CN113258020B - 一种有机电致发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。本发明的有机电致发光器件，依次包括阳极、有机物层、阴极以及覆盖层，所述覆盖层包括第一覆盖层、第二覆盖层以及第三覆盖层，所述第一覆盖层位于阴极的外侧，所述第二覆盖层位于第一覆盖层与第三覆盖层之间，所述第一覆盖层含有结构式1所示的三芳胺衍生物，所述第二覆盖层含有结构式2所示的杂环化合物，所述第三覆盖层的折射率在1.8以下。本发明的有机电致发光器件能够将陷在有机电致发光器件内的光有效的耦合出来，具有较高的发光效率。另外，在光热水氧等外界因素的干扰下本发明的器件的各层薄膜能够较长时间的保持均匀平稳的状态，因此表现出较长的使用寿命。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)作为一种新型和有前景的显示技术逐渐进入人们的视野。它与传统的显示技术相比，在电压特性、发光亮度、发光效率、器件重量、响应速度以及观赏视角等方面具有显著优势，并因其低成本潜力，拥有广阔的市场前景。

有机电致发光器件作为双注入型器件，其结构一般包括基底、阳极、有机物层、阴极以及位于阳极或阴极外侧表面的覆盖层，通过在阴阳两端施加电压，注入电流，电子和空穴经过有机发光材料形成的有机物层，最终在发光层结合形成激子，激子回到稳定的基态从而辐射发光。有机物层的组成一般包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。其中，覆盖层材料的加入，可以有效地提高光取出效率，进而提高有机电致发光器件的发光效率。

有机电致发光器件研究的主要工作内容为提高器件的效率、延长使用寿命等，一方面可以通过优化器件结构，如优化载流子传输层和发光层的能级匹配、厚度匹配、平衡匹配等，通过各层材料的优化来达到匹配的效果。一方面则是材料的选择，在有机电致发光研究中，材料的选择是至关重要的一个环节，材料性能的好坏直接影响着器件的效率、寿命以及稳定性。然而，传统的OLED显示器件由于其所用的有机发光材料的发光性能较低，各层组合材料之间的匹配度不佳且光取出效率低下等问题，导致有机电致发光器件的发光效率及寿命均较低。

随着市场对OLED器件要求的进一步提高，寻求更高发光效率、更长寿命、更低成本的OLED器件成为发展的趋势，因此发展不同层间材料的最佳匹配，探索最优的器件组成，一直是人们的研究热点之一。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种有机电致发光器件。

本发明提供一种有机电致发光器件，依次包括阳极、有机物层、阴极以及覆盖层，所述覆盖层包括第一覆盖层、第二覆盖层以及第三覆盖层，所述第一覆盖层位于阴极的外侧，所述第二覆盖层位于第一覆盖层与第三覆盖层之间，所述第一覆盖层含有结构式1所示的三芳胺衍生物，所述第二覆盖层含有结构式2所示的杂环化合物，所述第三覆盖层的折射率在1.8以下，

所述X选自O或者S；

所述环P、环Q独立的选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环或者取代或未取代的菲环，且环P和环Q不同时为取代或未取代的苯环；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种，且Ar₁、Ar₂中的至少一个为取代或未取代的C10～C60的稠环芳基；

所述L₁、L₂独立的选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C3～C60的亚杂芳基中的一种；

所述环P、环Q、Ar₁、Ar₂、L₁、L₂中的至少一个含有氘；

所述L、L_a、L_b独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚苯并芴基、取代或未取代的亚二苯并芴基、取代或未取代的亚螺二芴基中的一种；

所述A、B独立的选自式(1)、式(2)、式(3)中的一种，并且A和B不同时为式(3)；

所述X选自O或者S；

所述L_m选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基中的一种；

所述n选自0、1、2、3或者4，所述m选自0、1、2、3、4或者5；

所述R_m相同或不同的选自氢、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R_m基团键合形成环结构。

有益效果：本发明的有机电致发光器件能够将陷在有机电致发光器件内的光有效的耦合出来，提高了有机电致发光器件的光耦合效率，因此具有较高的发光效率。另外，在光热水氧等外界因素的干扰下本发明的有机电致发光器件的各层薄膜不易产生变形，不易潮湿，不易被氧化，能够较长时间的保持均匀平稳的状态，因此表现出较长的使用寿命。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。

本发明所述取代基团上的“*”表示连接位点。

本发明所述的“取代或未取代”中的“未取代”表示基团上的氢原子未被任何取代基替换。本发明所述的“取代或未取代”中的“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所替换。当有多个氢被多个取代基替换时，所述多个取代基可以相同或者不同。上述被取代基所替换的氢的位置可以为任意位置。上述“取代或未取代”中的“取代”所代表的取代基团选自如下所述基团中的一种，氘、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、氘代苯基、全氘代苯基、氘代联苯基、全氘代联苯基、氘代三联苯基、全氘代三联苯基、氘代萘基、全氘代萘基。

本发明所述的某个取代基团或者某几个取代基团中的芳环的总数是指，取代基团中独立存在的单芳环、稠芳环的个数之和。例如，如下取代基团，

中芳环的总数是2，如下取代基团，

中的芳环的总数是3，以此类推。

本发明所述的“取代或未取代的C6～C60的芳基”中的“C6～C60”表示未取代的“芳基”中的碳原子数，不包含取代基中的碳原子数。所述的“取代或未取代的C3～C60的杂芳基”中的“C3～C60”表示未取代的“杂芳基”中的碳原子数，不包含取代基中的碳原子数。以此类推。

本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，甲基、乙基、丙基(包含其异构体)、丁基(包含其异构体)、戊基(包含其异构体)、己基(包含其异构体)等。所述烷基的碳原子数为C1～C30，优选为C1～C20，进一步优选为C1～C10。

本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述环烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、环己基等。所述环烷基的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C20，进一步优选为C3～C10。

本发明所述的芳基是指芳烃分子的芳核碳上少掉一个氢原子而成的一价基团。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基。所述单环芳基是指结构中只有一个苯环的基团，所述多环芳基是指结构中有两个或两个以上独立苯环的基团，所述稠环芳基是指结构中含有两个以上苯环彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的基团。所述芳基的实例包括但不限于如下所述的基团，苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基等。所述芳基的碳原子数为C6～C60，优选为C6～C30，进一步优选C6～C20，最优选C6～C14。

本发明所述的杂芳基是指芳基中的至少一个芳核碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂原子包括但不限于如下所述原子，O、S、N、Si、B、P等。所述杂芳基包括单环杂芳基、稠环杂芳基。所述单环杂芳基是指结构中只有一个杂芳环的基团，所述稠环杂芳基是指由苯环与单杂环或者是由两个以上的单杂环稠合而成的基团。所述杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吖啶基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噁唑基、苯并恶唑基、噻唑基、苯并噻唑基等。所述杂芳基的碳原子数为C3～C60，优选为C3～C30，进一步优选C3～C20，最优选C3～C10。

本发明所述的亚芳基是指芳香烃分子中的芳核碳上少掉两个氢原子而成的二价基团。所述亚芳基包括单环亚芳基、多环亚芳基、稠环亚芳基或者其组合。所述亚芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基、亚菲基、亚芴基、亚苯并芴基、亚螺二芴基、亚苯并螺二芴基、亚萘基、亚蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚苝基等。所述亚芳基的碳原子数为C6～C60，优选为C6～C30，进一步优选C6～C20，最优选C6～C14。

所述亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述杂原子包括但不限于如下所示原子，O、S、N、Si、B、P等。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述多环亚杂芳基上可以仅有一个被杂原子取代的苯环也可以有多个被杂原子取代的苯环。所述亚杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶基、亚嘧啶基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚二苯并呋喃基、亚苯并二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并二苯并噻吩基等。优选亚吡啶基、亚嘧啶基。所述亚杂芳基的碳原子数为C3～C60，优选为C3～C30，进一步优选C3～C20，最优选C3～C10。

本发明所述的连接形成环是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地芳构化。如下所示例：

本发明中，连接形成的环可以为五元环或六元环或者稠合环，例如苯基、萘基、芴基、环戊烯基、环戊烷基、环己烷并苯基、喹啉基、异喹啉基、二苯并噻吩基、菲基或芘基，但不限于此。

本发明提供一种有机电致发光器件，依次包括阳极、有机物层、阴极以及覆盖层，所述覆盖层包括第一覆盖层、第二覆盖层以及第三覆盖层，所述第一覆盖层位于阴极的外侧，所述第二覆盖层位于第一覆盖层与第三覆盖层之间，所述第一覆盖层含有结构式1所示的三芳胺衍生物，所述第二覆盖层含有结构式2所示的杂环化合物，所述第三覆盖层的折射率在1.8以下，

所述X选自O或者S；

所述环P、环Q独立的选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环或者取代或未取代的菲环，且环P和环Q不同时为取代或未取代的苯环；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种，且Ar₁、Ar₂中的至少一个为取代或未取代的C10～C60的稠环芳基；

所述L₁、L₂独立的选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C3～C60的亚杂芳基中的一种；

所述环P、环Q、Ar₁、Ar₂、L₁、L₂中的至少一个含有氘；

优选的，式(1)、式(2)、式(3)选自如下基团，

所述L、L_a、L_b独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚苯并芴基、取代或未取代的亚二苯并芴基、取代或未取代的亚螺二芴基中的一种；

所述A、B独立的选自式(1)、式(2)、式(3)中的一种，并且A和B不同时为式(3)；

所述X选自O或者S；

所述L_m选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基中的一种；

所述n选自0、1、2、3或者4，所述m选自0、1、2、3、4或者5；

所述R_m相同或不同的选自氢、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R_m基团键合形成环结构。

优选的，所述第三覆盖层的折射率为1.0～1.8。

优选的，所述第二覆盖层的折射率为1.1～1.7，优选1.2～1.65或1.3～1.6或1.3～1.5。

优选的，所述第三覆盖层含有金属卤化物。

优选的，所述第三覆盖层含有碱金属卤化物、碱土金属卤化物中的一种或者多种。

优选的，所述第三覆盖层含有LiF、NaF、CsBr、KF、RbF、LiCl、KBr、KCl、NaI、RbCl、CsCl、NaBr、RbBr、KI、CsI、NaCl、RbI、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BeF₂中的一种或者多种。

优选的，所述第一覆盖层的厚度为1～110nm，优选1～80nm，更优选1～60nm，进一步优选1～40nm。

优选的，所述第二覆盖层的厚度为1～110nm，优选1～80nm，更优选1～60nm，进一步优选1～40nm。

优选的，所述第三覆盖层的厚度为1～110nm，优选1～80nm，更优选1～60nm，进一步优选1～40nm。

优选的，所述环P、环Q独立的选自如下所述基团中的一种，

所述m1选自0、1、2、3或者4；所述m2选自0、1、2、3、4、5或者6；所述m3选自0、1、2、3、4或者5；所述m4选自0、1、2或者3。

优选的，所述Ar₁、Ar₂独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基中的一种，且所述Ar₁、Ar₂中的至少一个选自取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基或者取代或未取代的三亚苯基。

优选的，所述Ar₁、Ar₂、L₁、L₂中芳环的总数为2、3、4、5、6、7、8、9或者10。

优选的，所述Ar₁、L₁中芳环的总数为1、2、3、4或者5；所述Ar₂、L₂中芳环的总数为1、2、3、4或者5。

优选的，所述Ar₁、Ar₂中的至少一个选自取代或未取代的萘基。

优选的，所述Ar₁、Ar₂独立的选自式I、式II所示基团中的一种，且Ar₁、Ar₂中的至少一个选自式II所示的基团，

所述R₁相同或不同的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的莰烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基中的一种；

所述n1选自0、1、2、3、4或者5；所述n2选自0、1、2、3、4、5、6或者7。

优选的，所述Ar₁、Ar₂独立的选自式I-1～I-9或者式II-1～II-6所示基团中的一种，且Ar₁、Ar₂中的至少一个选自式II-1～II-6所示的基团，

所述n1选自0、1、2、3或者4；所述n2选自0、1、2、3、4、5、6或者7；所述n3选自0、1、2、3、4、5或者6；所述n4选自0、1、2、3、4或者5；所述n5选自0、1、2或者3。

优选的，所述Ar₁、Ar₂独立的选自如下所示基团中的一种，

优选的，所述L₁、L₂独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

所述R₂相同或不同的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的莰烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基中的一种；

所述r1选自0、1、2、3或者4；所述r2选自0、1、2、3、4、5或者6。

优选的，所述L₁、L₂独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

所述r1选自0、1、2、3或者4；所述r2选自0、1、2、3、4、5或者6；所述r3选自0、1、2、3、4或者5；所述r4选自0、1、2或者3。

优选的，所述L₁、L₂独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

优选的，所述Ar₁、Ar₂、L₁、L₂中苯环和萘环的总数为2、3、4、5、6、7、8、9或者10。

优选的，所述Ar₁、L₁中苯环和萘环的总数为1、2、3、4或者5；所述Ar₂、L₂中苯环和萘环的总数为1、2、3、4或者5。

优选的，所述L、L_a、L_b独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

优选的，所述L-L_a-L_b一起形成如下所示基团中的一种，

优选的，所述A、B独立的选自如下所示基团中的一种，

进一步优选的，所述A、B独立的选自如下所示基团中的一种，

优选的，所述结构式1所示的三芳胺衍生物选自如下所示结构中的一种，

以上列举了本发明结构式1所示的三芳胺衍生物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以结构式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

对于结构式1所示的三芳胺衍生物，例如可以参见申请人的在先申请CN202110164825.7，在此通过引证将该专利的全部内容并入。

优选的，本发明结构式2所示的杂环化合物选自如下所示结构中的一种，

以上列举了本发明结构式2所示的杂环化合物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以结构式2所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

对于结构式2所示的杂环化合物，例如可以参见申请人的在先申请CN201910872691.7，在此通过引证将该专利的全部内容并入。

本发明器件的第一覆盖层可以为单层薄膜，也可以为多层薄膜，每一层薄膜可以包含一种材料也可以包含多种材料。第二覆盖层可以为单层薄膜，也可以为多层薄膜，每一层薄膜可以包含一种材料也可以包含多种材料。第三覆盖层可以为单层薄膜，也可以为多层薄膜，每一层薄膜可以包含一种材料也可以包含多种材料。本发明的有机电致发光器件的有机物层可以为单个功能层也可以为多个功能层，每个功能层可以由单层薄膜构成，也可以由多层薄膜构成，每一层薄膜可以包含一种材料也可以包含多种材料。本发明的有机电致发光器件的有机物层可以包含如下所述功能层中的一种或者多种，空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、具有空穴注入和/或传输性质的功能层、具有电子注入和/或传输性质的功能层。

本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：

本发明的阳极，可以将空穴有效地注入至有机材料中，降低注入势垒。阳极材料可选自金属、金属氧化物、聚合物材料、叠层材料等，例如铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、锰(Mn)、钯(Pd)、铂(Pt)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化铟、聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)、银/氧化铟锡/银(Ag/ITO/Ag)等。但不限于此。

本发明的阴极，可以将电子有效地注入至有机材料中，降低注入势垒，进而降低起始电压。阴极材料可选自金属、金属合金、叠层材料等，例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钾(K)、钛(Ti)、铟(In)、镱(Yb)、锂(Li)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、铅(Pb)、镁银合金(Mg:Al)、氟化锂(LiF)/铝(Al)、氧化锂(LiO₂)/铝(Al)中的任意一种，但不限于此。

本发明的空穴注入层，可以解决阳极和空穴传输层之间的能级匹配，改善空穴的注入效率。空穴注入层材料可选自酞菁化合物、芳胺类化合物、含氰基的共轭化合物等，例如酞菁铜、酞菁氧钛、N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基胺)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)等，但不限于此。

本发明的空穴传输层，可以改善器件空穴的注入和传输的平衡。空穴传输层材料可选自芳胺类化合物，例如N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N,N',N'-四(3-甲基苯)-3,3'-二甲基联苯二胺(HMTPD)、4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)等，但不限于此。

本发明的发光层，其主体材料可以是单一物质构成的单层结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构，主体材料包括稠合芳族环衍生物，杂环类化合物，含硅类化合物等，具体地，稠合芳族环衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲衍生物、荧蒽衍生物等，含杂环的化合物包括吡啶衍生物、邻二氮菲衍生物、苯并咪唑衍生物、1,3,5-三嗪衍生物、恶二唑衍生物、咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、嘧啶衍生物等，以及含硅类化合物包括双[3,5-二(9H-咔唑基)苯基]二苯硅烷(SiMCP₂)、双(2-甲基苯基)二苯硅烷(UGH-1)、三苯基(4-(9-苯基-9H-芴基)苯基)硅烷(TPSiF)等，但不限于此。

本发明的发光层掺杂剂材料，可包括芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。芳族胺衍生物具体实例包括具有芳基氨基的芘、蒽、和二茚并芘等；苯乙烯胺化合物具体实例包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺等；金属配合物的具体实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。

本发明的发光层可以同时包含主体材料和掺杂材料，也可以不含有主体材料。

本发明的空穴阻挡层，可以将空穴阻挡在发光层内，提高电子和空穴的结合率。空穴阻挡层材料可包括咪唑衍生物、菲啰啉衍生物、三唑衍生物、稀土类络合物、噁唑衍生物、三嗪衍生物等，例如4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)等，但不限于此。

本发明的电子传输层，可以改善器件电子的注入和平衡载流子。电子传输层材料可选自金属配合物、咪唑衍生物、菲罗啉衍生物、喹啉类、三嗪类化合物、吡啶类衍生等，例如三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq₃)、2,9-(二甲基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮菲(BCP)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯基]苯(TmPyPB)、4,4'-二(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)联苯(BTB)、2-(萘-2-基)-4,7-(二苯基)-1,10-邻菲罗啉(HNBphen)等，但不限于此。

本发明的电子注入层，可以辅助电子从阴极注入到有机材料层。电子注入层材料可包括金属、金属氧化物、碱金属盐、碱土金属盐等，例如镱(Yb)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钼(MoO₃)、8-羟基喹啉锂(LiQ)、氟化铯(CsF)等，但不限于此。

本发明的覆盖层，可以同时位于阳极的外侧和阴极的外侧，也可以位于阳极的外侧或阴极的外侧。本发明的覆盖层优选位于阴极的外侧，且本发明的覆盖层优选具有至少三层不同的覆盖层薄膜，当覆盖层具有三层薄膜时，从靠近阴极开始依次为第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层，第一覆盖层含有本发明结构式1所示的三芳胺衍生物，第二覆盖层含有结构式2所示的杂环化合物，第三覆盖层含有折射率在1.8以下的化合物。

对本发明有机电致发光器件中各层薄膜的制备方法没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、激光转印法等，但不限于此。

本发明的有机电致发光器件主要应用于信息显示技术领域，在信息显示方面被广泛应用于各种信息显示，如平板电脑、平板电视、手机、智能手表、数码照相机、VR、车载系统、可穿戴设备等。

合成实施例

对本发明结构式1的三芳胺衍生物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳碳偶联反应、碳氮偶联反应等，本发明结构式1的三芳胺衍生物可以采用如下所示的合成路线进行制备。

所述Xn选自卤素例如Cl、Br、I。

原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。

仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；VarioELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)；Bruker-510型核磁共振谱仪(Bruker公司，德国)。

[合成实施例1]化合物11的合成

中间体c-1的制备：

向反应瓶中依次加入16.3g(74.46mmol)a-1、15.2g(70.92mmol)b-1、8.17g(85.10mmol)叔丁醇钠(t-BuONa)、0.641g(0.70mmol)三二亚苄基丙酮二钯(Pd₂(dba)₃)、0.203g(0.70mmol)三叔丁基膦四氟硼酸盐(P(t-Bu)₃HBF₄)、300mL甲苯，氩气保护，在90℃加热的条件下反应4小时，反应结束后，将反应液倒入700mL水中，加入600mL二氯甲烷，分层，水层用250mL二氯甲烷萃取2次，合并有机相，减压回收溶剂，经柱层析纯化，得到中间体c-1(21.3g，收率85％)；HPLC纯度≥99.54％。

化合物11的制备：

向反应瓶中依次加入20.0g(56.73mmol)c-1、16.1g(54.03mmol)d-1、6.23g(64.83mmol)叔丁醇钠(t-BuONa)、0.494g(0.54mmol)三二亚苄基丙酮二钯(Pd₂(dba)₃)、0.257g(0.54mmol)2-二环己基磷-2,4,6-三异丙基联苯(XPhos)、260mL甲苯，氩气保护，并且115℃加热的条件下反应3.5小时，反应结束后，将反应液倒入600mL水中，加入500mL二氯甲烷，分层，水层用250mL二氯甲烷萃取2次，合并有机相，减压回收溶剂，甲苯重结晶，得到化合物11(25.79g，收率84％)；HPLC纯度≥99.59％。

质谱m/z：568.2512(理论值：568.2532)。理论元素含量(％)C₄₂H₂₀D₇NO：C,88.70；H,6.02；N,2.46。实测元素含量(％)：C,88.59；H,6.17；N,2.40。上述结果证实获得的产物为目标产品。

[合成实施例2]化合物29的合成

中间体b-2的制备：

向反应瓶中依次加入13.2g(63.53mmol)e-2、16.2g(69.88mmol)f-2、1.46g(1.27mmol)四三苯基膦钯(Pd[PPh₃]₄)、9.35g(95.29mmol)乙酸钾(KOAc)以及100mL甲苯、50mL乙醇、50mL水，氩气保护，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液在85℃条件下加热回流5小时；反应结束后，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，有机相干燥后，用柱层析法纯化，得到中间体b-2(16.6g，收率83％)；HPLC纯度≥99.64％。

中间体c-2的制备：

向反应瓶中依次加入7.52g(50.03mmol)a-2、14.8g(47.0mmol)b-2、5.49g(57.18mmol)叔丁醇钠(t-BuONa)、0.430g(0.47mmol)三二亚苄基丙酮二钯(Pd₂(dba)₃)、0.136g(0.47mmol)三叔丁基膦四氟硼酸盐(P(t-Bu)₃HBF₄)、200mL甲苯，氩气保护，在90℃加热的条件下反应4小时，反应结束后，将反应液倒入550mL水中，加入500mL二氯甲烷，分层，水层用250mL二氯甲烷萃取2次，合并有机相，减压回收溶剂，经柱层析纯化，得到中间体c-2(16.9g，收率84％)；HPLC纯度≥99.46％。

化合物29的制备：

向反应瓶中依次加入16.0g(37.32mmol)c-2、10.6g(35.55mmol)d-1、4.10g(42.66mmol)叔丁醇钠(t-BuONa)、0.330g(0.36mmol)三二亚苄基丙酮二钯(Pd₂(dba)₃)、0.172g(0.36mmol)2-二环己基磷-2,4,6-三异丙基联苯(XPhos)、150mL甲苯，氩气保护，并且115℃加热的条件下反应3.5小时，反应结束后，将反应液倒入400mL水中，加入400mL二氯甲烷，分层，水层用250mL二氯甲烷萃取2次，合并有机相，减压回收溶剂，甲苯重结晶，得到化合物29(19.46g，收率85％)；HPLC纯度≥99.62％。

质谱m/z：644.2860(理论值：644.2845)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄ D₇NO：C,89.41；H,5.94；N,2.17。实测元素含量(％)：C,89.48；H,5.81；N,2.23。上述结果证实获得的产物为目标产品。

[合成实施例3]化合物37的合成

化合物37的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1替换为等摩尔的a-3、b-3，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物37(28.54g)；HPLC纯度≥99.61％。

质谱m/z：644.2823(理论值：644.2845)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄ D₇NO：C,89.41；H,5.94；N,2.17。实测元素含量(％)：C,89.48；H,5.76；N,2.23。

[合成实施例4]化合物48的合成

化合物48的制备：

将合成实施例1中的b-1替换为等摩尔的b-4，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物48(27.84g)；HPLC纯度≥99.68％。

质谱m/z：644.2818(理论值：644.2845)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄D₇NO：C,89.41；H,5.94；N,2.17。实测元素含量(％)：C,89.36；H,5.90；N,2.29。

[合成实施例5]化合物81的合成

化合物81的制备：

将合成实施例2中的e-2、f-2、a-2、b-2替换为等摩尔的e-5、f-5、a-5、b-5，按照与合成实施例2相同的制备方法，得到化合物81(19.17g)；HPLC纯度≥99.55％。

质谱m/z：642.2703(理论值：642.2719)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₆D₅NO：C,89.69；H,5.64；N,2.18。实测元素含量(％)：C,89.56；H,5.69；N,2.27。

[合成实施例6]化合物85的合成

化合物85的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1替换为等摩尔的a-6、b-6，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物85(28.10g)；HPLC纯度≥99.52％。

质谱m/z：642.2732(理论值：642.2719)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₆D₅NO：C,89.69；H,5.64；N,2.18。实测元素含量(％)：C,89.63；H,5.69；N,2.13。

[合成实施例7]化合物89的合成

化合物89的制备：

将合成实施例2中的f-2、a-2、b-2替换为等摩尔的f-7、a-7、b-7，按照与合成实施例2相同的制备方法，得到化合物89(28.80g)；HPLC纯度≥99.45％。

质谱m/z：642.2736(理论值：642.2719)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₆D₅NO：C,89.69；H,5.64；N,2.18。实测元素含量(％)：C,89.73；H,5.51；N,2.26。

[合成实施例8]化合物92的合成

化合物92的制备：

将合成实施例1中的a-1、d-1替换为等摩尔的a-5、d-8，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物92(22.60g)；HPLC纯度≥99.61％。

质谱m/z：492.2236(理论值：492.2219)。理论元素含量(％)C₃₆H₁₆D₇NO：C,87.77；H,6.14；N,2.84。实测元素含量(％)：C,87.86；H,6.19；N,2.67。

[合成实施例9]化合物100的合成

化合物100的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-3、b-9、d-8，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物100(24.25g)；HPLC纯度≥99.60％。

质谱m/z：568.2547(理论值：568.2532)。理论元素含量(％)C₄₂H₂₀D₇NO：C,88.70；H,6.02；N,2.46。实测元素含量(％)：C,88.56；H,6.11；N,2.53。

[合成实施例10]化合物123的合成

化合物123的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-2、b-10、d-10，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物123(27.15g)；HPLC纯度≥99.53％。

质谱m/z：644.2826(理论值：644.2845)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄D₇NO：C,89.41；H,5.94；N,2.17。实测元素含量(％)：C,89.47；H,5.80；N,2.21。

[合成实施例11]化合物134的合成

化合物134的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-11、b-11、d-11，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物134(25.34g)；HPLC纯度≥99.67％。

质谱m/z：565.2332(理论值：565.2344)。理论元素含量(％)C₄₂H₂₃D₄NO：C,89.17；H,5.52；N,2.48。实测元素含量(％)：C,89.13；H,5.41；N,2.56。

[合成实施例12]化合物138的合成

化合物138的制备：

将合成实施例2中的e-1、f-1、b-1、d-1替换为等摩尔的e-12、f-12、b-12、d-11，按照与合成实施例2相同的制备方法，得到化合物138(18.52g)；HPLC纯度≥99.58％。

质谱m/z：651.3296(理论值：651.3284)。理论元素含量(％)C₄₈H₁₇D₁₄NO：C,88.44；H,6.95；N,2.15。实测元素含量(％)：C,88.48；H,6.79；N,2.27。

[合成实施例13]化合物170的合成

化合物170的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-11、b-13、d-13，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物170(24.16g)；HPLC纯度≥99.51％。

质谱m/z：566.2423(理论值：566.2406)。理论元素含量(％)C₄₂H₂₂D₅NO：C,89.02；H,5.69；N,2.47。实测元素含量(％)：C,89.23；H,5.52；N,2.51。

[合成实施例14]化合物174的合成

化合物174的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-3、b-14、d-14，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物174(24.86g)；HPLC纯度≥99.66％。

质谱m/z：568.2518(理论值：568.2532)。理论元素含量(％)C₄₂H₂₀D₇NO：C,88.70；H,6.02；N,2.46。实测元素含量(％)：C,88.61；H,6.09；N,2.54。

[合成实施例15]化合物183的合成

化合物183的制备：

将合成实施例2中的e-1、f-1、a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的e-15、f-15、a-15、b-15、d-16，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物183(18.95g)；HPLC纯度≥99.47％。

质谱m/z：642.2702(理论值：642.2719)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₆D₅NO：C,89.69；H,5.64；N,2.18。实测元素含量(％)：C,89.73；H,5.69；N,2.04。

[合成实施例16]化合物184的合成

化合物184的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1、d-1替换为等摩尔的a-7、b-6、d-16，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物184(27.27g)；HPLC纯度≥99.39％。

质谱m/z：647.3047(理论值：647.3033)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₁D₁₀NO：C,88.99；H,6.38；N,2.16。实测元素含量(％)：C,88.73；H,6.34；N,2.41。

[合成实施例17]化合物212的合成

化合物212的制备：

将合成实施例1中的b-1、d-1替换为等摩尔的b-17、d-17，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物212(28.37g)；HPLC纯度≥99.43％。

质谱m/z：648.3087(理论值：648.3096)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₀D₁₁NO：C,88.85；H,6.52；N,2.16。实测元素含量(％)：C,88.77；H,6.31；N,2.12。

[合成实施例18]化合物293的合成

化合物293的制备：

将合成实施例1中的a-1、b-1替换为等摩尔的a-18、b-7，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物293(22.87g)；HPLC纯度≥99.53％。

质谱m/z：516.2238(理论值：516.2250)。理论元素含量(％)C₃₈H₂₀D₅NO：C,88.34；H,5.85；N,2.71。实测元素含量(％)：C,88.43；H,5.70；N,2.76。

[合成实施例19]化合物344的合成

化合物344的制备：

将合成实施例1中的c-1、d-1替换为等摩尔的c-3、d-19，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物344(29.60g)；HPLC纯度≥99.46％。

质谱m/z：660.2602(理论值：660.2617)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄D₇N_S：C,87.24；H,5.79；N,2.12。实测元素含量(％)：C,87.32；H,5.61；N,2.16。

[合成实施例20]化合物365的合成

化合物365的制备：

将合成实施例1中的c-1、d-1替换为等摩尔的c-4、d-20，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物365(27.82g)；HPLC纯度≥99.57％。

质谱m/z：660.2636(理论值：660.2617)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₄D₇NS：C,87.24；H,5.79；N,2.12。实测元素含量(％)：C,87.30；H,5.66；N,2.18。

类似地合成本发明的其他化合物，例如化合物1、28、31、332等。

对本发明结构式2所示的杂环化合物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法，例如可以采用申请人的在先申请CN201910872691.7。

器件实施例

在本发明中，ITO玻璃基板由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。有机材料都是经过升华，纯度都在99.99％以上。

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率、CIE色坐标。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。

器件的制备采用真空蒸镀系统，在真空不间断条件下连续蒸发制备完成。所用材料分别在不同的蒸发源石英坩埚中，蒸发源的温度可以单独控制。有机材料或掺杂母体有机材料的热蒸发速率一般定在0.1nm/s，掺杂材料蒸发速率调节按掺杂比率进行；电极金属蒸发速率在0.4～0.6nm/s。将处理好的玻璃基板放置到OLED真空镀膜机中，在薄膜制作过程中，系统真空度应该维持在5×10^-5Pa以下，通过更换掩膜板分别来蒸镀有机层和金属电极，用Inficon的SQM160石英晶体膜厚检测仪检测蒸镀速度，用石英晶体振荡器检测薄膜厚度。

实施例1：有机电致发光器件1的制备

在玻璃基板上以ITO/Ag/ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀HATCN作为空穴注入层，蒸镀厚度为16nm；在空穴注入层上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层，蒸镀厚度为25nm；在空穴传输层上真空蒸镀TCTA:Ir(ppy)₃＝92:8作为发光层，蒸镀厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀Bphen作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm；在电子传输层上真空蒸镀LiQ作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag(9:1)作为阴极，蒸镀厚度为15nm；在阴极上真空蒸镀本发明的化合物1作为第一覆盖层，蒸镀厚度为22nm；在第一覆盖层上真空蒸镀本发明的化合物2-32作为第二覆盖层，蒸镀厚度为22nm；在第二覆盖层上真空蒸镀MgF₂作为第三覆盖层，蒸镀厚度为22nm。

有机电致发光器件1的器件结构如下：

ITO/Ag/ITO/HATCN(16nm)/TAPC(25nm)/TCTA:Ir(ppy)₃＝92:8(20nm)/Bphen(40nm)/LiQ(0.5nm)/Mg:Ag(9:1)(15nm)/化合物1(22nm)/化合物2-32(22nm)/MgF₂(22nm)。

实施例2～24：有机电致发光器件2～24的制备

将实施例1中第一覆盖层中的化合物1分别换成化合物11、化合物28、化合物29、化合物31、化合物37、化合物48、化合物81、化合物85、化合物89、化合物92、化合物100、化合物123、化合物134、化合物138、化合物170、化合物174、化合物183、化合物184、化合物212、化合物293、化合物332、化合物344、化合物365；第二覆盖层中的化合物2-32分别换成化合物2-30、化合物2-77、化合物2-38、化合物2-92、化合物2-94、化合物2-37、化合物2-25、化合物2-4、化合物2-96、化合物2-13、化合物2-9、化合物2-24、化合物2-78、化合物2-23、化合物2-54、化合物2-79、化合物2-1、化合物2-6、化合物2-45、化合物2-74、化合物2-70、化合物2-73、化合物2-69；第三覆盖层中的MgF₂分别换成LiF、RbBr、LiF、LiF、LiF、LiF、LiF、KBr、LiF、RbF、NaF、LiF、KCl、LiF、CaF₂、KBr、LiF、KF、SrF₂、CsI、KI、RbI、NaI。其他步骤相同，得到有机电致发光器件2～24。

对比例1：对比有机电致发光器件1的制备

在玻璃基板上以ITO/Ag/ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀HATCN作为空穴注入层，蒸镀厚度为16nm；在空穴注入层上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层，蒸镀厚度为25nm；在空穴传输层上真空蒸镀TCTA:Ir(ppy)₃＝92:8作为发光层，蒸镀厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀Bphen作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm；在电子传输层上真空蒸镀LiQ作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag(9:1)作为阴极，蒸镀厚度为15nm；在阴极上真空蒸镀本发明的化合物11作为第一覆盖层，蒸镀厚度为33nm；在第一覆盖层上真空蒸镀本发明的化合物2-30作为第二覆盖层，蒸镀厚度为33nm。

对比例2：对比有机电致发光器件2的制备

在玻璃基板上以ITO/Ag/ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀HATCN作为空穴注入层，蒸镀厚度为16nm；在空穴注入层上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层，蒸镀厚度为25nm；在空穴传输层上真空蒸镀TCTA:Ir(ppy)₃＝92:8作为发光层，蒸镀厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀Bphen作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm；在电子传输层上真空蒸镀LiQ作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag(9:1)作为阴极，蒸镀厚度为15nm；在阴极上真空蒸镀本发明的化合物11作为第一覆盖层，蒸镀厚度为33nm；在第一覆盖层上真空蒸镀LiF作为第二覆盖层，蒸镀厚度为33nm。

对比例3：对比有机电致发光器件3的制备

在玻璃基板上以ITO/Ag/ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀HATCN作为空穴注入层，蒸镀厚度为16nm；在空穴注入层上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层，蒸镀厚度为25nm；在空穴传输层上真空蒸镀TCTA:Ir(ppy)₃＝92:8作为发光层，蒸镀厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀Bphen作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm；在电子传输层上真空蒸镀LiQ作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag(9:1)作为阴极，蒸镀厚度为15nm；在阴极上真空蒸镀本发明的化合物11作为覆盖层，蒸镀厚度为66m。

本发明实施例1～24以及对比例1～3制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。

表1有机电致发光器件的发光特性测试数据

从表1中可以看出，本发明的有机电致发光器件1～24与对比有机电致发光器件1～3相比具有较高的发光效率以及较长的使用寿命。这说明本发明的具有三层覆盖层的有机电致发光器件，与仅有单层或双层覆盖层的有机电致发光器件相比，能够更有效地将器件内的光耦合出来，在很大程度上提高了器件的发光效率。另外，由于本发明的有机电致发光器件的各层薄膜，尤其是有机物薄膜比较稳定，各有机物层尤其是第一覆盖层和第二覆盖层之间相互配合，加上作为第三覆盖层的金属卤化物不易受外界环境的干扰，因此，各覆盖层的协同作用使得本发明的器件表现出较长的使用寿命。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，依次包括阳极、有机物层、阴极以及覆盖层，所述覆盖层包括第一覆盖层、第二覆盖层以及第三覆盖层，所述第一覆盖层位于阴极的外侧，所述第二覆盖层位于第一覆盖层与第三覆盖层之间，所述第一覆盖层含有结构式1所示的三芳胺衍生物，所述第二覆盖层含有结构式2所示的杂环化合物，所述第三覆盖层的折射率在1.8以下，

所述X选自O或者S；

所述环P、环Q独立的选自如下所述基团中的一种，

其中，当环P选自

时，环Q选自

所述m1选自0、1、2、3或者4；所述m2选自0、1、2、3、4、5或者6；所述m3选自0、1、2、3、4或者5；所述m4选自0、1、2或者3；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自式I-1～I-9或者式II-1～II-6所示基团中的一种，且Ar₁、Ar₂中的至少一个选自式II-1～II-6所示的基团，

所述n1选自0、1、2、3或者4；所述n2选自0、1、2、3、4、5、6或者7；所述n3选自0、1、2、3、4、5或者6；所述n4选自0、1、2、3、4或者5；所述n5选自0、1、2或者3；

所述L₁、L₂独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

所述r1选自0、1、2、3或者4；所述r2选自0、1、2、3、4、5或者6；所述r3选自0、1、2、3、4或者5；所述r4选自0、1、2或者3；

所述环P、环Q、Ar₁、Ar₂、L₁、L₂中的至少一个含有氘；

所述L、L_a、L_b独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚苯并芴基、取代或未取代的亚二苯并芴基、取代或未取代的亚螺二芴基中的一种；

所述A、B独立的选自式(1)、式(2)、式(3)中的一种，并且A和B不同时为式(3)；

所述X选自O或者S；

所述L_m选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基中的一种；

所述n选自0、1、2、3或者4；

所述R_m相同或不同的选自氢、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，或者相邻的两个R_m基团键合形成环结构。

2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述第三覆盖层含有金属卤化物。

3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述第三覆盖层含有碱金属卤化物、碱土金属卤化物中的一种或者多种。

4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述第三覆盖层含有LiF、NaF、CsBr、KF、RbF、LiCl、KBr、KCl、NaI、RbCl、CsCl、NaBr、RbBr、KI、CsI、NaCl、RbI、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BeF₂中的一种或者多种。

5.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述Ar₁、Ar₂独立的选自如下所示基团中的一种，

6.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述L、L_a、L_b独立的选自单键或者如下所示基团中的一种，

7.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述A、B独立的选自如下所示基团中的一种，