CN219679165U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括：有源区和定位在所述有源区周围的第一非有源区；基底；多个像素，设置在所述有源区中并且发射光；光源单元，设置在所述第一非有源区中并且发射光；多个光学传感器，设置在所述有源区中并且感测由所述光源单元发射的入射光；封装层，设置在所述多个像素、所述多个光学传感器和所述光源单元上；以及散射图案层，在所述第一非有源区中设置在所述封装层上并且具有多个孔。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年4月5日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0042000号韩国专利申请的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息社会发展，对用于以各种形式显示图像的显示装置的需求已经增加。例如，显示装置被应用于各种不同的电子装置，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统、智能手表和智能电视机。显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置或有机发光显示装置。

具有显示装置的电子装置还可以包括诸如用于触摸识别或指纹识别的光学传感器的各种传感器。目前正在进行有关用于在显示面板上显示图像的像素和用于触摸识别或指纹识别的光学传感器的集成的研究和开发。

实用新型内容

本公开的实施例的各方面提供一种显示装置，能够通过将用作光学传感器的光源的光源单元设置在非有源区中来确保用于像素和光学传感器的布置区。

然而，本公开的各方面不限于本文中所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的实施例的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

根据本公开的实施例，一种显示装置包括：有源区和定位在所述有源区周围的第一非有源区；基底；多个像素，设置在所述有源区中并且发射光；光源单元，设置在所述第一非有源区中并且发射光；多个光学传感器，设置在所述有源区中并且感测由所述光源单元发射的入射光；封装层，设置在所述多个像素、所述多个光学传感器和所述光源单元上；以及散射图案层，在所述第一非有源区中设置在所述封装层上并且具有多个孔。

在实施例中，所述多个像素可以发射可见光的波段中的光，并且所述光源单元发射红外波段中的光。

在实施例中，所述多个光学传感器可以检测所述红外波段中的所述光。

在实施例中，所述散射图案层可以在所述基底的厚度方向上与所述光源单元重叠。

在实施例中，所述显示装置还可以包括在所述有源区中设置在所述封装层上的触摸感测层。所述触摸感测层包括触摸电极。所述散射图案层可以与所述触摸感测层由相同的层形成。

在实施例中，所述散射图案层可以包括设置在所述多个孔之间的多个金属图案，并且所述多个金属图案中的每一个可以与所述触摸感测层的所述触摸电极包括相同的材料。

在实施例中，所述散射图案层可以包括设置在所述多个孔之间的多个光阻挡图案。

在实施例中，所述散射图案层可以包括具有多个金属图案的第一散射图案层和设置在所述第一散射图案层上并且具有多个光阻挡图案的第二散射图案层。所述第一散射图案层的所述多个金属图案设置在所述第一非有源区的第一区中，并且所述第二散射图案层的所述多个光阻挡图案设置在所述第一非有源区的与所述第一区不同的第二区中。

在实施例中，所述第一散射图案层和所述第二散射图案层可以在所述基底的厚度方向上彼此不重叠。

在实施例中，所述显示装置还可以包括设置在所述第一非有源区外部的第二非有源区。所述封装层可以包括第一封装无机层、在所述第一封装无机层上的封装有机层以及在所述封装有机层上的第二封装无机层。所述第二非有源区可以包括具有彼此直接接触的所述第一封装无机层和所述第二封装无机层的无机接触区。

在实施例中，所述显示装置还可以包括具有设置在所述第一非有源区和所述第二非有源区之间的至少一个坝的坝区。

在实施例中，所述显示装置还可以包括将光源电压施加到所述光源单元的光源电压线。所述光源电压线可以设置在所述第一非有源区中。

在实施例中，所述第一非有源区还可以包括将扫描信号施加到所述多个像素的扫描驱动器，并且所述扫描驱动器可以在所述基底的厚度方向上与所述光源单元重叠。

在实施例中，所述光源单元可以围绕所述有源区的至少三个侧。

根据本公开的实施例，一种显示装置包括：有源区和定位在所述有源区周围的第一非有源区；基底；多个像素，设置在所述有源区中并且发射光；光源单元，设置在所述第一非有源区中并且发射光；多个光学传感器，设置在所述有源区中并且感测由所述光源单元发射的入射光；以及封装层，设置在所述多个像素、所述多个光学传感器和所述光源单元上。所述多个像素发射可见光的波段中的光，并且所述光源单元发射与所述可见光的波段不同的波段中的光。

在实施例中，所述光源单元可以发射红外波段中的光；并且所述多个光学传感器检测所述红外波段中的所述光。

根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基底；像素电极、感测电极和第一电极，在所述基底上；像素限定层，暴露所述像素电极、所述感测电极和所述第一电极；第一发光层，在所述像素电极上；光电转换层，在所述感测电极上；第二发光层，在所述第一电极上；以及公共电极，设置在所述第一发光层、所述光电转换层、所述第二发光层和所述像素限定层上。所述第二发光层包括与所述第一发光层的材料不同的材料。

在实施例中，所述显示装置还可以包括：封装层，在所述公共电极上；以及散射图案层，在所述封装层上。所述散射图案层可以在所述基底的厚度方向上与所述第二发光层重叠。

在实施例中，所述第一发光层的厚度可以小于所述第二发光层的厚度。

在实施例中，设置在所述第一发光层上的所述公共电极的厚度可以小于设置在所述第二发光层上的所述公共电极的厚度。

根据本公开的实施例的显示装置，由于可以通过将用作光学传感器的光源的光源单元布置在非有源区中来确保用于像素和光学传感器的布置区，因此可以防止显示图像的分辨率的降低和光学检测精度的降低。

然而，本公开的实施例的效果不限于本文中所阐述的这一效果。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1和图2是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图；

图3是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图；

图4是根据本公开的实施例的显示面板的示意性平面布局图；

图5是根据本公开的实施例的显示面板的像素和光学传感器的电路图；

图6是根据本公开的实施例的显示面板的触摸感测层的示意性平面布局图；

图7是根据本公开的实施例的触摸感测层的触摸电极的放大平面图；

图8是根据本公开的实施例的沿着图7的线II-II'截取的截面图；

图9是根据本公开的实施例的沿着图4的线A-A'截取的截面图；

图10是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图；

图11是根据本公开的实施例的图10的区域B的放大截面图；

图12是根据本公开的实施例的图10的区域C的放大截面图；

图13是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图；

图14是根据本公开的实施例的图13的区域D的放大截面图；

图15是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图；以及

图16是图15的区域E的放大截面图。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更充分地描述本公开的实施例。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应该被解释为局限于本文中所阐述的实施例。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区的厚度。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。

还将理解的是，当层或基底被称为“在”另一元件或基底“上”时，所述层或基底可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件

本文中使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”旨在包括复数形式。“或”表示“和/或”。“A和B中的至少一个(者/种)”表示“A和/或B”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises和/或comprising)”或“包含(includes和/或including)”时，说明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文和本公开中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。

在本文中参考作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。如此，可以预计到由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为必然局限于如本文中所示的区的特定形状，而是将包括由于例如制造导致的形状上的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，附图中所示的区实质上是示意性的，并且它们的形状可以不示出区的精确形状，并且不旨在限制权利要求的范围。

在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。

图1和图2是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。

在图1和图2中，指示了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1可以是当在平面上观察时平行于显示装置1的一侧的方向，例如，显示装置1的水平方向。第二方向DR2可以是当在平面上观察时平行于与显示装置1的一侧接触的另一侧的方向，并且可以是显示装置1的垂直方向。在下文中，为了便于说明，在第一方向DR1上的一侧指平面图中的向右方向，并且在第一方向DR1上的另一侧指平面图中的向左方向，并且在第二方向DR2上的一侧指平面图中的向上方向，并且在第二方向DR2上的另一侧指平面图中的向下方向。第三方向DR3可以是显示装置1的厚度方向。然而，应当理解的是，在实施例中提到的方向指相对方向，并且本公开的实施例不必局限于所提到的方向。

除非另有定义，否则在本说明书中，相对于第三方向DR3表述的“上侧”和“上表面”指显示表面的相对于显示面板10的一侧，并且相对于第三方向DR3表述的“下侧”、“下表面”和“后表面”指显示表面的相对于显示面板10的相对侧。

参考图1，显示装置1可以包括提供显示屏的各种电子装置。显示装置1的示例可以包括但不必局限于移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)、电视机、游戏机、腕表式电子装置、头戴式显示器、个人计算机的监视器、膝上型计算机、车辆仪表板、数码相机、摄像机、外部广告牌、电子标牌、各种医疗装置、各种检查装置、诸如冰箱和洗衣机的包括显示区的各种家用电器或者物联网(IoT)装置。稍后将描述的显示装置1的代表性示例包括但不必局限于智能电话、平板PC或笔记本计算机。

显示装置1可以包括显示面板10、显示驱动电路20、电路板30和读出电路40。

显示装置1包括具有有源区AAR和非有源区NAR的显示面板10。有源区AAR包括在其上显示图像的显示区。在实施例中，有源区AAR可以与显示区完全重叠。显示图像的多个像素PX可以设置在显示区中。每个像素PX可以包括发光元件(图5中的发光元件LEL)。

另外，有源区AAR还包括指纹感测区。指纹感测区是响应于光的区，并且是被配置为感测入射光的量或波长的区。指纹感测区可以与显示区重叠。例如，在实施例中，指纹感测区可以被限定为与有源区AAR完全相同的区。在本实施例中，有源区AAR的前表面可以被用作用于指纹感测的区。响应于光的多个光学传感器PS可以设置在指纹感测区中。每个光学传感器PS可以包括感测入射光并且将感测到的入射光转换为电信号的光电转换元件(图5中的光电转换元件PD)。

非有源区NAR(例如，在第一方向DR1和/或第二方向DR2上)设置在有源区AAR周围。非有源区NAR可以是边框区。在实施例中，非有源区NAR可以围绕有源区AAR的所有侧(附图中的四个侧)。然而，本公开的实施例不必局限于此。例如，在一些实施例中，非有源区NAR可以不围绕有源区AAR的至少一侧。

非有源区NAR可以设置在有源区AAR周围。显示驱动电路20可以设置在非有源区NAR中。显示驱动电路20可以输出用于驱动多个像素PX和/或多个光学传感器PS的信号和电压。在实施例中，显示驱动电路20可以形成为集成电路(IC)并且安装在显示面板10上。用于在显示驱动电路20和有源区AAR之间传输信号的信号线可以进一步设置在非有源区NAR中。

另外，读出电路40可以设置在非有源区NAR中。读出电路40可以通过信号线连接到光学传感器PS中的每一个，并且可以接收流过光学传感器PS中的每一个的电流以感测用户的指纹输入。在实施例中，读出电路40可以形成为集成电路(IC)并且以膜覆晶(COF)方法连接到显示电路板上。然而，本公开的实施例不必局限于此。例如，在一些实施例中，读出电路40也可以通过玻璃覆晶(COG)方法、塑料覆晶(COP)方法或超声波接合方法附接到显示面板10的非有源区NAR上。

在实施例中，电路板30可以使用各向异性导电膜(ACF)连接到显示面板10的一端。电路板30的引线可以电连接到显示面板10的显示焊盘(图2的显示焊盘DP)。在实施例中，电路板30可以是诸如柔性印刷电路板或覆晶膜的柔性膜。

参考图2，非有源区NAR可以包括第一非有源区NAR1和第二非有源区NAR2。第一非有源区NAR1可以设置为(例如，在第一方向DR1和/或第二方向DR2上)围绕有源区AAR。第二非有源区NAR2可以(例如，在第一方向DR1和/或第二方向DR2上)设置在第一非有源区NAR1外部。

坝区DAMA可以设置在第一非有源区NAR1和第二非有源区NAR2之间。坝区DAMA可以设置为围绕有源区AAR和第一非有源区NAR1。坝区DAMA可以是其中设置坝(图9中的坝DAM)的区，坝(图9中的坝DAM)用于防止用于封装有源区AAR中的发光元件的封装层(图9中的封装层TFEL)的封装有机层TFE2(参见图9)溢出。

第一非有源区NAR1可以是其中设置用作光学传感器PS的光源的诸如光源单元(图3中的光源单元300)的发光单元的区。第二非有源区NAR2可以包括其中封装层TFEL的第一封装无机层TFE1(参见图9)和第二封装无机层TFE3(参见图9)彼此直接接触的无机接触区。第二非有源区NAR2可以是其中仅设置无机层且不设置有机层的区。

图3是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图。

参考图3，显示面板10可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFEL和触摸感测层TSL。根据实施例的显示装置1_1还可以包括设置在显示面板10上的防反射层RPL和窗WDL。

基底SUB可以是刚性基底或者能够被弯曲、折叠或卷曲等的柔性基底。在实施例中，基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。然而，本公开的实施例不必局限于此。

设置在基底SUB上的薄膜晶体管层TFTL可以包括驱动像素PX和光学传感器PS的多个薄膜晶体管、多条显示信号线以及多条读出线。多条显示信号线可以包括将扫描信号传输到每个像素PX的扫描线和将数据信号传输到每个像素PX的数据线。多条读出线可以传输从每个光学传感器PS生成的感测电流。

设置在薄膜晶体管层TFTL的一个表面上的发光元件层EML可以包括设置在有源区AAR中的像素PX的发射光的发光元件(图5中的发光元件LEL)和光学传感器PS的光电转换元件(图5中的光电转换元件PD)。发光元件层EML可以包括设置在第一非有源区NAR1中以发射光的光源单元300。

发光元件LEL中的每一个可以根据从薄膜晶体管层TFTL施加的阳极电压和阴极电压发射具有预定亮度的光。光电转换元件PD中的每一个可以生成与入射光成比例的光电荷。入射在光电转换元件PD上的光可以是红外波段的光。根据从薄膜晶体管层TFTL施加的阳极电压和阴极电压，累积的光电荷可以被转化为感测所需的电信号。光源单元300可以根据施加到从显示驱动电路20连接(例如，连接到显示驱动电路20)的光源电压线的光源电压以及阴极电压发射预定的光。例如，光源单元300可以形成为包括阳极电极、有机发光层和阴极电极的元件。光源单元300可以发射红外波段的光。然而，本公开的实施例不必局限于此。

封装层TFEL可以设置在发光元件层EML的上侧上。封装层TFEL可以包括无机层或有机层的堆叠层，以防止湿气或氧渗透到发光元件层EML的发光元件LEL中。坝区DAMA的坝可以防止封装层TFEL的有机层溢出，诸如溢出到第二非有源区NAR2中。封装层TFEL的无机层可以在第二非有源区NAR2中彼此直接接触。

触摸感测层TSL可以设置在封装层TFEL的上侧上。触摸感测层TSL可以包括用于感测用户的触摸的多个触摸电极SE和多条信号线(图6中的信号线TL和RL)。触摸电极SE可以设置在有源区AAR中。

与触摸感测层TSL由相同的层形成的第一散射图案层200可以设置在设置于第一非有源区NAR1中的封装层TFEL的上侧上(例如，直接设置在设置于第一非有源区NAR1中的封装层TFEL的上侧上)。第一散射图案层200可以包括金属图案MP。在实施例中，金属图案MP可以由与触摸电极SE的材料相同的材料并通过与触摸电极SE的工艺相同的工艺形成。第一散射图案层200可以包括多个第一孔H1，并且金属图案MP可以设置为由第一孔H1彼此间隔开。第一散射图案层200可以在第三方向DR3上与光源单元300重叠。

防反射层RPL可以设置在触摸感测层TSL的上侧上(例如，直接设置在触摸感测层TSL的上侧上)。防反射层RPL可以防止由于外部光的反射而导致的显示面板10的图像可见性的劣化。防反射层RPL可以包括诸如线性偏振板的延迟膜。

窗WDL可以设置在防反射层RPL的上侧上(例如，直接设置在防反射层RPL的上侧上)。窗WDL可以是设置在光学粘合剂层OCL上以保护显示装置1_1的配置的保护构件。在实施例中，窗WDL可以由玻璃或塑料制成。在实施例中，窗WDL可以通过光学透明粘合剂等附接到防反射层RPL上。

图3是示出用户的手指与显示装置1_1的窗WDL直接接触的状态的截面图。指纹F包括具有特定图案的脊RID和脊RID之间的谷VAL。

从光源单元300输出的光Lt1、Lt2、Lr1和Lr2可以透射通过窗WDL的顶表面或者可以从窗WDL的顶表面全反射。从窗WDL的顶表面全反射的光Lr1和Lr2可以被谷VAL和脊RID反射。在本实施例中，指纹F的脊RID部分与窗WDL的顶表面直接接触，而指纹F的谷VAL部分与窗WDL不直接接触。因此，作为从指纹F的脊RID反射的光的第一全反射光Lr1的量可以与作为从谷VAL反射的光的第二全反射光Lr2的量不同。因此，可以基于反射光(诸如入射在光学传感器PS上的光)的量的差异推导指纹F的脊RID部分和谷VAL部分。由于光学传感器PS根据光的量的差异输出电信号(例如，光电流)，因此手指的指纹F的图案可以被识别。

第一散射图案层200可以减少从光源单元300输出的光Lt1、Lt2、Lr1和Lr2之中的透射通过窗WDL的透射光Lt1和Lt2的量。第一散射图案层200的金属图案MP可以使透射光Lt1和Lt2散射。因此，被金属图案MP散射的光可以被全反射，使得全反射光Lr1和Lr2的量可以增加。由于全反射光Lr1和Lr2有助于光学传感器PS的电信号的形成，因此显示装置1_1的指纹检测精度可以提高。

在实施例中，透射光Lt1和Lt2可以包括垂直地透射(例如，在第三方向DR3上)通过窗WDL的顶表面的第二透射光Lt2以及以预定角度透射通过窗WDL的顶表面的第一透射光Lt1。在实施例中，能够反射第一透射光Lt1的反射器设置在窗WDL的侧表面上。因此，第一透射光Lt1也可以改变为有助于全反射的光。因此，显示装置1_1的指纹检测精度可以提高。

图4是根据本公开的实施例的显示面板的示意性平面布局图。

参考图4，显示面板10的有源区AAR可以包括连接到多个像素PX和多个光学传感器PS的扫描线SL和电源电压线VL、连接到多个像素PX的发光控制线EL和数据线DL以及连接到多个光学传感器PS的读出线ROL。

扫描线SL可以将从扫描驱动器SDC接收的扫描信号供应到多个像素PX和多个光学传感器PS。扫描线SL可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。

发光控制线EL可以将从扫描驱动器SDC接收的发光控制信号供应到多个像素PX。发光控制线EL可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。

数据线DL可以将从显示驱动电路20接收的数据电压供应到多个像素PX。数据线DL可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

电源电压线VL可以将从显示驱动电路20接收的电源电压供应到多个像素PX和多个光学传感器PS。在实施例中，电源电压可以是驱动电源电压ELVDD(在下文中也被称为驱动电压ELVDD)、公共电压ELVSS(参见图5)、第一初始化电压VINT(参见图5)和第二初始化电压VAINT(参见图5)中的至少一者。驱动电源电压ELVDD可以是用于驱动发光元件LEL(参见图5)和光电转换元件PD(参见图5)的高电位电压，并且公共电压ELVSS可以是用于驱动发光元件LEL和光电转换元件PD的低电位电压。电源电压线VL可以在有源区AAR中在第二方向DR2上延伸，可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以在非有源区NAR中彼此连接。

读出线ROL可以将根据外部光在光学传感器PS中生成的感测电流供应到读出电路(图1中的读出电路40)。读出线ROL可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

显示面板10的非有源区NAR可以包括扫描驱动器SDC、光源单元300、光源电压线IRL以及显示驱动电路20。

在实施例中，扫描驱动器SDC和光源单元300可以设置在坝区DAMA和非有源区NAR的第一非有源区NAR1中。

在实施例中，扫描驱动器SDC可以设置在有源区AAR的一侧(例如，在第一方向DR1上的左侧)上。然而，本公开的实施例不必局限于此。扫描驱动器SDC可以从显示驱动电路20接收扫描控制信号，生成多个扫描信号，并且将多个扫描信号输出到多条扫描线SL。

光源单元300可以在第三方向DR3上与扫描驱动器SDC重叠。例如，参考图9，发光元件层EML可以包括光源单元300，并且薄膜晶体管层TFTL可以包括扫描驱动器SDC的设置在光源单元300的下侧上的扫描晶体管SCT。光源单元300可以设置在有源区AAR周围的边框区中。光源单元300可以围绕有源区AAR的所有侧(例如，图4中的四个侧)。然而，本公开的实施例不必局限于此。例如，在实施例中，光源单元300可以设置在有源区AAR的一侧(例如，在第一方向DR1上的左侧)上。在实施例中，光源单元300可以围绕有源区AAR的至少三个侧。

光源电压线IRL可以将从显示驱动电路20接收的光源电压供应到光源单元300。如图4的实施例中所示，光源电压线IRL可以在第二方向DR2上延伸。然而，本公开的实施例不必局限于此。光源电压线IRL可以连接到光源单元300的第一电极(图9中的第一电极310)以将光源电压施加到光源单元300的第一电极310。

显示驱动电路20可以输出用于驱动显示面板10的信号和电压。显示驱动电路20可以将数据电压供应到数据线DL。数据电压可以被供应到多个像素PX并且可以确定多个像素PX的亮度。

在实施例中，非有源区NAR可以包括读出电路。读出电路可以通过读出线ROL连接到光学传感器PS中的每一个，并且可以根据由每个光学传感器PS感测到的电流的大小来生成指纹检测数据，并且将指纹检测数据传输到主处理器。

显示面板10的非有源区NAR可以包括包含多个显示焊盘DP的显示焊盘单元DPD。显示焊盘单元DPD可以电连接到电路板30(参见图1)。

图5是根据本公开的实施例的显示面板的像素和光学传感器的电路图。

图5示出了连接到第k扫描初始化线GILk、第k扫描写入线GWLk、第k扫描控制线GCLk、第k-1扫描写入线GWLk-1和第j数据线DLj的像素PX以及连接到第k扫描写入线GWLk、第k复位控制线RSTLk和第q读出线ROLq的光学传感器PS的电路图，其中，k、j和q各自可以是正整数。

像素PX可以包括发光元件LEL和控制从发光元件LEL发射的光的量的像素驱动器。像素驱动器可以包括驱动晶体管DT、多个开关元件和第一电容器Cst。开关元件包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6。像素驱动器可以连接到被施加有驱动电压ELVDD的驱动电压线VDL、被施加有公共电压ELVSS的公共电压线VSL、被施加有第一初始化电压VINT的第一初始化电压线VIL1以及被施加有第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线VIL2。

驱动晶体管DT可以包括栅极电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到驱动晶体管DT的栅极电极的数据电压来控制在第一电极和第二电极之间流动(即，流过驱动晶体管DT的沟道)的源极-漏极电流Isd(在下文中被称为“驱动电流Isd”)。如在等式1中，流过驱动晶体管DT的沟道的驱动电流Isd与驱动晶体管DT的第一电极和栅极电极之间的电压(Vsg)与驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)之间的差的平方成比例。

[等式1]

Isd＝k′×(Vsg-Vth)²

在等式1中，Isd是驱动电流并且表示流过驱动晶体管DT的沟道的源极-漏极电流，k'表示由驱动晶体管DT的结构和物理特性确定的比例系数，Vsg表示驱动晶体管DT的第一电极和栅极电极之间的电压，并且Vth表示驱动晶体管DT的阈值电压。

发光元件LEL根据驱动电流Isd发射光。随着驱动电流Isd的大小增加，从发光元件LEL发射的光的量可以增加。

在实施例中，发光元件LEL可以是包括设置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光层的有机发光二极管。可选地，发光元件LEL可以是包括设置在阳极电极和阴极电极之间的量子点发光层的量子点发光元件。可选地，发光元件LEL可以是包括设置在阳极电极和阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。在发光元件LEL是无机发光元件的实施例中，发光元件LEL可以包括微型发光二极管或纳米发光二极管。在图8中，发光元件LEL的阳极电极与像素电极170对应，并且发光元件LEL的阴极电极与公共电极190对应。

发光元件LEL的阳极电极可以连接到第五晶体管T5的第二电极和第六晶体管T6的第一电极，并且发光元件LEL的阴极电极可以连接到被施加有公共电压ELVSS的公共电压线VSL。

第一晶体管T1由第k扫描写入线GWLk的第k扫描写入信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第j数据线DLj。因此，第j数据线DLj的数据电压可以被施加到驱动晶体管DT的第一电极。第一晶体管T1的栅极电极可以连接到第k扫描写入线GWLk，第一晶体管T1的第一电极可以连接到第j数据线DLj，并且第一晶体管T1的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极。

第二晶体管T2由第k扫描控制线GCLk的第k扫描控制信号导通，以将驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极彼此连接。当驱动晶体管DT的栅极电极和第二电极彼此连接时，驱动晶体管DT如二极管式被驱动。第二晶体管T2的栅极电极可以连接到第k扫描控制线GCLk，第二晶体管T2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极，并且第二晶体管T2的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极。

第三晶体管T3由第k扫描初始化线GILk的第k扫描初始化信号导通，以将驱动晶体管DT的栅极电极连接到第一初始化电压线VIL1。因此，第一初始化电压线VIL1的第一初始化电压VINT可以被施加到驱动晶体管DT的栅极电极。第三晶体管T3的栅极电极可以连接到第k扫描初始化线GILk，第三晶体管T3的第一电极可以连接到第一初始化电压线VIL1，并且第三晶体管T3的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极。

第四晶体管T4由第k发光控制线ELk的第k发光控制信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到被施加有驱动电压ELVDD的驱动电压线VDL。第四晶体管T4的栅极电极可以连接到第k发光控制线ELk，第四晶体管T4的第一电极可以连接到驱动电压线VDL，并且第四晶体管T4的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极。

第五晶体管T5由第k发光控制线ELk的第k发光控制信号导通，以将驱动晶体管DT的第二电极连接到发光元件LEL的阳极电极。第五晶体管T5的栅极电极可以连接到第k发光控制线ELk，第五晶体管T5的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第五晶体管T5的第二电极可以连接到发光元件LEL的阳极电极。

当第四晶体管T4和第五晶体管T5两者导通时，驱动晶体管DT的根据驱动晶体管DT的栅极电极的电压的驱动电流Isd可以流到发光元件LEL。

第六晶体管T6由第k-1扫描写入线GWLk-1的第k-1扫描信号导通，以将发光元件LEL的阳极电极连接到第二初始化电压线VIL2。第二初始化电压线VIL2的第二初始化电压VAINT可以被施加到发光元件LEL的阳极电极。第六晶体管T6的栅极电极可以连接到第k-1扫描写入线GWLk-1，第六晶体管T6的第一电极可以连接到发光元件LEL的阳极电极，并且第六晶体管T6的第二电极可以连接到第二初始化电压线VIL2。

第一电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅极电极和驱动电压线VDL之间。第一电容器Cst的第一电容器电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极电极，并且第一电容器Cst的第二电容器电极可以连接到驱动电压线VDL。

当驱动晶体管DT以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者的第一电极是源极电极时，驱动晶体管DT以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者的第二电极可以是漏极电极。可选地，当驱动晶体管DT以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者的第一电极是漏极电极时，驱动晶体管DT以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者的第二电极可以是源极电极。

在实施例中，驱动晶体管DT以及第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6中的每一者的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任意一种形成。例如，在实施例中，驱动晶体管DT、第一晶体管T1以及第四晶体管T4至第六晶体管T6中的每一者的有源层可以由多晶硅制成。第二晶体管T2和第三晶体管T3中的每一者的有源层可以由氧化物半导体制成。在本实施例中，驱动晶体管DT、第一晶体管T1以及第四晶体管T4至第六晶体管T6可以由P型MOSFET形成，并且第二晶体管T2和第三晶体管T3可以由N型MOSFET形成。

多个光学传感器PS中的每一个可以包括光电转换元件PD和根据光电转换元件PD的光电流来控制感测电流的感测驱动器。感测驱动器可以包括用于控制由光学传感器PS生成的感测电流的多个感测晶体管LT1、LT2和LT3。感测驱动器可以连接到被施加有复位电压Vrst的复位电压线VRL、被施加有第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线VIL2以及被施加有公共电压ELVSS的公共电压线VSL。

光电转换元件PD中的每一个可以是包括感测阳极电极、感测阴极电极以及设置在感测阳极电极和感测阴极电极之间的光电转换层的光电二极管。光电转换元件PD中的每一个可以将从外部入射的光转换为电信号。光电转换元件PD可以是由PN型或PIN型无机材料形成的无机光电二极管或光电晶体管。可选地，光电转换元件PD也可以是包括生成供体离子的供电子材料和生成受体离子的受电子材料的有机光电二极管。在图8中，光电转换元件PD的感测阳极电极与感测电极180对应，并且光电转换元件PD的感测阴极电极与公共电极190对应。

当光电转换元件PD暴露于外部光时，可以生成光电荷，并且生成的光电荷可以累积在光电转换元件PD的感测阳极电极中。在这种情况下，电连接到感测阳极电极的第一节点N1的电压可以增加。当光电转换元件PD和第q读出线ROLq根据第一感测晶体管LT1和第三感测晶体管LT3的导通而彼此连接时，感测电压可以与其中累积电荷的第一节点N1的电压成比例地积累在第q读出线ROLq和第三感测晶体管LT3之间的第三节点N3中。

第一感测晶体管LT1可以由施加到第一感测晶体管LT1的栅极电极的第一节点N1的电压导通，以将第二初始化电压线VIL2和第三感测晶体管LT3的第一电极彼此连接。第一感测晶体管LT1的栅极电极可以连接到第一节点N1，第一感测晶体管LT1的第一电极可以连接到第二初始化电压线VIL2，并且第一感测晶体管LT1的第二电极可以连接到第三感测晶体管LT3的第一电极。第一感测晶体管LT1可以是生成与输入到第一感测晶体管LT1的栅极电极的第一节点N1的电荷的量成比例的源极-漏极电流的源极跟随器放大器。在图5的实施例中，第一感测晶体管LT1的第一电极被示出为连接到第二初始化电压线VIL2。然而，本公开的实施例不必局限于此，并且在一些实施例中，第一感测晶体管LT1也可以连接到驱动电压线VDL或第一初始化电压线VIL1。

第二感测晶体管LT2可以由第k复位控制线RSTLk的第k复位控制信号导通，以将第一节点N1连接到被施加有复位电压Vrst的复位电压线VRL。第二感测晶体管LT2的栅极电极可以连接到第k复位控制线RSTLk，第二感测晶体管LT2的第一电极可以连接到复位电压线VRL，并且第二感测晶体管LT2的第二电极可以连接到第一节点N1。

第三感测晶体管LT3可以由第k扫描写入线GWLk的第k扫描写入信号导通，以将第一感测晶体管LT1的第二电极和第q读出线ROLq彼此连接。第三感测晶体管LT3的栅极电极可以连接到第k扫描写入线GWLk，第三感测晶体管LT3的第一电极可以连接到第一感测晶体管LT1的第二电极，并且第三感测晶体管LT3的第二电极可以连接到第三节点N3和第q读出线ROLq。

在实施例中，第一感测晶体管LT1、第二感测晶体管LT2和第三感测晶体管LT3中的每一者的有源层也可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任意一种形成。例如，在实施例中，第一感测晶体管LT1和第三感测晶体管LT3的有源层可以由多晶硅制成。第二感测晶体管LT2的有源层可以由氧化物半导体制成。在本实施例中，第一感测晶体管LT1和第三感测晶体管LT3可以由P型MOSFET形成，并且第二感测晶体管LT2可以由N型MOSFET形成。

图6是根据本公开的实施例的显示面板的触摸感测层的示意性平面布局图。

参考图6，触摸感测层TSL包括用于感测用户的触摸的触摸感测区和(例如，在第一方向DR1和/或第二方向DR2上)设置在触摸感测区周围的触摸外围区。触摸感测区可以与上述有源区AAR对应，并且触摸外围区可以与上述非有源区NAR对应。

有源区AAR可以包括多个触摸电极SE。在实施例中，多个触摸电极SE包括两种类型的电极，例如，驱动电极TE和感测电极RE。在实施例中，在将触摸驱动信号施加到驱动电极TE之后，可以通过感测电极RE感测单元感测区SUT的互电容的电荷变化量。然而，本公开的实施例不必局限于此。

触摸感测层TSL可以包括多个驱动电极TE、多个感测电极RE、多条驱动线TL和多条感测线RL。

多个驱动电极TE可以在第二方向DR2上彼此电连接并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分CP1彼此连接。

多个感测电极RE可以在第一方向DR1上彼此电连接并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。在第一方向DR1上彼此相邻的感测电极RE可以通过第二连接部分CP2彼此连接。

在根据本公开的实施例的触摸感测层TSL中，由于多个驱动电极TE、第二连接部分CP2和多个感测电极RE与第一连接部分CP1设置在不同的触摸导电层上，因此多个驱动电极TE、第二连接部分CP2和多个感测电极RE可以在交叉区中电绝缘。

多条信号线可以设置在非有源区NAR中。多条信号线可以包括分别连接到多个驱动电极TE的多条驱动线TL以及分别连接到多个感测电极RE的多条感测线RL。

在实施例中，多条驱动线TL可以包括连接到在第二方向DR2上电连接的驱动电极TE之中的设置在一侧上的端部处的驱动电极TE的第一驱动线TL1以及连接到设置在另一侧上的端部处的驱动电极TE的第二驱动线TL2。例如，第一驱动线TL1可以连接到有源区AAR的(例如，在第二方向DR2上的)下侧处的驱动电极TE，并且第二驱动线TL2可以连接到有源区AAR的(例如，在第二方向DR2上的)上侧处的驱动电极TE。第一驱动线TL1和第二驱动线TL2可以通过第一触摸焊盘部分TPD1连接到触摸驱动电路。

多条感测线RL可以连接到在第一方向DR1上电连接的感测电极RE之中的设置在一侧上的端部处的感测电极RE。例如，在实施例中，感测线RL可以连接到设置在第一方向DR1上的右侧处的感测电极RE。然而，本公开的实施例不必局限于此。感测线RL可以通过第二触摸焊盘部分TPD2连接到触摸驱动电路。

图7是根据本公开的实施例的触摸感测层的触摸电极的放大平面图。

参考图7，感测电极RE和驱动电极TE可以在感测电极RE和驱动电极TE的交叉部分处被电分离，并且在第二方向DR2上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一连接部分CP1彼此连接，并且在第一方向DR1上彼此相邻的感测电极RE可以通过第二连接部分CP2彼此连接。为了绝缘交叉，第一连接部分CP1可以形成在与感测电极RE和驱动电极TE的层不同的层上，并且可以通过第一接触孔CNT1连接到驱动电极TE。

在平面图中，驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分CP1和第二连接部分CP2可以以网格图案形成。然而，驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分CP1和第二连接部分CP2不必局限于此，并且可以以由透明导电层等制成的平面图案形成。像素PX(参见图1)的发光区和光学传感器PS(参见图1)的光感测区可以设置在被每个网格图案暴露的网格孔中。

图8是根据本公开的实施例的沿着图7的线II-II'截取的截面图。

参考图8，阻隔层BR可以设置在基底SUB上(例如，直接设置在基底SUB上)。在实施例中，阻隔层BR可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

在实施例中，设置在阻隔层BR上的薄膜晶体管层TFTL可以包括第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。在实施例中，第一薄膜晶体管TFT1可以是图5中所示的驱动晶体管DT或者第一晶体管T1至第六晶体管T6中的一者。第二薄膜晶体管TFT2可以是图5中所示的第一感测晶体管LT1至第三感测晶体管LT3中的一者。

多个薄膜晶体管TFT1和TFT2的第一有源层可以设置在阻隔层BR上(例如，直接设置在阻隔层BR上)。在实施例中，第一薄膜晶体管TFT1的第一有源层可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括包含例如，铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)等的二元化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)和四元化合物(AB_xC_yD_z)。

第一有源层可以包括分别被掺杂有杂质以具有导电性的沟道区A1和A2以及源极区S1和S2及漏极区D1和D2。沟道区A1和A2可以是在作为基底SUB的厚度方向的第三方向DR3上分别与栅极电极G1和G2重叠的区。源极区S1和S2以及漏极区D1和D2可以是不与栅极电极G1和G2重叠的区。

第一栅极绝缘层130可以设置在第一有源层上(例如，直接设置在第一有源层上)。在实施例中，第一栅极绝缘层130可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。

第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极G1以及第一电容器电极CE1可以设置在第一栅极绝缘层130上(例如，直接设置在第一栅极绝缘层130上)。在实施例中，第一栅极电极G1和第一电容器电极CE1彼此间隔开。然而，本公开的实施例不必局限于此，并且第一栅极电极G1和第一电容器电极CE1可以彼此连接。第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极电极G2可以设置在第一栅极绝缘层130上(例如，直接设置在第一栅极绝缘层130上)。在实施例中，第一栅极电极G1、第一电容器电极CE1和第二栅极电极G2可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金制成。

第一层间绝缘层141可以设置在第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极G1、第一电容器电极CE1以及第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极电极G2上(例如，直接设置在第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极G1、第一电容器电极CE1以及第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极电极G2上)。在实施例中，第一层间绝缘层141可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。

第二电容器电极CE2可以设置在第一层间绝缘层141上。第二电容器电极CE2可以在第三方向DR3上与第一电容器电极CE1重叠。第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2以及在第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2之间的第一层间绝缘层141可以形成第一电容器Cst(参见图5)。在实施例中，第二电容器电极CE2可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金制成。

第二层间绝缘层142可以设置在第二电容器电极CE2上(例如，直接布置在第二电容器电极CE2上)。在实施例中，第二层间绝缘层142可以与上述第一层间绝缘层141包括相同的材料。

第一阳极连接电极ANE11和ANE21可以设置在第二层间绝缘层142上(例如，直接布置在第二层间绝缘层142上)。第一阳极连接电极ANE11和ANE21可以分别通过穿过第一栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2的漏极区D1和D2。在实施例中，第一阳极连接电极ANE11和ANE21可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金制成。

用于使由薄膜晶体管TFT1和TFT2导致的台阶平坦化的第一平坦化层151可以设置在第一阳极连接电极ANE11和ANE21上(例如，直接设置在第一阳极连接电极ANE11和ANE21上)。在实施例中，第一平坦化层151可以由有机层形成，所述有机层由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等制成。

第二阳极连接电极ANE12和ANE22可以设置在第一平坦化层151上。第二阳极连接电极ANE12和ANE22可以分别通过穿过第一平坦化层151的接触孔连接到第一阳极连接电极ANE11和ANE21。在实施例中，第二阳极连接电极ANE12和ANE22可以与上述第一阳极连接电极ANE11和ANE21包括相同的材料。

第二平坦化层152可以设置在第二阳极连接电极ANE12和ANE22上(例如，直接设置在第二阳极连接电极ANE12和ANE22上)。在实施例中，第二平坦化层152可以与上述第一平坦化层151包括相同的材料。

发光元件层EML可以设置在第二平坦化层152上(例如，直接设置在第二平坦化层152上)。发光元件层EML可以包括发光元件LEL、光电转换元件PD和像素限定层160。发光元件LEL可以包括像素电极170、第一发光层175和公共电极190，并且光电转换元件PD可以包括感测电极180、光电转换层185和公共电极190。在实施例中，发光元件LEL和光电转换元件PD可以共享公共电极190。

发光元件LEL的像素电极170可以设置在第二平坦化层152上(例如，直接设置在第二平坦化层152上)。在实施例中，可以为每个像素PX提供像素电极170。像素电极170可以通过穿过第二平坦化层152的接触孔连接到第二阳极连接电极ANE12。

在实施例中，例如，发光元件LEL的像素电极170可以具有钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层结构，或者可以具有堆叠层结构，例如，包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)和/或镍(Ni)并且包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的ITO/Mg、ITO/MgF₂、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构。然而，发光元件LEL的像素电极170不必局限于此。

另外，光电转换元件PD的感测电极180可以设置在第二平坦化层152上(例如，直接设置在第二平坦化层152上)。在实施例中，可以为每个光学传感器PS提供感测电极180。感测电极180可以通过穿过第二平坦化层152的接触孔连接到第二阳极连接电极ANE22。

在实施例中，光电转换元件PD的感测电极180可以具有钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层结构，或者可以具有ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构。然而，光电转换元件PD的感测电极180不必局限于此。

像素限定层160可以设置在像素电极170和感测电极180上(例如，直接设置在像素电极170和感测电极180上)。像素限定层160可以形成开口，所述开口形成在与像素电极170重叠的区中并且暴露像素电极170。其中暴露的像素电极170与第一发光层175重叠的区可以被限定为每个像素PX(参见图1)的发光区。

另外，像素限定层160可以形成开口，所述开口形成在与感测电极180重叠的区中形成并且暴露感测电极180。暴露感测电极180的开口可以提供其中形成每个光学传感器PS(参见图1)的光电转换层185的空间，并且暴露的感测电极180与光电转换层185重叠的区可以被限定为光感测区。

在实施例中，像素限定层160可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。然而，本公开的实施例不必局限于此。例如，在实施例中，像素限定层160还可以包括诸如氮化硅的无机材料。

第一发光层175可以设置在发光元件LEL的由像素限定层160的开口暴露的像素电极170上。在实施例中，第一发光层175可以包括高分子材料或低分子材料，并且可以对于每个像素PX发射红光、绿光或蓝光的可见光。然而，本公开的实施例不必局限于此，并且由像素PX发射的光的颜色可以改变。可见光可以与大约380nm至大约780nm的范围内的波段对应。从第一发光层175发射的光可以有助于显示图像。

在第一发光层175由有机材料形成的实施例中，空穴注入层和空穴传输层可以设置在作为中心的每个第一发光层175的下侧上，并且电子注入层和电子传输层可以堆叠在作为中心的每个第一发光层175的上侧上。这些层可以是由有机材料制成的单层或多层。

光电转换层185可以设置在光电转换元件PD的由像素限定层160的开口暴露的感测电极180上。光电转换层185可以生成与入射光的量成比例的光电荷。入射光可以是从图9的光源单元300发射并且然后反射并进入有源区AAR以入射在光学传感器PS上的光。在光电转换层185中生成和积累的电荷可以被转换为感测所需的电信号。

光电转换层185可以包括供电子材料和受电子材料。供电子材料可以响应于光生成供体离子，并且受电子材料可以响应于光生成受体离子。光电转换层185可以由有机材料形成并且可以包括对红外光敏感的化合物。红外光可以与大约780nm至大约1000nm的波长对应。

可选地，在光电转换层185由无机材料形成的实施例中，光电转换元件PD可以是PN型或PIN型光电晶体管。例如，光电转换层185可以具有其中N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层顺序地堆叠的结构。

在光电转换层185由有机材料形成的实施例中，空穴注入层和空穴传输层可以设置在作为中心的每个光电转换层185的下侧上，并且电子注入层和电子传输层可以堆叠在作为中心的每个光电转换层185的上侧上。这些层可以是由有机材料制成的单层或多层。

公共电极190可以设置在第一发光层175、光电转换层185和像素限定层160上。在实施例中，公共电极190可以以覆盖第一发光层175、光电转换层185和像素限定层160的形式跨越所有的多个像素PX和多个光学传感器PS设置。在实施例中，公共电极190可以包括具有低功函数的导电材料，例如，Li、Ca、LiF、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF₂、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物等)，或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构材料。另外，公共电极190可以包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)。然而，本公开的实施例不必局限于此。

封装层TFEL可以设置在发光元件层EML的上侧上，并且可以覆盖多个像素PX、多个光学传感器PS和光源单元300。在实施例中，封装层TFEL可以包括至少一个无机层，以防止氧或湿气渗透到发光元件层EML中。另外，封装层TFEL可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层EML免受诸如灰尘的异物和污染物的影响。例如，在实施例中，封装层TFEL包括第一封装无机层TFE1、封装有机层TFE2和第二封装无机层TFE3。然而，本公开的实施例不必局限于此，封装无机层和封装有机层的数量可以改变。

第一封装无机层TFE1可以设置在公共电极190上(例如，直接在公共电极190上)，封装有机层TFE2可以设置在第一封装无机层TFE1上(例如，直接在第一封装无机层TFE1上)，并且第二封装无机层TFE3可以设置在封装有机层TFE2上(例如，直接在封装有机层TFE2上)。在实施例中，第一封装无机层TFE1和第二封装无机层TFE3可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种或多种无机层交替地堆叠的多层形成。封装有机层TFE2可以是诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。然而，本公开的实施例不必局限于此。

触摸感测层TSL的基体层205、第一触摸绝缘层215、第二触摸导电层220和第二触摸绝缘层230顺序地设置在封装层TFEL上。

第一触摸导电层210设置在基体层205上(例如，直接设置在基体层205上)。第一触摸导电层210被第一触摸绝缘层215覆盖。第一触摸绝缘层215使第一触摸导电层210和第二触摸导电层220彼此绝缘。第二触摸导电层220设置在第一触摸绝缘层215上(例如，直接设置在第一触摸绝缘层215上)。第二触摸绝缘层230可以覆盖和保护第二触摸导电层220。

在实施例中，基体层205可以包括无机绝缘材料。例如，基体层205可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在实施例中，基体层205可以是构成封装层TFEL的无机层，诸如第二封装无机层TFE3。

与图8一起参考图7，第一连接部分CP1可以由第一触摸导电层210形成，并且驱动电极TE、感测电极RE和第二连接部分CP2可以由第二触摸导电层220形成，第二触摸导电层220被介于第一触摸导电层210和第二触摸导电层220之间的第一触摸绝缘层215定位。通过这样的结构，可以在驱动电极TE和感测电极RE交叉的部分处确保互相绝缘。然而，本公开的实施例不必局限于此。例如，在实施例中，第二连接部分CP2可以由第一触摸导电层210形成，并且驱动电极TE、感测电极RE和第一连接部分CP1可以由第二触摸导电层220形成。

在驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部分CP1和第二连接部分CP2具有网格结构的实施例中，第一触摸导电层210和第二触摸导电层220可以由诸如铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)或铜(Cu)的低电阻材料制成。

第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230中的一者可以包括无机材料，并且另一者可以包括有机材料。

第一触摸绝缘层215可以包括第一接触孔CNT1。第一触摸导电层210(例如，第一连接部分CP1)和第二触摸导电层220的一部分(例如，驱动电极TE)可以通过第一接触孔CNT1电连接。

防反射层RPL和窗WDL可以进一步设置在触摸感测层TSL的上侧上。

图9是根据本公开的实施例的沿着图4的线A-A'截取的截面图。

将参考图9描述第一非有源区NAR1、坝区DAMA和第二非有源区NAR2。

第一非有源区NAR1包括扫描驱动器SDC(参见图4)的扫描晶体管SCT、光源单元300、像素限定层160以及第一散射图案层200。

扫描晶体管SCT中的每一个可以包括设置在第一有源层中的扫描沟道区SA、扫描源极区SS和扫描漏极区SD。第一有源层可以设置在阻隔层BR上。第一有源层可以由第一栅极绝缘层130覆盖。扫描晶体管SCT的栅极电极SG可以设置在第一栅极绝缘层130上并且可以被第一层间绝缘层141覆盖。

光源单元300和像素限定层160可以设置在扫描晶体管SCT上。光源单元300可以在第三方向DR3上与扫描晶体管SCT重叠。光源单元300可以包括第一电极310、第二发光层320和公共电极190。光源单元300可以与发光元件LEL(参见图8)和光电转换元件PD(参见图8)共享公共电极190。

光源单元300的第一电极310可以设置在第二平坦化层152上(例如，直接设置在第二平坦化层152上)。在实施例中，第一电极310可以整体地设置在围绕有源区的第一非有源区NAR1中。第一电极310可以连接到光源电压线(图4中的光源电压线IRL)。

在实施例中，光源单元300的第一电极310不必局限于，但是可以具有钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层结构，或者可以具有堆叠层结构，例如，包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)和/或镍(Ni)并且包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的ITO/Mg、ITO/MgF₂、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构。

像素限定层160可以设置在第一电极310上(例如，直接设置在第一电极310上)。像素限定层160可以形成暴露第一电极310的开口。来自光源单元300的光可以从其中暴露的第一电极310与第二发光层320重叠的区(例如，在第三方向DR3上)发射。

第二发光层320可以设置在光源单元300的由像素限定层160的开口暴露的第一电极310上。第二发光层320可以包括与第一发光层175(参见图8)的材料不同的材料，并且因此可以发射在大约780nm至大约1000nm的范围内的波段中的红外光。从第二发光层320发射的光可以用作光电转换元件PD的光源。

在第二发光层320由有机材料形成的实施例中，空穴注入层和空穴传输层可以设置在作为中心的每个第二发光层320的下侧上，并且电子注入层和电子传输层可以堆叠在作为中心的每个第二发光层320的上侧上。这些层可以是由有机材料制成的单层或多层。

公共电极190可以设置在第一电极310、第二发光层320和像素限定层160上。公共电极190可以设置在第一非有源区NAR1中。

在实施例中，由于光源单元300发射在高于由发光元件LEL发射的光的波段的波段中的光，因此光源单元300的堆叠厚度可以比发光元件LEL的堆叠厚度厚。例如，第二发光层320的厚度(例如，在第三方向DR3上的长度)可以大于第一发光层175的厚度。作为另一示例，设置在光源单元300上的公共电极190的厚度可以大于设置在发光元件LEL上的公共电极190的厚度。作为又一示例，设置在光源单元300的第二发光层320的顶表面或底表面上的有机层的厚度可以大于设置在发光元件LEL的第一发光层175的顶表面或底表面上的有机层的厚度。

封装层TFEL和第一散射图案层200可以顺序地设置在光源单元300的上侧上。第一散射图案层200可以与图8的触摸感测层TSL由相同的层形成。在实施例中，第一散射图案层200可以与基体层205、第一触摸导电层210(参见图8)、第一触摸绝缘层215、第二触摸导电层220(参见图8)和第二触摸绝缘层230包括相同的层。第一散射图案层200可以包括由与触摸电极SE(参见图8)的材料和工艺相同的材料和相同的工艺形成的金属图案MP。金属图案MP可以由例如第二触摸导电层220形成。从光源单元300发射的光可以被设置在第一孔H1之间的金属图案MP散射，并且可以入射在光学传感器PS(参见图1)上。因此，光学传感器PS可以生成电信号。在实施例中，光学传感器PS被配置为检测在红外波段中的光。

坝区DAMA可以是其中设置有至少一个坝的区。如图9的实施例中所示，第一坝DAM1、第二坝DAM2和第三坝DAM3可以设置在坝区DAMA中。然而，本公开的实施例不必局限于此，并且设置在坝区DAMA中的坝的数量可以改变。

第一坝DAM1、第二坝DAM2和第三坝DAM3可以设置为彼此间隔开。第一坝DAM1可以设置为最接近第一非有源区NAR1，并且第三坝DAM3可以设置为离第一非有源区NAR1最远。第二坝DAM2可以设置在第一坝DAM1和第三坝DAM3之间。

在实施例中，第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每一者可以包括第一子坝SDAM1/SDAM1'和设置在第一子坝SDAM1/SDAM1'上的第二子坝SDAM2/SDAM2'。第一子坝SDAM1/SDAM1'可以与像素限定层160包括相同的材料。第一子坝SDAM1/SDAM1'的厚度和像素限定层160的厚度可以基本上彼此相同。

第三坝DAM3可以包括第一子坝SDAM1"、设置在第一子坝SDAM1"上的第二子坝SDAM2"和设置在第二子坝SDAM2"上的第三子坝SDAM3"。第三坝DAM3的厚度可以大于第一坝DAM1的厚度和第二坝DAM2的厚度。

第二非有源区NAR2可以设置在坝区DAMA外部。在实施例中，第二非有源区NAR2可以是其中仅设置无机层并且不设置有机层的无机封装区。例如，阻隔层BR、第一栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141、第二层间绝缘层142、第一封装无机层TFE1和第二封装无机层TFE3可以设置在第二非有源区NAR2中。由于第二非有源区NAR2的无机封装，可以防止氧或湿气渗透到发光元件LEL中。

由于根据实施例的显示装置1_1(参见图3)包括设置在有源区AAR(参见图3)中的像素PX(参见图3)和光学传感器PS(参见图3)，因此可以显示图像并且识别用户的生物信息。在光学传感器PS检测紫外线波段中的光的实施例中，显示装置1_1可以包括发射紫外线波段中的光的光源单元300。由于光源单元300设置在围绕有源区AAR的第一非有源区NAR1中，因此可以增加可以设置在有源区AAR中的每单位面积的像素PX和光学传感器PS的数量。例如，可以防止由于光源单元设置在有源区中而发生每单位面积的像素和光学传感器的数量的减少，并且可以防止显示图像的分辨率和指纹检测的精度劣化。

另外，由于可以用形成像素PX和光学传感器PS的工艺一起形成光源单元300，因此可以省略将光源构件单独安装到显示装置1_1的工艺。因此，这可以降低工艺成本并提高显示装置的小型化。

另外，从光源单元300发射的光可以被设置为在基底SUB的厚度方向上(例如，在第三方向DR3上)与光源单元300重叠的第一散射图案层200散射。例如，可以使从光源单元300发射的光通过窗WDL的透射最小化。由于散射光被第一散射图案层200的金属图案MP全反射，并且全反射光有助于光学传感器PS的电信号的形成，因此显示装置1_1的指纹检测精度可以提高。

在下文中，将参考图10至图12描述根据实施例的显示装置1_2。图10是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图。图11是根据本公开的实施例的图10的区域B的放大截面图。图12是根据本公开的实施例的图10的区域C的放大截面图。

参考图10至图12，在根据实施例的显示装置1_2中，可以省略防反射层RPL(参见图3)，并且可以在触摸感测层TSL上进一步设置包括光阻挡图案BM和第二孔H2的光阻挡层LS。

光阻挡层LS可以设置在触摸感测层TSL的上侧上。光阻挡层LS的光阻挡图案BM可以设置在有源区AAR中，并且可以由阻挡从多个像素PX发射的光的材料组成。例如，在实施例中，光阻挡图案BM可以是黑矩阵。作为另一示例，光阻挡图案BM可以是金属构件。光阻挡图案BM可以调整设置在有源区AAR中的多个光学传感器PS的光感测区。光阻挡图案BM之间的第二孔H2的在一个方向上的宽度可以小于发光元件LEL的发光区的在该一个方向上的宽度或光电转换元件PD的光感测区的在该一个方向上的宽度。然而，本公开的实施例不必局限于此。设置在有源区AAR中的光阻挡图案BM可以被滤色器覆盖。因此，可以防止设置在有源区AAR中的像素PX之间的颜色混合。

窗WDL可以设置在光阻挡层LS的上侧上。在实施例中，用于使光阻挡层LS的顶表面平坦化的光学粘合剂层可以进一步设置在光阻挡层LS和窗WDL之间。然而，本公开的实施例不必局限于此。

在实施例中，参考图10和图12，第一非有源区NAR1可以包括其中设置有第一散射图案层200的金属图案MP和第一孔H1的第一区AA1。第一非有源区NAR1可以与第一区AA1完全重叠。

光源单元300可以设置在第一非有源区NAR1和第一区AA1中，并且可以在第三方向DR3上与第一散射图案层200的金属图案MP重叠。光源单元300可以连接到与第二薄膜晶体管TFT2的第二栅极电极G2设置在同一层上的光源电压线IRL(参见图4)。光源电压线IRL可以设置在第一非有源区NAR1和第一区AA1中。

在根据实施例的显示装置1_2中，通过将用作光学传感器PS的光源的光源单元300设置在第一非有源区NAR1中，可以增加其中设置有像素PX和光学传感器PS的有源区AAR的面积。

另外，通过将第一散射图案层200设置在第一非有源区NAR1中，第一散射图案层200可以散射从光源单元300输出的光Lt1、Lt2和Lr1，使得光Lt1、Lt2和Lr1被全反射。例如，透射光Lt1和Lt2的比率可以减少，并且全反射光Lr1的比率可以增加。由于全反射光Lr1有助于光学传感器PS的电信号的形成，因此显示装置1_2的指纹检测精度可以提高。

在下文中，将参考图13和图14描述根据实施例的显示装置1_3。图13是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图。图14是根据本公开的图13的区域D的放大截面图。

根据实施例的显示装置1_3与参考图10至图12描述的其中第一非有源区NAR1包括第一区AA1的根据实施例的显示装置1_2的不同之处在于，第一非有源区NAR1包括第二区AA2。例如，第一散射图案层200(参见图10)可以不设置在第一非有源区NAR1中，并且第二散射图案层400可以设置在第一非有源区NAR1中。

在实施例中，第二散射图案层400可以与设置在触摸感测层TSL的上侧上的光阻挡层LS由相同的层形成。第二散射图案层400可以包括光阻挡层LS的光阻挡图案BM和第二孔H2。

第二散射图案层400可以设置在第二区AA2中，并且第二区AA2可以与第一非有源区NAR1完全重叠。因此，第二散射图案层400可以在第三方向DR3上与设置在第一非有源区NAR1中的光源单元300重叠。

依据根据本实施例的显示装置1_3，通过将用作光学传感器PS的光源的光源单元300设置在第一非有源区NAR1中，可以增加其中设置有像素PX和光学传感器PS的有源区AAR的面积。

另外，通过将第二散射图案层400设置在第一非有源区NAR1中，第二散射图案层400可以散射从光源单元300输出的光Lt1、Lt2和Lr1，使得光Lt1、Lt2和Lr1被全反射。例如，透射光Lt1和Lt2的比率可以减少，并且全反射光Lr1的比率可以增加。由于全反射光Lr1有助于光学传感器PS的电信号的形成，因此显示装置1_3的指纹检测精度可以提高。

在下文中，将参考图15和图16描述根据实施例的显示装置1_4。图15是根据本公开的实施例的沿着图2的线I-I'截取的截面图。图16是图15的区域E的放大截面图。

根据实施例的显示装置1_4与参考图10至图12描述的其中第一非有源区NAR1包括第一区AA1的显示装置1_2以及参考图13和图14描述的其中第一非有源区NAR1包括第二区AA2的显示装置1_3的不同之处在于，第一非有源区NAR1包括第一区AA1和第二区AA2两者。例如，第一非有源区NAR1的第一区AA1可以包括其中设置有多个金属图案MP和第一孔H1的第一散射图案层200，并且第一非有源区NAR1的第二区AA2可以包括其中设置有多个光阻挡图案BM和第二孔H2的第二散射图案层400。

第一散射图案层200和第二散射图案层400可以分别在第三方向DR3上与光源单元300重叠。第一散射图案层200和第二散射图案层400可以在第三方向DR3上不彼此重叠。然而，本公开的实施例不必局限于此。

在实施例中，第一散射图案层200可以与触摸感测层TSL由相同的层形成，并且金属图案MP可以与触摸电极SE包括相同的材料。第二散射图案层400与光阻挡层LS由相同的层形成，并且可以包括光阻挡图案BM。

在图15和图16中所示的实施例中，示出了第一区AA1与坝区DAMA相邻，并且第二区AA2与有源区AAR相邻。然而，本公开的实施例不必局限于此，并且可以将第一区AA1改变为与有源区AAR相邻，并且将第二区AA2改变为与坝区DAMA相邻。

在根据实施例的显示装置1_4中，通过将用作光学传感器PS的光源的光源单元300设置在第一非有源区NAR1中，可以增加其中设置有像素PX和光学传感器PS的有源区AAR的面积。

另外，通过将第一散射图案层200和第二散射图案层400设置在第一非有源区NAR1中，第一散射图案层200和第二散射图案层400可以散射从光源单元300输出的光Lt1、Lt2和Lr1，使得光Lt1、Lt2和Lr1被全反射。例如，透射光Lt1和Lt2的比率可以减少，并且全反射光Lr1的比率可以增加。由于全反射光Lr1有助于光学传感器PS的电信号的形成，因此显示装置1_4的指纹检测精度可以提高。

在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在基本上不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施例做出许多改变和修改。因此，本公开的所公开的实施例仅在一般性和描述性的意义上使用，并且不是出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

有源区和定位在所述有源区周围的第一非有源区；

基底；

多个像素，设置在所述有源区中并且发射光；

光源单元，设置在所述第一非有源区中并且发射光；

多个光学传感器，设置在所述有源区中并且感测由所述光源单元发射的入射光；

封装层，设置在所述多个像素、所述多个光学传感器和所述光源单元上；以及

散射图案层，在所述第一非有源区中设置在所述封装层上并且具有多个孔。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述多个像素发射可见光的波段中的光；并且

所述光源单元发射红外波段中的光。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个光学传感器检测所述红外波段中的所述光。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述散射图案层在所述基底的厚度方向上与所述光源单元重叠。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括在所述有源区中设置在所述封装层上的触摸感测层，所述触摸感测层包括触摸电极；

其中，所述散射图案层与所述触摸感测层由相同的层形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：

所述散射图案层包括设置在所述多个孔之间的多个金属图案；并且

所述多个金属图案中的每一个与所述触摸感测层的所述触摸电极包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述散射图案层包括设置在所述多个孔之间的多个光阻挡图案。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述散射图案层包括具有多个金属图案的第一散射图案层和设置在所述第一散射图案层上并且具有多个光阻挡图案的第二散射图案层；并且

所述第一散射图案层的所述多个金属图案设置在所述第一非有源区的第一区中，并且所述第二散射图案层的所述多个光阻挡图案设置在所述第一非有源区的与所述第一区不同的第二区中。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第一散射图案层和所述第二散射图案层在所述基底的厚度方向上不彼此重叠。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置在所述第一非有源区外部的第二非有源区，

其中，所述封装层包括第一封装无机层、在所述第一封装无机层上的封装有机层以及在所述封装有机层上的第二封装无机层，并且

所述第二非有源区包括具有彼此直接接触的所述第一封装无机层和所述第二封装无机层的无机接触区。