CN113272931A - X射线产生管、x射线产生装置及x射线成像装置 - Google Patents
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Abstract
X射线产生管具备:绝缘管,具有第1开口端及第2开口端;阴极,包括电子发射源,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第1开口端;阳极,包括通过与来自所述电子发射源的电子碰撞而产生X射线的靶,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第2开口端;以及管状导电构件,在所述绝缘管的内部空间中从所述阳极延伸。所述绝缘管在远离所述第1开口端并且远离所述第2开口端的位置处包括管状肋。所述管状肋当从所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部观看时被配置于径向方向。
Description
技术领域
本发明涉及X射线产生管、X射线产生装置及X射线成像装置。
背景技术
在专利文献1中,记载了具有绝缘管、阴极、阳极和内部阳极层的X射线产生管。绝缘管、阴极及阳极构成了限定内部空间的管壳,内部阳极层以沿着绝缘管的内表面的方式从阳极延伸。内部阳极层电连接到阳极,并且抑制绝缘管的带电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-103451号公报
发明内容
发明要解决的问题
为了使X射线产生管变轻,期望使绝缘管变薄。然而,薄的绝缘管可能使绝缘管或X射线产生管的强度变弱。此外,薄的绝缘管可能使绝缘管的耐电压降低,在电场强度容易变强的内部阳极层的顶端部(阴极侧的端部),在贯通绝缘管的方向上发生放电,可能通过因此而形成的贯通孔而发生泄漏。
本发明的目的在于提供一种有利于在抑制贯通绝缘管的放电并且确保绝缘管的强度的同时使X射线产生管变轻的技术。
解决问题的手段
根据本发明的第1方面,提供了一种X射线产生管,所述X射线产生管具备:绝缘管,具有第1开口端及第2开口端;阴极,包括电子发射源,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第1开口端;阳极,包括在与来自所述电子发射源的电子碰撞时产生X射线的靶,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第2开口端;以及管状导电构件,在所述绝缘管的内部空间中从所述阳极延伸;其中,所述绝缘管在与所述第1开口端相间隔且与所述第2开口端相间隔的位置处包括管状肋,所述管状肋当从所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部观看时被配置于径向方向。
根据本发明的第2方面,提供了一种X射线产生管,所述X射线产生管具备:绝缘管,具有第1开口端及第2开口端;阴极,包括电子发射源,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第1开口端;阳极,包括在与来自所述电子发射源的电子碰撞时产生X射线的靶,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第2开口端;管状导电构件,在所述绝缘管的内部空间中从所述阳极延伸;以及遮盖构件,被配置为遮盖所述绝缘管的外侧,具有比所述绝缘管的薄层(sheet)电阻值小的薄层电阻值,并且被配置为接收电位;其中,所述绝缘管包括当从所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部观看时被配置于径向方向的管状肋。
根据本发明的第3方面,提供了一种X射线产生装置,所述X射线产生装置具备:根据所述第1或第2方面的X射线产生管,以及被配置为驱动所述X射线产生管的驱动电路。
根据本发明的第4方面,提供了一种根据所述第3方面的X射线产生装置,以及一种被配置为对在从所述X射线产生装置放射之后透过物体的X射线进行检测的X射线检测装置。
发明的效果
本发明提供了一种有利于在抑制贯通绝缘管的放电并且确保绝缘管的强度的同时使X射线产生管变轻的技术。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的第1实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图2是示意性地示出根据本发明的第2实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图3是示意性地示出根据本发明的第3实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图4是示意性地示出根据本发明的第4实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图5是示意性地示出根据本发明的第5实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图6是示意性地示出根据本发明的第6实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图7是示意性地示出根据本发明的第7实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图8是示意性地示出根据本发明的第8实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图9是示意性地示出根据本发明的第9实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图10是例示性地说明书管状肋及管状导电构件的设计方法的图;
图11是例示性地说明书管状肋及管状导电构件的设计方法的图;
图12是示意性地示出根据本发明的第10实施方式的X射线产生管的配置的剖面图;
图13是示出显示X射线产生管中的电位的模拟结果的图;
图14是示出显示X射线产生管中的电位的模拟结果的图;
图15是例示根据本发明的实施方式的X射线产生装置的配置的框图;并且
图16是例示根据本发明的实施方式的X射线检测装置的配置的框图。
具体实施方式
以下,参照附图详细说明实施方式。注意,以下的实施方式不限制本发明的权利要求,并且在实施方式中说明的特征的所有组合并非都是本发明所必须的。在实施方式中说明的两个或更多特征也可以被任意组合。此外,相同的附图标记表示相同或相似的部分,其重复说明将被省略。
图1示意性地示出根据本发明的第1实施方式的X射线产生管1的配置。根据第1实施方式的X射线产生管1可以包括绝缘管10、阴极20、阳极30以及管状导电构件50。绝缘管10具有第1开口端OP1及第2开口端OP2。绝缘管10由绝缘材料(例如,陶瓷或玻璃)构成,并且具有在轴方向AD上延伸的管形状。管形状是在与轴方向AD正交的剖面上构成封闭图形的形状,例如是圆筒形状。管形状的概念可以包括在轴方向AD上的彼此不同的位置处截面积彼此不同的形状。
阴极20被配置为关闭绝缘管10的第1开口端OP1。阴极20包括被配置为发射电子的电子发射源22。电子发射源22例如可以包括丝极(filament)以及被配置为使从丝极发射的电子聚焦的聚焦电极等。例如,可以对阴极20施加以阳极30为基准的-100kV的电位。
阳极30被配置为关闭绝缘管10的第2开口端OP2。阳极30可以包括靶34、对靶34进行保持的靶保持板33以及对靶保持板33进行保持的电极32。电极32与靶34电连接,并且对靶34施加电位。来自电子发射源22的电子与靶34碰撞并且靶34产生X射线。产生的X射线透过靶保持板33而放射到X射线产生管1的外部。阳极30例如可以维持在接地电位,但也可以维持在其他电位。靶34可以由熔点高并且X射线产生效率高的材料(诸如钨、钽或钼)形成。靶保持板33例如可以由透射X射线的材料(诸如铍或钻石)形成。
管状导电构件50被配置为在绝缘管10的内部空间中从阳极30延伸。管状导电构件50具有在轴方向AD上延伸的管形状。管状导电构件50电连接到阳极30。管状导电构件50与阴极20相间隔。管状导电构件50可以被配置为将从电子发射源22发射的电子的轨道(电子发射源22与靶34之间的路径)的至少一部分包围。管状导电构件50可以作用为减少绝缘管10的带电对从电子发射源22发射的电子的轨道造成的影响。管状导电构件50例如可以被配置为与绝缘管10的内侧表面接触,但也可以被配置为与绝缘管10的内侧表面相间隔。管状导电构件50可以与阳极30一体地构成,但也可以与阳极30分别地构成,也可以耦合或固定到阳极30。管状导电构件50例如可以是通过诸如CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)、PVD(Physical Vapor Deposition,物体气相沉积)的气相沉积、镀层、涂布等在绝缘管10的内侧表面上形成的膜。可替代地,管状导电构件50可以在与绝缘管10分别地形成之后插入到绝缘管10中。
绝缘管10可以在与第1开口端OP1相间隔且与第2开口端OP2相间隔的位置处包括管状肋12。绝缘管10的配置有管状肋12的部分的厚度比绝缘管10的其他部分的厚度大。管状肋12提高了绝缘管10的强度。因此,设置管状肋12有利于减小绝缘管10的除了设置有管状肋12的部分以外的部分的厚度。这可以有助于X射线产生管1的变轻。管状肋12可以被配置为面向绝缘管10的内部空间。
管状肋12当从管状导电构件50的在阴极20侧的端部52观看时可以被配置于径向方向RD。管状导电构件50的端部52是电场强度容易变高的部分。因此,为了抑制在贯通绝缘管10的方向上的放电,在端部52的径向方向RD上设置管状肋12是有效的。即,管状肋12有利于实现贯通绝缘管10的放电的抑制和绝缘管10的强度的确保这二者。例如,管状导电构件50的在阴极20侧的端部52可以位于包括管状肋12的在阴极20侧的端面的第1虚拟平面VPL1与包括管状肋12的在阳极30侧的端面的第2虚拟平面VPL2之间。如后所述,对于耐电压的提高而言,第1虚拟平面VPL1与管状导电构件50的在阴极20侧的端面51优选地相互间隔开。
图13示出显示X射线产生管中的电位的模拟结果。电场强度在等势线之间的间隔小的部分强。如由符号A所表示的,管状导电构件50的端部的电场强度强,并且在该部分容易发生贯通绝缘管10的放电。为了抑制放电,在该部分设置管状肋12而使绝缘管10变厚是有效的。
图2示意性地示出根据本发明的第2实施方式的X射线产生管1的配置。在第2实施方式中未提及的事项可以遵照第1实施方式。根据第2实施方式的X射线产生管1与根据第1实施方式的X射线产生管1的不同之处在于其包括被配置为遮盖绝缘管10的外侧并且接收电位的遮盖构件40。遮盖构件40可以被配置为电连接到阴极20及阳极30。遮盖构件40例如能够以与阴极20及阳极30接触的方式遮盖阴极20、绝缘管10以及阳极30。遮盖构件40的薄层电阻值比绝缘管10的薄层电阻值小。
例如,假设绝缘管10在100℃下的比电阻为等于或大于1×10Ωm并且等于或小于1×1015Ωm,绝缘管10在100℃下的薄层电阻值为Rs1,并且遮盖构件40在100℃下的薄层电阻值为Rs2。在该情况下,Rs2/Rs1优选为等于或大于1×10-5并且等于或小于1×10-1。遮盖构件40例如可以由诸如科伐(Kovar)玻璃、釉料或熔块(frit)玻璃的玻璃质材料或者金属氧化膜形成。
由遮盖构件40遮盖绝缘管10例如有利于在绝缘管10的外侧形成平滑的面并且抑制污物进入构成绝缘管10的粒子之间。这可以提高绝缘管10的外表面上的沿面(creepage)耐电压。遮盖构件40具有低的导电性,即使在绝缘管10的外表面引起带电,仍可以在产生高电位差之前使电荷移动。可以抑制可能使绝缘管10受损伤的放电的产生。
然而,如图14所示,利用遮盖构件40遮盖绝缘管10可能提高管状导电构件50的端部的电场强度。图14示出显示利用遮盖构件40遮盖绝缘管10的X射线产生管中的电位的模拟结果。通过设置遮盖构件40,遮盖构件40的表面上的电场强度(等势线之间的间隔)被均匀化。然而,如由符号A所表示的,这还在管状导电构件50的端部的附近提高了管状导电构件50的端部的电场强度。
为了抑制在贯通绝缘管10的方向上的放电,在设置有遮盖构件40的配置中,在端部52的径向方向RD上设置管状肋12是非常有效的。
图3示意性地示出根据本发明的第3实施方式的X射线产生管1的配置。在第3实施方式中未提及的事项可以遵照第1或第2实施方式。虽然在下面的所有实施方式中都设置有遮盖绝缘管10的遮盖构件40,但遮盖构件40并非本发明中的必须的结构。在第3实施方式中,遮盖构件40被配置为电连接到阴极20及阳极30,但被配置为不遮盖阴极20及阳极30的侧面。
图4示意性地示出根据本发明的第4实施方式的X射线产生管1的配置。在第4实施方式中未提及的事项可以遵照第1或第2实施方式。在第4实施方式中,遮盖构件40被配置为电连接到阴极20及阳极30,但被配置为不遮盖阴极20及阳极30的侧面。阴极20具有将遮盖构件40的侧面的一部分遮盖的部分,并且/或者阳极30具有将遮盖构件40的侧面的一部分遮盖的部分。
图5示意性地示出根据本发明的第5实施方式的X射线产生管1的配置。在第5实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第4实施方式。在第5实施方式中,管状导电构件50被配置为包围电子发射源22的在阳极30侧的端部。图5示出管状导电构件50被配置为包围电子发射源22的在阳极30侧的端部的配置被应用于根据第2实施方式的X射线产生管1的示例。这种配置也可以应用于根据第1、第3、第4实施方式的X射线产生管1。
图6示意性地示出根据本发明的第6实施方式的X射线产生管1的配置。在第6实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第5实施方式。在第6实施方式中,管状导电构件50被配置为在管状导电构件50的外表面与绝缘管10的内表面之间形成空间。这种配置也可以应用于根据第1至第5实施方式的X射线产生管1。
图7示意性地示出根据本发明的第7实施方式的X射线产生管1的配置。在第7实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第6实施方式。在第7实施方式中,管状导电构件50的在阴极20侧的端面51属于包括管状肋12的在阴极20侧的端面的第1虚拟平面VPL1。这种配置也可以应用于根据第1、第3至第5实施方式的X射线产生管1。
图8示意性地示出根据本发明的第8实施方式的X射线产生管1的配置。在第8实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第7实施方式。在第8实施方式中,管状肋12被配置为朝向绝缘管10的外部空间突出。这种配置也可以应用于根据第1、第3至第7实施方式的X射线产生管1。
图9示意性地示出根据本发明的第9实施方式的X射线产生管1的配置。在第9实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第7实施方式。在第9实施方式中,管状肋12包括被配置为面向绝缘管10的内部空间的内管状肋121以及被配置为朝向绝缘管10的外部空间突出的外管状肋122。这种配置也可以应用于根据第1、第3至第7实施方式的X射线产生管1。
以下,参照图10及图11例示地说明管状肋12及管状导电构件50的设计方法。T是绝缘管10的不具有管状肋12的部分的厚度,H是管状肋12的厚度,TT是绝缘管10的具有管状肋12的部分的厚度。L是第1虚拟平面VPL1与管状导电构件50的在阴极20侧的端面51之间的距离。
一般而言,绝缘体的沿面耐电压比体积(bulk)耐电压低,并且实验上已知沿面耐电压为1/3倍至1/10倍。E1(kV/mm)是形成绝缘管10的绝缘体的体积耐电压,E2(kV/mm)是该绝缘体的沿面耐电压。绝缘管10的具有管状肋12的部分的厚度的方向上的耐电压(路径PH1上的耐电压)为E1×TT(kV)。在图10的示例中,经由管状肋12的沿面表面的耐电压(路径PH2上的耐电压)为E2×(L+H)+E1×T。在图11的示例中,经由管状肋12的沿面表面的耐电压(路径PH2上的耐电压)为E2×H+E1×T。图10中的配置在经由沿面表面的耐电压方面优于图11中的配置。
以下说明图10中的配置。为了避免经由沿面表面的放电,优选为E2×(L+H)+E1×T≥E1×TT。由于TT=T+H,所以L≥(E1-E2)/E2×H。当沿面耐电压为体积耐电压的1/3倍(E1=3×E2)时,优选为L≥2H。当沿面耐电压为体积耐电压的1/10倍(E1=10×E2)时,优选为L≥9H。当对于X射线产生管1的变轻而言将TT设定为5mm时,优选为L≥6mm,更优选为L≥27mm。
图12示意性地示出根据本发明的第10实施方式的X射线产生管1的配置。在第10实施方式中未提及的事项可以遵照第1至第9实施方式。在第10实施方式中,绝缘管10包括当从管状导电构件50的在阴极20侧的端部观看时被配置于径向方向的管状肋12。管状导电构件50的在阴极20侧的端部52可以位于包括管状肋12的在阴极20侧的端面的第1虚拟平面VPL1与包括管状肋12的在阳极30侧的端面的第2虚拟平面VPL2之间。第2虚拟平面VPL2可以形成绝缘管10的在阳极30侧的端面。换言之,管状肋12的在阳极30侧的端面可以与绝缘管10的在阳极30侧的端面属于相同平面。从其他观点来看,管状肋12可以被配置为与阳极30接触。
根据第10实施方式的X射线产生管1可以包括被配置为遮盖绝缘管10的外侧并且接收电位的遮盖构件40。遮盖构件40可以被配置为电连接到阴极20及阳极30。遮盖构件40例如能够以与阴极20及阳极30接触的方式遮盖阴极20、绝缘管10以及阳极30。遮盖构件40的薄层电阻值比绝缘管10的薄层电阻值小。
图15示出根据本发明的实施方式的X射线产生装置100的配置。X射线产生装置100可以包括X射线产生管1以及驱动X射线产生管1的驱动电路3。X射线产生装置100可以还包括对驱动电路3施加被升压的电压的升压电路2。X射线产生装置100可以还包括收纳X射线产生管1、驱动电路3以及升压电路2的收纳容器4。收纳容器4可以填充有绝缘油。
图16示出根据本发明的实施方式的X射线成像装置200的配置。X射线成像装置200可以包括X射线产生装置100以及对在从X射线产生装置100放射之后透过物体106的X射线104进行检测的X射线检测装置110。X射线成像装置200可以还包括控制装置120和显示装置130。X射线检测装置110可以包括X射线检测器112和信号处理器114。控制装置120可以控制X射线产生装置100和X射线检测装置110。X射线检测器112对在从X射线产生装置100放射之后透过物体106的X射线104进行检测或成像。信号处理器114可以对从X射线检测器112输出的信号进行处理,并将处理后的信号供应给控制装置120。控制装置120根据从信号处理器114供应的信号,使显示装置130显示图像。
本发明不受上述实施方式限制,在本发明的要旨和范围内可以进行各种变形和变更。
Claims (16)
1.一种X射线产生管,其特征在于,具备:
绝缘管,具有第1开口端及第2开口端;
阴极,包括电子发射源,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第1开口端;
阳极,包括在与来自所述电子发射源的电子碰撞时产生X射线的靶,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第2开口端;以及
管状导电构件,在所述绝缘管的内部空间中从所述阳极延伸;
其中,所述绝缘管在与所述第1开口端相间隔且与所述第2开口端相间隔的位置处包括管状肋,并且
所述管状肋当从所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部观看时被配置于径向方向。
2.根据权利要求1所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部位于第1虚拟平面与第2虚拟平面之间,所述第1虚拟平面包括所述管状肋的在所述阴极侧的端面,所述第2虚拟平面包括所述管状肋的在所述阳极侧的端面。
3.根据权利要求1所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件的在所述阴极侧的端面属于第1虚拟平面,所述第1虚拟平面包括所述管状肋的在所述阴极侧的端面。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件被配置为在所述管状导电构件的外表面与所述绝缘管的内表面之间定义空间。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状肋被配置为面向所述内部空间。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状肋被配置为朝所述绝缘管的外部空间突出。
7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状肋包括被配置为面向所述内部空间的内管状肋以及被配置为朝向所述绝缘管的外部空间突出的外管状肋。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述X射线产生管还具备被配置为遮盖所述绝缘管的外侧并且被配置为接收电位的遮盖构件,
其中,所述遮盖构件的薄层电阻值比所述绝缘管的薄层电阻值小。
9.根据权利要求8所述的X射线产生管,其特征在于,
所述遮盖构件电连接到所述阴极及所述阳极。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件被配置为包围所述电子发射源的在所述阳极侧的端部。
11.一种X射线产生管,其特征在于,具备:
绝缘管,具有第1开口端及第2开口端;
阴极,包括电子发射源,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第1开口端;
阳极,包括在与来自所述电子发射源的电子碰撞时产生X射线的靶,并且被配置为关闭所述绝缘管的所述第2开口端;
管状导电构件,在所述绝缘管的内部空间中从所述阳极延伸;以及
遮盖构件,被配置为遮盖所述绝缘管的外侧,具有比所述绝缘管的薄层电阻值小的薄层电阻值,并且被配置为接收电位;
其中,所述绝缘管包括当从所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部观看时被配置于径向方向的管状肋。
12.根据权利要求11所述的X射线产生管,其特征在于,
所述遮盖构件电连接到所述阴极及所述阳极。
13.根据权利要求11或12所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件的在所述阴极侧的端部位于包括所述管状肋的在所述阴极侧的端面的虚拟平面与包括所述第2开口端的虚拟平面之间。
14.根据权利要求11至13中的任意一项所述的X射线产生管,其特征在于,
所述管状导电构件被配置为包围所述电子发射源的在所述阳极侧的端部。
15.一种X射线产生装置,其特征在于,具备:
权利要求1至14中的任意一项所述的X射线产生管;以及
驱动电路,被配置为驱动所述X射线产生管。
16.一种X射线成像装置,其特征在于,具备:
权利要求15所述的X射线产生装置;以及
X射线检测装置,对在从所述X射线产生装置放射之后透过物体的X射线进行检测。
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