CN113257503B - 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法 - Google Patents

一种全无机柔性热敏器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113257503B
CN113257503B CN202110520560.XA CN202110520560A CN113257503B CN 113257503 B CN113257503 B CN 113257503B CN 202110520560 A CN202110520560 A CN 202110520560A CN 113257503 B CN113257503 B CN 113257503B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering
annealing
film
thermosensitive
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110520560.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113257503A (zh
Inventor
孔雯雯
王向斌
轩婷婷
常爱民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Original Assignee
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS filed Critical Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority to CN202110520560.XA priority Critical patent/CN113257503B/zh
Publication of CN113257503A publication Critical patent/CN113257503A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113257503B publication Critical patent/CN113257503B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006—Thin film resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺与半导体工艺的兼容，实现光刻和离子刻蚀，从而能够更高效的实现柔性器件的产业化生产，实现了热敏薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。适用于各种热敏薄膜，对各类薄膜型热敏电阻器的开发均具有普适性。

Description

一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
技术领域
本发明属于热敏材料技术领域，具体涉及一种全无机柔性热敏器件及其制备方法。
背景技术
便携式和可穿戴电子器件用柔性传感薄膜材料的研究属于国际前沿研究课题。柔性热敏薄膜作为传感材料的重要组成基元在穿戴式医学信号监测等方面具有潜在应用价值。现有柔性热敏薄膜多基于聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等聚合物衬底制备所得，尽管该类材料具有优异的延展性，然而其灵敏度尚有较大的提升空间。为实现体温及时的监测，获得精准的临床相关信息与健康相关的信号，科研人员通过优化制备工艺和设计复合材料等方式不断提升对应薄膜器件的温度响应灵敏度。但因选用聚合物衬底耐受温度过低(不超过350℃)而存在的热敏薄膜选材受限问题减少了柔性器件灵敏度的提升途径。为进一步提升柔性热敏薄膜器件的灵敏度，开展新型柔性热敏薄膜的研究工作成为研究热点。
近年来，全无机柔性电子薄膜材料的研究为新型柔性热敏薄膜的研究提供了独特的解决方案。严格控制薄膜的厚度小于1μm，是实现器件柔性化的前提。常见的无机柔性衬底有氟金云母、金属箔、石墨烯等，这些衬底具备绝缘性好、温度耐受高、化学惰性强、平整度高、稳定性好等优点，但尚未被应用到温度传感薄膜的制备中来。
考虑成本及衬底耐受温度，本发明使用无机柔性材料作为热敏薄膜的衬底，从而实现柔性热敏器件的制备。
发明内容
本发明目的在于，提供一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该柔性热敏薄膜器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好。可以实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺与半导体工艺的兼容，可以实现光刻和离子刻蚀，从而能够更高效的实现柔性器件的产业化生产。通过本发明所述方法获得的具有缓冲层和绝缘层的柔性热敏薄膜器件，实现了热敏薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。该方法容易实现，重复性好，操作简单，适用于各种热敏薄膜，对各类薄膜型热敏电阻器的开发均具有普适性。
本发明所述的一种全无机柔性热敏器件，该器件由无机柔性衬底(1)、缓冲层(2)、热敏薄膜(3)、分形电极(4)和绝缘层(5)组成，在无机柔性衬底(1)上分别排列若干个均等排列的缓冲层(2)、热敏薄膜(3)、分形电极(4)和绝缘层(5)，在分形电极(4)的上下两端设有电极端口(6)，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，具体操作按下列步骤进行：
a、衬底清洗：将无机柔性衬底(1)依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min，其中所述的柔性衬底(1)包括白云母、金云母、氟晶云母、铜箔、铂箔、石墨烯或碳布，衬底厚度10-30μm；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底(1)表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜(3)的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底(1)表面沉积绝缘缓冲层(2)为SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、SrZrO3、BaZrO3或CaZrO3；溅射条件为：直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为5-30min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-10h，氧:氩为1:10-5:10；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层(2)上沉积热敏薄膜(3)；所述热敏薄膜(3)体系为Mn-Co-Ni-O、Mn-Ni-Fe-O、Mn-Ni-Co-Mg-O、Co-Mn-Fe-Zn-O或Ni-Co-Cu-Mn-O；直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为10-60min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-20h，氧:氩为1:10-5:10；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜(3)置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气、氧气、氮气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-900℃，保温时间为10-120min
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜(3)表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极(4)的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜(3)放入磁控溅射系统内进行分形电极(4)为Cr/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au或Pd/Pt/Au的沉积，直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，溅射功率为10-50W，溅射时间为Cr/Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；或Cr/Pd：1-5min，Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极(4)的热敏薄膜(3)进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气、氮气或氩气，退火温度为100-300℃，保温时间为60-360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极(4)表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层(5)为SiO2或Si3N4作为封装及保护层，射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为100-200℃，溅射功率为20-40W，溅射时间为1-10h，氧:氩或氮:氩为1:10-5:10，退火条件为：退火气氛为空气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-800℃，保温时间为10-60min，即得到全无机柔性热敏器件。
一种全无机柔性热敏器件的制备方法，该器件由无机柔性衬底(1)、缓冲层(2)、热敏薄膜(3)、分形电极(4)和绝缘层(5)组成，在无机柔性衬底(1)上分别排列若干个均等排列的缓冲层(2)、热敏薄膜(3)、分形电极(4)和绝缘层(5)，在分形电极(4)的上下两端设有电极端口(6)，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，具体操作按下列步骤进行：
a、衬底清洗：将无机柔性衬底(1)依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min，其中所述的柔性衬底(1)包括白云母、金云母、氟晶云母、铜箔、铂箔、石墨烯或碳布，衬底厚度10-30μm；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底(1)表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜(3)的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底(1)表面沉积绝缘缓冲层(2)为SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、SrZrO3、BaZrO3或CaZrO3；溅射条件为：直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为5-30min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-10h，氧:氩为1:10-5:10；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层(2)上沉积热敏薄膜(3)；所述热敏薄膜(3)体系为Mn-Co-Ni-O、Mn-Ni-Fe-O、Mn-Ni-Co-Mg-O、Co-Mn-Fe-Zn-O或Ni-Co-Cu-Mn-O；直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为10-60min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-20h，氧:氩为1:10-5:10；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜(3)置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气、氧气、氮气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-900℃，保温时间为10-120min
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜(3)表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极(4)的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜(3)放入磁控溅射系统内进行分形电极(4)为Cr/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au或Pd/Pt/Au的沉积，直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，溅射功率为10-50W，溅射时间为Cr/Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；或Cr/Pd：1-5min，Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极(4)的热敏薄膜(3)进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气、氮气或氩气，退火温度为100-300℃，保温时间为60-360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极(4)表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层(5)为SiO2或Si3N4作为封装及保护层，射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为100-200℃，溅射功率为20-40W，溅射时间为1-10h，氧:氩或氮:氩为1:10-5:10，退火条件为：退火气氛为空气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-800℃，保温时间为10-60min，即得到全无机柔性热敏器件。
本发明采用溅射技术，公开一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，柔性热敏器件包括无机柔性衬底(1)，沉积于衬底上的缓冲层(2)，沉积于缓冲层上的热敏薄膜(3)，沉积于薄膜上的分形电极(4)及沉积于电极上的绝缘层(5)，结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好。实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。该发明有望突破现有柔性热敏薄膜敏感材料选择的局限性，为有效解决柔性热敏薄膜材料的设计和构筑提供了新的机制和模型，可支撑人工智能、物联网、可穿戴健康电子等领域的重要应用。
本发明所述的一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，通过本发明所述方法获得的具有缓冲层和绝缘层的柔性热敏薄膜器件，实现了热敏薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。该方法适用于各种热敏薄膜，对各类薄膜型热敏电阻器的开发均具有普适性。可被研制成具有快响应特点的柔性热敏电阻器。
附图说明
图1为本发明柔性热敏器件的纵向截面示意图；
图2为本发明分形电极示意图；
图3为本发明柔性热敏器件的应力-应变图；
图4为本发明柔性热敏器件MCN薄膜层的SEM图；
图5为本发明柔性热敏器件MCN薄膜层的AFM图；
图6为本发明柔性热敏器件的电阻-温度曲线图。
具体实施方式
本发明一种全无机柔性热敏器件由无机柔性衬底1、缓冲层2、热敏薄膜3、分形电极4和绝缘层5组成，在无机柔性衬底1上分别排列若干个均等排列的缓冲层2、热敏薄膜3、分形电极4和绝缘层5，在分形电极4的上下两端设有电极端口6，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成。
实施例1
a、衬底清洗：将衬底厚度10μm的无机柔性衬底1白云母，依次浸泡在丙酮、无水乙醇和去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1白云母表面旋涂正光刻胶正胶，并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1白云母表面沉积绝缘缓冲层2为SrTiO3，缓冲层的溅射条件为：直流溅射：靶材为SrTi合金靶，真空度为2×10-3Pa，衬底温度为50℃，溅射功率为10W，溅射时间为30min；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为SrTiO3上沉积热敏薄膜3体系为Mn1.2Co1.5Ni0.3O4，热敏薄膜3的溅射工艺为：直流溅射，靶材为Mn1.2Co1.5Ni0.3合金靶，真空度为2×10-3Pa，衬底温度为50℃，溅射功率为10W，溅射时间为60min；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Mn1.2Co1.5Ni0.3O4置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为1℃/min，退火温度为600℃，保温时间为120min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Mn1.2Co1.5Ni0.3O4表面旋涂负光刻胶负胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Mn1.2Co1.5Ni0.3O4放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Cr/Au的沉积，直流溅射条件为：真空度为2×10-3Pa，溅射功率为10W，溅射时间为Cr：5min，Au：20min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Cr/Au的热敏薄膜3体系为Mn1.2Co1.5Ni0.3O4进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气，退火温度为100℃，保温时间为360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Cr/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为SiO2作为封装及保护层，射频溅射条件为：真空度为2×10-3Pa，衬底温度为100℃，溅射功率为40W，溅射时间为10h，氧:氩1:10，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为1℃/min，退火温度为600℃，保温时间为60min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例2
a、衬底清洗：将衬底厚度20μm的无机柔性衬底1金云母依次浸泡在丙酮、无水乙醇和去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1金云母表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1金云母表面沉积绝缘缓冲层2为BaTiO3；缓冲层的溅射工艺为：直流溅射，靶材为SrBa合金靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为150℃，溅射功率为30W，溅射时间为20min；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为BaTiO3上沉积热敏薄膜3体系为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4，薄膜的溅射工艺为：射频溅射，靶材为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4陶瓷靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为500℃，溅射功率为10W，溅射时间为10min；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为氧气，升降温速率为5℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4表面旋涂负光刻胶负胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Pt/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-4Pa，溅射功率为30W，溅射时间为Pt：3min，Au：10min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Pt/Au的热敏薄膜3体系为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4进行退火处理；退火条件为：退火气氛为氮气，退火温度为200℃，保温时间为120min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Pt/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为SiO2，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为150℃，溅射功率为30W，溅射时间为5h，氧氩比为3:10，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为5℃/min，退火温度为700℃，保温时间为30min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例3
a、衬底清洗：将衬底厚度30μm的无机柔性衬底1氟晶云母依次浸泡在丙酮、无水乙醇和去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1氟晶云母表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1氟晶云母表面沉积绝缘缓冲层2为CaTiO3；缓冲层的溅射工艺为：射频溅射，靶材为CaTiO3陶瓷靶，真空度为2×10-5Pa，衬底温度为300℃，氧氩比为1:10，溅射功率为50W，溅射时间为10h；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为CaTiO3上沉积热敏薄膜3体系Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8，薄膜的溅射工艺为：射频溅射，靶材为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8陶瓷靶，真空度为2×10-5Pa，衬底温度为300℃，溅射功率为50W，氧:氩为1:10，溅射时间为1h；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为氮气，升降温速率为10℃/min，退火温度为900℃，保温时间为10min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Pd/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-5Pa，溅射功率为30W，溅射时间为Pd：1min，Au：5min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Pd/Au的热敏薄膜3体系Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8进行退火处理；退火条件为：退火气氛为氩气，退火温度为300℃，保温时间为60min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Pd/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为SiO2作为封装及保护层，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-5Pa，衬底温度为200℃，溅射功率为40W，溅射时间为1h，氧氩比为5：10。退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为10℃/min，退火温度为800℃，保温时间为10min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例4
a、衬底清洗：将衬底厚度20μm的无机柔性衬底1铜箔依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1铜箔表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1铜箔表面沉积绝缘缓冲层2为SrZrO3；缓冲层的溅射工艺为：射频溅射，靶材为SrZrO3陶瓷靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为150℃，氧氩比为3:10，溅射功率为30W，溅射时间为5h；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为SrZrO3上沉积热敏薄膜3体系为Mn1.74Ni0.66Fe0.6O4，薄膜的溅射工艺为：直流溅射，靶材为Mn1.74Ni0.66Fe0.6合金靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为200℃，溅射功率为30W，溅射时间为30min；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Mn1.74Ni0.66Fe0.6O4置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为5℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Mn1.74Ni0.66Fe0.6O4表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Mn1.74Ni0.66Fe0.6O4放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Cr/Pt/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-4Pa，溅射功率为40W，溅射时间为Cr：3min，Pt：3min，Au：10min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Cr/Pt/Au的热敏薄膜3体系为Mn1.74Ni0.66Fe0.6O4进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气，退火温度为200℃，保温时间为120min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Cr/Pt/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为Si3N4作为封装及保护层，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为150℃，溅射功率为30W，溅射时间为5h，氮氩比为3:10，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为5℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例5
a、衬底清洗：将衬底厚度15μm无机柔性衬底1铂箔依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1铂箔表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1铂箔表面沉积绝缘缓冲层2为BaZrO3，缓冲层的溅射工艺为：直流溅射，靶材为BaZr合金靶，真空度为2×10-5Pa，衬底温度为300℃，溅射功率为50W，溅射时间为5min；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为BaZrO3上沉积热敏薄膜3体系为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68O4，薄膜的溅射工艺为：直流溅射，靶材为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68合金靶，真空度为2×10-3Pa，衬底温度为500℃，溅射功率为50W，溅射时间为10min；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68O4置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为10℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68O4表面旋涂负光刻胶负胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68O4放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Cr/Pd/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-5Pa，溅射功率为40W，溅射时间为Cr：3min，Pt：3min，Au：10min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极2为Cr/Pd/Au的热敏薄膜3体系为Ni0.48Co0.24Cu0.6Mn1.68O4进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气，退火温度为200℃，保温时间为120min；
i、绝缘层的制备：在分形电极2为Cr/Pd/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为Si3N4作为封装及保护层，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-5Pa，衬底温度为100℃，溅射功率为40W，溅射时间为10h，氮氩比为5：10。退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为10℃/min，退火温度为800℃，保温时间为10min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例6
a、衬底清洗：将衬底厚度25μm无机柔性衬底1石墨烯依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1石墨烯表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1石墨烯表面沉积绝缘缓冲层2为CaZrO3；缓冲层的溅射工艺为：射频溅射，靶材为CaZrO3陶瓷靶，真空度为2×10-3Pa，氧氩比为5:10，衬底温度为50℃，溅射功率为10W，溅射时间为1h；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为CaZrO3上沉积热敏薄膜3体系为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8，薄膜的溅射工艺为：直流溅射，靶材为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8陶瓷靶，真空度为2×10-3Pa，衬底温度为50℃，溅射功率为30W，溅射时间为4h；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为氩气，升降温速率为10℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Pd/Pt/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-3Pa，溅射功率为40W，溅射时间为Pd：3min，Pt：3min，Au：10min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Pd/Pt/Au的热敏薄膜3体系为Co2.77Mn1.71Fe1.10Zn0.42O8进行退火处理；退火条件为：退火气氛为氮气，退火温度为100℃，保温时间为360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Pd/Pt/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为Si3N4作为封装及保护层，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-3Pa，衬底温度为100℃，溅射功率为20W，溅射时间为1h，氮氩比为1：10。退火条件为：退火气氛为氩气，升降温速率为1℃/min，退火温度为500℃，保温时间为60min，即得到全无机柔性热敏器件。
实施例7
a、衬底清洗：将衬底厚度30μm的无机柔性衬底1碳布依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底1碳布表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜3的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底1碳布表面沉积绝缘缓冲层2为SrZrO3，缓冲层的溅射工艺为：直流溅射，靶材为SrZr合金靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为200℃，溅射功率为30W，溅射时间为5min；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层2为SrZrO3上沉积热敏薄膜3体系为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4，薄膜的溅射工艺为：射频溅射，靶材为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4陶瓷靶，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为200℃，溅射功率为40W，溅射时间为8h；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜3体系为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为氩气，升降温速率为10℃/min，退火温度为500℃，保温时间为30min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜3体系为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极4的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜3体系为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4放入磁控溅射系统内进行分形电极4为Cr/Au的沉积，制备工艺为直流溅射，真空度为2×10-4Pa，溅射功率为40W，溅射时间为Cr：3min，Au：10min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极4为Cr/Au的热敏薄膜3体系为Mn1.25Ni0.75Co0.4Mg0.6O4进行退火处理；退火条件为：退火气氛为氩气，退火温度为300℃，保温时间为60min；
i、绝缘层的制备：在分形电极4为Cr/Au表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层5为SiO2作为封装及保护层，溅射工艺为：射频溅射，真空度为2×10-4Pa，衬底温度为150℃，溅射功率为40W，溅射时间为8h，氧氩比为1:10，退火条件为：退火气氛为空气，升降温速率为10℃/min，退火温度为750℃，保温时间为30min，即得到全无机柔性热敏器件。

Claims (2)

1.一种全无机柔性热敏器件，其特征在于该器件由无机柔性衬底（1）、缓冲层（2）、热敏薄膜（3）、分形电极（4）和绝缘层（5）组成，在无机柔性衬底（1）上分别排列若干个均等排列的缓冲层（2）、热敏薄膜（3）、分形电极（4）和绝缘层（5），在分形电极（4）的上下两端设有电极端口（6），采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，具体操作按下列步骤进行：
a、衬底清洗：将无机柔性衬底（1）依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min，其中所述的柔性衬底（1）包括白云母、金云母、氟晶云母、铜箔、铂箔、石墨烯或碳布，衬底厚度10-30μm；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底（1）表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜（3）的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底（1）表面沉积绝缘缓冲层（2）为SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、SrZrO3、BaZrO3或CaZrO3；溅射条件为：直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为5-30min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-10h，氧:氩为1:10-5:10；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层（2）上沉积热敏薄膜（3）；所述热敏薄膜（3）体系为Mn-Co-Ni-O、Mn-Ni-Fe-O、Mn-Ni-Co-Mg-O、Co-Mn-Fe-Zn-O或Ni-Co-Cu-Mn-O；直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为10-60min，或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-20h，氧:氩为1:10-5:10；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜（3）置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气、氧气、氮气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-900℃，保温时间为10-120min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜（3）表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极（4）的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜（3）放入磁控溅射系统内进行分形电极（4）为Cr/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au或Pd/Pt/Au的沉积，直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，溅射功率为10-50W，溅射时间为Cr/Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；或Cr/Pd：1-5min，Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极（4）的热敏薄膜（3）进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气、氮气或氩气，退火温度为100-300℃，保温时间为60-360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极（4）表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层（5）为SiO2或Si3N4作为封装及保护层，射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为100-200℃，溅射功率为20-40W，溅射时间为1-10h，氧:氩或氮:氩为1:10-5:10，退火条件为：退火气氛为空气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-800℃，保温时间为10-60min，即得到全无机柔性热敏器件。
2.一种全无机柔性热敏器件的制备方法，其特征在于该器件由无机柔性衬底（1）、缓冲层（2）、热敏薄膜（3）、分形电极（4）和绝缘层（5）组成，在无机柔性衬底（1）上分别排列若干个均等排列的缓冲层（2）、热敏薄膜（3）、分形电极（4）和绝缘层（5），在分形电极（4）的上下两端设有电极端口（6），采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，具体操作按下列步骤进行：
a、衬底清洗：将无机柔性衬底（1）依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中，各超声清洗30min，其中所述的柔性衬底（1）包括白云母、金云母、氟晶云母、铜箔、铂箔、石墨烯或碳布，衬底厚度10-30μm；
b、正光刻胶涂敷：将步骤a得到的无机柔性衬底（1）表面旋涂正光刻胶并曝光显影出热敏薄膜（3）的图案；
c、缓冲层制备：采用磁控溅射方法，将步骤b得到的无机柔性衬底（1）表面沉积绝缘缓冲层（2）为SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、SrZrO3、BaZrO3或CaZrO3；溅射条件为：直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为5-30min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-300℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-10h，氧:氩为1:10-5:10；
d、薄膜制备：采用磁控溅射方法，将步骤c得到的缓冲层（2）上沉积热敏薄膜（3）；所述热敏薄膜（3）体系为Mn-Co-Ni-O、Mn-Ni-Fe-O、Mn-Ni-Co-Mg-O、Co-Mn-Fe-Zn-O或Ni-Co-Cu-Mn-O；直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为10-60min；或射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为50-500℃，溅射功率为10-50W，溅射时间为1-20h，氧:氩为1:10-5:10；
e、薄膜退火：将光刻胶清洗掉，再将沉积好的热敏薄膜（3）置于管式炉内进行退火处理，退火条件为：退火气氛为空气、氧气、氮气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-900℃，保温时间为10-120min；
f、负光刻胶涂覆：将步骤e得到的热敏薄膜（3）表面旋涂负光刻胶，并曝光显影出分形电极（4）的图案；
g、电极的制备：将步骤f得到的热敏薄膜（3）放入磁控溅射系统内进行分形电极（4）为Cr/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au或Pd/Pt/Au的沉积，直流溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，溅射功率为10-50W，溅射时间为Cr/Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；或Cr/Pd：1-5min，Pt/Pd：1-5min，Au：5-20min；
h、电极退火：将负光刻胶清洗掉，再对沉积好分形电极（4）的热敏薄膜（3）进行退火处理；退火条件为：退火气氛为空气、氮气或氩气，退火温度为100-300℃，保温时间为60-360min；
i、绝缘层的制备：在分形电极（4）表面键合引出引线，并在其表面包覆绝缘层（5）为SiO2或Si3N4作为封装及保护层，射频溅射条件为：真空度为2×10-3-2×10-5Pa，衬底温度为100-200℃，溅射功率为20-40W，溅射时间为1-10h，氧:氩或氮:氩为1:10-5:10，退火条件为：退火气氛为空气或氩气，升降温速率为1-10℃/min，退火温度为500-800℃，保温时间为10-60min，即得到全无机柔性热敏器件。
CN202110520560.XA 2021-05-13 2021-05-13 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法 Active CN113257503B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110520560.XA CN113257503B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110520560.XA CN113257503B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113257503A CN113257503A (zh) 2021-08-13
CN113257503B true CN113257503B (zh) 2023-01-03

Family

ID=77181544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110520560.XA Active CN113257503B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113257503B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113582668B (zh) * 2021-08-24 2022-12-09 中科传感(佛山)科技有限公司 一种锰镍钴基耐高温柔性热敏器件的全印刷制备方法
CN114864283B (zh) * 2022-03-21 2024-05-07 哈尔滨理工大学 一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法
CN114920555A (zh) * 2022-05-16 2022-08-19 中国科学院新疆理化技术研究所 一种锰掺杂锆酸钙高温负温度系数热敏电阻材料的制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6480002A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Chichibu Cement Kk Nonlinear resistor
JP2000068109A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Ishizuka Electronics Corp チップ型サーミスタとその製造方法
JP2014116550A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ及びその製造方法並びにリードフレームの接続方法
CN104003724A (zh) * 2014-06-12 2014-08-27 中国科学院新疆理化技术研究所 一种取向热敏薄膜电阻的制备方法
CN106317799A (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 安徽省宁国天成电工有限公司 一种含有石墨烯的柔性ptc热敏电阻及其应用
JP2017152584A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 帝人株式会社 半導体粒子分散体、半導体粒子焼結体を含む薄膜ｎｔｃサーミスタ及びその製造方法
JP2017152587A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 帝人株式会社 半導体粒子分散体、薄膜ｐｔｃサーミスタ及それらの製造方法
CN107543618A (zh) * 2016-09-05 2018-01-05 北京卫星环境工程研究所 基于柔性薄膜热电堆的圆箔式辐射热流测量装置
CN108550450A (zh) * 2018-04-19 2018-09-18 中国科学院新疆理化技术研究所 一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法
CN111613400A (zh) * 2020-05-11 2020-09-01 上海交通大学 一种常温ntc热敏电阻薄膜及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6480002A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Chichibu Cement Kk Nonlinear resistor
JP2000068109A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Ishizuka Electronics Corp チップ型サーミスタとその製造方法
JP2014116550A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ及びその製造方法並びにリードフレームの接続方法
CN104003724A (zh) * 2014-06-12 2014-08-27 中国科学院新疆理化技术研究所 一种取向热敏薄膜电阻的制备方法
JP2017152584A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 帝人株式会社 半導体粒子分散体、半導体粒子焼結体を含む薄膜ｎｔｃサーミスタ及びその製造方法
JP2017152587A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 帝人株式会社 半導体粒子分散体、薄膜ｐｔｃサーミスタ及それらの製造方法
CN106317799A (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 安徽省宁国天成电工有限公司 一种含有石墨烯的柔性ptc热敏电阻及其应用
CN107543618A (zh) * 2016-09-05 2018-01-05 北京卫星环境工程研究所 基于柔性薄膜热电堆的圆箔式辐射热流测量装置
CN108550450A (zh) * 2018-04-19 2018-09-18 中国科学院新疆理化技术研究所 一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法
CN111613400A (zh) * 2020-05-11 2020-09-01 上海交通大学 一种常温ntc热敏电阻薄膜及其制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Lead zirconate titanate thin films on base-metal foils: An approach for embedded high-permittivity passive components;Maria, JP; Cheek, K; Kingon, A;《JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY》;20011031;第84卷(第10期);第2436-2438页 *
Mn-Co-Ni-O薄膜光电性质及器件物理研究;周炜;《中国博士学位论文全文数据库》;20150115(第01期);第B020-47页 *
Xie, YH ; Ji, G ; Jiang, CP.Effect of oxygen partial pressure and temperature on NTC characteristics of Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 thin films grown on SrTiO3 (100) by laser MBE.《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》.2014,第611卷 *
张丙寅 ; 姚金城 ; 常爱民 ; 赵鹏君 ; 赵丽君 ; .Mn_(2.1)Ni_(0.9)O_4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析.《电子元件与材料》.2013,第32卷 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113257503A (zh) 2021-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113257503B (zh) 一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
US10299374B2 (en) Flexible electronic substrate
WO2022021815A1 (zh) 一种嵌入式耐高温透明导电薄膜、其制备方法及应用
CN101976594A (zh) 一种碳纳米管纤维的复合导线应用及其制备方法
CN113503992B (zh) 一种基于多层复合薄膜的柔性压力传感器及其制备方法
US11335474B2 (en) Display substrate having transparent electrode and manufacturing method thereof
CN110701992B (zh) 以砂纸表面微结构为模板的电容式应变传感器制作方法
CN108766630A (zh) 一种基于金属纳米线的柔性传感器、及其制备方法
CN113630915A (zh) 灵活定制高可调柔性微加热器的复合加工方法及微加热器
CN108493083B (zh) 超低温稳定温阻特性的微通道板及其制备方法
CN113025975A (zh) 一种面向复杂构件表面振动测量的无源mems传感器的制备工艺
CN108962433A (zh) 一种金属有序网格的柔性透明导电薄膜的制备方法
CN105910737B (zh) 一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法
CN107540402B (zh) 一种多孔钛酸铜钙薄膜的制备方法
JPH0920580A (ja) 表面還元を用いたフェライトの金属化方法
CN107564603A (zh) 基于柔性可弯曲玻璃的石墨烯透明导电薄膜及其制备方法
CN112351594B (zh) 一种生物材料表面制备柔性电路的联用方法
CN114370958A (zh) 一种高性能电容式柔性压力传感器及其制备方法
JPWO2014084077A1 (ja) 銅メタライズ配線セラミック基板及びその製造方法
CN114045467A (zh) 柔性应变传感器的制备方法以及柔性应变传感器
CN109440029B (zh) 一种极薄铜网的制备方法
CN113005432B (zh) 图形化沉积ZnO功能层的方法、应变传感器及其制备方法
JPS6156637B2 (zh)
CN115517410A (zh) 一种新型的雾化芯、制作方法及电子雾化装置
CN108366441A (zh) 高效电热转换陶瓷元件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant