CN113272471A - 基板、选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物 - Google Patents

基板、选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物 Download PDF

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Abstract

本公开的实施方式的选择性膜沉积方法的特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，使通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于第一表面区域而非第二表面区域。(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。)

Description

基板、选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物
技术领域
本公开涉及基板、使膜选择性地沉积于基板的包含金属及金属氧化物中的至少1种的表面区域的选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物等。
背景技术
近年来，半导体芯片的结构日益微细化，通过选择性去除结构体的一部分而图案化的以往的光刻法(ithography)存在步骤数多、成本高的问题。认为化学气相沉积(CVD)法、原子层沉积(ALD)法若能够在基板上的期望位置选择性地形成膜，则为最适合形成微细结构的工艺，可解决这些问题。
但是，对于具有用于电极、布线的金属、用于绝缘膜的无机电介质等材料不同的多种表面区域的基板而言，在通过CVD法、ALD法选择性地沉积膜时，需要选择性地沉积出沉积抑制用膜，以往的方法的选择性并非足够高。
关于选择性的膜形成方法，已知如下方法：对不希望形成膜的区域，沉积可抑制膜沉积的材料的方法。例如，专利文献1公开了通过原子层沉积(ALD)法在基板上形成TiN、AlN或SiN等无机材料的薄膜的图案的方法，其包括：使用由氟含量为30原子％以上、具有至少1个叔碳或季碳且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成的原子层沉积抑制材料，通过丝网印刷等在基板上形成原子层沉积抑制层的图案，接着通过原子层沉积法在不存在原子层沉积抑制层的区域形成无机材料层。
另外，专利文献2公开了在具有露出的金属表面及露出的含硅表面的基板上选择性地沉积层的方法，其包括：(a)在上述露出的金属表面上生长第1自组织化单分子膜；(b)在上述露出的含硅表面上生长作为有机硅烷系的第2自组织化单分子膜；(c)对上述基板进行加热，从上述露出的金属表面上去除上述第1自组织化单分子膜；(d)在上述露出的金属表面上选择性地沉积作为低介电常数电介质层或金属层的层；和(e)对上述基板进行加热，从上述露出的含硅表面上去除第2自组织化单分子膜。
根据上述方法，对于具有由不同材料形成的第1表面和第2表面的基板，能够利用两者的表面状态差异使膜选择性沉积于第1表面，而不是第2表面。另外，根据上述方法，能够减少形成微细结构的工艺的步骤数。
另外，例如专利文献3公开了下述工艺：在包括作为金属性表面的第1表面和作为电介质表面的第2表面的基板上，进行包括接触第1气相前体物质的步骤和接触第2气相前体物质的步骤的沉积循环，使有机薄膜选择性地形成于第1表面上而非第2表面。专利文献3的实施例1中记载：以具有与氧化硅表面交替的钨(W)特征的200mm硅晶圆为基板，使用1,6-二氨基己烷(DAH)和均苯四酸二酐(PMDA)进行250～1000次沉积循环，形成聚酰亚胺膜，并且金属钨表面上的聚酰亚胺膜的厚度大于SiO2表面上的聚酰亚胺膜的厚度。
专利文献4公开了使用专利文献3中记载的有机膜的选择性沉积法在金属制的第1表面上选择性形成钝化层之后，仅在电介质的第2表面上形成层X的方法、以及进一步利用该方法形成集成电路的金属导体化结构的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本再公表WO2016/147941号
专利文献2：日本特表2018-512504号公报
专利文献3：日本特开2017-216448号公报
专利文献4：日本特开2018-137435号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，专利文献1中没有公开在单一材料的基板上使用原子层沉积抑制材料形成规定的图案、并且对于具有不同材料的多种表面区域的基板在期望的表面区域选择性地形成原子层沉积抑制层的方法。
专利文献2中使用的有机硅烷系自组织化单分子膜是选择性地沉积于含硅表面上，而不是选择性地沉积于金属或金属氧化物上。
专利文献3及专利文献4中记载的选择性地形成有机薄膜的方法需要将切换原料和温度的沉积循环重复进行多次，对于有机薄膜的形成而言非常费工夫。
鉴于上述课题，本公开的目的在于，通过简单的操作使有机物的膜选择性地沉积于基板上的包含金属及金属氧化物中的至少1种的表面区域、而非基板上的非金属无机材料表面区域的选择性膜沉积方法；通过上述方法沉积而成的有机物的沉积膜及该有机物等。
用于解决问题的方案
本发明人们进行了深入研究，结果发现，后述通式(1)所示的有机物能够使有机物的膜选择性地沉积于基板上的包含金属及金属氧化物中的至少1种的表面区域、而非基板上的非金属无机材料表面区域，从而完成了本公开。
本公开的实施方式的选择性膜沉积方法的特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，
使下述通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于上述第一表面区域、而非上述第二表面区域。
Figure BDA0003153815850000031
(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。)
根据上述选择性膜沉积方法，可提供如下方法：通过使用上述通式(1)所示的有机物，能够通过简单的操作使有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。
本公开的实施方式的基板的特征在于，其具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构，在上述第一表面区域具有上述通式(1)所示的有机物的膜，在上述第二表面区域不具有上述有机物的膜或上述第二表面区域上的上述有机物的膜的厚度t2小于上述第一表面区域上的上述有机物的膜的厚度t1。
根据上述基板，可以提供如下基板：有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。
本公开的实施方式的有机物的沉积膜的特征在于，通过上述方法而形成，选择性地沉积于基板上且为如上述通式(1)所示的有机物的沉积膜。
本公开的实施方式的有机物的特征在于，以用于对上述基板的包含金属及金属氧化物中的至少1种的表面区域的选择性的膜沉积方法为特征且如上述通式(1)所示。
通过使用上述有机物，从而能够通过简单的操作使有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。
本公开的实施方式的溶液的特征在于，包含特征在于如上述通式(1)所示的有机物和溶剂。
发明的效果
根据本公开的实施方式的选择性膜沉积方法，能够提供如下方法：通过使用上述通式(1)所示的有机物，通过简单的操作使通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。
根据本公开的实施方式的基板，能够提供下述基板：通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。
具体实施方式
以下对本公开进行详细说明，但是以下所记载的构成要件的说明为本公开的实施方式的一例，这些具体内容不构成限定。可以在其主旨的范围内进行各种变形后进行实施。
本公开的实施方式的选择性膜沉积方法的特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，
使上述通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于上述第一表面区域、而非上述第二表面区域。
根据上述方法，通过使用通式(1)所示的有机物，从而能够使有机物的膜选择性地沉积于在基板上露出的包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、而非在基板上露出的包含非金属无机材料的第二表面区域。此时优选如下方式沉积：上述基板上仅在第一表面区域选择性地沉积上述有机物的膜、在第二表面区域不沉积上述有机物的膜、或者第一表面区域上的有机物的膜的厚度t1大于第二表面区域上的有机物的膜的厚度t2，以t1除以t2而得的t1/t2的值为5以上。t1/t2的值优选为10以上，更优选为100以上。
关于是否沉积了有机物的膜(以下也称为沉积膜)这一点，可通过向基板的表面滴加纯水并用接触角计测定水滴与基板表面形成的角(接触角)的方式进行判断。
即，当与水缺乏亲和性的通式(1)所示的有机物覆盖了基板表面时，与水的接触角会变大。
本公开的实施方式的选择性膜沉积方法中，优选第一表面区域的水接触角比第二表面区域大10°以上，更优选大20°以上，进一步优选大30°以上。
由此，能够判断：与水接触角小的第二表面区域相比，水接触角大的第一表面区域选择性地沉积有有机物的膜。
关于基板上是否形成了有机物的沉积膜这一点，还可以通过利用X射线光电子能谱法(XPS)分析基板表面的元素组成的方式来进行判断。在有机物具有氮等特征性原子的情况下，可以对上述元素的峰进行确认。
作为上述金属，可列举选自由Cu、Co、Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti及Hf组成的组中的至少一种金属，作为上述金属氧化物，可列举选自由Cu、Co、Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti及Hf组成的组中的至少一种金属的氧化物，特别地，作为金属，优选Cu、Co、Ru，作为氧化物，优选Cu、Co、Ru的氧化物。需要说明的是，上述金属、金属氧化物可以为这些金属、金属氧化物的混合物。另外，上述金属可以为合金，上述金属氧化物可以为上述金属或包含上述金属的合金的表面自然氧化膜。
作为构成第二表面区域的上述非金属无机材料，可列举硅、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等硅系材料与锗、锗氧化物、锗氮化物、锗氮化物等锗系材料，这些非金属无机材料中，优选硅系材料。硅包括多晶硅和单晶硅这两者。硅氧化物用SiOx(x为1以上且2以下)的化学式来表示，代表者是SiO2。另外，硅氮化物用SiNx(x为0.3以上且9以下)的化学式来表示，代表者为Si3N4。硅氮氧化物用Si4OxNy(x为3以上且6以下、y为2以上且4以下)来表示，例如Si4O5N3。
作为得到呈金属露出状态的第一表面区域的方法，可列举使用化学气相沉积(CVD)法、物理气相沉积(PVD)法等得到金属膜的方法等。例如，可以通过在上述非金属无机材料的膜上形成金属膜并且通过光刻法使金属膜形成规定图案的方法、使非金属无机材料的膜形成孔或沟并在该沟中埋入金属的方法，得到包含金属的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板。
另外，作为得到呈金属露出状态的第一表面区域的方法，可列举使用包含HF等的溶液去除金属膜的表面的氧化膜而使金属表面露出的方法。也可以通过机械方式去除上述氧化膜。
作为得到呈金属氧化物露出状态的第一表面区域的方法，可列举使用化学气相沉积法、物理气相沉积法等得到金属氧化物膜的方法；使通过同样方法得到的金属膜暴露于大气中而形成自然氧化膜的方法等。例如，可以通过在上述非金属无机材料的膜上形成金属氧化物的膜并且通过光刻法使金属氧化物的膜形成规定图案的方法、在非金属无机材料的膜上形成孔或沟并在该沟中埋入金属而在金属上形成自然氧化膜的方法，得到包含金属氧化物的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板。
包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域可以包含能够沉积通式(1)所示的有机物的除了金属及金属氧化物以外的化合物，可以仅包含金属及金属氧化物中的至少1种，但理想的是仅包含金属及金属氧化物中的至少1种、且仅金属及金属氧化物中的至少1种在表面上露出。
包含非金属无机材料的第二表面区域可以包含上述非金属无机材料的化合物，可以仅包含非金属无机材料，但理想的是仅包含非金属无机材料、且仅非金属无机材料在表面上露出。
作为本公开的实施方式中使用的基板，可列举结构中具有金属和/或金属氧化物膜的半导体设备的基板、在半导体设备的图案化工序中形成金属和/或金属氧化物的基板等，特别优选形成了使半导体元件的绝缘膜具有规定图案的金属布线的基板。即，作为第一表面区域，具有表面自然氧化膜的金属布线、呈金属露出状态的金属布线是符合的，作为第二表面区域，由非金属无机材料形成的绝缘膜是符合的。但是，本公开的实施的方式中使用的基板不限于这些。
作为使通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于第一表面区域、而非第二表面区域的具体方法，可采用使基板暴露于包含有机物和溶剂的溶液中的方法(湿式法)、及使上述基板暴露于包含有机物气体的气氛中的方法(干式法)这两种方法。以下对这些方法进行说明。
[湿式法]
本公开的实施方式的湿式法中使基板暴露于上述包含有机物和溶剂的溶液中，作为其一例，可列举下述膜沉积工序：将具有第一表面区域和第二表面区域的基板浸渍于包含有机物和溶剂的溶液，从而使上述溶液与上述基板的表面接触，使有机物的膜选择性地沉积于基板的第一表面区域。使基板暴露于上述溶液是指使基板的表面与溶液接触。因此，作为使基板暴露于溶液中的方法，除了浸渍法以外还可使用向基板滴加溶液后进行高速旋转的旋转涂布法、将溶液喷雾至基板的喷涂法，只要是能够使基板与溶液接触的方法即可，不限于这些方法。
上述溶液中的有机物的浓度相对于有机物与溶剂的总计优选为0.01质量％以上且20质量％以下，优选为0.1质量％以上且10质量％以下，更优选为0.5质量％以上且8质量％以下，特别优选为1质量％以上且5质量％以下。当上述溶液包含多种有机物时，上述浓度范围指有机物的总计浓度。
湿式法中使用的有机物为下述通式(1)所示的有机物。
Figure BDA0003153815850000081
(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。)
作为R1～R5的烃基中可包含的杂原子，可列举氮原子、氧原子、硫原子、磷原子等。作为卤原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。另外，在碳数为3以上时，烃基可以为异丙基、叔丁基等具有支链的烃基，可以为苯基等芳香族系烃基、芳香族以外的不含共轭双键的环己基等脂环系烃基。另外，在R3和R5的碳数均为1以上时，两者可以直接键合而使通式(1)取卟啉环等大环结构。存在R2、R3、R4及R5分别为相同的烃基的情况，也存在R2、R3、R4及R5分别为不同的烃基的情况。
作为R2、R3、R4及R5，可列举氢基、烃基等，R2及R3优选为氢基(氢原子)。R2、R3、R4及R5可以全部为氢基，此时形成二胺。
另外，作为通式(1)所示的有机物，优选n为0、R2及R3为氢基、R1可以为苯基、环己基但理想地为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基的化合物，优选R1为碳数1～20的烷基。
这些中，作为通式(1)所示的有机物，特别优选R2、R3为氢原子且具有氨基(-NH2)的有机物。作为这些有机物，可列举例如甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一烷胺、正十二烷胺、正十三烷胺、正十四烷胺、正十五胺、正十六烷胺、正十七烷胺(即，Margarylamine)、硬脂胺(即，正十八烷胺)、正十九烷胺、苯胺、(2-苯基乙基)胺、(3-苯基丙基)胺、(4-苯基丁基)胺、亚甲基二胺、(4-氨基苯基)胺、(4-氨基苄基)胺、环己胺、苯胺、二苯甲胺、(4-溴苯基)胺、(2-氯乙基)胺、(3-氯丙基)胺、(4-氯丁基)胺、5-氯戊基)胺、(6-氯己基)胺、(2-溴乙基)胺、(3-溴丙基)胺、(4-溴丁基)胺、(5-溴戊基)胺、(6-溴己基)胺、乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、1,4-亚苯基二胺、邻苯二甲胺、间苯二甲胺、对苯二甲胺、(氨基甲基)胺、(1-氨基乙基)胺、2-(全氟丁基)乙胺、2-(全氟己基)乙胺、2-(全氟庚基)乙胺等。
n为0且具有一个氨基的伯胺不仅廉价，而且化合物中的氨基为一个，因此膜中不容易包含未与基板的第一表面区域成键的氨基，故而优选。
另外，若使用n为0、具有一个氨基、R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的直链状烃基的直链状烷胺，则能够形成良好的沉积膜。特别优选R1为碳数6～24的烷基，更优选R1为碳数8～20的烷基。作为这样的有机物，可列举正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一烷胺、正十二烷胺、正十三烷胺、正十四烷胺、正十五胺、正十六烷胺、正十七烷胺、硬脂胺等。
作为本公开的溶液中使用的溶剂，只要能够溶解上述有机物且对被处理物的表面的损伤少，则可以没有特别限定地使用现有公知的溶剂。从能够溶解有机物且对被处理物的表面的损伤少的观点出发，优选除水以外的有机溶剂(非水溶剂)，从有机物的溶解性的观点出发，优选除烃系溶剂以外的非水溶剂。
上述除烃系溶剂以外的非水溶剂可适宜使用例如酯类、醚类、酮类、亚砜系溶剂、砜系溶剂、内酯系溶剂、碳酸酯系溶剂、醇系溶剂、多元醇的衍生物、含氮元素的溶剂、有机硅溶剂、或它们的混合液。进一步优选使用作为非水溶剂的酯类、醚类、酮类、醇系溶剂、多元醇的衍生物。
作为上述酯类的例子，可列举乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸正戊酯、乙酸异戊酯、乙酸正己酯、乙酸正庚酯、乙酸正辛酯、甲酸正戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸异丙酯、丁酸正丁酯、正辛酸甲酯、癸酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、2-氧代丁酸乙酯、己二酸二甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯等。
作为上述醚类的例子，可列举二正丙醚、乙基正丁醚、二正丁醚、乙基-正戊醚、二正戊醚、乙基正己醚、二正己醚、二正辛醚、以及与它们的碳数对应的二异丙醚、二异戊醚等具有支链状烃基的醚、二甲醚、乙醚、甲乙醚、甲基环戊醚、二苯醚、四氢呋喃、二氧杂环己烷、甲基全氟丙醚、甲基全氟丁醚、乙基全氟丁醚、甲基全氟己醚、乙基全氟己醚等。
作为上述酮类的例子，可列举丙酮、乙酰基丙酮、甲乙酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、2-庚酮、3-庚酮、环己酮、异佛尔酮等。
作为上述亚砜系溶剂的例子，有二甲基亚砜等，作为上述砜系溶剂的例子，可列举二甲基砜、二乙基砜、双(2-羟乙基)砜、四亚甲基砜等。
作为上述内酯系溶剂的例子，可列举β-丙内酯、γ-丁内酯、γ-戊内酯、γ-己内酯、γ-庚内酯、γ-辛内酯、γ-壬内酯、γ-癸内酯、γ-十一碳内酯、γ-十二碳内酯、δ-戊内酯、δ-己内酯、δ-辛内酯、δ-壬内酯、δ-癸内酯、δ-十一碳内酯、δ-十二碳内酯、ε-己内酯等。
作为上述碳酸酯系溶剂的例子，有碳酸二甲酯、碳酸乙基甲酯、碳酸二乙酯、碳酸亚丙酯等，作为上述醇系溶剂的例子，可列举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、二乙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丙二醇、二丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、三乙二醇、三丙二醇、四乙二醇、四丙二醇、甘油等。
作为上述多元醇的衍生物的例子，可列举乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、四乙二醇单甲醚、四乙二醇单乙醚、四乙二醇单丙醚、四乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚、三丙二醇单丁醚、四丙二醇单甲醚、丁二醇单甲醚等具有OH基的多元醇衍生物、或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、二乙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇二乙酸酯、三乙二醇二甲醚、三乙二醇二乙醚、三乙二醇二丁醚、三乙二醇丁基甲醚、三乙二醇单甲醚乙酸酯、三乙二醇单乙醚乙酸酯、三乙二醇单丁醚乙酸酯、三乙二醇二乙酸酯、四乙二醇二甲醚、四乙二醇二乙醚、四乙二醇二丁醚、四乙二醇单甲醚乙酸酯、四乙二醇单乙醚乙酸酯、四乙二醇单丁醚乙酸酯、四乙二醇二乙酸酯、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丁醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、二丙二醇二甲醚、二丙二醇甲基丙醚、二丙二醇二乙醚、二丙二醇二丁醚、二丙二醇单甲醚乙酸酯、二丙二醇单乙醚乙酸酯、二丙二醇单丁醚乙酸酯、二丙二醇二乙酸酯、三丙二醇二甲醚、三丙二醇二乙醚、三丙二醇二丁醚、三丙二醇单甲醚乙酸酯、三丙二醇单乙醚乙酸酯、三丙二醇单丁醚乙酸酯、三丙二醇二乙酸酯、四丙二醇二甲醚、四丙二醇单甲醚乙酸酯、四丙二醇二乙酸酯、丁二醇二甲醚、丁二醇单甲醚乙酸酯、丁二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯等不具有OH基的多元醇衍生物等。
作为上述含有氮元素的溶剂的例子，可列举N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二乙基-2-咪唑烷酮、1,3-二异丙基-2-咪唑烷酮、三乙胺、吡啶等。
作为有机硅溶剂的例子，可列举六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷等。
另外，从有机物的溶解性的观点出发，上述有机溶剂优选极性的有机溶剂，特别优选醇系溶剂，可以适宜使用乙醇、异丙醇(IPA)。
需要说明的是，上述溶剂中可以含有水。需要说明的是，此时，水的浓度相对于本公开的溶液100质量％优选为40质量％以下，特别优选为20质量％以下，进一步优选为10质量％以下。
另外，为了促进有机物的沉积膜的形成，本公开的溶液中可以添加六氟异丙醇、三氟乙酸、三氟乙酸酐、三氟甲磺酸、三氟甲磺酸酐等酸性化合物、吡啶、N,N-二甲基-4-氨基吡啶、氨、咪唑等碱性化合物等催化剂。催化剂的添加量相对于保护膜形成剂的总量100质量％优选为0.01～50质量％。
上述湿式膜沉积工序中的溶液温度优选为0～80℃，在上述溶液中浸渍基板的时间优选为10秒以上～48小时以下，优选1分钟以上且24小时以下。其中，可以为1秒以上且1000秒以下。在上述溶液中浸渍基板时，优选通过搅拌桨叶等搅拌溶液。
另外，在使基板暴露于包含有机物的溶液中后，优选进行用溶剂清洗基板的清洗工序。作为在上述清洗工序中可使用的溶剂，可列举上述有机溶剂。作为清洗方法，优选在0～80℃的上述溶剂中浸渍1～1000秒。在包含有机物的溶液中浸渍基板的情况下，从溶液中将基板提起，并用溶剂清洗基板。
上述清洗工序后，优选对基板吹送氮气、氩气等非活性气体而使基板干燥。吹送的非活性气体的温度优选为0～80℃。
[干式法]
本公开的实施方式的干式法中，使上述基板暴露于包含有机物的气体的气氛中，具体而言进行下述膜沉积工序：将基板载置于腔室内，将包含有机物的气体导入腔室内而使包含有机物的气体与基板的表面接触，使有机物的膜选择性地沉积于基板的第一表面区域。
作为干式法的膜沉积工序中使用的有机物，与湿式法的情况同样地使用通式(1)所示的有机物。
Figure BDA0003153815850000131
(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。)
干式法使用的通式(1)所示的有机物中，作为R1～R5的烃基中可包含的杂原子，可列举氮原子、氧原子、硫原子、磷原子等。另外，在R3和R5的碳数均为1以上时，两者可以直接键合而使通式(1)取卟啉环等大环结构。存在R2、R3、R4及R5分别为相同的烃基的情况，也存在R2、R3、R4及R5分别为不同的烃基的情况。
作为通式(1)所示的有机物，可以是n为0、R2及R3为氢原子、R1为碳数3～10的烃基、苯基、环己基，可以是n为1、R2～R4为氢基的二胺，可以是n为0、R2为氢、R1及R3为碳数1以上的烃基的二烷胺。
特别地，对于通式(1)所示的有机物而言，为了沉积出具有充分的膜厚的膜，作为通式(1)所示的有机物，优选R2、R3为氢原子、具有氨基(-NH2)的有机物。作为上述有机物，可列举例如正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、环己胺、苯胺、乙二胺、2-氨基乙醇等。
特别地，正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、环己胺、苯胺等n为0且具有一个氨基的伯胺不仅廉价，而且化合物中的氨基为一个，因此膜中不容易包含未与基板键合的氨基，故而优选。
包含有机物的气体的、腔室内气氛气体的温度优选为0℃以上且200℃以下，更优选为5℃以上且100℃以下，特别优选为10℃以上且80℃以下。
包含有机物的气体的、腔室内的气氛气体的压力范围优选为0.1Torr(13Pa)以上且500Torr(67kPa)以下，更优选为1Torr(0.13kPa)以上且100Torr(13kPa)以下。
需要说明的是，为了使有机物以气体的状态与基板接触，腔室内的温度和压力需要设定为使有机物保持气体状态的条件。
腔室内的气氛气体中，优选包含1体积％以上且100体积％以下的有机物的气体，更优选包含10体积％以上且100体积％以下，进一步优选包含50体积％以上且100体积％以下。可以通过对液体的有机物进行减压和/或加热来得到气体的有机物，也可以在液体的有机物中使非活性气体鼓泡而得到被非活性气体稀释的气体的有机物。作为非活性气体，可以使用氮气、氩气、氪气、氖气等。
可以通过对液体的有机物进行减压和/或加热来得到气体的有机物，也可以通过在液体的有机物中使非活性气体鼓泡而得到被非活性气体稀释的气体的有机物。作为非活性气体，可以使用氮气、氩气、氪气、氖气等。
在进行干式的膜沉积工序之后，可以将腔室内减压至1～100Pa而去除多余的有机物。干式法中，可以不需要干燥工序。
通过使用本公开的实施方式的上述湿式法、上述干式法，可以通过简单的操作使有机物的膜选择性地沉积于基板上的金属及金属氧化物中的至少1种露出的表面区域上、而非基板上的非金属无机材料露出的表面区域。
通过进行上述湿式法、上述干式法在基板上选择性地沉积而成的通式(1)所示的有机物的沉积膜也属于本公开的有机物的沉积膜的一实施方式。
[选择性沉积有机物的沉积膜之后的基板]
本公开的实施方式的基板的特征在于，具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构，上述第一表面区域具有下述通式(1)所示的有机物的膜，上述第二表面区域不具有上述有机物的膜或上述第二表面区域上的上述有机物的膜的厚度t2小于上述第一表面区域上的上述有机物的膜的厚度t1。
Figure BDA0003153815850000151
(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。)
上述基板中，如上所述，在上述第一表面区域具有下述通式(1)所示的有机物的膜，在上述第二表面区域不具有上述有机物的膜或上述第二表面区域上的上述有机物的膜的厚度t2小于上述第一表面区域上的上述有机物的膜的厚度t1。
上述基板中，第二表面区域上的有机物的膜的厚度t2小于第一表面区域上的有机物的膜的厚度t1的情况下，优选t1除以t2而得的t1/t2的值为5以上。t1/t2的值优选为10以上，更优选为100以上。需要说明的是，t1优选为0.3nm以上，优选为0.6nm以上，优选为1nm以上，更优选为2nm以上，进一步优选为3nm以上。另外，t2优选小于1nm，优选小于0.3nm，可以为0nm。t1及t2的厚度可以通过原子间力显微镜(AFM)来测定。在t2为0nm时，意味着按照上述条件、即仅在第一表面区域选择性地沉积了上述有机物的膜。
本公开的实施方式的基板中，关于包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域、包含非金属无机材料的第二表面区域、通式(1)所示的有机物等，由于已在上述本公开的实施方式的向基板的第一表面区域选择性地沉积膜的方法中进行了说明，因此这里省略了详细说明。
可认为，上述有机物的膜是上述有机物的分子中的具有氮原子、氧原子或硫原子的基团与第一表面区域的金属或金属氧化物相互作用而形成的。
另外，上述本公开的选择性膜沉积方法中使用的通式(1)所示的有机物也为本公开之一，包含上述有机物和上述溶剂的溶液也为本公开之一。
实施例
以下，通过下述实验来确认金属或金属氧化物露出的表面区域上能够由有机物选择性地沉积膜。
[实验例1-1]
在异丙醇(以下称为IPA)中溶解1％的正十二烷胺，由此制备包含作为有机物的正十二烷胺和溶剂的溶液。
然后，在该溶液中进行含有Cu自然氧化膜的基板60秒，从而沉积有机物的膜。溶液的温度为20～25℃。之后在20～25℃的IPA液中浸渍60秒且浸渍2次，由此进行多余的有机物的去除，接着吹送20～25℃的氮气60秒而使基板干燥。
通过原子间力显微镜(AFM)测定形成于基板上的有机物的膜厚，结果为3nm。另外，通过X射线光电子能谱法(XPS)分析元素组成，结果确认到氮的强峰。
[实验例1-2～1-16]
如表1所示那样改变基板表面的金属氧化物的种类、有机物的种类、溶剂的种类、溶液浓度(有机物的浓度)等，除此以外与实验例1-1同样地实施并进行评价。将其结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0003153815850000171
[实验例2-1]
在IPA中溶解5％的正十二烷胺，由此制备包含作为有机物的正十二烷胺和溶剂的溶液。
然后，在该溶液中浸渍含有作为非金属无机材料的Si表面的基板60秒，由此沉积有机物的膜。溶液的温度为20～25℃。之后在20～25℃的IPA液中浸渍60秒且浸渍2次，由此进行多余的有机物的去除，吹送20～25℃的氮气60秒而使基板干燥。
通过AFM测定形成于基板上的有机物的膜厚，结果为0nm。另外，通过XPS分析元素组成，结果未确认到氮的峰。
[实验例2-2～2-8]
如表2所示那样改变基板表面的非金属无机材料的种类、有机物的种类、溶剂的种类、溶液浓度(有机物的浓度)等，除此以外与实验例2-1同样地实施，进行评价。将其结果示于表2。
[表2]
Figure BDA0003153815850000181
需要说明的是，在上述实验例中，含Cu自然氧化膜(Cu氧化膜)的基板如下得到：在硅基板上蒸镀铜的膜而以厚度约100nm成膜后，在大气中暴露，由此得到。
含Co自然氧化膜(Co氧化膜)的基板如下得到：在硅基板上通过蒸镀而以厚度约100nm成膜出钴的膜，之后在大气中暴露，由此得到。
含有Si表面的基板是去除硅基板的自然氧化膜而得到的。
含有SiO2表面的基板是在硅基板上通过化学气相沉积法以厚度约30nm成膜出二氧化硅的膜而得到的。
含有SiN表面的基板是在硅基板上通过化学气相沉积法以厚度约30nm成膜出Si3N4的化学式所示的氮化硅膜而得到的。
含有SiON表面的基板如下得到：在硅基板上形成SiN表面后进行氧化，通过化学气相沉积法以厚度约10nm成膜出Si4OxNy(x为3以上且6以下、y为2以上且4以下)的化学式所示的氮氧化硅膜，由此得到。
[实验例3-1]
在能够进行真空工艺的腔室内设置含有CuO表面的基板，将腔室压力设为15Torr(2.0kPa绝对压力)。然后，将与腔室连接的乙二胺气瓶的保温温度设为20℃，打开阀门，向腔室供给乙二胺气体，使气体乙二胺与含有CuO的基板接触，从而使有机物的膜沉积于基板上。需要说明的是，腔室的温度与气瓶的温度设为相同，对于乙二胺气体的温度，直至与基板接触之前保持为与气瓶的保温温度相同。在沉积有机物的膜之后，将腔室内减压到1Torr(0.13kPa)而去除多余的有机物。
通过AFM测定形成于基板上的有机物的膜厚，结果为8nm。另外，通过XPS分析元素组成，结果确认到氮的强峰。
[实验例3-2～3-16]
如表3所示那样变更基板上的金属氧化物的种类、有机物的种类、气瓶的保温温度(有机物加热温度)、腔室压力(绝对压力)等，除此以外与实验例3-1同样地实施并进行评价。将其结果示于表3。
[表3]
Figure BDA0003153815850000201
[实验例4-1]
在能够进行真空工艺的腔室内设置含有作为非金属无机材料的Si表面的基板，将腔室压力设为15Torr。然后，将与腔室连接的乙二胺气瓶的保温温度设为20℃，打开阀门，使气体乙二胺与含有Si表面的基板接触。在沉积有机物的膜之后，将腔室内减压到0.1Torr而去除多余的有机物。
通过AFM测定形成于基板上的有机物的膜厚，结果为0nm。另外，通过XPS分析元素组成，结果未能确认到氮的峰。
[实验例4-2～4-10]
如表4所示那样变更基板上的非金属无机材料的种类、气瓶的保温温度(有机物加热温度)、腔室压力(绝对压力)等，除此以外与实验例4-1同样地实施并进行评价。将其结果示于表4。
[表4]
Figure BDA0003153815850000211
需要说明的是，上述实验例3-1～3-16及4-1～4-10中，含有CuO表面的基板是通过蒸镀在硅基板上以厚度约100nm成膜出氧化铜的膜而得到的。
含有CoO表面的基板是通过蒸镀在硅基板上以厚度约100nm成膜出氧化钴的膜而得到的。
含有Si表面的基板是去除硅基板的自然氧化膜而得到的。
含有SiO2表面的基板是通过化学气相沉积法在硅基板上以厚度约30nm成膜出二氧化硅的膜而得到的。
由上述表1～表4所示的结果可知，上述实验例中，有机物在CuO(Cu氧化膜)、CoO(Co氧化膜)等金属氧化物表面上沉积膜，但是在Si、SiO2、SiN、SiON等非金属无机材料上不沉积膜。因此，通过上述实验例明确了：使用具有金属氧化物露出的表面区域和非金属无机材料露出的表面区域的基板的情况下，使用表1～表4所示的有机物能够仅在金属氧化物露出的表面区域选择性地沉积膜。
特别地，在结果示于表1及表2的湿式法中，使用R1为直链状的烷基的正十二烷胺、硬脂胺时，能够沉积出厚度3nm以上的膜。另一方面，使用R1为环状的环己胺、苯胺时，虽然可沉积膜，但是厚度为1～2nm、较薄。
另外，在结果示于表3及表4的干式法中，特别是实验例3-1～3-6和实验例3-9～3-14，由于使用具有两个氨基的作为伯胺的乙二胺、具有一个氨基的作为伯胺的正丁胺、正己胺、正辛胺、环己胺、苯胺而能够沉积厚度3nm以上的膜。另一方面，实验例3-7和实验例3-15中使用作为仲胺的二正丁胺，结果虽然可沉积膜，但是厚度非常薄。
另一方面，如实验例4-5、4-10所示，使用具有氨基和羟基(OH基)的2-氨基乙醇时，在Si上未沉积膜，但是在SiO2上沉积膜，相对于SiO2表面而言，对金属氧化物表面的选择性不好。即，明确了：如实验例3-1～3-7、实验例3-9～3-15和实验例4-1～4-4、4-6～4-9所示，通过使用仅具有氨基的通式(1)所示的有机物，即使第二表面区域为Si和SiO2中的任意者，也能够使有机物的膜选择性地沉积于包含金属氧化物的第一表面区域、而非第二表面区域。
[实验例5-1]
(溶液的制备)
使用异丙醇(IPA)作为溶剂，使用正十八烷胺作为有机物，以该有机物的浓度为1质量％的方式进行混合溶解，由此制备包含作为有机物的正十二烷胺和溶剂的溶液。
(基板的准备)
对具有膜厚100nm的钴膜的硅基板进行30分钟的UV/O3照射(灯：EUV200WS，与灯的距离：10mm，通过UV照射而由空气中的氧产生臭氧)而氧化其表面，得到表面具有氧化钴(CoOx)的基板。
(利用包含有机物的溶液进行的表面处理)
将上述基板在上述溶液中在22℃下浸渍24小时，由此进行基板的表面处理，使有机物沉积于基板的表面。之后在IPA中浸渍60秒且浸渍2次，吹送氮气60秒而使基板干燥。
[实验例5-2～5-28]
(溶液的制备)
使用表5所示的溶剂作为溶剂，以该有机物的浓度为表5所示的浓度的方式进行混合溶解，由此制备包含有机物和溶剂的溶液。
(基板的准备)
实验例5-2～5-13中，与实验例5-1同样地准备表面具有氧化钴(CoOx)的基板。
实验例5-14～5-26中，将具有膜厚100nm的钴膜的硅基板在浓度0.5质量％的HF水溶液中在22℃下浸渍1分钟而去除表面的自然氧化膜，由此得到具有钴膜(Co)的基板。
实验例5-27中，对具有膜厚100nm的铜膜的硅基板进行30分钟的UV/O3照射(灯：EUV200WS，与灯的距离：10mm，通过UV照射由空气中的氧产生臭氧)而氧化其表面，由此得到表面具有氧化铜(CuOx)的基板。
实验例5-28中，将具有膜厚100nm的铜膜的硅基板在浓度0.5质量％的HF水溶液中在22℃下浸渍1分钟而去除表面的自然氧化膜，由此得到具有铜膜(Cu)的基板。
(利用包含有机物的溶液进行的表面处理)
将通过上述处理而准备的基板在上述溶液中在22℃下浸渍24小时而进行基板的表面处理，使有机物沉积于基板的表面。之后在IPA中浸渍60秒且浸渍2次，吹送氮气60秒而使基板干燥。
(水接触角的测定)
在利用包含有机物的溶液进行了表面处理的实验例5-1～5-28的基板表面上，放置纯水约1μl，在22℃下用接触角计(协和界面科学株式会社制：DM-301)测定水滴与晶圆表面形成的角(接触角)。将其结果示于表5。
[表5]
Figure BDA0003153815850000241
注)EtOH：乙醇 PGMEA：丙二醇1-单甲醚2-乙酸酯 THF：四氢味喃 EtOAc：乙酸乙酯anone：环己酮
[实验例6-1～6-15]
(溶液的制备)
使用作为溶剂的表6所示的溶剂，以该有机物的浓度为表6所示的浓度的方式进行混合溶解，由此制备包含有机物和溶剂的溶液。
(基板的准备)
实验例6-1～6-8及6-11～6-15中，将具有膜厚100nm的氧化硅膜的硅基板在浓度0.5质量％的HF水溶液中在22℃下浸渍1分钟而对表面进行净化，得到表面为氧化硅(SiOx)的基板。
实验例6-9中，将具有膜厚30nm的氮化硅膜的硅基板在浓度0.5质量％的HF水溶液中在22℃下浸渍1分钟而去除表面的自然氧化膜，得到表面为氮化硅(SiN)的基板。
实验例6-10中，将硅基板在浓度0.5质量％的HF水溶液中在22℃下浸渍1分钟而去除表面的自然氧化膜，得到表面为硅的基板(Si基板)。
(表面处理)
将通过上述处理而得到的基板在上述溶液中在22℃下浸渍24小时而进行基板的表面处理、使有机物沉积于基板的表面。之后在IPA中浸渍60秒且浸渍2次，吹送氮气60秒而使基板干燥。
(水接触角的测定)
在通过实施表面处理而准备的实验例6-1～6-15的基板表面上，放置纯水约1μl，在22℃下用接触角计(协和界面科学株式会社制：DM-301)测定水滴与晶圆表面形成的角(接触角)。将其结果示于表6。
[比较实验例1～6]
(溶液的制备)
比较实验例1、3及5中，如表6所示，使用不含有机物的IPA溶液。
比较实验例2、4及6中，如表6所示使用PGMEA作为溶剂，使用三甲基甲硅烷基二甲胺作为有机物，以该有机物的浓度为表6所示的浓度的方式进行混合溶解，由此制备包含有机物和溶剂的溶液。需要说明的是，三甲基甲硅烷基二甲胺不属于本公开的有机物。
(基板的准备)
比较实验例1～2中，与实验例5-1同样地准备表面具有氧化钴(CoOx)的基板，比较实验例3～4中，与实验例5-14同样地准备具有钴膜(Co)的基板，比较实验例5～6中，与实验例6-1同样地制备表面具有氧化硅(SiOx)的基板。
(利用溶液进行的表面处理)
比较实验例1～6中，将准备的基板在上述溶液中在22℃下浸渍24小时，由此进行基板的表面处理。之后在IPA中浸渍60秒且浸渍2次，吹送氮气60秒而使基板干燥。
(水接触角的测定)
在比较实验例1～6的基板表面上放置纯水约1μl，在22℃下用接触角计(协和界面科学株式会社制：DM-301)测定水滴与晶圆表面形成的角(接触角)。将其结果示于表6。
[表6]
Figure BDA0003153815850000271
注)EtOH：乙醇 PGMEA：丙二醇1-单甲醚2-乙酸酯 THF：四氢味喃 EtOAc：乙酸乙酯anone：环己酮
由表5～6所示的结果可知，使用包含通式(1)所示的有机物的溶液、并且用同一溶液进行处理的情况下，Cu氧化物、Co氧化物、Cu及Co在表面上露出的基板与硅、氧化硅及氮化硅露出的基板相比，接触角变高。即，确认Cu氧化物、Co氧化物、Cu及Co在表面上露出的基板上选择性地形成了通式(1)所示的有机物的膜。
需要说明的是，与比较实验例2、4、6相比，比较实验例6的接触角最大，因此认为三甲基甲硅烷基二甲胺会选择性地沉积于SiOx上、而不是Co氧化物、Co上。
需要说明的是，除了Co、Cu、Co的氧化物、Cu的氧化物以外，通式(1)所示的有机物还可以在适合作为半导体装置等的布线材料、电极材料的导电性材料Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti、Hf等金属、Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti、Hf等金属氧化物上沉积膜。

Claims (22)

1.一种选择性膜沉积方法，其特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，
使下述通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于所述第一表面区域、而非所述第二表面区域，
Figure FDA0003153815840000011
通式(1)中，N为氮原子；R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基；其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基；需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。
2.根据权利要求1所述的选择性膜沉积方法，其中，第一表面区域上的有机物的膜的厚度t1与第二表面区域上的有机物的膜的厚度t2之比t1/t2为5以上。
3.根据权利要求1或2所述的选择性膜沉积方法，其中，所述通式(1)的R2及R3为氢原子。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，使所述通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于所述第一表面区域、而非所述第二表面区域的工序为使所述基板暴露于包含所述有机物的气体的气氛中的工序。
5.根据权利要求4所述的选择性膜沉积方法，其中，所述有机物为选自由正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、环己胺、苯胺、乙二胺及2-氨基乙醇组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求4或5所述的选择性膜沉积方法，其中，包含所述有机物的气体的气氛的温度范围为0℃以上且200℃以下。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，包含所述有机物的气体的气氛的压力范围为13Pa以上且67kPa以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，使所述有机物的膜选择性地沉积于所述第一表面区域、而非所述第二表面区域的工序为使所述基板暴露于包含所述有机物和溶剂的溶液中的工序。
9.根据权利要求8所述的选择性膜沉积方法，其特征在于，所述通式(1)中，n为0，R2及R3为氢原子，R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的直链状烃基。
10.根据权利要求9所述的选择性膜沉积方法，其特征在于，所述通式(1)中，R1为碳数6～24的烷基。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，所述有机物为选自由正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一烷胺、正十二烷胺、正十三烷胺、正十四烷胺、正十五胺、正十六烷胺、正十七烷胺及硬脂胺组成的组中的至少一种。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，所述溶液中所含的、所述通式(1)所示的有机物的浓度相对于所述有机物与所述溶剂的总计为0.01质量％以上且20质量％以下。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，所述溶液中使用的溶剂包含选自由酯类、醚类、酮类、醇系溶剂、及多元醇的衍生物组成的组中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的选择性膜沉积方法，其中，所述溶液中使用的溶剂为选自由异丙醇及乙醇组成的组中的至少一种。
15.根据权利要求8～14中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，在利用所述通式(1)所示的有机物对所述基板选择性地沉积膜后，将所述基板用溶剂进行所述清洗。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，所述金属为选自由Cu、Co、Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti及Hf组成的组中的至少一种金属，所述金属氧化物为选自由Cu、Co、Ru、Ni、Pt、Al、Ta、Ti及Hf组成的组中的至少一种金属的氧化物。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的选择性膜沉积方法，其中，所述非金属无机材料为选自由硅、硅氧化物、硅氮化物及硅氮氧化物组成的组中的至少一种。
18.一种基板，其特征在于，其具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构，
所述第一表面区域具有下述通式(1)所示的有机物的膜，
所述第二表面区域不具有所述有机物的膜或所述第二表面区域上的所述有机物的膜的厚度t2小于所述第一表面区域上的所述有机物的膜的厚度t1，
Figure FDA0003153815840000031
通式(1)中，N为氮原子；R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基；其中，烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基；需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。
19.一种有机物的沉积膜，其特征在于，其为通过权利要求1～17中任一项所述的选择性膜沉积方法形成的有机物的沉积膜，
该有机物的沉积膜选择性地沉积于基板上且为由下述通式(1)所示的有机物的沉积膜，
Figure FDA0003153815840000041
通式(1)中，N为氮原子；R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基；其中，烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基；需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。
20.一种有机物，其特征在于，以用于权利要求1～17中任一项所述的选择性膜沉积方法为特征且如下述通式(1)所示，
Figure FDA0003153815840000042
通式(1)中，N为氮原子；R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基；其中，烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基；需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。
21.一种溶液，其特征在于，包含特征在于如下述通式(1)所示的有机物和溶剂，
Figure FDA0003153815840000043
通式(1)中，N为氮原子；R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基；其中，烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基；需要说明的是，n为0以上且5以下的整数，n＝0时，不存在R4、R5。
22.根据权利要求21所述的溶液，其中，所述有机物为选自由正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一烷胺、正十二烷胺、正十三烷胺、正十四烷胺、正十五胺、正十六烷胺、正十七烷胺、硬脂胺组成的组中的至少一种，
所述溶剂为选自由乙醇及异丙醇组成的组中的至少一种，
所述溶液相对于所述有机物和所述溶剂的总计包含0.01质量％以上且20质量％以下的所述通式(1)所示的有机物。
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