极13和内部电极21以及多个连接导体33之间,从第三方向D3观察,配置于与外部电极13重叠的位置。多个通孔导体43分别在第三方向D3上贯通对应的压电体层17a、17b、17c。
外部电极14通过多个通孔导体44与内部电极23和多个连接导体34电连接。多个连接导体34分别位于与内部电极21、22相同的层。具体而言,各连接导体34位于形成于各内部电极21、22的开口内。从第三方向D3观察,各开口形成于与外部电极14相对应的位置。即,从第三方向D3观察,各连接导体34被各内部电极21、22包围。各连接导体34从各内部电极21、22分离。位于与内部电极22相同的层的连接导体33和连接导体34在相同的开口内相邻配置,且相互分离。
各连接导体34在第三方向D3上与外部电极14相对,从第三方向D3观察,配置于与外部电极14重叠的位置。各连接导体34在第三方向D3上与内部电极23相对,从第三方向D3观察,配置于与内部电极23重叠的位置。多个通孔导体44分别位于外部电极14和内部电极23以及多个连接导体34之间,从第三方向D3观察,配置于与外部电极14重叠的位置。多个通孔导体44分别在第三方向D3上贯通对应的压电体层17a、17b、17c。
外部电极15通过多个通孔导体45与内部电极22和多个连接导体35电连接。多个连接导体35分别位于与内部电极21、23相同的层。具体而言、各连接导体35位于形成于各内部电极21、23的开口内。从第三方向D3观察,各开口形成于与外部电极15相对应的位置。即,从第三方向D3观察,各连接导体35的全部边缘被各内部电极21、23包围。从第三方向D3观察,各开口形成于与外部电极15相对应的位置。
各连接导体35在第三方向D3上与外部电极15相对,从第三方向D3观察,配置于与外部电极15重叠的位置。各连接导体35在第三方向D3上与内部电极22相对,从第三方向D3观察,配置于与内部电极22重叠的位置。多个通孔导体45分别位于外部电极15和内部电极22以及多个连接导体35之间,从第三方向D3观察,配置于与外部电极15重叠的位置。多个通孔导体45分别在第三方向D3上贯通对应的压电体层17a、17b、17c。
从第三方向D3观察,各连接导体33、34呈长方形状。在本实施方式中,长方形状的各角被倒圆。从第三方向D3观察,各连接导体35呈正方形状。在本实施方式中,正方形状的各角被倒圆。
连接导体33、34、35及通孔导体43、44、45由导电性材料构成。导电性材料例如可使用Ag、Pd、Pt、或Ag-Pd合金。连接导体33、34、35及通孔导体43、44、45例如作为包含上述导电性材料的导电性膏体的烧结体而构成。通孔导体43、44、45通过烧结填充在贯通孔的导电性膏而形成,贯通孔形成于用于形成对应的压电体层17a、17b、17c的陶瓷生片。
在压电素体11的主面11b没有配置与内部电极21、22、23电连接的导体。在本实施方式中,从第三方向D3观察主面11b时,主面11b的整体露出。主面11a、11b为自然面。自然面是指由通过烧成而生长的结晶颗粒的表面构成的面。
在压电素体11的各侧面11c也没有配置与内部电极21、22、23电连接的导体。在本实施方式中,从与第三方向D3交叉的方向观察各侧面11c时,各侧面11c的整体露出。在本实施方式中,各侧面11c也为自然面。
在压电体层17b,与外部电极13连接的内部电极21和与外部电极15连接的内部电极22夹着的区域构成压电活性的第一活性区域19。在多个压电体层17c,与外部电极14连接的内部电极23和与外部电极15连接的内部电极22夹着的区域构成压电活性的第二活性区域20。第一活性区域19和第二活性区域20配置于主面11a和主面11b之间。第二活性区域20配置于比第一活性区域19靠主面11b侧。第一活性区域19及第二活性区域20也可以由多个压电体层构成。
在本实施方式中,从第三方向D3观察,第一活性区域19及第二活性区域20以包围多个外部电极13、14、15的方式定位。第一活性区域19及第二活性区域20包含,从第三方向D3观察位于外部电极14和外部电极15之间的区域、以及从第三方向D3观察定位有外部电极13、14、15的区域的外侧的区域。
第一活性区域19及第二活性区域20例如在将外部电极15接地连接的状态下,通过向外部电极13及外部电极14施加极性互不相同的电压,在彼此相同的方向上被极化。第一活性区域19例如在从内部电极21朝向内部电极22的方向上被极化,第二活性区域20例如在从内部电极22朝向内部电极23的方向上被极化。在压电振子P1的驱动时,例如向外部电极13、14施加极性彼此相同的电压,向外部电极15施加极性与外部电极13、14互不相同的电压。由此,在第一活性区域19及第二活性区域20中的一方施加与极化方向相同方向(顺向)的电压而伸长,在另一方施加与极化方向相反方向(逆向)的电压而收缩。其结果,压电振子P1弯曲振动。
图1及图2所示的压电振子P2例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P2与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45。压电振子P2主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上与压电振子P1不同。压电振子P2的压电素体11的长度及宽度比压电振子P1的压电素体11的长度及宽度大。
压电振子P2的压电素体11的长度(主面11a的长边方向上的压电素体11的长度)例如为66mm。压电振子P2的压电素体11的宽度(主面11a的短边方向上的压电素体11的长度)例如为30mm。压电振子P2的压电素体11的厚度与压电振子P1的压电素体11的厚度同等。即,压电振子P2的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.7mm。压电振子P2的内部电极21、22、23具有与压电振子P2的压电素体11的形状相对应的形状。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P2和压电振子P1同等。
从第三方向D3观察,压电振子P1的最大长度L1比压电振子P2的最大长度L2短。在本实施方式中,压电振子P1的各主面11a、11b为长方形状,因此,最大长度L1为压电振子P1的各主面11a、11b的对角线的长度,例如为34mm。压电振子P2的各主面11a、11b也为长方形状,因此,最大长度L2为压电振子P2的各主面11a、11b的对角线的长度,例如为73mm。
一对压电振子P1及一对压电振子P2设置于振动构件3。各压电振子P1及各压电振子P2,例如通过主面11b通过接合构件(未图示)接合于主面3a,来固定于振动构件3。一对压电振子P1及一对压电振子P2相互分开配置。
从第三方向D3观察,一对压电振子P1分别设置于通过主面3a的重心G、与第二方向D2平行的直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P1以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P1以主面11a的长边方向与第一方向D1一致,主面11a的短边方向与第二方向D2一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P1在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P1的至少一部分配置于各短边部分3d。具体而言,主面11a的长边方向上的各压电振子P1的一端部配置于各短边部分3d。各压电振子P1从一对长边部分3c分开配置。
从第三方向D3观察,一对压电振子P2分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P2以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P2以主面11a的长边方向与第二方向D2一致,主面11a的短边方向与第一方向D1一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P2在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P2的至少一部分配置于一方的长边部分3c。具体而言,主面11a的长边方向上的各压电振子P2的一端部配置于一方的长边部分3c。各压电振子P2从另一方的长边部分3c及一对短边部分3d分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P2配置为比各压电振子P1更接近直线M。从第三方向D3观察,各压电振子P2配置为比各压电振子P1更接近重心G。从第三方向D3观察,压电振子P1和压电振子P2之间的距离(最短距离)比压电振子P2的最大长度L2短。
在各压电振子P1及各压电振子P2连接有配线构件4。配线构件4例如为柔性印刷基板(FPC)或柔性扁平电缆(FFC)。配线构件4的一端部配置于外部电极13、14、15上,与外部电极13、14、15连接。配线构件4例如具有与外部电极13、14连接的第一导体层(未图示)和与外部电极15连接的第二导体层(未图示)。外部电极13、14被第一导体层短路。
配线构件4向限制构件2侧引出。配线构件4的另一端部连接于控制音响装置1A的控制电路(未图示)。控制电路例如具备CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read OnlyMemory)、及RAM(Random Access Memory)。在这种情况下,控制电路将存储于ROM的程序载入RAM,通过由CPU执行来进行各种的处理。控制电路向压电振子P1及压电振子P2输入相同的驱动信号。即,压电振子P1及压电振子P2通过相同的驱动信号同步驱动。
如以上所说明,在音响装置1A中,压电振子P1的固有振动频率比压电振子P2的固有振动频率大。因此,压电振子P1与压电振子P2相比,能够在高音域(高频域)提高音质(声压),压电振子P2与压电振子P1相比,能够在低音域(低频域)提高音质。因此,音响装置1A能够实现小型化,并且在宽的音域(频域)提高音质。即,音响装置1A能够实现小型化,并且在全音域(全频域)使音质均匀化。
从第三方向D3观察,压电振子P1的最大长度L1比压电振子P2的最大长度L2短。因此,能够容易实现压电振子P1的固有振动频率比压电振子P2的固有振动频率大的结构。
为了在宽的音域提高音质,还考虑通过不同的驱动信号驱动压电振子P1及压电振子P2,但在该情况下,控制电路的结构复杂化。在音响装置1A中,压电振子P1及压电振子P2通过相同的驱动信号同步驱动,因此,能够抑制控制电路的结构复杂化,并且在宽的音域提高音质。
从第三方向D3观察,压电振子P1和压电振子P2之间的距离(最短距离)比压电振子P2的最大长度L2短。这样,由于压电振子P1和压电振子P2相互接近地配置,因此不易产生相位差。由此,压电振子P1的声音和压电振子P2的声音的连接变好。
(第二实施方式)
图5是示出第二实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图5所示,第二实施方式所涉及的音响装置1B在压电振子P2的配置不同这一点上,与音响装置1A不同,在其它点上,与音响装置1A一致。即,音响装置1B也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P2,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
各压电振子P2配置于比通过重心G、与第一方向D1平行的直线靠一方的长边部分3c侧。在各压电振子P2,主面11a的长边方向与第一方向D1不一致,以主面11a的长边方向上的压电振子P2的两端部中距限制构件2的距离(最短距离)远的端部比距限制构件2的距离(最短距离)近的端部接近直线M的方式,使主面11a的长边方向相对于第一方向D1倾斜。由此,在压电振子P2的距限制构件2的距离远的端部不易受到来自限制构件2的限制力的影响,能够向重心G附近有效地传播振动。因此,在音响装置1B中,能够使压电振子P2在低音域进一步提高音质。
(第三实施方式)
图6是示出第三实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图6所示,第三实施方式所涉及的音响装置1C主要在具备一对压电振子P3这一点上与音响装置1A不同。压电振子P3的固有振动频率比压电振子P2的固有振动频率大,且比压电振子P1的固有振动频率小。
压电振子P3例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P3与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45。压电振子P3主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上与压电振子P1不同。压电振子P3的压电素体11的各主面11a、11b呈正方形状。压电振子P3的各主面11a、11b的一边的长度例如为30mm。压电振子P3的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.5mm。
压电振子P3的内部电极21、22、23具有与压电振子P3的压电素体11的形状相对应的形状。压电振子P3的外部电极13、14、15在主面11a的一边侧沿着该一边排列。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P3和压电振子P1同等。
从第三方向D3观察,压电振子P3的最大长度L3比压电振子P1的最大长度L1长,且比压电振子P2的最大长度L2短。在本实施方式中,压电振子P3的各主面11a、11b为正方形状,因此,最大长度L3为压电振子P3的各主面11a、11b的对角线的长度,例如为42mm。
从第三方向D3观察,一对压电振子P3分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P3以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P3以主面11a的相互相邻的一对边中一边呈与第一方向D1平行,另一边与第二方向D2一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P1在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P1的至少一部分配置于一方的长边部分3c。具体而言,主面11a的第二方向D2的一端部配置于一方的长边部分3c。各压电振子P3从另一方的长边部分3c及一对短边部分3d分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P3比各压电振子P2更从直线M分开配置。从第三方向D3观察,各压电振子P3和直线M之间的距离(最短距离)比各压电振子P2和直线M之间的距离(最短距离)长。在压电振子P3,与压电振子P1及压电振子P2同样,连接有配线构件4。配线构件4在限制构件2侧引出。压电振子P3通过与压电振子P1及压电振子P2相同的驱动信号同步驱动。
音响装置1C还具备压电振子P3,其具有比压电振子P1的固有振动频率小,且比压电振子P2的固有振动频率大的固有振动频率。因此,压电振子P3能够在高音域和低音域的中间的音域提高音质。由此,能够实现小型化,并且在更宽的音域提高音质。
(第四实施方式)
图7是示出第四实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图6及图7所示,第四实施方式所涉及的音响装置1D在压电振子P2的数量及配置不同这一点上与音响装置1C不同,在其它点上,与音响装置1C一致。即,音响装置1D也具备固有振动频率不同的压电振子P1、压电振子P2及压电振子P3,因此,能够实现小型化,并且在更宽的音域提高音质。
音响装置1D具备单一的压电振子P2。从第三方向D3观察,压电振子P2以压电振子P2的主面11a的重心与直线M重叠的方式进行配置。即,从第三方向D3观察,压电振子P2通过直线M在主面11a的短边方向上被二等分,并且在直线M的左侧区域和右侧区域各配置一半。
在音响装置1D中,与音响装置1C相比,压电振子的数量少,因此,难以实现在低音域的音质的提高。但是,在低音域,难以体会直线M的左侧区域和右侧区域的差。因此,根据音响装置1D,能够不给予音质重大的影响,而使结构简单。因此,例如,能够实现省空间化。
(第五实施方式)
图8是示出第五实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图8所示,第五实施方式所涉及的音响装置1E在压电振子P1的配置不同这一点上与音响装置1A不同,在其它点上,与音响装置1A一致。即,音响装置1E也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P2,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在音响装置1E中,各压电振子P1以主面11a的长边方向与第二方向D2一致并且主面11a的短边方向与第一方向D1一致的方式进行配置。另外,各压电振子P1从长边部分3c及短边部分3d分开配置。从第三方向D3观察,压电振子P1和限制构件2之间的距离(最短距离)比压电振子P2和限制构件2之间的距离(最短距离)长。
图9是用于对振动构件的位移进行说明的图。图9中,由实线示出将压电振子P1配置于限制构件2的附近的情况下的振动构件3的位移,由虚线示出将压电振子P1配置于振动构件3的重心G的附近的情况下的振动构件3的位移。在任何情况下,施加于压电振子P1的驱动信号(电压)的大小均相同。因此,虽然压电振子P1的位移相同,但是根据压电振子P1的位置而在振动构件3的位移产生差。压电振子P1越接近限制构件2,则压电振子P1的一端越容易固定。其结果,在低音域位移增大,在高音域追随性变差。相反,压电振子P1越接近重心G,则在低音域位移越减少,在高音域追随性提高。此外,图9中,示出压电振子P1配置于主面3b(参照图2)的情况,但即使在压电振子P1配置于主面3a(参照图2)的情况下,也会根据压电振子P1的位置而在振动构件3的位移产生同样的差。
如上述,在音响装置1E中,各压电振子P1从长边部分3c及短边部分3d分开配置,从第三方向D3观察,压电振子P1和限制构件2之间的距离(最短距离)比压电振子P2和限制构件2之间的距离(最短距离)长。压电振子P1到限制构件2的距离比较长,因此,能够在高音域进一步提高音质。压电振子P2到限制构件2的距离比较短,因此,能够在低音域进一步提高音质。因此,能够在宽的音域进一步提高音质。
(第六实施方式)
图10是示出第六实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图10所示,第六实施方式所涉及的音响装置1F在压电振子P1及压电振子P2的配置不同这一点上与音响装置1A不同,在其它点上,与音响装置1A一致。即,音响装置1F也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P2,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在音响装置1F中,各压电振子P1从短边部分3d分离,各压电振子P2从长边部分3c分离。如图9中说明的那样,压电振子P1越接近重心G,则在低音域位移减少,在高音域追随性提高。同样,压电振子P2越接近重心G,则在低音域位移减少,在高音域追随性提高。因此,根据音响装置1F,与音响装置1E相比,能够在高音域进一步提高音质。
(第七实施方式)
图11是示出第七实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图10所示,第七实施方式所涉及的音响装置1G在具备一对压电振子P4来代替一对压电振子P1这一点以及压电振子P2的数量和配置不同这一点上,与音响装置1A不同,在其它点上,与音响装置1A一致。压电振子P4的固有振动频率比压电振子P1的固有振动频率大。
压电振子P4例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P4与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、以及通孔导体43、44、45。压电振子P4主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上与压电振子P1不同。压电振子P4的压电素体11的各主面11a、11b呈椭圆形状。压电振子P4的各主面11a、11b的长轴的长度例如为30mm,短轴的长度例如为15mm。压电振子P4的压电素体11的厚度与压电振子P1的压电素体11的厚度同等。即,压电振子P4的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.7mm。
压电振子P4的内部电极21、22、23具有与压电振子P4的压电素体11的形状相对应的形状。压电振子P4的外部电极13、14、15配置于主面11a的短轴方向的一端部侧,沿着主面11a的长轴方向排列。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P4和压电振子P1为同等。
从第三方向D3观察,压电振子P4的最大长度L4比压电振子P1的最大长度L1短。在本实施方式中,压电振子P4的各主面11a、11b为椭圆形状,因此,最大长度L4为压电振子P4的各主面11a、11b的长轴的长度。
从第三方向D3观察,一对压电振子P4分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P4以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P4以主面11a的长轴方向与第一方向D1一致,主面11a的短轴方向与第二方向D2一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P4在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P4的至少一部分配置于短边部分3d。具体而言,主面11a的长轴方向的一端部配置于短边部分3d。各压电振子P4从一对长边部分3c分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P4比压电振子P2更从直线M分开配置。在压电振子P4与压电振子P2同样地连接有配线构件4。压电振子P4通过与压电振子P2相同的驱动信号同步驱动。
音响装置1G具备单一的压电振子P2。从第三方向D3观察,压电振子P2以压电振子P2的主面11a的重心与直线M重叠的方式进行配置。即,从第三方向D3观察,压电振子P2通过直线M在主面11a的短边方向上被二等分,从第三方向D3观察,在直线M的左侧区域和右侧区域各配置一半。
音响装置1G也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P4,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。另外,在音响装置1G中,与音响装置1A相比,压电振子P2的数量少,因此,难以实现在低音域的音质的提高。但是,在低音域难以体会直线M的左侧区域和右侧区域的差。因此,根据音响装置1G,能够不给予音质重大的影响,而使结构简单。因此,例如,也能够实现省空间化。
(第八实施方式)
图12是示出第八实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图1及图12所示,第八实施方式所涉及的音响装置1H在具备一对压电振子P3来代替一对压电振子P2这一点上与音响装置1A不同,在其它点上,与音响装置1A一致。即,音响装置1H也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P3,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
从第三方向D3观察,一对压电振子P3分别配置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P3,以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P3以主面11a的相互相邻的一对边中一边呈与第一方向D1平行,另一边与第二方向D2一致的方式,进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P1在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P1的至少一部分配置于一方的长边部分3c。具体而言,主面11a的第二方向D2的一端部配置于一方的长边部分3c。各压电振子P3从另一方的长边部分3c及一对短边部分3d分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P3配置于比各压电振子P1靠近直线M的附近。从第三方向D3观察,各压电振子P3和直线M之间的距离(最短距离)比各压电振子P1和直线M之间的距离(最短距离)短。在压电振子P3连接有配线构件4。配线构件4向限制构件2侧引出。压电振子P3通过与压电振子P1相同的驱动信号同步驱动。
音响装置1H具备压电振子P3,其具有比压电振子P2的固有振动频率大的固有振动频率。因此,音响装置1H与音响装置1A相比,能够提高高音域的音质。
在音响装置1H中,从第三方向D3观察,压电振子P1和压电振子P3之间的距离(最短距离)比压电振子P3的最大长度L3长。如上所述,压电振子P1和压电振子P3没有相互接近地配置,因此,能够将压电振子P1的声音和压电振子P3的声音设为分别独立的声音。
(第九实施方式)
图13是示出第九实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图12及图13所示,第九实施方式所涉及的音响装置1I在具备一对压电振子P5代替一对压电振子P3这一点以及压电振子P1的配置不同这一点上,与音响装置1H不同,在其它点上,与音响装置1H一致。压电振子P5的固有振动频率比压电振子P3及压电振子P1的固有振动频率大。
压电振子P5例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P5与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45。压电振子P5主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上,与压电振子P1不同。压电振子P5的压电素体11的各主面11a、11b呈圆形状。压电振子P5的各主面11a、11b的直径例如为30mm。压电振子P5的压电素体11的厚度与压电振子P1的压电素体11的厚度同等。即,压电振子P5的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.7mm。
压电振子P5的内部电极21、22、23具有与压电振子P5的压电素体11的形状相对应的形状。压电振子P5的外部电极13、14、15从主面11a的中心偏离地配置。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P5和压电振子P1为同等。
从第三方向D3观察,压电振子P5的最大长度L5比压电振子P1的最大长度L1长,且比压电振子P2的最大长度L2短。在本实施方式中,压电振子P5的各主面11a、11b为圆形状,因此,最大长度L5为压电振子P5的各主面11a、11b的直径。
从第三方向D3观察,一对压电振子P5分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P5以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P5在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P5从一方的长边部分3c及一对短边部分3d分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P5配置于比各压电振子P1靠近直线M的附近。从第三方向D3观察,各压电振子P5和直线M之间的距离(最短距离)比各压电振子P1和直线M之间的距离(最短距离)短。在压电振子P5与压电振子P1同样地连接有配线构件4。压电振子P5通过与压电振子P1相同的驱动信号同步驱动。从第三方向D3观察,各压电振子P1配置于主面3a的角部,即,长边部分3c和短边部分3d的交点。
音响装置1I也具备固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P5,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。根据音响装置1I,与音响装置1H相比,能够在高音域提高音质。
(第十实施方式)
图14是示出第十实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图13及图14所示,第十实施方式所涉及的音响装置1J在具备一对压电振子P6来代替一对压电振子P1这一点上与音响装置1I不同,在其它点上,与音响装置1I一致。压电振子P6的固有振动频率比压电振子P1及压电振子P5的固有振动频率大。
压电振子P6例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P6与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45。压电振子P6主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上与压电振子P1不同。压电振子P6的压电素体11的各主面11a、11b呈圆形状。压电振子P6的各主面11a、11b的直径例如为20mm。压电振子P6的各主面11a、11b和压电振子P5的各主面11a、11b相似。压电振子P6的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.5mm。
压电振子P6的内部电极21、22、23具有与压电振子P6的压电素体11的形状相对应的形状。压电振子P6的外部电极13、14、15从主面11a的中心偏离地配置。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P6和压电振子P1为同等。
从第三方向D3观察,压电振子P6的最大长度L6比压电振子P5的最大长度L5短。在本实施方式中,压电振子P6的各主面11a、11b为圆形状,因此,最大长度L6为压电振子P6的各主面11a、11b的直径。
从第三方向D3观察,一对压电振子P6分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P6以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P6在第一方向D1上相互分开配置。从第三方向D3观察,各压电振子P6配置于主面3a的角部,即,一方的长边部分3c和一对短边部分3d的各交点。
从第三方向D3观察,各压电振子P6比各压电振子P5更从直线M分开配置。从第三方向D3观察,各压电振子P6和直线M之间的距离(最短距离)比各压电振子P5和直线M之间的距离(最短距离)长。在压电振子P6与压电振子P5同样地连接有配线构件4。压电振子P6通过与压电振子P5相同的驱动信号同步驱动。
音响装置1J也具备固有振动频率不同的压电振子P5及压电振子P6,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。根据音响装置1J,与音响装置1I相比,能够在高音域提高音质。
(第十一实施方式)
图15是示出第十一实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图12及图15所示,第十一实施方式所涉及的音响装置1K在具备一对压电振子P7来代替一对压电振子P3这一点以及具备一对压电振子P8来代替一对压电振子P1这一点上,与音响装置1H不同,在其它点上,与音响装置1H一致。压电振子P7的固有振动频率比压电振子P8的固有振动频率大。即,音响装置1K也具备固有振动频率不同的压电振子P7及压电振子P8,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。压电振子P7的固有振动频率比压电振子P3的固有振动频率大。压电振子P8的固有振动频率比压电振子P1的固有振动频率大。
压电振子P7、P8例如为双压电晶片型的压电元件。虽然省略图示,但压电振子P7、P8与压电振子P1同样,具备如图3及图4所示的压电素体11、外部电极13、14、15、内部电极21、22、23、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45。压电振子P7、P8主要在从第三方向D3观察的压电素体11及内部电极21、22、23的形状这一点上,与压电振子P1不同。压电振子P7、P8的压电素体11的各主面11a、11b呈椭圆形状。
压电振子P7的压电素体11的各主面11a、11b与压电振子P8的压电素体11的各主面11a、11b相似。压电振子P8的压电素体11的各主面11a、11b为与压电振子P4(参照图12)的压电素体11的各主面11a、11b相同的形状。压电振子P7的各主面11a、11b的长轴的长度例如为20mm,短轴的长度例如为10mm。压电振子P8的各主面11a、11b的长轴的长度例如为30mm,短轴的长度例如为15mm。压电振子P7、P8的压电素体11的厚度(第三方向D3上的压电素体11的长度)例如为0.5mm。
压电振子P7、P8的内部电极21、22、23具有与压电振子P7、P8的压电素体11的形状相对应的形状。压电振子P7的外部电极13、14、15配置于主面11a的短轴方向的一端部侧,沿着主面11a的长轴方向排列。压电振子P8的外部电极13、14、15配置于主面11a的长轴方向的一端部侧,沿着主面11a的短轴方向排列。外部电极13、14、15、连接导体33、34、35、及通孔导体43、44、45的形状、及它们的相对的位置关系在压电振子P7、P8和压电振子P1为同等。
从第三方向D3观察,压电振子P7的最大长度L7比压电振子P8的最大长度L8短。在本实施方式中,压电振子P7、P8的各主面11a、11b为椭圆形状,因此,最大长度L7、L8为压电振子P7、P8的各主面11a、11b的长轴的长度。最大长度L8与最大长度L4(参照图12)一致。
从第三方向D3观察,一对压电振子P7分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P7以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P7以主面11a的长轴方向与第一方向D1一致,主面11a的短轴方向与第二方向D2一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P7在第一方向D1上相互分开配置。从第三方向D3观察,各压电振子P7配置于主面3a的角部,即,长边部分3c和短边部分3d的交点。
从第三方向D3观察,一对压电振子P8分别设置于直线M的左侧区域和右侧区域。从第三方向D3观察,一对压电振子P8以相对于直线M为轴对称的方式进行配置。各压电振子P8以主面11a的长轴方向与第一方向D1一致,主面11a的短轴方向与第二方向D2一致的方式进行配置。从第三方向D3观察,一对压电振子P8在第一方向D1上相互分开配置。各压电振子P8的至少一部分配置于短边部分3d。具体而言,主面11a的长轴方向的一端部配置于短边部分3d。各压电振子P8从一对长边部分3c分开配置。
从第三方向D3观察,各压电振子P7及各压电振子P8沿着各短边部分3d并排配置。在压电振子P7、P8上连接有配线构件4。压电振子P7、P8通过相同的驱动信号同步驱动。
如上述,音响装置1K具备:压电振子P8,其具有比压电振子P1的固有振动频率大的固有振动频率;以及压电振子P7,其具有比压电振子P3的固有振动频率大的固有振动频率。因此,音响装置1K,与音响装置1H相比,能够提高高音域的音质。
(第十二实施方式)
图16是示出第十二实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图15及图16所示,第十二实施方式所涉及的音响装置1L在压电振子P8的配置不同这一点上,与音响装置1H不同,在其它点上,与音响装置1H一致。即,音响装置1L也具备固有振动频率不同的压电振子P7及压电振子P8,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在音响装置1L中,各压电振子P8以主面11a的长轴方向与第二方向D2一致,主面11a的短轴方向与第一方向D1一致的方式进行配置。各压电振子P8的至少一部分配置于一方的长边部分3c。具体而言,主面11a的长轴方向的一端部配置于一方的长边部分3c。各压电振子P8从一对短边部分3d分开配置。各压电振子P8沿着一方的长边部分3c与各压电振子P7并排地配置。各压电振子P8配置于比各压电振子P7靠近直线M的附近。
从第三方向D3观察,压电振子P7和压电振子P8之间的距离(最短距离)比压电振子P8的最大长度L8短。如上所述,压电振子P7和压电振子P8相互接近地配置,因此,难以产生相位差。由此,压电振子P7的声音和压电振子P8的声音的连接变好。
(第十三实施方式)
图17是示出第十二实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图15及图17所示,第十二实施方式所涉及的音响装置1M在压电振子P8的配置不同这一点上,与音响装置1J不同,在其它点上,与音响装置1J一致。即,音响装置1M也具备固有振动频率不同的压电振子P7及压电振子P8,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在音响装置1M中,各压电振子P8以主面11a的长轴方向与第一方向D1一致,主面11a的短轴方向与第二方向D2一致的方式进行配置。各压电振子P8从长边部分3c及短边部分3d分开配置。各压电振子P8配置于重心G的附近。从第三方向D3观察,压电振子P8和限制构件2之间的距离(最短距离)比压电振子P7和限制构件2之间的距离(最短距离)长。
如图9中说明的那样,压电振子P1越接近重心G,则在低音域位移减少,在高音域追随性提高。同样,压电振子P8越接近重心G,则在低音域位移减少,在高音域追随性提高。因此,根据音响装置1M,与音响装置1J相比,能够在高音域进一步提高音质。
(第十四实施方式)
图18是示出第十四实施方式所涉及的音响装置的俯视图。如图8及图18所示,第十四实施方式所涉及的音响装置1N在压电振子P1及压电振子P2的配置不同这一点上,与音响装置1E不同,在其它点上,与音响装置1E一致。即,音响装置1N也具有固有振动频率不同的压电振子P1及压电振子P2,因此,能够实现小型化,并且在宽的音域提高音质。
在音响装置1E中,各压电振子P1比各压电振子P2更从直线M分开配置,相对于此,在音响装置1N中,各压电振子P1配置于比各压电振子P2靠近直线M的附近。各压电振子P1配置于比各压电振子P2靠近重心G的附近。从第三方向D3观察,压电振子P1和重心G之间的距离(最短距离)比压电振子P2和重心G之间的距离(最短距离)短。如图9中说明的那样,压电振子P1越靠近重心G,则在低音域位移减少,在高音域追随性提高。因此,在音响装置1N中,压电振子P1能够在高音域可靠地提高音质。因此,音响装置1N能够在宽的音域可靠地提高音质。
本发明未必限定于上述的实施方式,在不脱离其宗旨的范围内能够进行各种变更。
例如,压电振子P1~压电振子P8也可以不配置于主面3a,而配置于主面3b。
符号说明
1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J、1K、1L、1M、1N……音响装置、2……限制构件、3……振动构件、3a……主面、P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8……压电振子、G……重心。

Claims (7)

1.一种音响装置,其中,
具备:
振动构件;以及
第一压电振子和第二压电振子,其设置于所述振动构件,
所述第一压电振子的固有振动频率比所述第二压电振子的固有振动频率大。
2.根据权利要求1所述的音响装置,其中,
从与所述振动构件的主面正交的方向观察,所述第一压电振子的最大长度比所述第二压电振子的最大长度短。
3.根据权利要求1或2所述的音响装置,其中,
所述第一压电振子和所述第二压电振子通过相同的驱动信号同步驱动。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的音响装置,其中,
从与所述振动构件的主面正交的方向观察,所述第一压电振子与所述第二压电振子之间的距离比所述第二压电振子的最大长度长。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的音响装置,其中,
从与所述振动构件的主面正交的方向观察,所述第一压电振子与所述第二压电振子之间的距离比所述第二压电振子的最大长度短。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的音响装置,其中,
还具备:限制构件,其限制所述振动构件,
从与所述振动构件的主面正交的方向观察,所述第一压电振子与所述限制构件之间的距离比所述第二压电振子与所述限制构件之间的距离长。
7.根据权利要求6所述的音响装置,其中,
从与所述振动构件的主面正交的方向观察,所述第一压电振子与所述主面的重心之间的距离比所述第二压电振子与所述重心之间的距离短。
CN202080008773.8A 2019-01-21 2020-01-20 音响装置 Pending CN113287326A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-007977 2019-01-21
JP2019007977A JP7361473B2 (ja) 2019-01-21 2019-01-21 音響装置
PCT/JP2020/001689 WO2020153290A1 (ja) 2019-01-21 2020-01-20 音響装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113287326A true CN113287326A (zh) 2021-08-20

Family

ID=71735482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080008773.8A Pending CN113287326A (zh) 2019-01-21 2020-01-20 音响装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220070575A1 (zh)
JP (1) JP7361473B2 (zh)
CN (1) CN113287326A (zh)
WO (1) WO2020153290A1 (zh)

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107726A (en) * 1978-02-10 1979-08-23 Matsushima Kogyo Kk Speaker
JPS61205100A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Murata Mfg Co Ltd 圧電発音体
JPS6361920A (ja) * 1986-09-03 1988-03-18 Komatsu Ltd 音響振動解析装置およびその製造方法
CN1184937A (zh) * 1996-11-26 1998-06-17 日本碍子株式会社 振子、振动型回转仪及振子的调整方法
US5796854A (en) * 1997-03-04 1998-08-18 Compaq Computer Corp. Thin film speaker apparatus for use in a thin film video monitor device
CN1197199A (zh) * 1997-04-21 1998-10-28 松下电器产业株式会社 超声波发送机与接收机
JP2001133322A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Toshiba Tec Corp 周波数分解センサ
CN201278583Y (zh) * 2008-10-16 2009-07-22 王广林 共振发声体
WO2010106736A1 (ja) * 2009-03-16 2010-09-23 日本電気株式会社 圧電音響素子、電子機器及び圧電音響素子の製造方法
JP2012216903A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nec Casio Mobile Communications Ltd 発振装置及び電子機器
CN102959991A (zh) * 2010-07-23 2013-03-06 日本电气株式会社 振荡器
US20130257552A1 (en) * 2010-12-20 2013-10-03 Yasuharu Onishi Oscillator device and electronic instrument
CN103444205A (zh) * 2011-06-29 2013-12-11 京瓷株式会社 声发生器及使用了该声发生器的声发生装置
WO2014024736A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 京セラ株式会社 音響発生器、音響発生装置および電子機器
CN103703794A (zh) * 2011-08-03 2014-04-02 株式会社村田制作所 超声波换能器
CN104756515A (zh) * 2012-12-28 2015-07-01 京瓷株式会社 音响产生器以及使用该音响产生器的电子设备
JP2017183867A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波アレイ、超音波モジュール、超音波測定装置、及び電子機器
KR20190000462A (ko) * 2017-06-23 2019-01-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884048B2 (ja) * 2010-12-02 2016-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 圧電スピーカおよび圧電スピーカアレイ
JP5726375B2 (ja) * 2012-08-10 2015-05-27 京セラ株式会社 音響発生器、音響発生装置および電子機器
US9942640B2 (en) * 2013-05-15 2018-04-10 Sony Corporation Sound output apparatus, sound output method and image display apparatus
JP2015177422A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 京セラ株式会社 音響発生器、音響発生装置、電子機器および携帯端末
JP2017118424A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 京セラ株式会社 音響発生器、音響発生装置および電子機器
KR20200114914A (ko) * 2019-03-29 2020-10-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 진동 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107726A (en) * 1978-02-10 1979-08-23 Matsushima Kogyo Kk Speaker
JPS61205100A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Murata Mfg Co Ltd 圧電発音体
JPS6361920A (ja) * 1986-09-03 1988-03-18 Komatsu Ltd 音響振動解析装置およびその製造方法
CN1184937A (zh) * 1996-11-26 1998-06-17 日本碍子株式会社 振子、振动型回转仪及振子的调整方法
US5796854A (en) * 1997-03-04 1998-08-18 Compaq Computer Corp. Thin film speaker apparatus for use in a thin film video monitor device
CN1197199A (zh) * 1997-04-21 1998-10-28 松下电器产业株式会社 超声波发送机与接收机
JP2001133322A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Toshiba Tec Corp 周波数分解センサ
CN201278583Y (zh) * 2008-10-16 2009-07-22 王广林 共振发声体
WO2010106736A1 (ja) * 2009-03-16 2010-09-23 日本電気株式会社 圧電音響素子、電子機器及び圧電音響素子の製造方法
CN102959991A (zh) * 2010-07-23 2013-03-06 日本电气株式会社 振荡器
US20130257552A1 (en) * 2010-12-20 2013-10-03 Yasuharu Onishi Oscillator device and electronic instrument
JP2012216903A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nec Casio Mobile Communications Ltd 発振装置及び電子機器
CN103444205A (zh) * 2011-06-29 2013-12-11 京瓷株式会社 声发生器及使用了该声发生器的声发生装置
CN103703794A (zh) * 2011-08-03 2014-04-02 株式会社村田制作所 超声波换能器
WO2014024736A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 京セラ株式会社 音響発生器、音響発生装置および電子機器
CN104756515A (zh) * 2012-12-28 2015-07-01 京瓷株式会社 音响产生器以及使用该音响产生器的电子设备
JP2017183867A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波アレイ、超音波モジュール、超音波測定装置、及び電子機器
KR20190000462A (ko) * 2017-06-23 2019-01-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020120196A (ja) 2020-08-06
US20220070575A1 (en) 2022-03-03
WO2020153290A1 (ja) 2020-07-30
JP7361473B2 (ja) 2023-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11108340B2 (en) Piezoelectric actuator having separate frictional portions
JP7361473B2 (ja) 音響装置
JP7354575B2 (ja) 圧電素子、振動デバイス及び電子機器
JP6880975B2 (ja) 圧電アクチュエータ
WO2020100828A1 (ja) 振動デバイス及び電子機器
CN111630777B (zh) 振动器件
JP7151517B2 (ja) 音響装置及び電子機器
JP7294006B2 (ja) 振動デバイス
JP7003741B2 (ja) 振動デバイス及び圧電素子
JP7367494B2 (ja) 固定具及び振動デバイス
JP2022181587A (ja) 振動デバイス
JP7415400B2 (ja) 音響デバイス及びスピーカ装置
JP2022184499A (ja) 音響デバイス
JP7200796B2 (ja) 圧電素子
JP7455533B2 (ja) 音響デバイス
JP7279487B2 (ja) 圧電素子、振動デバイス及び電子機器
JP2022115339A (ja) 振動デバイス
JP7276019B2 (ja) 振動デバイス
WO2020100824A1 (ja) 振動デバイス、電子機器、及び、振動デバイスの駆動方法
JP2022184332A (ja) 振動デバイス
JP7425964B2 (ja) 圧電素子
JP6965742B2 (ja) 圧電素子
WO2020100825A1 (ja) 振動デバイス及び電子機器
JP2022186216A (ja) 音響デバイス
JP2022172901A (ja) 音響デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination