CN113257864A - 显示装置 - Google Patents

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CN113257864A
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transistor
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hole
light
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李仙花
田武经
金一南
柳志勳
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Abstract

本公开的实施方式提供一种显示装置，其包括：衬底；薄膜晶体管层，其位于衬底的第一表面上并包括第一孔；发光元件层，其位于薄膜晶体管层上并且包括发光元件；第一光阻挡层，其位于衬底与薄膜晶体管层之间，并且包括在衬底的厚度方向上与第一孔重叠的第二孔；以及第二光阻挡层，其位于薄膜晶体管层和发光元件层之间，并且包括在衬底的厚度方向上与第一孔和第二孔重叠的第三孔。

Description

显示装置
技术领域
本公开的一个或多个实施方式的方面涉及显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性已经增加。因此，已经使用了各种类型(种类)的显示装置，诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)。
显示装置被应用于各种合适的电子设施，诸如智能电话、平板PC、笔记本计算机、监视器和电视(TV)。近来，由于移动通信技术的发展，诸如智能电话、平板和笔记本计算机的便携式电子设施的使用已经大大增加。在便携式电子设施中存储有诸如联系人、呼叫历史、消息、照片、备忘录、用户的网络冲浪信息、用户的位置信息和金融信息的隐私信息。因此，为了保护存储在便携式电子设施中的个人信息，使用用于认证指纹(其是用户的生物识别信息)的指纹认证。显示装置可以包括用于指纹认证的指纹传感器。
同时，当指纹传感器设置在显示装置的边框区域或非显示区域中时，在加宽显示装置的显示区域时存在限制。换言之，可能减小显示区域。
发明内容
本公开的示例性实施方式的方面针对一种显示装置，该显示装置能够在指纹传感器设置在显示装置的显示区域中时，阻挡或基本上阻挡入射在指纹传感器的传感器像素上的环境光。
本公开的示例性实施方式的方面针对显示装置的显示区域中的指纹传感器，其中在显示装置的显示区域中可以形成光阻挡层，以阻挡或基本上阻挡入射在指纹传感器的传感器像素上或朝向指纹传感器的传感器像素引导的环境光。
然而，本公开的示例性实施方式不限于在本文中阐述的那些实施方式。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它示例性实施方式对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的一些示例性实施方式，提供了一种显示装置，其包括：衬底；薄膜晶体管层，其位于衬底的第一表面上并且包括第一孔；发光元件层，其位于薄膜晶体管层上并且包括发光元件；第一光阻挡层，其位于衬底和薄膜晶体管层之间，并且包括在衬底的厚度方向上与第一孔重叠的第二孔；以及第二光阻挡层，其位于薄膜晶体管层和发光元件层之间，并且包括在衬底的厚度方向上与第一孔和第二孔重叠的第三孔。
根据本公开的一些示例性实施方式，提供了一种显示装置，其包括：衬底；薄膜晶体管层，其位于衬底的第一表面上并且包括第一孔；发光元件层，其位于薄膜晶体管层上并且包括发光元件；封装层，其发光元件层上；以及传感器电极层，其位于封装层上并且包括传感器电极。传感器电极在衬底的厚度方向上不与第一孔重叠。
根据本公开的前述和其它示例性实施方式，薄膜晶体管层的第一孔、设置在薄膜晶体管下方的第一光阻挡层的第二孔、以及位于薄膜晶体管上的第二光阻挡层的第三孔可以设置成在衬底的厚度方向上彼此重叠，从而形成针孔，通过该针孔从用户的指纹反射的光穿过子像素并行进。因此，即使当指纹传感器设置在衬底下方时，指纹传感器的传感器像素中的每个也可以检测从用户的指纹反射通过针孔的光。
此外，第k扫描线的一部分、第j数据线的一部分、第二连接电极的一部分和第(k-1)扫描线的一部分可以在衬底的厚度方向上不与第一光阻挡层重叠。因此，可以减小扫描线和第一光阻挡层之间的重叠区域、初始化电压线和第一光阻挡层之间的重叠区域、以及数据线和第一光阻挡层之间的重叠区域，从而可以减小扫描线的负载、初始化电压线的负载、以及数据线的负载。
此外，可以减小设置于在衬底的厚度方向上与子像素的针孔重叠的区域中的驱动电极、感测电极和第二连接部分的一部分，使得从用户的指纹反射的光可以行进到子像素的针孔而不被第二连接部分阻挡或基本上阻挡。因此，从用户的指纹反射的光可以通过子像素的针孔入射在与子像素的针孔在厚度方向上重叠的指纹传感器的传感器像素上。
根据下面的详细描述、附图以及权利要求书及其等同，其它方面和示例实施方式将是显而易见的。
附图说明
通过参照附图描述本公开的示例性实施方式，本公开的以上和其它示例性实施方式和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的立体图；
图2是根据实施方式的显示装置的平面图；
图3是根据另一实施方式的显示装置的平面图；
图4是根据实施方式的显示装置的侧视图；
图5是示出根据实施方式的显示面板的子像素和指纹传感器的传感器像素的示例性视图；
图6A是根据实施方式的显示装置的指纹识别区域的示意性剖面图；
图6B是图6A中的区域AA的放大图；
图7是示出图6A的显示装置的子像素的示例的电路图；
图8是示出图6A的指纹传感器的传感器像素的示例的电路图；
图9是根据实施方式的子像素的薄膜晶体管的布局图；
图10是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第一光阻挡层的示例的布局；
图11是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第二光阻挡层的示例的布局；
图12是沿着图9至图11的线I-I'截取的剖视图；
图13是沿着图9至图11的线II-II'截取的剖视图；
图14是沿着图9至图11的线III-III'截取的剖视图；
图15是示意性地示出图13中的沿其来识别用户的指纹的光路的示例性剖视图；
图16是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第一光阻挡层的另一示例的布局图；
图17是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第一光阻挡层的另一示例的布局图；
图18是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第一光阻挡层的另一示例的布局图；
图19是根据实施方式的显示装置的指纹识别区域的示意性平面图；
图20是图19的第一连接部分的示意性平面图；
图21是图19的针孔区域的示意性平面图；
图22是示意性地示出图21中的包括针孔的子像素和围绕该子像素的子像素的平面图；
图23是沿着图22的线IV-IV'截取的剖视图；以及
图24是图23的第一光阻挡层、第二光阻挡层和传感器电极的示例性视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的一些实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为受限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的厚度。
在本文中，当描述本公开的实施方式时，术语“可以”的使用表示“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。如本文所使用的，诸如“…中的至少一个”、“…中的一个”和“选自…”的表述，当与元素列表一起使用时，修饰整个元素列表，而并非修饰列表中的个别元素。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“联接到”另一元件或层、或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、直接联接到另一元件或层、或者直接与另一元件或层相邻，或者可以存在一个或多个介于中间的元件或层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接联接到”另一元件或层、或“直接与”另一元件或层“相邻”时，不存在介于中间的元件或层。如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在为本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差留有余量。
如本文中所使用的，诸如“平面图”的短语可以表示从顶部或从与显示装置的显示区域垂直的方向观察的视图。
为了易于描述，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“底部”、“顶部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征的“下方”或“下面”的元件将随之取向为在其它元件或特征的“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种取向。装置可以以其它方式取向(旋转90度或处于其它取向)，并且本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。
本文中所记载的任何数值范围旨在包括包含在所记载范围内的具有相同的数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间的(包含本数)所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文中所记载的任何最大数值限制旨在包括包含在其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中所记载的任何最小数值限制旨在包括包含在其中的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求在内的本说明书的权利，以明确地叙述包含在本文中所明确记载的范围内的任何子范围。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应解释为具有与其在相关技术和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的含义进行解释，除非本文中明确地如此限定。
在下文中，将参照附图来描述本公开的实施方式。
图1是根据实施方式的显示装置的立体图，图2是根据实施方式的显示装置的平面图，图3是根据另一实施方式的显示装置的平面图，以及图4是根据实施方式的显示装置的侧视图。
如本文中所使用的，第一方向(X轴方向)可以是在平面上平行于显示装置10的短边的方向，例如，显示装置10的水平方向。第二方向(Y轴方向)可以是在平面上平行于显示装置10的长边的方向，例如，显示装置10的竖直方向。第三方向(Z轴方向)可以是衬底SUB(例如，衬底SUB包括图1中所示的子区域SBA)的厚度方向。
参照图1至图4，显示装置10，其是用于显示运动图像或静止图像的装置，可以用作诸如电视、笔记本、监视器、广告牌、物联网(IOT)以及便携式电子设施的各种产品的显示屏幕，其中便携式电子设施诸如是移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和超移动PC(UMPC)。
显示装置10可以是发光显示装置，诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、使用无机半导体的无机发光显示装置、或使用微型发光二极管(LED)的微型发光显示装置。在下文中，将假设显示装置10是有机发光显示装置来描述显示装置10，但是本公开的实施方式不限于此。
显示装置10包括显示面板100、显示驱动器200和显示电路板300。
显示面板100可以具有矩形平面形状，其具有在第一方向(X轴方向)上的短边以及在第二方向(Y轴方向)上的长边，其中，第二方向(Y轴方向)与第一方向(X轴方向)交叉。在第一方向(X轴方向)上的短边与在第二方向(Y轴方向)上的长边相交的拐角可以形成为具有曲形形状(例如，圆润形状)或具有角形状(例如，直角形状)。显示面板100的平面形状不限于诸如矩形形状的特定形状，并且可以形成为其它多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
显示面板100可以形成为平坦的(例如，显示面板100可以具有平坦表面)，但是本公开的实施方式不限于此。例如，显示面板100可以包括形成在其左端和右端处并且具有恒定曲率或可变曲率(例如，曲率随着距显示面板100的左端和右端的距离的增加而变化)的曲形部分。此外，显示面板100可以是柔性的，以被弯曲、翘曲、折叠或卷曲。
显示面板100可以包括衬底SUB、显示层DISL、传感器电极层SENL和面板下盖PB。
衬底SUB可以由诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料制成。衬底SUB可以是刚性衬底，和/或可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。
衬底SUB可以包括主区域MA和子区域SBA。主区域MA可以是在其中设置显示层DISL的区域。子区域SBA可以在第二方向(Y轴方向)上从主区域MA的一侧突出。如图4中所示，子区域SBA在第一方向(X轴方向)上的长度小于(或短于)主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度，并且子区域SBA在第二方向(Y轴方向)上的长度可以小于(或短于)主区域MA在第二方向(Y轴方向)上的长度，但是本公开的实施方式不限于此。子区域SBA可以被弯曲并设置在衬底SUB的下表面上。在一个或多个实施方式中，子区域SBA可以弯曲在面板下盖PB附近。子区域SBA在弯曲之后可以在衬底SUB的厚度方向(Z轴方向)上与主区域MA重叠。显示电路板300和显示驱动器200可以设置在子区域SBA中。
显示层DISL可以设置在衬底SUB上。显示层DISL可以是包括像素并显示图像的层。显示层DISL可以包括在其中形成薄膜晶体管的薄膜晶体管层、在其中形成用于发光的发光元件的发光元件层、以及用于封装发光元件层的封装层。
显示层DISL可以被划分成显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其中布置有多个子像素SP以显示图像的区域。非显示区域NDA可以是在其中不显示图像的区域。非显示区域NDA可以设置成围绕显示区域DA。在显示区域DA中，可以布置连接到像素的扫描线、数据线、驱动电压线等。在一个或多个实施方式中，多个子像素SP可以在显示区域DA中。在非显示区域NDA中，可以布置用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器以及将数据线连接的扇出线。
显示区域DA可以包括指纹识别区域FPA。指纹识别区域FPA表示在衬底SUB的厚度方向(Z轴方向)上与包括传感器像素FP的指纹传感器FPS重叠的区域。传感器像素FP中的每个可以设置成与至少一个子像素SP重叠。可以考虑指纹传感器FPS进行指纹识别所需的光接收量、分辨率和/或串扰来设定传感器像素FP的布置位置。传感器像素FP可以包括诸如光电晶体管或光电二极管的光感测单元。
如图2中所示，指纹识别区域FPA可以是显示区域DA的一部分。在这种情况下，如图4中所示，指纹传感器FPS可以形成为单独的模块并附接到衬底SUB的下表面。指纹传感器FPS在衬底SUB的厚度方向(Z轴方向)上可以不与面板下盖PB重叠。在一个或多个实施方式中，指纹传感器FPS与面板下盖PB处于相同水平处，并且指纹传感器FPS位于面板下盖PB的不同部分之间。
在一个或多个实施方式中，指纹识别区域FPA可以是与如图3中所示的显示区域DA基本上相同的区域。即，显示区域DA和指纹识别区域FPA可以一致，并且在这种情况下，可以在整个显示区域DA中进行指纹识别。在这种情况下，指纹传感器FPS可以设置在衬底SUB和面板下盖PB之间。指纹传感器FPS可以由包括光电二极管和薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列形成。在一个或多个实施方式中，指纹传感器FPS可以由包括光电二极管和晶体管的半导体晶圆形成。
传感器电极层SENL可以设置在显示层DISL上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极，并且可以是用于检测用户的触摸的层。
偏振膜PF可以设置在传感器电极层SENL上。偏振膜PF可以包括线性偏振片和诸如四分之一波片的相位延迟膜。相位延迟膜可以设置在传感器电极层SENL上，并且线性偏振片可以设置在相位延迟膜上。
覆盖窗CW可以设置在偏振膜PF上。覆盖窗CW可以由透明材料制成，并且可以包括玻璃和/或塑料。例如，覆盖窗CW可以包括厚度为0.1mm(约0.1mm)或更小的超薄玻璃(UTG)。覆盖窗CW可以包括透明聚酰亚胺膜。覆盖窗CW可以通过透明粘合剂构件(诸如，光学透明粘合剂(OCA)膜)附接到偏振膜PF上。
面板下盖PB可以设置在衬底SUB下方。面板下盖PB可以通过粘合剂构件附接到衬底SUB的下表面。粘合剂构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板下盖PB可以包括用于吸收光(例如，从外部入射的光)的光吸收构件、用于吸收震动(例如，从外部引起的震动)的缓冲构件和用于有效地消散显示面板100的热量的散热构件中的至少一个。
光吸收构件可以设置在衬底SUB下方。光吸收构件可以阻挡光的透射，从而防止或基本上防止设置在光吸收构件下方的部件(例如，显示电路板300等)从显示面板100观察到(例如，以面向显示面板100的视角观察到)。光吸收构件可以包括光吸收材料，诸如黑色颜料或黑色染料。
缓冲构件可以设置在光吸收构件下方。缓冲构件吸收外部震动，以防止或基本上防止显示面板100被损坏。缓冲构件可以由单个层或多个层组成。例如，缓冲构件可以由诸如聚氨酯、聚碳酸酯、丙烯和/或聚乙烯的聚合物树脂形成，或者可以由诸如通过发泡橡胶获得的海绵、基于氨基甲酸酯的材料和/或基于丙烯酸的材料的弹性材料形成。
散热构件可以设置在缓冲构件下方。散热构件可以包括第一散热层和第二散热层，其中第一散热层包括石墨或碳纳米管，第二散热层阻挡电磁波并由金属薄膜(诸如，铜、镍、铁氧体和/或银)形成。
显示驱动器200输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动器200可以向数据线提供数据电压。显示驱动器200可以向驱动电压线提供驱动电压，并且向扫描驱动器提供扫描控制信号。显示驱动器200可以由集成电路(IC)形成，并且可以通过玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声接合方法附接到显示面板100的衬底SUB上。在一个或多个实施方式中，显示驱动器200可以附接到显示电路板300上。
显示电路板300可以在显示面板100的一个边缘处设置在子区域SBA中。例如，显示电路板300可以在显示面板100的下边缘处设置在子区域SBA中。子区域SBA可以朝向显示面板100的底部弯曲，以使得显示电路板300可以附接到设置在面板下盖PB的下表面上的粘合剂构件391的一个边缘。显示电路板300可以通过粘合剂构件391附接到并固定到面板下盖PB的下表面。粘合剂构件391可以是压敏粘合剂。在一个或多个实施方式中，可以省略显示电路板300，并且衬底SUB的一个边缘可以朝向显示面板100的下部分弯曲。
可以使用各向异性导电膜将显示电路板300附接到显示面板100的显示焊盘上。因此，显示电路板300可以连接(例如，电连接)到显示面板100的显示焊盘。显示电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板、或诸如膜上芯片的柔性膜。
如图1至图4中所示，显示区域DA包括具有传感器像素FP的指纹识别区域FPA，以使得能够在显示区域DA中进行指纹识别。由于指纹传感器FPS不是必须设置在显示装置10的非显示区域NDA中，因而显示装置10的显示区域DA可以被加宽。
为了便于描述，在下文中指纹识别区域FPA将被描述为显示区域DA的一部分，但是应注意的是，本公开的实施方式不限于此。
图5是示出根据实施方式的显示面板的子像素和指纹传感器的传感器像素的示例性视图。
参照图5，设置在显示面板100的显示区域DA中的子像素SP可以以矩阵形式在第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上布置。然而，本公开的实施方式中的子像素SP的布置不限于此，并且可以根据显示装置10的尺寸和形状以适当的方式不同地布置。
子像素SP中的一些可以包括针孔PH。在一个或多个实施方式中，子像素SP可以被划分成(或者包括)包括针孔PH的子像素SP和不包括针孔PH的子像素SP。在子像素SP中，包括针孔PH的子像素SP的数量可以小于(或少于)不包括针孔PH的子像素SP的数量。例如，可以对第一方向(X轴方向)上的每M个子像素SP(M是2或更大的正整数)布置针孔PH。如图5中所示，可以对第一方向(X轴方向)上的每10个子像素SP设置针孔PH。可以对第二方向(Y轴方向)上的每N个子像素SP(N是2或更大的正整数)设置针孔PH。N可以与M相同或不同。针孔PH可以在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开100μm(约100μm)至450μm(约450μm)。此外，针孔PH可以在第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开100μm(约100μm)至450μm(约450μm)。
子像素SP的针孔PH可以是充当或用作光路的光学孔。换言之，针孔PH可以不包括反射光或阻碍光的行进的元件。例如，子像素SP的针孔PH可以是从发光元件层的发光元件输出的光通过其被用户的指纹反射并且行进到指纹传感器FPS的传感器像素FP的路径。然而，本公开的实施方式中的子像素SP的针孔PH不限于此，并且可以是穿透子像素SP的物理孔。在一个或多个实施方式中，子像素SP的针孔PH可以是结合了光学孔和物理孔的孔。换言之，在一个或多个实施方式中，子像素SP的针孔PH可以是不包括反射光或阻碍光的行进的元件的物理孔。
子像素SP的针孔PH中的每个可以在第三方向(Z轴方向)上与指纹传感器FPS的传感器像素FP重叠。因此，指纹传感器FPS的传感器像素FP可以检测通过子像素SP的针孔PH入射的光。
图6A是根据实施方式的显示装置的指纹识别区域的示意性剖面图，并且图6B是图6A中的区域AA的放大图。
参照图6A和图6B，显示面板100的显示层DISL可以包括第一光阻挡层SLL1、薄膜晶体管层TFTL、第二光阻挡层SLL2、发光元件层EML和封装层TFEL。
第一光阻挡层SLL1可以设置在衬底SUB的一个表面上。第一光阻挡层SLL1可以包括阻挡光的材料。例如，第一光阻挡层SLL1可以是金属层或包括黑色颜料的有机层。当第一光阻挡层SLL1是金属层时，第一光阻挡层SLL1可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金的单个层或多个层。
针孔PH包括形成在薄膜晶体管层TFTL中的第一孔H1、形成在第一光阻挡层SLL1中的第二孔H2、以及形成在第二光阻挡层SLL2中的第三孔H3。第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3可以在第三方向(Z轴方向)上彼此重叠。在一个或多个实施方式中，可以连接第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3，以形成包括第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的开口。尽管在图6A和图6B中示出的是第一孔H1在第一方向(X轴方向)上的长度、第二孔H2在第一方向(X轴方向)上的长度以及第三孔H3在第一方向(X轴方向)上的长度彼此相等或彼此基本上相等，但是本公开的实施方式不限于此。第一孔H1在第一方向(X轴方向)上的长度、第二孔H2在第一方向(X轴方向)上的长度、和第三孔H3在第一方向(X轴方向)上的长度中的至少一个可以不同于其它孔在第一方向(X轴方向)上的长度。
发光元件层EML可以设置在第二光阻挡层SLL2上。发光元件层EML可以包括发光元件，发光元件中的每个包括阳极电极、发光层和阴极电极。发光元件可以是包括有机发光层的有机发光二极管、包括无机半导体的无机发光二极管、包括量子点发光层的量子点发光二极管、和/或微型发光二极管芯片。
封装层TFEL可以设置在发光元件层EML上。封装层TFEL可以包括至少一个无机层，以防止或基本上防止氧气或水分渗入到发光元件层EML中。此外，封装层TFEL可以包括至少一个有机层，以防止或基本上防止在制造过程期间由于异物(例如，颗粒)而导致的氧气或水分渗入到发光元件层EML中。
传感器电极层SENL可以设置在封装层TFEL上。传感器电极层SENL包括传感器电极，并且可以是用于检测用户的触摸的层。当传感器电极层SENL包括互电容传感器电极时，传感器电极可以包括彼此交叉的驱动电极和感测电极。在这种情况下，传感器电极层SENL可以包括第一层和第二层，在第一层中形成将驱动电极连接的连接部分，在第二层中形成驱动电极和感测电极。在互电容传感器电极中，在驱动信号被施加到驱动电极之后，检测在互电容中充电的电压，从而检测用户的触摸。
同时，本公开的实施方式中的传感器电极层SENL不限于包括具有两个层的互电容传感器电极。例如，传感器电极层SENL可以包括具有一个层的互电容传感器电极，其中驱动电极和感测电极形成在一个层中。在一个或多个实施方式中，传感器电极层SENL可以包括自电容传感器电极。
覆盖窗CW可以设置在传感器电极层SENL上。覆盖窗CW可以通过第一粘合剂构件AD1附接在传感器电极层SENL上。第一粘合剂构件AD1可以是透明粘合剂构件，诸如光学透明粘合剂(OCA)膜。
指纹传感器FPS可以设置在衬底SUB的另一表面上，该另一表面是衬底SUB的所述一个表面的相对表面。指纹传感器FPS可以通过第二粘合剂构件AD2附接在衬底SUB的所述另一表面上。指纹传感器FPS可以包括多个传感器像素FP。多个传感器像素FP中的每个可以在衬底SUB的厚度方向上与针孔PH重叠。换言之，多个传感器像素FP中的每个可以在衬底SUB的厚度方向上与第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3重叠。多个传感器像素FP中的每个可以检测通过针孔PH入射的光。
当用户的手指F在覆盖窗CW上触摸时，从发光元件层EML的发光元件输出的光L1可以在用户的手指F的脊部FR或谷部FV处反射。在用户的手指F的脊部FR或谷部FV处反射的光L2穿过针孔PH，并被指纹传感器FPS的传感器像素FP感测，从而识别用户的指纹的图案。在这种情况下，由于在用户的手指F的脊部FR处反射的光的量大于(或多于)在用户的手指F的谷部FV处反射的光的量，因而指纹传感器FPS可以识别或检测用户的指纹图案。
如图6A和图6B中所示，使用从发光元件层EML的发光元件发射的光来识别用户的指纹，并且因此可以在没有单独的外部光源(例如，与显示装置10间隔开的第二光源)的情况下实现指纹识别。因此，可以减小或缩减具有指纹识别功能的显示装置10的厚度，并且可以降低其制造成本。
图7是示出图6A的显示装置的子像素的示例的电路图。
参照图7，子像素SP可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1(k是2或更大的正整数)、第k扫描线Sk和第j数据线Dj(j是正整数)。此外，子像素SP可以连接到第一驱动电压线VDDL、初始化电压线VIL和第二驱动电压线VSSL，其中，向第一驱动电压线VDDL提供第一驱动电压，向初始化电压线VIL提供初始化电压，向第二驱动电压线VSSL提供第二驱动电压。
子像素SP包括驱动晶体管DT、发光元件EL、开关元件和电容器C1。开关元件包括第一晶体管至第六晶体管(第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6)。
驱动晶体管DT可以包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到栅电极的数据电压控制在第一电极和第二电极之间流动的漏-源电流Ids(下文中，称为“驱动电流”)。流过驱动晶体管DT的沟道的驱动电流Ids与阈值电压Vth和驱动晶体管DT的栅电极和源电极之间的电压Vgs之间的差的平方成比例，如下面的等式1中所示。
等式1
Ids＝k′×(Vgv-Vth)2
在等式1中，k'表示由驱动晶体管的结构和物理特性确定的比例系数，Vgs表示驱动晶体管的栅-源电压，并且Vth表示驱动晶体管的阈值电压。
发光元件EL根据驱动电流Ids发光。从发光元件EL发射的光的量可以与驱动电流Ids成比例。
发光元件EL可以是有机发光二极管，其包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光层。在一个或多个实施方式中，发光元件EL可以是无机发光元件，其包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的无机半导体。在一个或多个实施方式中，发光元件EL可以是量子点发光元件，其包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的量子点发光层。在一个或多个实施方式中，发光元件EL可以是微型发光二极管芯片。
发光元件EL的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极，并且发光元件EL的阴极电极可以连接到第二驱动电压线VSSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件EL的阳极电极和阴极电极之间。
第一晶体管ST1可以是包括第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2的双晶体管。第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2由第k扫描线Sk的扫描信号导通，以连接驱动晶体管DT的栅电极和第二电极。在一个或多个实施方式中，当第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2导通时，驱动晶体管DT的栅电极和第二电极连接，使得驱动晶体管DT可以作为二极管被驱动。第一-第一晶体管ST1-1的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第一-第一晶体管ST1-1的第一电极可以连接到第一-第二晶体管ST1-2的第二电极，并且第一-第一晶体管ST1-1的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极。第一-第二晶体管ST1-2的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第一-第二晶体管ST1-2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第一-第二晶体管ST1-2的第二电极可以连接到第一-第一晶体管ST1-1的第一电极。
第二晶体管ST2由第k扫描线Sk的扫描信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第j数据线Dj。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第二晶体管ST2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极，并且第二晶体管ST2的第二电极可以连接到第j数据线Dj。
第三晶体管ST3可以形成为包括第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2的双晶体管。第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2由第(k-1)扫描线Sk-1的扫描信号导通，以将驱动晶体管DT的栅电极连接到初始化电压线VIL。驱动晶体管DT的栅电极可以放电到初始化电压线VIL的初始化电压。第三-第一晶体管ST3-1的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1，第三-第一晶体管ST3-1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且第三-第一晶体管ST3-1的第二电极可以连接到第三-第二晶体管ST3-2的第一电极。第三-第二晶体管ST3-2的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1，第三-第二晶体管ST3-2的第一电极可以连接到第三-第一晶体管ST3-1的第二电极，并且第三-第二晶体管ST3-2的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。
第四晶体管ST4由第k扫描线Sk的扫描信号导通，以将发光元件EL的阳极电极连接到初始化电压线VIL。发光元件EL的阳极电极可以放电到初始化电压。第四晶体管ST4的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第四晶体管ST4的第一电极连接到发光元件EL的阳极电极，并且第四晶体管ST4的第二电极连接到初始化电压线VIL。
第五晶体管ST5由第k光发射线Ek的光发射信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL。第五晶体管ST5的栅电极连接到第k光发射线Ek，第五晶体管ST5的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL，并且第五晶体管ST5的第二电极连接到驱动晶体管DT的第一电极。
第六晶体管ST6连接在驱动晶体管DT的第二电极和发光元件EL的阳极电极之间。第六晶体管ST6由第k光发射线Ek的光发射信号导通，以将驱动晶体管DT的第二电极连接到发光元件EL的阳极电极。第六晶体管ST6的栅电极连接到第k光发射线Ek，第六晶体管ST6的第一电极连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第六晶体管ST6的第二电极连接到发光元件EL的阳极电极。当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6二者被导通时，驱动电流Ids可以被提供给发光元件EL。
电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极和第一驱动电压线VDDL之间。电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且其另一电极可以连接到第一驱动电压线VDDL。
第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT中的每个可以形成为薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管。当第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT中的每个的第一电极是源电极时，其第二电极可以是漏电极。在一个或多个实施方式中，当第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT中的每个的第一电极是漏电极时，其第二电极可以是源电极。
第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体形成。当第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT中的每个的有源层由多晶硅形成时，形成有源层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
尽管在图7中示出的是第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT形成为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但是本公开的实施方式不限于此，并且第一晶体管至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6和驱动晶体管DT可以形成为N型MOSFET。
图8是示出图6A的指纹传感器的传感器像素的示例的电路图。
参照图8，传感器像素FP包括光电二极管PD、第一感测晶体管至第三感测晶体管(第一感测晶体管RT1、第二感测晶体管RT2和第三感测晶体管RT3)以及感测电容器RC1。
第一感测晶体管RT1可以是复位晶体管，其根据复位信号线RSL的复位信号来复位感测电容器RC1的第一电极的电势V1。第一感测晶体管RT1的栅电极可以连接到复位信号线RSL，第一感测晶体管RT1的源电极可以连接到光电二极管PD的阴极电极和感测电容器RC1的第一电极，并且第一感测晶体管RT1的漏电极可以连接到向其施加第一感测驱动电压的第一感测驱动电压线RVDDL。
第二感测晶体管RT2可以是放大晶体管，其将感测电容器RC1的第一电极的电势V1转换为电流信号并放大该电流信号。第二感测晶体管RT2的栅电极可以连接到光电二极管PD的阴极电极和感测电容器RC1的第一电极，第二感测晶体管RT2的源电极可以连接到第三感测晶体管RT3的漏电极，并且第二感测晶体管RT2的漏电极可以连接到第一感测驱动电压线RVDDL。
第三感测晶体管RT3可以是选择晶体管，当感测扫描信号被施加到感测扫描线RSCL时，通过其将由第二感测晶体管RT2对感测电容器RC1的第一电极的电势V1进行转换并放大而获得的电流信号传输到读出线ROL。第三感测晶体管RT3的栅电极可以连接到感测扫描线RSCL，第三感测晶体管RT3的源电极可以连接到读出线ROL，并且第三感测晶体管RT3的漏电极可以连接到第二感测晶体管RT2的源电极。
光电二极管PD可以包括阳极电极、PIN半导体层和阴极电极。光电二极管PD的阴极电极可以连接到感测电容器RC1的第一电极，并且光电二极管PD的阳极电极可以连接到第二感测驱动电压线RVSSL，其中，向第二感测驱动电压线RVSSL施加比第一感测驱动电压低的第二感测驱动电压。光电二极管PD的PIN半导体层可以包括连接到阳极电极的P型半导体层、连接到阴极电极的N型半导体层、以及设置在P型半导体层和N型半导体层之间的I型半导体层。
尽管在图8中示出的是第一感测晶体管RT1、第二感测晶体管RT2至第三感测晶体管RT3被形成为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但是本公开的实施方式不限于此，并且第一感测晶体管RT1、第二感测晶体管RT2至第三感测晶体管RT3可以被形成为P型MOSFET。
在下文中，将更详细地描述图8中所示的传感器像素FP的操作。
首先，当第一感测晶体管RT1由复位信号线RSL的复位信号导通时，感测电容器RC1的第一电极的电势V1被复位到第一感测驱动电压线RVDDL的第一感测驱动电压的电势。
第二，当由用户的指纹反射的光入射在光电二极管PD上时，漏电流可能在光电二极管PD中流动。可以通过漏电流对感测电容器RC1充电。
当对感测电容器RC1充电时，连接到感测电容器RC1的第一电极的第二感测晶体管RT2的栅电极的电势增加。当第二感测晶体管RT2的栅电极的电势大于阈值电压时，第二感测晶体管RT2可以导通。
第三，当感测扫描信号被施加到感测扫描线RSCL时，第三感测晶体管RT3可以被导通。当第三感测晶体管RT3导通时，流经第二感测晶体管RT2的电流信号可以通过感测电容器RC1的第一电极的电势V1传输到读出线ROL。因此，读出线ROL的电势V2增加，并且读出线ROL的电势V2可以被传输到指纹传感器IC。指纹传感器IC可以通过模数转换器(ADC)将读出线ROL的电势V2转换成数字信号。
读出线ROL的电势V2与感测电容器RC1的第一电极电势V1成比例(即，与在感测电容器RC1中充电的电荷的量成比例，并且存储在感测电容器RC1中的电荷的量与提供给光电二极管PD的光的量成比例)。因此，可以通过读出线ROL的电势V2来确定有多少光入射在传感器像素FP的光电二极管PD上。由于指纹传感器IC可以对每个传感器像素FP检测入射光的量，因此指纹传感器IC可以识别用户的指纹图案。
图9是根据实施方式的子像素的薄膜晶体管的布局图，图10是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第一光阻挡层的示例的布局，以及图11是示出图9的子像素的薄膜晶体管层和第二光阻挡层的示例的布局。
参照图9，子像素SP的薄膜晶体管层TFTL可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第六晶体管ST6、电容器C1(参见图12)、第一连接电极CE1、第二连接电极VIE以及第一阳极连接电极ANDE1。
子像素SP可以在第三方向(Z轴方向)上与第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k光发射线Ek和第j数据线Dj、第一驱动电压线VDDL以及初始化电压线VIL重叠。子像素SP可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第j数据线Dj和第一驱动电压线VDDL。第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k光发射线Ek和初始化电压线VIL可以在第一方向(X轴方向)上延伸。第j数据线Dj可以在第二方向(Y轴方向)上延伸。
第一驱动电压线VDDL可以包括第一子驱动电压线VDDL1和第二子驱动电压线VDDL2。第一子驱动电压线VDDL1可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且第二子驱动电压线VDDL2可以在第一方向(X轴方向)上延伸。第一子驱动电压线VDDL1可以在第一方向(X轴方向)上设置在第j数据线Dj和第一连接电极CE1之间。第二子驱动电压线VDDL2可以在第二方向(Y轴方向)上设置在第k扫描线Sk和第k光发射线Ek之间。第一子驱动电压线VDDL1可以通过第八接触孔CNT8连接到第二子驱动电压线VDDL2。
驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅电极DT_G、第一电极DT_S和第二电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动晶体管DT的栅电极DT_G重叠。栅电极DT_G可以设置在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT上。
栅电极DT_G可以通过第一连接接触孔CNT1连接到第一连接电极CE1。第一连接电极CE1可以通过第二连接接触孔CNT2连接到第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1。由于第一连接电极CE1在第二方向(Y轴方向)上延伸，因而第一连接电极CE1可以与第k扫描线Sk交叉。
驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以连接到第一-第二晶体管ST1-2的第一电极S1-2和第六晶体管ST6的第一电极S6。
第一晶体管ST1可以形成为双晶体管。第一晶体管ST1可以包括第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2。
第一-第一晶体管ST1-1可以包括有源层ACT1-1、栅电极G1-1、第一电极S1-1和第二电极D1-1。第一-第一晶体管ST1-1的栅电极G1-1是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第一-第一晶体管ST1-1的有源层ACT1-1和第k扫描线Sk在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第一-第一晶体管ST1-1的第一电极S1-1可以连接到第一-第二晶体管ST1-2的第二电极D1-2。第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1可以通过第二连接接触孔CNT2连接到第一连接电极CE1。
第一-第二晶体管ST1-2可以包括有源层ACT1-2、栅电极G1-2、第一电极S1-2和第二电极D1-2。第一-第二晶体管ST1-2的栅电极G1-2是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第一-第二晶体管ST1-2的有源层ACT1-2和第k扫描线Sk在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第一-第二晶体管ST1-2的第一电极S1-2可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第一-第二晶体管ST1-2的第二电极D1-2可以连接到第一-第一晶体管ST1-1的第一电极S1-1。
第二晶体管ST2可以包括有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2。第二晶体管ST2的栅电极G2是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第二晶体管ST2的有源层ACT2和第k扫描线Sk在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第二晶体管ST2的第一电极S2可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。第二晶体管ST2的第二电极D2可以通过第三接触孔CNT3连接到第j数据线Dj。
第三晶体管ST3可以形成为双晶体管。第三晶体管ST3可以包括第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2。
第三-第一晶体管ST3-1可以包括有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1和第二电极D3-1。第三-第一晶体管ST3-1的栅电极G3-1是第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，并且可以是第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1和第(k-1)扫描线Sk-1在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第三-第一晶体管ST3-1的第一电极S3-1可以通过第二连接接触孔CNT2连接到第一连接电极CE1。第三-第一晶体管ST3-1的第二电极D3-1可以连接到第三-第二晶体管ST3-2的第一电极S3-2。
第三-第二晶体管ST3-2可以包括有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2。第三-第二晶体管ST3-2的栅电极G3-2是第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，并且可以是第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2和第(k-1)扫描线Sk-1在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第三-第二晶体管ST3-2的第一电极S3-2可以连接到第三-第一晶体管ST3-1的第二电极D3-1。第三-第二晶体管ST3-2的第二电极D3-2可以通过第四接触孔CNT4连接到第二连接电极VIE。
第四晶体管ST4可以包括有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4。第四晶体管ST4的栅电极G4是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第四晶体管ST4的有源层ACT4和第k扫描线Sk在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第四晶体管ST4的第一电极S4可以通过第六接触孔CNT6连接到第一阳极连接电极ANDE1。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第一阳极接触孔AND_CNT1连接到第二阳极连接电极ANDE2(参见图11)。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第二阳极接触孔AND_CNT2(参见图11)连接到发光元件EL的阳极电极。第四晶体管ST4的第二电极D4可以通过第四接触孔CNT4连接到第二连接电极VIE。初始化电压线VIL可以通过第五接触孔CNT5连接到第二连接电极VIE，并且第二连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第三-第二晶体管ST3-2的第二电极D3-2和第四晶体管ST4的第二电极D4。第二连接电极VIE可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以设置成与第(k-1)扫描线Sk-1交叉。
第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第五晶体管ST5的栅电极G5是第k光发射线Ek的一部分，并且可以是第五晶体管ST5的有源层ACT5和第k光发射线Ek在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第五晶体管ST5的第一电极S5可以通过第七接触孔CNT7连接到第一子驱动电压线VDDL1。第五晶体管ST5的第二电极D5可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。
第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6。第六晶体管ST6的栅电极G6是第k光发射线Ek的一部分，并且可以是第六晶体管ST6的有源层ACT6和第k光发射线Ek在第三方向(Z轴方向)上的重叠区域。第六晶体管ST6的第一电极S6可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第六接触孔CNT6连接到发光元件EL的阳极电极。
薄膜晶体管层TFTL可以包括第一孔H1。如图9中所示，第一孔H1可以被第一子驱动电压线VDDL1、初始化电压线VIL、第六晶体管ST6的第二电极D6、第一阳极连接电极ANDE1和第k光发射线Ek围绕。例如，第一孔H1可以在第一方向(X轴方向)上设置在第一子驱动电压线VDDL1和第一阳极连接电极ANDE1之间。此外，第一孔H1可以在第一方向(X轴方向)上设置在第六晶体管ST6的第一子驱动电压线VDDL1和第二电极D6之间。此外，第一孔H1可以在第二方向(Y轴方向)上设置在第k光发射线Ek和初始化电压线VIL之间。第一孔H1可以是光学孔，其通过不布置反射光或干扰光在薄膜晶体管层TFTL中行进的元件(例如，线或电极)而充当或用作光路。
同时，本公开的实施方式中的第一孔H1的平面形状不限于图9中所示的形状，并且第一孔H1的平面形状可以根据构成薄膜晶体管层TFTL的线和电极的布置以各种合适的方式形成。
参照图10，第一光阻挡层SLL1可以设置在薄膜晶体管层TFTL下方。第一光阻挡层SLL1可以在第三方向(Z轴方向)上与薄膜晶体管层TFTL的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6重叠。如图10中所示，第一光阻挡层SLL1可以设置在除了第一孔H1(例如，薄膜晶体管层TFTL的第一孔H1)之外的区域中。在一个或多个实施方式中，第一光阻挡层SLL1可以包括在第三方向(Z轴方向)上与第三孔H3和第一孔H1重叠的第二孔H2。
第一光阻挡层SLL1可以包括第二孔H2。第二孔H2可以在第三方向(Z轴方向)上与薄膜晶体管层TFTL的第一孔H1重叠。第二孔H2的面积可以大于(或多于)第一孔H1的面积。例如，第二孔H2在第一方向(X轴方向)上的最大长度X2可以大于(或多于)第一孔H1在第一方向(X轴方向)上的最大长度X1。第二孔H2在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y2可以大于(或多于)第一孔H1在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y1。第二孔H2在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y2可以比第一孔H1在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y1大(或多)1μm(约1μm)至5μm(约5μm)。
第二孔H2是穿透第一光阻挡层SLL1的孔，并且可以填充有薄膜晶体管层TFTL的绝缘膜(例如，当薄膜晶体管层TFTL形成在第一光阻挡层SLL1上时的缓冲膜)。因此，第二孔H2可以是光学孔，其充当通过其从发光元件层EML输出的光L1被用户的指纹反射并且经反射的光L2行进到指纹传感器FPS的光路。
参照图11，第二光阻挡层SLL2可以设置在薄膜晶体管层TFTL上方。第二光阻挡层SLL2可以在第三方向(Z轴方向)上与薄膜晶体管层TFTL的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第五晶体管ST5重叠。第二光阻挡层SLL2可以在第三方向(Z轴方向)上不与第六晶体管ST6重叠。
第二光阻挡层SLL2可以与第二阳极连接电极ANDE2设置在相同的层上。第二光阻挡层SLL2可以通过与第二阳极连接电极ANDE2相同的工艺由与第二阳极连接电极ANDE2相同的材料形成。第二阳极连接电极ANDE2可以与第二光阻挡层SLL2电分离。第二阳极连接电极ANDE2可以设置成与第二光阻挡层SLL2间隔开。第二阳极连接电极ANDE2可以在第三方向(Z轴方向)上与第六晶体管ST6重叠。
第二光阻挡层SLL2可以包括第三孔H3。第三孔H3可以在第三方向(Z轴方向)上与薄膜晶体管层TFTL的第一孔H1重叠。第二阳极连接电极ANDE2可以设置在第三孔H3中。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第一阳极接触孔AND_CNT1连接到第二阳极连接电极ANDE2。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第二阳极接触孔AND_CNT2连接到发光元件EL的阳极电极。
第三孔H3的面积可以大于(或多于)第一孔H1的面积。例如，第三孔H3在第一方向(X轴方向)上的最大长度X3可以大于(或多于)第一孔H1在第一方向(X轴方向)上的最大长度X1。第三孔H3在第一方向(X轴方向)上的最大长度X3可以比第一孔H1在第一方向(X轴方向)上的最大长度X1大(或多)1μm(约1μm)至5μm(约5μm)。第三孔H3在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y3可以大于(或多于)第二孔H2在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y2，并且因此可以大于(或多于)第一孔H1在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y1。第三孔H3在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y3可以比第一孔H1在第二方向(Y轴方向)上的最大长度Y1大(或多)1μm(约1μm)至5μm(约5μm)。
第三孔H3是穿透第二光阻挡层SLL2的孔，并且可以填充有薄膜晶体管层TFTL的绝缘膜(例如，当薄膜晶体管层TFTL形成在第二光阻挡层SLL2上时的缓冲膜)。因此，第三孔H3可以是光学孔，其充当或用作通过其从发光元件层EML输出的光L1被用户的指纹反射并且经反射的光L2行进到指纹传感器FPS的光路。
如图9至图11中所示，薄膜晶体管层TFTL的第一孔H1、第一光阻挡层SLL1的第二孔H2和第二光阻挡层SLL2的第三孔H3可以设置成在第三方向(Z轴方向)上彼此重叠，从而形成从用户的指纹反射的光L2通过其穿过子像素SP的针孔PH。因此，即使当指纹传感器FPS设置在衬底SUB下方时，指纹传感器FPS的传感器像素FP中的每个也可以检测到通过针孔PH从用户的指纹反射的光L2。
图12是沿着图9至图11的线I-I'截取的剖视图，图13是沿着图9至图11的线II-II'截取的剖视图，并且图14是沿着图9至图11的线III-III'截取的剖视图。
参照图12至图14，第一光阻挡层SLL1、薄膜晶体管层TFTL、第二光阻挡层SLL2、发光元件层EML和封装层TFEL可以形成(例如，顺序形成)在衬底SUB上。
第一光阻挡层SLL1可以形成在衬底SUB的一个表面上。第一光阻挡层SLL1可以形成为单个层或多个层(多层)，其包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金。在一个或多个实施方式中，第一光阻挡层SLL1可以是包括黑色颜料的有机层。
薄膜晶体管层TFTL包括缓冲膜BF、有源层、第一栅极层、第二栅极层、数据金属层、栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、钝化层150和第一有机层160。
缓冲膜BF可以形成在第一光阻挡层SLL1上。缓冲膜BF可以形成在衬底SUB的一个表面上，以保护薄膜晶体管和发光元件层EML的有机发光层172免受渗透穿过衬底SUB的水分(例如，在衬底SUB的易被水分渗透的部分处渗透穿过衬底SUB的水分)的影响。缓冲膜BF可以由交替层叠的多个无机膜形成。例如，缓冲膜BF可以形成为多层膜，在所述多层膜中，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的两个或更多个无机层交替层叠。在一个或多个实施方式中，可以省略缓冲膜BF。
有源层可以形成在缓冲膜BF上。有源层不仅可以包括驱动晶体管DT以及第一开关晶体管至第六开关晶体管(例如，第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6)的有源层(例如，有源层DT_ACT、有源层ACT1-1、有源层ACT1-2、有源层ACT2、有源层ACT3-1、有源层ACT3-2、有源层ACT4、有源层ACT5和有源层ACT6)，还可以包括源电极(例如，第一电极DT_S、第一电极S1-1、第一电极S1-2、第一电极S2、第一电极S3-1、第一电极S3-2、第一电极S4、第一电极S5、第一电极S6)和漏电极(例如，第二电极DT_D、第二电极D1-1、第二电极D1-2、第二电极D2、第二电极D3-1、第二电极D3-2、第二电极D4、第二电极D5和第二电极D6)。有源层可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。当有源层包括多晶硅或氧化物半导体时，掺杂有离子的有源层可以具有导电性。换言之，掺杂有离子的有源层可以具有增加的导电性。
栅极绝缘膜130可以形成在有源层上。栅极绝缘膜130可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
第一栅极层可以形成在栅极绝缘膜130上。第一栅极层不仅可以包括驱动晶体管DT的栅电极(例如，栅电极DT_G)以及第一开关晶体管至第六开关晶体管(例如，第一晶体管ST1至第六晶体管ST6)的栅电极(例如，栅电极G1-1、栅电极G1-2、栅电极G2、栅电极G3-1、栅电极G3-2、栅电极G4、栅电极G5、栅电极G6)，还可以包括扫描线Sk-1和Sk以及第k光发射线Ek。第一栅极层可以形成为单个层或多个层，其包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金。
第一层间绝缘膜141可以形成在第一栅极层上。第一层间绝缘膜141可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。第一层间绝缘膜141可以包括多个无机层。
第二栅极层可以形成在第一层间绝缘膜141上。第二栅极层可以包括初始化电压线VIL和第二子驱动电压线VDDL2。电容器C1的第一电极可以是驱动晶体管DT的栅电极DT_G的一部分，并且电容器C1的第二电极可以是第二子驱动电压线VDDL2的与驱动晶体管DT的栅电极DT_G重叠的一部分。第二栅极层可以形成为单个层或多个层，其包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金。
第二层间绝缘膜142可以形成在第二栅极层上。第二层间绝缘膜142可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。第二层间绝缘膜142可以包括多个无机层。
数据金属层可以形成在第二层间绝缘膜142上。数据金属层可以包括第一子驱动电压线VDDL1、第一连接电极CE1、第二连接电极VIE、第一阳极连接电极ANDE1和第j数据线Dj。数据金属层可以形成为单个层或多个层，其包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金。
可以在数据金属层上形成第一有机层160，以使由于有源层、第一栅极层、第二栅极层和数据金属层而形成的台阶平坦化。第一有机层160可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。
同时，可以在数据金属层和第一有机层160之间进一步形成钝化层150。钝化层150可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
第二光阻挡层SLL2和第二阳极连接电极ANDE2可以形成在第一有机层160上。第二光阻挡层SLL2和第二阳极连接电极ANDE2可以形成为单个层或多个层，其包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金。
可以在第二光阻挡层SLL2和第二阳极连接电极ANDE2上形成第二有机层161，以使台阶平坦化。第二有机层161可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。
尽管在图12中示出的是驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6通过栅电极位于有源层之上的顶栅方法形成，但是本公开的实施方式不限于此。即，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以通过底栅方法或双栅方法形成，在底栅方法中，栅电极位于有源层下方，在双栅方法中，栅电极既位于有源层之上又位于有源层下方。
第一连接接触孔CNT1可以是穿透过第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露驱动晶体管DT的栅电极DT_G的孔。第一连接电极CE1可以通过第一连接接触孔CNT1连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。
第二连接接触孔CNT2可以是穿透过栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1的孔。第一连接电极CE1可以通过第二连接接触孔CNT2连接到第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1。
第三接触孔CNT3可以是穿透过栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第二晶体管ST2的第二电极D2的孔。第j数据线Dj可以通过第三接触孔CNT3连接到第二晶体管ST2的第二电极D2。
第四接触孔CNT4可以是穿透过栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第三-第二晶体管ST3-2的第二电极D3-2和第四晶体管ST4的第二电极D4的孔。第二连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第三-第二晶体管ST3-2的第二电极D3-2和第四晶体管ST4的第二电极D4。
第五接触孔CNT5可以是穿透过第二层间绝缘膜142以暴露初始化电压线VIL的孔。第二连接电极VIE可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化电压线VIL。
第六接触孔CNT6可以是穿透过栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第六晶体管ST6的第二电极D6的孔。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管ST6的第二电极D6。
第七接触孔CNT7可以是穿透过栅极绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第五晶体管ST5的第一电极S5的孔。第一子驱动电压线VDDL1可以通过第七接触孔CNT7连接到第五晶体管ST5的第一电极S5。
第八接触孔CNT8可以是穿透过第二层间绝缘膜142以暴露第二子驱动电压线VDDL2的孔。第一子驱动电压线VDDL1可以通过第八接触孔CNT8连接到第二子驱动电压线VDDL2。
第一阳极接触孔AND_CNT1可以是穿透过钝化层150和第一有机层160以暴露第一阳极连接电极ANDE1的孔。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第一阳极接触孔AND_CNT1连接到第一阳极连接电极ANDE1。
第二阳极接触孔AND_CNT2可以是穿透过第二有机层161以暴露第二阳极连接电极ANDE2的孔。
发光元件层EML形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和像素限定层180。
发光元件170和像素限定层180形成在第二有机层161上。发光元件170中的每个可以包括阳极电极171、有机发光层172和阴极电极173。
阳极电极171可以形成在第二有机层161上。阳极电极171可以通过第二阳极接触孔AND_CNT2连接到第二阳极连接电极ANDE2。
在基于有机发光层172向阴极电极173发射光的顶部发射结构中，阳极电极171可以由高反射率金属材料(诸如，铝和钛的叠层结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的叠层结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和ITO的叠层结构(ITO/APC/ITO))形成。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
可以形成像素限定层180以将第二有机层161上的阳极电极171隔离开，从而限定子像素SP中的每个的发射区域EA。像素限定层180可以形成为覆盖阳极电极171的边缘。像素限定层180可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。
子像素SP中的每个的发射区域EA表示阳极电极171、有机发光层172和阴极电极173在其中层叠(例如，顺序地层叠)的区域，使得来自阳极电极171的空穴和来自阴极电极173的电子在有机发光层172中彼此结合以发光。
有机发光层172形成在阳极电极171和像素限定层180上。有机发光层172可以包括有机材料，以发射设定(例如，预定)颜色的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。在子像素SP中，第一子像素的有机发光层172可以发射第一颜色的光，第二子像素的有机发光层172可以发射第二颜色的光，并且第三子像素的有机发光层172可以发射第三颜色的光。在一个或多个实施方式中，子像素SP的有机发光层172可以发射白光，并且在这种情况下，第一颜色的滤色器层可以与第一子像素重叠(例如，在厚度方向上重叠)，第二颜色的滤色器层可以与第二子像素重叠(例如，在厚度方向上重叠)，并且第三颜色的滤色器层可以与第三子像素重叠(例如，在厚度方向上重叠)。在一个或多个实施方式中，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但是本公开的实施方式不限于此。
阴极电极173形成在有机发光层172上。阴极电极173可以形成为覆盖有机发光层172。阴极电极173可以是公共地形成在子像素SP中的公共层。换言之，子像素SP可以共享或包括相同的阴极电极173。在阴极电极173上可以形成封盖层。
在顶部发射结构中，阴极电极173可以由可透射光的透明导电材料(诸如，ITO或IZO)形成，或者可以由半透射导电材料(诸如，镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金)形成。当阴极电极173由半透射导电材料形成时，可以通过微腔提高发光效率。
封装层TFEL可以形成在发光元件层EML上。封装层TFEL可以包括至少一个无机层以防止或基本上防止氧气或水分渗入到发光元件层EML中。此外，封装层TFEL可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层EML免受诸如灰尘的异物的影响。
在一个或多个实施方式中，可以在发光元件层EML上设置衬底来代替封装层TFEL，并且发光元件层EML和衬底之间的空间可以在真空状态下是空的，或者可以设置有填充膜。
同时，在图12至图14中，为了便于描述，不再重复对传感器电极层SENL的描述。
图15是示意性地示出图13中的沿其来识别用户的指纹的光路的示例性剖视图。
如图15中所示，当用户的手指F接触显示装置10时，从有机发光层172输出的光L1可以从用户的手指F的脊部FR或谷部FV反射。从用户的手指F的脊部FR或谷部FV反射的光L2可以穿过第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3，并且可以入射在指纹传感器FPS的传感器像素FP上。因此，指纹传感器FPS的传感器像素FP可以通过感测入射光来识别用户的指纹图案。
此外，第二光阻挡层SLL2可以反射环境光L3(诸如，外部光)而不反射由手指F反射的光L2。因此，环境光L3(例如，入射在薄膜晶体管层TFTL上的外部光)可以从有源层、第一栅极层、第二栅极层、数据金属层和第一光阻挡层SLL1的至少两层反射，以防止或基本上防止经反射的环境光L3'入射在指纹传感器FPS的传感器像素FP上。因此，可以改善指纹传感器FPS的指纹图案识别的准确性。
同时，如图15中所示，当在除第二孔H2之外的整个区域中形成第一光阻挡层SLL1(例如，第一光阻挡层SLL1限定第二孔H2)时，可能增大在第一光阻挡层SLL1和有源层之间形成的寄生电容、在第一光阻挡层SLL1和第一栅极层之间形成的寄生电容、在第一光阻挡层SLL1和第二栅极层之间形成的寄生电容以及在第一光阻挡层SLL1和数据金属层之间形成的寄生电容。由于寄生电容，施加扫描信号的扫描线的负载、施加光发射信号的光发射线的负载、施加初始化电压的初始化电压线VIL的负载、以及施加数据电压的数据线的负载可能增加。当扫描线的负载、光发射线的负载、初始化电压线VIL的负载和数据线的负载增加时，子像素SP中的每个的数据电压充电时间可能增加，并且子像素SP中的每个的驱动晶体管DT的阈值电压补偿时间可能增加。
图16是示出设置在图9的子像素的薄膜晶体管层上的第一光阻挡层的另一示例的平面图。
图16的实施方式与图10的实施方式的不同之处在于，第一光阻挡层SLL1在第三方向(Z轴方向)上不与第二晶体管ST2的一部分、第三晶体管ST3的一部分、第四晶体管ST4的一部分以及第六晶体管ST6的一部分重叠。
参照图16，第一光阻挡层SLL1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动晶体管DT、第一晶体管ST1和第五晶体管ST5重叠。在这种情况下，穿过衬底SUB入射在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT、第一晶体管ST1的有源层ACT1-1和ACT1-2、以及第五晶体管ST5的有源层ACT5上(或朝向其引导)的光可以被第一光阻挡层SLL1阻挡或基本上阻挡。
除了第二孔H2之外，第一光阻挡层SLL1还可以包括第四孔H4和第五孔H5。在一个或多个实施方式中，第二孔H2、第四孔H4和第五孔H5在平面图中彼此间隔开。换言之，第二孔H2、第四孔H4和第五孔H5在第三方向(Z轴方向)上不与彼此重叠。由于第二孔H2与参照图10描述的第二孔H2基本上相同，因而将不再重复对第二孔H2的描述。
第四孔H4可以在第三方向(Z轴方向)上与第二晶体管ST2的有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2的一部分以及第二电极D2的一部分重叠。此外，第四孔H4可以在第三方向(Z轴方向)上与第六晶体管ST6的一部分重叠。此外，第四孔H4可以在第三方向(Z轴方向)上与第k扫描线Sk的一部分、第一连接电极CE1的一部分以及第j数据线Dj的一部分重叠。第二晶体管ST2的有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2的一部分和第二电极D2的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。
第五孔H5可以在第三方向(Z轴方向)上与第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1的一部分以及第二电极D3-1的一部分重叠。此外，第五孔H5可以在第三方向(Z轴方向)上与第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2的一部分以及第二电极D3-2的一部分重叠。此外，第五孔H5可以在第三方向(Z轴方向)上与第四晶体管ST4的有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4的一部分以及第二电极D4的一部分重叠。此外，第五孔H5可以在第三方向(Z轴方向)上与第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分重叠。
第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1的一部分和第二电极D3-1的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2的一部分和第二电极D3-2的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第四晶体管ST4的有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4的一部分和第二电极D4的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。
如图16中所示，第一光阻挡层SLL1不仅可以包括用于形成充当光路的针孔PH的第二孔H2，还可以包括用于减小扫描线的负载、光发射线的负载、初始化电压线VIL的负载和数据线的负载的第四孔H4和第五孔H5。即，在第四孔H4和第五孔H5中，第k扫描线Sk的一部分、第j数据线Dj的一部分、第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。因此，由于可以减小扫描线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域、初始化电压线VIL与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域、以及数据线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域，因而可以减小扫描线的负载、初始化电压线VIL的负载、以及数据线的负载。
图17是示出设置在图9的子像素的薄膜晶体管层上的第一光阻挡层的另一示例的平面图。图17示出了包括针孔PH的子像素SP的薄膜晶体管层和第一光阻挡层。
图17的实施方式与图10的实施方式的不同之处在于，第一光阻挡层SLL1在第三方向(Z轴方向)上不与第二晶体管ST2的一部分、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4的一部分和第六晶体管ST6重叠。
参照图17，第一光阻挡层SLL1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动晶体管DT、第一晶体管ST1以及第五晶体管ST5的一部分重叠。在这种情况下，穿过衬底SUB入射在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT、第一晶体管ST1的有源层ACT1-1和ACT1-2和第五晶体管ST5的有源层ACT5上(或朝向其引导)的光可以被第一光阻挡层SLL1阻挡或基本上阻挡。
第一光阻挡层SLL1可以包括第二孔H2'。在一个或多个实施方式中，第二孔H2'和第四孔H4在平面图中彼此间隔开。例如，第二孔H2'和第四孔H4在第三方向(Z轴方向)上不重叠。在一个或多个实施方式中，第四孔H4可以在第三方向(Z轴方向)上与第二晶体管ST2的有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2的一部分以及第二电极D2的一部分重叠。此外，第二孔H2'可以在第三方向(Z轴方向)上与第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1以及第二电极D3-1重叠。此外，第二孔H2'可以在第三方向(Z轴方向)上与第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2重叠。此外，第二孔H2'可以在第三方向(Z轴方向)上与第四晶体管ST4的有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4的一部分以及第二电极D4的一部分重叠。此外，第二孔H2'可以在第三方向(Z轴方向)上与第六晶体管ST6的有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6重叠。此外，和第四孔H4可以在第三方向(Z轴方向)上与第k扫描线Sk的一部分、第一连接电极CE1的一部分以及第j数据线Dj的一部分重叠。此外，第二孔H2'可以在第三方向(Z轴方向)上与第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分重叠。
第二晶体管ST2的有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2的一部分和第二电极D2的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1和第二电极D3-1可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第四晶体管ST4的有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4的一部分和第二电极D4的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第六晶体管ST6的有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第k扫描线Sk的一部分、第一连接电极CE1的一部分和第j数据线Dj的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。
如图17中所示，在第二孔H2'中，第k扫描线Sk的一部分、第j数据线Dj的一部分、第二连接电极VIE的一部分和第(k-1)扫描线Sk-1的一部分可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一光阻挡层SLL1重叠。因此，由于可以减小扫描线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域、初始化电压线VIL与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域、以及数据线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域，因而可以减小扫描线的负载、初始化电压线VIL的负载、以及数据线的负载。
图18是示出设置在图9的子像素的薄膜晶体管层上的第一光阻挡层的另一示例的平面图。
图18的实施方式与图10的实施方式的不同之处在于，第一光阻挡层SLL1在平面上具有将第二孔H2隔离开的框架形状或窗框架形状。在一个或多个实施方式中，第一光阻挡层SLL1环绕第二孔H2。
尽管在图18中示出的是第一光阻挡层SLL1在平面上具有矩形框架，但是本公开的实施方式中的第一光阻挡层SLL1的框架形状不限于此。第一光阻挡层SLL1在平面上可以具有除了矩形框架之外的多边形框架、圆形框架或椭圆形框架(或者可以具有多边形框架、圆形框架或椭圆形框架来代替矩形框架)。
第一光阻挡层SLL1可以在第三方向(Z轴方向)上与第五晶体管ST5的一部分重叠。例如，如图18中所示，第一光阻挡层SLL1可以在第三方向(Z轴方向)上与第五晶体管ST5的有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5的一部分和第二电极D5重叠。
如图18中所示，第一光阻挡层SLL1在第三方向(Z轴方向)上可以与第k光发射线Ek的一部分和初始化电压线VIL的一部分重叠，并且可以不与第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第j数据线Dj重叠。因此，由于可以减小扫描线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域、初始化电压线VIL与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域以及数据线与第一光阻挡层SLL1之间的重叠区域，因而减小扫描线的负载、初始化电压线VIL的负载以及数据线的负载。
此外，如图18中所示，由于第一光阻挡层SLL1只设置在薄膜晶体管层TFTL的一部分下方，因而可以通过衬底SUB的下部分修复有缺陷的子像素的薄膜晶体管层TFTL。
图19是根据实施方式的显示装置的指纹识别区域的示意性平面图，图20是图19的第一连接部分的示意性平面图，以及图21是图19的针孔区域的示意性平面图。
图19和图20示出了设置在显示面板100的最上表面上的传感器电极层SENL的传感器电极TE和RE。图19和图20示出了传感器电极层SENL的传感器电极包括互电容驱动电极TE和感测电极RE。为了便于描述，图19仅示出了传感器电极层SENL的在第一方向(X轴方向)上相邻的两个感测电极RE以及传感器电极层SENL的在第二方向(Y轴方向)上相邻的两个驱动电极TE。图20示出了图19中的区域A的示例。图21示出了图20中的区域A-1的示例。
参照图19至图21，驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE中的每一个可以具有矩形平面形状，但是本公开的实施方式不限于此。感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上布置并且可以彼此连接(例如，电连接)。驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上布置并且可以彼此连接(例如，电连接)。虚设图案DE中的每个可以设置成被驱动电极TE或感测电极RE围绕。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此电分离。在一个或多个实施方式中，驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此间隔开。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以布置成彼此间隔开。
为了使感测电极RE和驱动电极TE在它们的交叉点或交点处电分离或间隔开，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分BE1连接，并且在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以通过第二连接部分BE2连接。第一连接部分BE1可以与驱动电极TE形成在不同的层上，并且可以通过第一接触孔CNT-1连接到驱动电极TE。在一个或多个实施方式中，第一连接部分BE1可以与感测电极RE间隔开，并且在第三方向(Z轴方向)上与感测电极RE重叠。
第一连接部分BE1可以形成为弯曲至少一次。尽管在图19中示出的是第一连接部分BE1被弯曲成夹具(“<”或“>”)的形状，但是本公开的实施方式中的第一连接部分BE1的形状不限于此。由于在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE通过多个第一连接部分BE1连接，因此即使当第一连接部分BE1中的任何一个断开时，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE也可以稳定地连接。尽管在图19中示出的是彼此相邻的驱动电极TE通过两个第一连接部分BE1连接，但是本公开的实施方式中的第一连接部分BE1的数量不限于此。
第二连接部分BE2可以与感测电极RE形成在相同的层上，并且可以具有从感测电极RE延伸的形状。感测电极RE和第二连接部分BE2可以由相同的材料形成。
驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2在平面上可以形成为网格结构或网状结构。虚设图案DE在平面上也可以形成为网格结构或网状结构。当包括驱动电极TE和感测电极RE的传感器电极层SENL形成在封装层TFEL上(例如，直接形成在封装层TFEL上)时，由于发光元件层EML的阴极电极173与传感器电极层SENL的驱动电极TE或感测电极RE之间的距离很近，因而可能在发光元件层EML的阴极电极173与传感器电极层SENL的驱动电极TE或感测电极RE之间形成大的寄生电容。由于寄生电容与发光元件层EML的阴极电极173和传感器电极层SENL的驱动电极TE或感测电极RE之间的重叠面积成正比，因而驱动电极TE和感测电极RE在平面上可以形成为网格结构或网状结构。
由于驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2形成在相同的层上，它们除了感测电极RE和第二连接部分BE2之外可以被布置成彼此间隔开。在驱动电极TE和感测电极RE之间、在驱动电极TE和第二连接部分BE2之间、在驱动电极TE和虚设图案DE之间、以及在感测电极RE和虚设图案DE之间可以形成间隙或开口。为了便于描述，在图20中示出的是驱动电极TE和感测电极RE之间的边界、驱动电极TE和第二连接部分BE2之间的边界以及感测电极RE和第二连接部分BE2之间的边界是虚线的。
第一连接部分BE1可以通过第一接触孔CNT-1连接到驱动电极TE。第一连接部分BE1的一端可以通过第一接触孔CNT-1连接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的任何一个驱动电极TE。第一连接部分BE1的另一端可以通过第一接触孔CNT-1连接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的另一驱动电极TE。第一连接部分BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE和感测电极RE重叠。在一个或多个实施方式中，第一连接部分BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与第二连接部分BE2重叠，而不是与感测电极RE重叠。在一个或多个实施方式中，第一连接部分BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与感测电极RE和第二连接部分BE2二者重叠。由于第一连接部分BE1与驱动电极TE、感测电极RE和第二连接部分BE2形成在不同的层上，因而即使当第一连接部分BE1与感测电极RE和/或第二连接部分BE2重叠时，感测电极RE和/或第二连接部分BE2也可以不短路。
第二连接部分BE2可以设置在感测电极RE之间。第二连接部分BE2可以与感测电极RE形成在相同的层上，并且可以从每个感测电极RE延伸。因此，第二连接部分BE2可以在没有单独的接触孔的情况下连接到感测电极RE。
子像素的发光区域R、G和B可以包括用于发射第一颜色的光的第一发光区域R、用于发射第二颜色的光的第二发光区域G、以及用于发射第三颜色的光的第三发光区域B。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色。尽管在图20中示出的是第一发光区域R是第一子像素的发光区域，第二发光区域G是第二子像素的发光区域，并且第三发光区域B是第三子像素的发光区域，但是本公开的实施方式不限于此。尽管在图20中示出的是第一发光区域R、第二发光区域G和第三发光区域B中的每个具有矩形平面形状(诸如，菱形)，但是本公开的实施方式不限于此。例如，第一发光区域R、第二发光区域G和第三发光区域B中的每个可以具有除了矩形平面形状之外的多边形平面形状、圆形平面形状或椭圆形平面形状(或者可以具有多边形平面形状、圆形平面形状或椭圆形平面形状来代替矩形平面形状)。此外，尽管在图20中示出的是第三发光区域B的尺寸最大且第二发光区域G的尺寸最小，但是本公开的实施方式不限于此。
像素PXG表示能够表示灰度的子像素的集合。尽管在图20中示出的是像素PXG包括一个第一发光区域R、两个第二发光区域G和一个第三发光区域B并且第一发光区域至第三发光区域(第一发光区域R、第二发光区域G和第三发光区域B)设置成平面钻石形状或菱形形状，但是本公开的实施方式不限于此。
由于驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2在平面上形成为网格结构或网状结构，因而发光区域R、G和B可以不与驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2重叠。因此，从发光区域R、G和B发射的光被感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2遮挡，从而防止或基本上防止光的亮度的降低。
如图19至图21中所示，可以对第一方向(X轴方向)上的每M个子像素SP设置子像素SP的针孔PH。例如，如图19中所示，可以对在第一方向(X轴方向)上的每十个子像素SP设置子像素SP的针孔PH。在一个或多个实施方式中，针孔PH可以在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开100μm(约100μm)至450μm(约450μm)。
可以对第二方向(Y轴方向)上的每N个子像素SP设置子像素SP的针孔PH。例如，如图19中所示，可以对第二方向(Y轴方向)上的每十个子像素SP设置子像素SP的针孔PH。在一个或多个实施方式中，针孔PH可以在第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开100μm(约100μm)至450μm(约450μm)。
同时，当子像素SP的针孔PH与驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2重叠时，从用户的指纹反射的光L2被驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2阻挡或基本上阻挡，使得光L2可以无法通过指纹传感器FPS的传感器像素FP入射在子像素SP的针孔PH上。因此，为了防止或基本上防止从用户的指纹反射的光L2被驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2阻挡或基本上阻挡，子像素SP的针孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上不与驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2重叠。即，可以去除或省略设置在与子像素SP的针孔PH重叠的区域中的驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2。
图22是示意性地示出图21中的包括针孔的子像素和围绕该子像素的子像素的平面图。
图22的实施方式与图19的实施方式的不同之处在于，传感器电极层SENL的第二连接部分BE2设置在子像素SP的薄膜晶体管层TFTL上，并且设置有第一发光区域R和第二发光区域G。
参照图22，第一发光区域R和第二发光区域G可以具有矩形平面形状(诸如，菱形形状)。在这种情况下，第二连接部分BE2可以呈现具有矩形平面形状(诸如，菱形形状)的网格结构或网状结构。
第二连接部分BE2可以包括在一个方向DR1上设置的第一子电极BE21、在与一个方向DR1交叉的另一方向DR2上设置的第二子电极BE22、以及第一子电极BE21和第二子电极BE22彼此交叉的交叉点BE23。为了防止或基本上防止从用户的指纹反射的光L2被第二连接部分BE2阻挡或基本上阻挡，可以去除或省略设置于在第三方向(Z轴方向)上与子像素SP的针孔PH重叠的区域中的第二连接部分BE2。具体地，可以去除或省略设置于在第三方向(Z轴方向)上与子像素SP的针孔PH重叠的区域中的第二连接部分BE2的交叉点BE23。此外，可以去除或省略第一子电极BE21的一部分和第二子电极BE22的一部分，第一子电极BE21的所述部分和第二子电极BE22的所述部分连接到设置于在第三方向(Z轴方向)上与子像素SP的针孔PH重叠的区域中的第二连接部分BE2的交叉点BE23。
如图22中所示，由于设置于在第三方向(Z轴方向)上与子像素SP的针孔PH重叠的区域中的第二连接部分BE2的交叉点BE23，第一子电极BE21的一部分和第二子电极BE22的一部分被去除或省略，因此从用户的指纹反射的光L2可以行进到子像素SP的针孔PH而不被第二连接部分BE2阻挡或基本上阻挡。因此，从用户的指纹反射的光L2可以通过子像素SP的针孔PH在第三方向(Z轴方向)上入射在与子像素SP的针孔PH重叠的指纹传感器FPS的传感器像素FP上。
此外，在图22中，可以应用参照图10、图11和图16至图18描述的第一光阻挡层SLL1和第二光阻挡层SLL2。因此，在图22中，不再重复对第一光阻挡层SLL1和第二光阻挡层SLL2的描述。
同时，尽管已经参照图21和图22描述了第二连接部分BE2和针孔PH的布置关系，但驱动电极TE和针孔PH的布置关系、以及感测电极RE和针孔PH的布置关系也可以与参照图22描述的那些基本上相同。因此，将不再重复对驱动电极TE和针孔PH的布置关系的描述以及对感测电极RE和针孔PH的布置关系的描述。
图23是沿着图22的线IV-IV'截取的剖视图。
在图23中，由于第一光阻挡层SLL1、薄膜晶体管层TFTL、第二光阻挡层SLL2、发光元件层EML和封装层TFEL与参照图12至图14描述的那些基本上相同，因而将不再重复其描述。
参照图23，传感器电极层SENL可以设置在封装层TFEL上。尽管图23仅示出了第二连接部分BE2，但是传感器电极层SENL可以包括驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一连接部分BE1和第二连接部分BE2，如图19和图20中所示。
第一连接部分BE1可以形成在封装层TFEL上。第一连接部分BE1可以由铝和钛的叠层结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的叠层结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和ITO的叠层结构(ITO/APC/ITO)形成，但是本公开的实施方式不限于此。例如，第一连接部分BE1可以形成为单个层，其包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或ITO。
在封装层TFEL上形成第一感测绝缘层TINS1。此外，在第一连接部分BE1上形成第一感测绝缘层TINS1。第一感测绝缘层TINS1可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。在一个或多个实施方式中，第一感测绝缘层TINS1可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
可以在第一感测绝缘层TINS1上形成驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2。驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2可以由铝和钛的叠层结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的叠层结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和ITO的叠层结构(ITO/APC/ITO)形成，但是本公开的实施方式不限于此。例如，驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2可以形成为单个层，其包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或ITO。
可以在第一感测绝缘层TINS1中形成穿透第一感测绝缘层TINS1的接触孔，以暴露第一连接部分BE1。驱动电极TE可以通过接触孔连接到第一连接部分BE1。
在驱动电极TE和感测电极RE上形成第二感测绝缘层TINS2。第二感测绝缘层TINS2可以用于使由于驱动电极TE、感测电极RE和第一连接部分BE1而形成的台阶平坦化。第二感测绝缘层TINS2由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
如图20和图23中所示，连接在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE的第一连接部分BE1设置在封装层TFEL上，并且驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2可以设置在第一感测绝缘层TINS1上。因此，驱动电极TE和感测电极RE可以在其交叉点或交点处电分离或间隔开，感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上连接(例如，电连接)，并且驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上连接(例如，电连接)。
图24是图23的第一光阻挡层、第二光阻挡层和传感器电极的示例性视图。
参照图24，示出了由薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL(例如，至少一个层TFL的内侧壁)限定的第一孔H1、由第一光阻挡层SLL1(例如，第一光阻挡层SLL1的内侧壁)限定的第二孔H2、由第二光阻挡层SLL2(例如，第二光阻挡层SLL2的内侧壁)限定的第三孔H3限定的第二孔H2以及传感器电极SE。
薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL可以是有源层、第一栅极层、第二栅极层和数据金属层中的至少一个。第一孔H1可以由有源层、第一栅极层、第二栅极层和数据金属层中的任何一个层或任何两个层限定。
传感器电极SE可以是驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二连接部分BE2中的至少一个。
如图24中所示，可以限定虚拟竖直线VL1，其在第三方向(Z轴方向)上从薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL(其限定第一孔H1)的一端延伸。如图24中所示，沿着虚拟竖直线VL1从薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL到在其中设置有传感器电极SE的层SEL的距离可以被限定为距离a，或者由距离a指示。如图23中所示，在其中设置有传感器电极SE的层SEL可以是第一感测绝缘层TINS1的上层。
此外，当虚拟竖直线VL1和其中设置有传感器电极SE的层SEL的虚拟接触点被限定为CP时，如图24中所示，在水平方向HR上从虚拟接触点CP到传感器电极SE的距离可以被限定为距离b，或者由距离b指示。水平方向HR是与第三方向(Z轴方向)正交的方向，并且可以包括如图23中所示的第一方向(X轴方向)、第二方向(Y轴方向)、一个方向DR1和另一方向DR2。
此外，从薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL(其限定第一孔H1)的一端以最短的距离连接传感器电极SE的虚拟线可以限定为VL2。此外，在虚拟竖直线VL1和虚拟线VL2之间形成的角度可以限定为θ。
在这种情况下，在水平方向HR上从虚拟接触点CP到传感器电极SE的距离b可以由等式2计算。
等式2
b＝a×tanθ
在这种情况下，考虑到从手指F的指纹反射的光L2通过其入射的路径，在虚拟竖直线VL1和虚拟线VL2之间形成的角度θ可以是33°。此外，沿着虚拟竖直线VL1从薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL到其中设置有传感器电极SE的层SEL的距离a可以是约13.3μm。在这种情况下，在水平方向HR上从虚拟接触点CP到传感器电极SE的距离b可以被计算为约8.6μm。
如图24中所示，当限定了薄膜晶体管层TFTL的至少一个层TFL(其限定第一孔H1)时，可以计算出传感器电极SE在水平方向HR上相对于第一孔H1的一端是多远，或者可以计算出可在水平方向HR上将传感器电极SE设置得相对于第一孔H1的一端多远。因此，从用户的指纹反射的光L2可以行进到子像素SP的针孔PH，而不被传感器电极SE阻挡或基本上阻挡。因此，从用户的指纹反射的光L2可以通过子像素SP的针孔PH在第三方向(Z轴方向)上入射在指纹传感器FPS的与子像素SP的针孔PH重叠的传感器像素FP上。
尽管出于说明的目的已经公开了本公开的一些实施方式，但是本领域技术人员将理解的是，在不背离由所附权利要求及其等同限定的本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

Claims (20)

1.显示装置，包括：
衬底；
薄膜晶体管层，位于所述衬底的第一表面上，并且包括第一孔；
发光元件层，位于所述薄膜晶体管层上，并且包括发光元件；
第一光阻挡层，位于所述衬底和所述薄膜晶体管层之间，并且包括在所述衬底的厚度方向上与所述第一孔重叠的第二孔；以及
第二光阻挡层，位于所述薄膜晶体管层和所述发光元件层之间，并且包括在所述衬底的所述厚度方向上与所述第一孔和所述第二孔重叠的第三孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
指纹传感器，位于所述衬底的第二表面上，并且包括传感器像素，
其中，所述第二表面与所述衬底的所述第一表面相对，以及
其中，所述传感器像素在所述衬底的所述厚度方向上与所述第一孔、所述第二孔和所述第三孔重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述传感器像素包括光电晶体管或光电二极管。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二孔在第一方向上的最大长度和所述第三孔在所述第一方向上的最大长度中的至少一个大于所述第一孔在所述第一方向上的最大长度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二孔在所述第一方向上的所述最大长度和所述第三孔在所述第一方向上的所述最大长度中的至少一个比所述第一孔在所述第一方向上的所述最大长度大1μm至5μm。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二孔在与所述第一方向交叉的第二方向上的最大长度和所述第三孔在所述第二方向上的最大长度中的至少一个大于所述第一孔在所述第二方向上的最大长度。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管层包括：
第(k-1)扫描线和第k扫描线，所述第(k-1)扫描线和所述第k扫描线彼此平行；
第j数据线，与所述第(k-1)扫描线和所述第k扫描线交叉；
驱动晶体管，配置成根据施加到所述驱动晶体管的栅电极的电压来控制从所述驱动晶体管的第一电极流到所述驱动晶体管的第二电极的驱动电流；以及
第一晶体管，配置成由所述第k扫描线的第k扫描信号导通，以连接所述驱动晶体管的所述栅电极和所述驱动晶体管的所述第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层在所述衬底的所述厚度方向上与所述驱动晶体管和所述第一晶体管重叠。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层在所述衬底的所述厚度方向上不与所述驱动晶体管和所述第一晶体管重叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层在平面上具有将所述第二孔隔离开的框架形状。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡层在所述衬底的所述厚度方向上与所述驱动晶体管和所述第一晶体管重叠。
12.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管层包括：
第k光发射线，与所述第(k-1)扫描线和所述第k扫描线平行；
初始化电压线，向所述初始化电压线施加初始化电压；
第一驱动电压线，向所述第一驱动电压线施加第一驱动电压；
第二晶体管，配置成由所述第k扫描线的所述第k扫描信号导通，以将所述第j数据线连接到所述驱动晶体管的所述第一电极；
第三晶体管，配置成通过所述第(k-1)扫描线的第(k-1)扫描信号导通，以将所述驱动晶体管的所述栅电极连接到所述初始化电压线；
第四晶体管，配置成由所述第k扫描线的所述第k扫描信号导通，以将所述初始化电压线连接到所述发光元件；
第五晶体管，配置成由所述第k光发射线的第k光发射信号导通，以将所述驱动晶体管的所述第一电极连接到所述第一驱动电压线；
第六晶体管，配置成由所述第k光发射信号导通，以将所述驱动晶体管的所述第二电极连接到所述发光元件；
第一阳极连接电极，连接到所述第六晶体管；以及
第二阳极连接电极，位于所述第一阳极连接电极和所述发光元件的阳极电极之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层在所述衬底的所述厚度方向上与所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第五晶体管重叠。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层还包括在所述衬底的所述厚度方向上与所述第二晶体管和所述第六晶体管重叠的第四孔、以及在所述衬底的所述厚度方向上与所述第三晶体管和所述第四晶体管重叠的第五孔。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡层在所述衬底的所述厚度方向上与所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管重叠。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一孔在第一方向上位于所述第一驱动电压线与所述第二阳极连接电极之间，其中所述第一方向是所述第k扫描线沿其延伸的方向。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一孔在第二方向上位于所述第k光发射线与所述初始化电压线之间，其中所述第二方向是所述第j数据线沿其延伸的方向。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡层与所述第二阳极连接电极位于相同的层上，并且由与所述第二阳极连接电极相同的材料制成。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二阳极连接电极与所述第二光阻挡层间隔开。
20.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
封装层，位于所述发光元件层上；以及
传感器电极层，位于所述封装层上，并且包括传感器电极，
其中，所述传感器电极在所述衬底的所述厚度方向上不与所述第一孔、所述第二孔和所述第三孔重叠。
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