CN113253082B - 用于包括光学元件的显示面板的测量设备和方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 140
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/12—Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof
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- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及用于对包括光学元件的单元阵列的被测装置执行测量的测量设备,该测量设备包括:与光学元件的单元阵列的信号端子并联连接的电容器;I/O缓冲器,其通过所述电容器的充电或放电来增加或减少所述电容器的电荷量,并且输出与根据所述电容器的一端的电压的输出逻辑值相对应的信号;用于测量到达时间的时间测量仪器,所述到达时间是所述电容器的一端的所述电压从预定的第一电压达到预定的第二电压的时间;以及处理器,其通过控制所述输入I/O缓冲器和所述时间测量仪器来测量所述到达时间,并且通过使用所述到达时间来测量与光学元件的单元阵列的测量有关的电流的值,并且基于测量值测量所述光学元件的单元阵列是否有缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及用于测量由诸如LCD或LED显示器的光学元件组成的单元阵列或半导体元件的操作特性并检测元件的缺陷的测量设备和方法。
背景技术
通常,为了提供用于测量由诸如LCD或LED显示器的光学元件构成的单元阵列或半导体元件的操作特性并检测元件的缺陷的测量图案,需要图案生成设备和阵列驱动设备。
在这方面,如在韩国专利申请公开号10-0839942中所公开,常规的图案生成设备由诸如图案文件匹配单元和块生成单元的昂贵硬件组成,使得经济负担大。
另外,如美国专利号6,433,485中所公开,常规的阵列驱动设备采用将电流表附接到电源单元、或将电流源连接到每个数据输入端子,以测试单元特性的方法。此时,在前一种情况下,花费大量时间来测量所有阵列单元,并且在后一种情况下,使用高成本电流源的经济负担非常高。
发明内容
技术问题
本发明的目的是提出这样的测量设备,即,其能够检测单元阵列或光学元件中的缺陷,而无需像现有技术中那样将高成本的电流源附接到每个数据输入端子。
本发明的另一个目的是提出这样的测量设备,即,其能够通过仅利用时间测量仪器来测量电流值,而无需附接电流表来检测缺陷。
另外,本发明的目的是提出这样的测量设备,即,其能够通过根据由处理器生成的测量图案同时驱动多条线来执行测量。
另外,本发明的目的是通过中低成本处理器和辅助处理器,而不是高成本处理器,来配置测量设备,从而在确保一定水平的性能的同时实施经济的测量设备。
另外,本发明的目的是提出这样的测量设备,即,其能够防止由于总线的流量限制而导致测量速度的降低,并且也降低功耗量。
技术方案
为了实现如上所述的本发明的目的并实施本发明的特征效果,本发明的独特构思如下所述。
本发明涉及一种对包括光学元件的单元阵列的被测装置执行测量的测量设备,其中根据本发明的实施例的所述测量设备包括:与光学元件的单元阵列的信号端子并联连接的电容器;I/O缓冲器,其通过对所述电容器充电或放电来增加或减少所述电容器的电荷量,并且输出与根据所述电容器的一端的电压的输出逻辑值相对应的信号;用于测量到达时间的时间测量仪器,所述到达时间是所述电容器的一端的所述电压从预定的第一电压达到预定的第二电压的时间;以及处理器,其通过控制所述输入I/O缓冲器和所述时间测量仪器来测量所述到达时间,并且通过使用所述到达时间来测量与光学元件的单元阵列的测量有关的电流的值,并且基于测量到的值来测量所述光学元件的单元阵列是否有缺陷。
发明的有利效果
根据本发明的实施例,通过使用利用时间测量的元件来测量电流的方法,由于构成硬件的部件不依赖于高成本的精密设备或者不使用诸如线圈和电阻器的大型部件,因此存在可以减小电流测量设备的单位成本并且可以实现小型化的效果。
根据本发明的实施例的测量设备无需像现有技术中那样将高成本的电流源附接到每个数据输入端子,就可以检测单元阵列或光学元件中的缺陷。
另外,根据本发明的实施例的测量设备可以通过仅利用时间测量仪器来测量电流值而无需附接电流表来检测缺陷。
另外,与必须顺序检查构成单元阵列的线的常规测量设备不同,根据本发明的实施例的测量设备可以根据由处理器生成的测量图案通过同时驱动多条线来执行测量。
另外,根据本发明的实施例的测量设备可以通过控制连接到单元阵列的I/O缓冲器来选择性地检查整个单元阵列中的特定线。
另外,根据本发明的实施例的测量设备可以通过中低成本处理器和辅助处理器而不是高成本处理器来配置测量设备,从而在确保一定水平的性能的同时实施经济的测量设备。
另外,根据本发明的实施例的测量设备防止由于总线的流量限制而导致测量速度的降低,并且可以降低功耗。
附图说明
用于描述本发明的实施例的附图仅是本发明的实施例中的一些,并且对于本发明所属的技术领域的普通技术人员(以下称为“本领域技术人员”),可以基于这些附图获得其他附图,而无需完成任何创造性的工作。
图1是概念性地示出根据本发明的实施例的用于测试被测装置的测量设备的框图。
图2是根据本发明的实施例的测量设备应用于单元阵列的结构图。
图3示出光学元件的单元结构的图。
图4是根据本发明的另一个实施例的测量设备。
图5是用于说明包括图4所述的辅助电路设备的测量设备的操作的图。
具体实施方式
稍后将参考附图进行发明的详细描述,附图示出其中可以实践本发明以阐明本发明的目的、技术方案和优点的具体实施例。对这些实施例的详细描述足以使得本领域技术人员能够实践本发明。然而,仅出于描述根据本发明的实施例以及根据本发明的概念的实施例的目的,举例说明在本说明书中描述的根据本发明的概念和原理的实施例的具体结构和功能描述,并且它们可以各种形式实现,并且可以说,它们不必限于本文所述的实施例。
另外,在整个本发明的详细描述和权利要求中,术语“包括”及其变型并不旨在排除其他技术特征件、附加件、部件或步骤。本发明的其他目的、优点和特征将部分地从该描述中并且部分地从本发明的实践中向本领域技术人员揭示。下面的示例和附图仅作为示例提供,并不旨在限制本发明。
并且在整个本发明的详细描述和权利要求中,诸如“第一”或“第二”的术语可以用于描述各种元件,但是元件不应限于以上术语。术语仅用于将一个元件与其他元件区分开的目的。例如,如果其不脱离根据本发明的概念的权利的范围,则“第一”元件可以被称为“第二”元件。与此类似,“第二”元件也可以被称为“第一”元件。
另外,当元件被称为“连接”或“互连”到另一个元件时,它可以直接连接或连接到其他元件,但是应该理解,另一个元件可以存在于中间。另一方面,当部件被称为“直接连接”或“直接互连”到另一个部件时,应该理解,中间没有其他部件。也应解释描述部件之间的关系的其他表达,诸如,“在...之间”和“恰好在...之间”或“与...相邻”和“与...直接相邻”。
此外,本发明涵盖本文所指示的实施例的所有可能的组合。应当理解,本发明的各种实施例彼此不同,但是不必相互排斥。例如,在不脱离本发明相对于一个实施例的精神和范围的情况下,可以在其他实施例中实现本文所述的特定形状、结构和特性。另外,应当理解,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以改变每个公开的实施例内的各个部件的位置或布置。因此,下面将描述的详细描述不旨在以限制性的方式理解,并且,如果适当地描述,本发明的范围仅由所附权利要求书以及与权利要求书所要求保护的范围等同的所有范围来限制。在许多方面中,附图中相似的附图标记指代相同或相似的功能。
除非在本说明书中另外指明或与上下文明显矛盾,否则除非上下文另有要求,否则称为单数的项目包含复数。另外,在描述本发明时,当确定相关的已知构型或功能的详细描述可能使本发明的主题模糊时,将省略其详细描述。
在下文中,将参考附图详细描述本发明的优选实施例,以使得本领域技术人员能够容易地实现本发明。
图1是概念性地示出根据本发明的实施例的用于测试被测装置的测量设备的框图。
由根据本发明的实施例的测量设备测量的被测装置可以用于各种类型的电子设备,但是在下文中,将着眼于其中将包括光学元件的显示设备用作被测装置的情况进行描述。
如图1所示,根据本发明的实施例的测量设备100包括处理器110、连接到处理器的总线、总线控制器130、至少一个测试器通道160和时间测量仪器170。
处理器110是在执行根据本发明的测量方法中执行测量、计算、确定和分析功能的组成部分。软件模块120是由处理器110执行以执行相关功能的组成部分。
软件模块120可以包括图案生成单元122、电流时间转换单元124和数据操作单元126。
图案生成单元122可以生成被测装置200的测量所需的图案,即测量图案。
电流时间转换单元124执行泄漏电流的测量。对其详细说明,由于泄漏电流的大小与对被测装置的测量端子充电的电荷量逸出的时间成比例,因此如果首先施加到测量端子的电压为V,测量端子的电容为C,并且电流为I,则i=dQ/dt=C*dV/dt。即,电流时间转换单元124可以通过测量电压的变化量(或充电变化量/放电变化量)和所述变化所需的时间变化量来计算泄漏电流。
另外,电流时间转换单元124可以通过测量在电流i=V/R流动时被施加到电阻的电压来计算。该间接电流测量方法需要计算测量数据,并且根据本发明的电流时间转换单元124执行这种功能。
泄漏电流测量过程可以如下更详细地说明。首先,处理器110通过测试器通道160向被测装置200施加控制信号,以将被测装置200设置为待机状态,并且预定电压、即第一电压被施加到被测装置200的端子。
之后,测试器通道160切换到其中测试器通道160的输出端子处于截止状态、即Hi-Z状态的状态,并且同时,上述时间测量开始。时间测量由时间测量仪器170执行。
因为施加到被测装置200的电压由于被测装置200的端子的泄漏电流而改变,因此测试器通道160指定达到参考电压(第二电压)的消耗时间,并且时间数据被传输到处理器110。接收到所述时间数据的处理器110可以使用上述电流相关方程式,基于在测量设计步骤中预定的常数,即,连接到被测装置200的端子的电容器的电容、被施加的电压(第一电压)、参考电压(第二电压)和消耗时间来计算泄漏电流。
简而言之,在本发明中,为了测量测试器通道160中的泄漏电流,对于连接到被测装置200的测量端子,如果测量了相对于预设电压变化量的电压变化所需的时间,则作为所需时间的测量结果的时间数据通过总线控制器130被传送到处理器110。处理器110可以通过将已经在设计阶段中设置的测量端子的电容值和电压变化量作为常数而从接收到的时间数据中计算泄漏电流。
当测量到泄漏电流的泄漏所需的时间时,处理器110通过由处理器110执行的软件模块120来执行将泄漏所需的时间转换为泄漏电流的过程,并且从而可以测量泄漏电流。
数据操作单元126根据从处理器接收的测量数据来计算需要操作的模拟信号的特性。在此,模拟信号的特性值可以包括例如精度、分辨率、动态范围、偏移误差、增益误差、微分非线性和积分非线性中的至少一者,但是本领域技术人员将理解并不限于此。
在具体实施例中,根据本发明的实施例的测量设备在测量之前通过测试器通道160将数字信号施加到被测装置200,从而将被测装置200的状态设置为待命。此后,例如根据施加到被测装置200的输入信号和输出信号的组合,可以按照以下两种方式来部署和操作测量设备。
第一种方式,当输入数字信号以输出模拟信号时,测量设备100通过对应的测试器通道160将数字信号输入到被测装置200,并且从被测装置200输出的模拟信号由模拟仪(未示出)获取。模拟测量仪器将所测量的模拟信号转换为数字信号,并且将作为转换结果的测得数据传送到处理器110,并且由处理器110执行的软件模块120的数据操作单元126执行测得数据和期望值之间的比较操作,并且提取如上所述的模拟信号的特性值,以检查是否满足对应的规格,并且从而执行被测装置200的可接受性的确定。
第二种方式,当输入模拟信号以输出数字信号时,测量设备100通过模拟测量装置将模拟信号施加到被测装置200,并且作为对其的响应从被测装置200输出的数字信号通过测试器通道160传送到处理器110作为测量数据。由处理器110执行的软件模块120的数据操作单元126执行测量数据与期望值之间的比较,提取模拟信号的特性值,并且检查是否满足对应的规格,并且从而执行测量设备200的可接受性的确定。
总线的作用是在包括在测量设备100中的各个组成部分之间传输数据以作为数字信号被携带,并且总线的打开和关闭由总线控制器130控制。
根据本发明的实施例的测量设备100还可以包括通信单元(未示出)。通信单元将信号传送到外部设备,以保存通过在总线上被携带到外部设备而传输的信号的至少一部分。
处理器110可以根据测量的开始和结束来控制通信单元的通信端口的打开和关闭。另外,处理器110可以指示总线控制器130根据测量的开始和结束来调整总线的打开和关闭。
测试器通道160可以将输入信号施加到被测装置200并获得输出信号。开关(未示出)可以另外设置在测试器通道160与被测装置的端子之间,并且根据开关设置信号控制开关的打开和关闭的开关控制器(未示出)可以进一步包括在测量设备100中。
时间测量仪器170测量到达时间,所述到达时间是电容器210的一端的电压从预定的第一电压达到预定的第二电压的时间。换句话说,时间测量仪器170检测被包括在I/O缓冲器180中的输出缓冲器的输出逻辑值改变的时间,并且将其测量为到达时间。如上所述,由时间测量仪器170测量的时间传送到软件模块120,使得可以计算与被测装置200的测量有关的电流值。
I/O缓冲器180通过电容器的充电或放电来增加或减少电容器中的电荷量,并且根据电容器的一端的电压输出与作为输出逻辑值的状态1或0相对应的信号。
I/O缓冲器180的实施例是输入缓冲器作为电压输出设备,其是用于通过电容器的充电或放电来增加或减少电容器中的电荷量的充电/放电装置,并且其可以被配置为包括输出缓冲器,该输出缓冲器作为输出与根据电容器的一端的电压的输出逻辑值相对应的信号的设备。
例如,当电容器的一端的电压是预定的第一电压时,输出缓冲器输出与状态1相对应的信号,并且当电压是预定的第二电压时,输出缓冲器可以输出与状态0相对应的信号。相反,当电容器的一端的电压是预定的第一电压时,输出缓冲器可以输出与状态0相对应的信号,并且当电压是预定的第二电压时,输出缓冲器可以输出与状态1相对应的信号。
I/O缓冲器180的实施例可以被配置为实现第一电压和第二电压的设置,并且因此,该I/O缓冲器可以被配置成使得输出逻辑值在电容器的一端的电压从第一电压达到第二电压时发生改变。
另外,根据本发明的实施例的测量设备100根据需要还可以包括图案/图片文件存储单元140和图像控制单元150。
除了由软件模块120生成的图案之外,图案/图片文件存储单元140还存储用户图案或图片文件作为外部提供的测量图案。在此,从外部提供的用户图案或图片文件可以输出到由光学元件的单元阵列组成的显示面板,并且可以分析被输出到显示面板的图像以确定光学元件的单元阵列是否有缺陷。
在具体实施例中,软件模块120可以处理存储在图案/图片文件存储单元140中的用户图案或图片文件,并且将其施加到被测装置200。
图像控制单元150执行与被测装置200的电学测量无关的光学元件的阵列的光学测量。具体地,图像控制单元150通过成像设备300针对由于光学元件的阵列的上钝化层中的异物导致的光学异常执行测量。成像设备300是图像拍摄设备,并且拍摄构成被测装置200的光学元件的阵列的上保护层的图像,并且将所拍摄的图像传输到图像控制单元150。图像控制单元150可以通过图像识别算法来确定光学元件的阵列的上保护层中的光学异常。
图2是根据本发明的实施例的测量设备应用于单元阵列的结构图。
测量设备100的测试器通道160具有通过单元阵列210的数据线I/O缓冲器180和扫描线I/O缓冲器180连接到单独的数据线和扫描线的结构。
电容器400安装在每条数据线和扫描线上。电容器400通过测试器通道160的驱动信号以一定量的电荷充电或放电。另外,时间测量仪器170测量电容器400的充电和放电所需的时间。
在另一个实施例中,电容器400不是单独附接到单元阵列210的外部的电容器,而是单元阵列210内部的数据线或扫描线具有其自身的内置电容器。
图3示出光学元件的单元阵列的结构图。
图3示出构成图2所示的光学元件210的单元阵列的单元结构。尽管未在图3中示出,可以在信号端子与电容器的一端之间另外设置开关元件。
在下文中,将参考图2和图3更详细地描述测量通过电容器400的电流值的方法。
在本发明的一个实施例中,被测装置200是光学元件的阵列210,并且在这种情况下,两种类型的电流可以在被测装置200的信号端子中流动而作为与被测装置200的测量有关的电流。两种类型中的一种电流是在被测装置200处于待机状态时从信号端子流向接地端子或电源端子的泄漏电流,并且另一种电流是在被测装置200处于活动状态时从端子流向接地端子或电源端子的操作电流。
在一个实施例中,当从被测装置200获得的电流值为从被测装置的信号端子流向接地端子的泄漏电流的值时,电流值的计算过程如下。
首先,将测量图案施加到被测装置200以将被测装置200置于待机状态。此时,开关元件处于断开状态。
接下来,当处理器110指令开始测量时,I/O缓冲器180的输入缓冲器开始充电,直到电容器400的一端的电压Vs达到被测装置200的电源端子的电压Vd。在这种情况下,充电时间是充分大于包括电容器400和I/O缓冲器180的充电电路的时间常数τ的时间,使得电容器400被充分地充电。在此,充电电路的时间常数τ是通过将电容器400的电容Ck乘以输入缓冲器的充电驱动电阻Ra而得到的值,即,τ=Ck*Ra,其中Ck是电容器的电容,是已知的设计常数。Ra是I/O缓冲器180的输入缓冲器的充电驱动电阻,并且通常,已知充电期间的建立时间约为时间常数的4倍,例如4至5倍。
上述过程1-1)和1-2)可以同时执行或在不同时间执行,并且如果在不同时间执行,则执行的顺序是在执行1-1)之后执行1-2),或者在执行1-2)之后执行1-1)。
在下文中,由于在其他电流的测量中对与1-1)和1-2)相对应的过程的相互顺序的描述相同,因此将省略重复的描述。
在该充电时间过去之后,处理器110关闭I/O缓冲器180的输入缓冲器,并且打开输出缓冲器。另外,通过接通开关元件以使其打开,作为电流测量的对象的被测装置200的信号端子被连接到根据本发明的实施例的测量设备100,并且同时,时间测量仪器170被指令测量时间。
从电流测量设备被连接到被测装置200的信号端子部分的时刻起,由于泄漏电流,充电电容器400的充电量开始改变,并且此时,I/O缓冲器180的输出缓冲器根据电容器400的一端的电压Vs具有与0和1相对应的两个输出逻辑值,并且输出逻辑值可以根据电容器的电荷的量的变化从1到0改变。
当在I/O缓冲器180的输出缓冲器处的输出逻辑值发生改变时,处理器110指令时间测量仪器170测量从开关元件打开的时间到输出逻辑值发生改变的时间所经过的时间,即到达时间t。作为一般示例,当假定作为第一电压的电源电压为Vd时,参考电压Vr可以被设置为Vr=Vd/2,该参考电压是第二电压,输出缓冲器的输出逻辑值在第二电压下改变。当然,参考电压的设置不限于此。
然后,处理器110可以使用下面的方程式1从测得的到达时间t来计算作为电流测量对象的被测装置200的第一泄漏电流。
方程式1
该方程式1是当第一电压为Vd并且第二电压Vr为Vd的一半时得出的方程式,并且对于由此不同地确定的第一电压和第二电压,由于本领域技术人员可以容易地获得与方程式1相对应的电流值的方程式,因此将省略不必要的详细描述。
在另一个实施例中,不像先前描述的那样,如果从被测装置200获得的电流值为从被测装置的信号端子流向电源端子的泄漏电流的值,则计算电流值的过程如下。
2-1)执行与第一泄漏电流测量中的1-1)相同的过程。
2-2)接下来,当处理器110指令开始测量时,I/O缓冲器180的输入缓冲器开始放电,直到电容器400的一端的电压Vs达到被测装置200的接地端子的电压。此时,放电时间是充分大于包括电容器400和I/O缓冲器180的放电电路的时间常数τ的时间,使得电容器400被充分地放电。在此,放电电路的时间常数τ是通过将电容器400的电容Ck乘以输入缓冲器的放电驱动电阻Rb而得到的值,即,τ=Ck*Rb,其中Ck是电容器的电容,是已知的设计常数。Rb是I/O缓冲器180的输入缓冲器的放电驱动电阻,并且通常,还已知放电期间的建立时间约为时间常数的4倍,例如4至5倍。
2-3)在已经过该放电时间之后,处理器110关闭I/O缓冲器180的输入缓冲器,并且打开输出缓冲器,类似于在测量第一泄漏电流中的1-3)过程。另外,通过接通开关元件以使其打开,作为电流测量的对象的被测装置200的信号端子被连接到根据本发明的电流测量设备,并且时间测量仪器170被指令测量时间。
2-4)从电流测量设备连接到被测设备200的信号端子的时刻起,由于泄漏电流,充电电容器400的充电量开始改变,并且此时,I/O缓冲器180的输出缓冲器根据电容器400的一端的电压Vs具有与0和1相对应的两个输出逻辑值,并且输出逻辑值可以根据电容器的电荷的量的变化从0到1改变。
当I/O缓冲器180的输出缓冲器中的输出逻辑值发生改变时,处理器110指令时间测量仪器170测量从开关元件打开的时间到输出逻辑值改变的时间所经过的时间,即到达时间t。然后,处理器110可以使用下面的方程式2从测得的到达时间t来计算作为电流测量对象的被测装置200的第二泄漏电流。
方程式2
方程式2仅像方程式1中那样是示例性的,并且对于不同地确定的第一电压和第二电压,本领域技术人员可以容易地获得与方程式2相对应的方程式。
另外,不像先前描述的那样,当从被测装置获得的电流值为从被测装置的信号端子流向接地端子的操作电流的值时,计算电流值的过程如下。
3-1)执行与第一泄漏电流测量中的1-1)相同的过程,但是测量图案的不同之处在于,其是使被测装置200处于活动状态而不是待机状态的图案。
3-2)执行与第一泄漏电流测量中的1-2)相同的过程。
3-3)执行与第一泄漏电流测量中的1-3)相同的过程。
3-4)执行与第一泄漏电流测量中的1-4)相同的过程,但是存在这样的差异,即,考虑的是操作电流,而不是泄漏电流。
在另一个实施例中,不像先前描述的那样,当从被测装置200获得的电流值为从被测装置的信号端子流向电源端子的操作电流的值时,计算电流值的过程如下。
4-1)执行与第二泄漏电流测量中的2-1)相同的过程,但是不同之处在于,测量图案是使被测装置200处于活动状态而不是待机状态的图案。
4-2)执行与第二泄漏电流测量中的2-2)相同的过程。
4-3)执行与第二泄漏电流测量中的2-3)相同的过程。
4-4)执行与第二泄漏电流测量中的2-4)相同的过程,但是存在这样的差异,即,考虑的是操作电流,而不是泄漏电流。
换句话说,上述电流测量方法可以总结如下。
测量设备100(i)生成测量图案,以在待机状态或活动状态下操作被测装置200,或者支持被包括在测量设备100中的处理器110进行操作,并且(ii)通过电容器400的充电或放电来增加或减少电容器400的电荷量,电容器400的一端的电压达到预定的第一电压。
另外,当电容器400的一端的电压达到第一电压时,测量设备100通过接通开关元件来指令电容器400开始改变电荷量。
此后,当测量设备100检测到电容器400的一端的电压变为预定的第二电压时,测量设备100获取到达时间,所述到达时间是从开关元件被接通时起直到电容器400的一端的电压改变而达到第二电压所经过的时间。
在此,通过使用I/O缓冲器180能够检测到电容器400的一端的电压变为预定的第二电压,所述I/O缓冲器180连接到电容器400的一端,该电容器400的一端连接到被测装置200的信号端子。在此,I/O缓冲器180执行输出与根据电容器400的一端的电压的输出逻辑值相对应的信号的功能,并且由于这种功能,测量设备100可以检测至第二电压的变化,因为输出逻辑值中的变化在电容器400的一端的电压从第一电压达到第二电压时发生。
另外,到达时间的获取可以由控制I/O缓冲器180的处理器110执行,或者当到第二电压的变化从I/O缓冲器180被检测到时,由时间测量仪器170执行,所述时间测量仪器170测量从开关元件接通时起直到其变为第二电压所经过的时间。
通过上述测量方法,处理器可以测量电流值,并且基于测量的电流值来确定单元阵列是否有缺陷。例如,当测量的电流值与先前存储的期望值相同时,处理器可以将对应的单元阵列确定为正常。另外,当测量的电流值低于或高于期望值时,处理器可以将单元阵列确定为有缺陷的。
如上所述,根据本发明的实施例的测量设备100可以检测单元阵列或光学元件中的缺陷,而无需像现有技术中那样将高成本的电流源附接到每个数据输入端子。另外,根据本发明的实施例的测量设备100可以通过仅利用时间测量仪器来测量电流值而无需附接电流表来检测缺陷。
另外,与必须顺序检查构成单元阵列的线的常规测量设备不同,根据本发明的实施例的测量设备可以根据由处理器生成的测量图案通过同时驱动多条线来执行测量。具体地,与现有技术中顺序驱动数据线和扫描线的常规方法不同,可以同时或根据测量图案一次自由地驱动大量的线,并且因此可以大大减少测量时间。
另外,根据本发明的实施例的测量设备可以通过控制连接到单元阵列的I/O缓冲器来选择性地测量整个单元阵列中的特定线。
图4是根据本发明的另一个实施例的测量设备。
根据图4的实施例的测量设备100还包括辅助处理器190和辅助电路设备191。其余构型与图1所述的那些相同,并且因此在此省略了详细的说明。
在根据图1所述的实施例的测量设备的情况下,其具有这样的结构,即,其中处理器通过软件模块生成测量图案并且经由总线将测量图案传输到测试器通道,从而导致在总线上形成的大量流量,并且因此可能存在会发生信号传输的限制的问题。
根据本发明的另一个实施例,为了解决该问题,在处理器110生成一定区域的测量图案之后,测量设备100将所生成的图案传输到辅助电路设备191,并且辅助电路设备191通过内部解码电路将测量图案重复扩展到整个测量区域,或者通过部分修改来减少总线流量,从而防止由于总线的流量限制而导致测量速度的降低,并且也降低功耗。
具体地,在根据图1的实施例的测量设备的情况下,由于处理器负责各种功能,诸如测量、计算、决策、分析等,因此存在处理器必须具有强大性能的负担。
然而,在根据图4的实施例的测量设备的情况下,通过进一步包括辅助处理器,先前单独由处理器处理的功能可以通过辅助处理器部分地划分并执行。因此,通过中低成本处理器和辅助处理器、而不是高成本处理器来配置测量设备,可以在确保一定水平的性能的同时实施经济的测量设备。
图5是用于说明包括图4所述的辅助电路设备的测量设备的操作的视图。
在测量设备包括辅助电路设备的情况下,并非所有的用于被测装置的整个单元阵列的测量图案都在处理器中生成,而是处理器仅生成用于一些阵列的测量图案,并且辅助电路设备可以基于由处理器生成的测量图案为其余阵列实施解码电路。
在此,由辅助电路设备实施的测量图案的对象单元阵列可以大于由处理器实施的测量图案的目标单元阵列。将通过图5更详细地描述该测量方法。
在图5中,示例性地示出对由2个存储体和16个块组成的阵列的测量。
如图5所示,处理器110的软件模块120使用存储体0的块0和存储体1的块0作为区域来生成基本测量图案,并且将所生成的基本测量图案传输到辅助电路设备。辅助电路设备可以通过将接收到的测量图案重复地应用到从块0到块7的8个块来驱动解码电路以顺序测量单元阵列。
在这种结构中,当减小由处理器生成的测量区域中的测量图案的生成规模时,即使使用通信网络代替诸如总线的传输装置,通常也可以在不降低测量速度的情况下传输测量图案并执行测量,并且这对于典型的工程师来说可以是众所周知的。因此,众所周知的事实是,其中由处理器生成的测量图案通过通信网络发送以执行测量的修改结构也属于本发明的测量设备的范围。
基于以上实施例的描述,本领域技术人员可以清楚地理解,仅通过上述测量设备100的硬件,或者通过硬件和软件的组合可以实现本发明的目的的效果。本领域技术人员将很好地理解,可以通过各种修改的实施例来实施本发明的技术方案的目的或对现有技术作出贡献的部分。
在上文中,尽管已经通过诸如特定元件和受限制的实施例的特定事项和附图描述了本发明,但这仅是为了帮助更全面地理解本发明而提供的,并且本发明不限于以上实施例,并且本发明所属的技术领域的普通技术人员可以根据这种描述进行各种修改和变型。
因此,本发明的精神不应通过限制于上述实施例而被限定,并且可以说等同于或等效于后述的权利要求的所有修改以及权利要求属于本发明的精神的范围。
此类等同或等效修改将包括例如在数学或逻辑上等效的方法,所述方法能够产生与由根据本发明的方法所实施的结果相同的结果。
Claims (9)
1.一种测量设备,其对包括光学元件的单元阵列的被测装置执行测量,其中所述测量设备包括:
电容器,其与光学元件的单元阵列的信号端子并联连接;
I/O缓冲器,其通过对所述电容器充电或放电来增加或减少所述电容器的电荷量,并且输出与根据所述电容器的一端的电压的输出逻辑值相对应的信号;
时间测量仪器,其用于测量到达时间,所述到达时间是所述电容器的一端的所述电压从预定的第一电压达到预定的第二电压的时间;以及
处理器,其通过控制输入I/O缓冲器和所述时间测量仪器来测量所述到达时间,并且通过使用所述到达时间来测量与光学元件的单元阵列的测量有关的电流的值,并且基于测量到的值来测量所述光学元件的单元阵列是否有缺陷;以及
辅助电路设备,其用于从所述处理器获得用于待测量的所述光学元件的整个单元阵列的一部分单元阵列的测量图案,并且基于所获得的测量图案来驱动用于测量所述光学元件的剩余单元阵列的解码电路,
其中所述处理器通过执行软件模块来执行所述光学元件的单元阵列的测量,所述软件模块包括:
图案生成单元,其用于生成测量图案;
电流时间转换单元,其用于执行泄漏电流的测量;以及
数据操作单元,其使用从所述处理器传输的测量数据来计算需要操作的模拟信号的特性。
2.根据权利要求1所述的测量设备,其中所述处理器通过产生测量图案来执行测量,所述测量图案能够同时驱动构成所述光学元件的单元阵列的多条线。
3.根据权利要求1所述的测量设备,其中在所测量到的值与预先存储的期望值相同时,所述处理器将所述光学元件的对应单元阵列确定为正常,并且在所测量到的值与所述预先存储的期望值不同时,所述处理器将所述光学元件的对应单元阵列确定为有缺陷。
4.根据权利要求1所述的测量设备,其中所述处理器通过控制所述输入/输出缓冲器选择性地仅测量经受测量的所述光学元件的整个单元阵列中的线。
5.根据权利要求1所述的测量设备,还包括辅助处理器,其划分并执行待由所述处理器执行的功能中的一些功能。
6.根据权利要求1所述的测量设备,其中辅助电路设备通过将从所述处理器获得的所述测量图案重复地施加到所述光学元件的剩余单元阵列来驱动解码电路,以顺序测量所述光学元件的单元阵列。
7.根据权利要求1所述的测量设备,还包括通信网络,所述通信网络将从所述处理器生成的所述测量图案传输到所述I/O缓冲器。
8.根据权利要求1所述的测量设备,还包括存储从外部提供的测量图案的图案/图片文件存储单元。
9.根据权利要求1所述的测量设备,还包括:图像设备,所述图像设备用于拍摄所述光学元件的单元阵列的上保护层,以对所述光学元件的单元阵列执行光学测量;以及图像控制单元,所述图像控制单元控制所述图像设备,并且测量所述光学元件的单元阵列的所述上保护层中的光学异常。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200017355A KR102259356B1 (ko) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | 광소자를 포함하는 디스플레이 패널 검사 장치 및 방법 |
KR10-2020-0017355 | 2020-02-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113253082A CN113253082A (zh) | 2021-08-13 |
CN113253082B true CN113253082B (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=76372524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011271870.4A Active CN113253082B (zh) | 2020-02-13 | 2020-11-13 | 用于包括光学元件的显示面板的测量设备和方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102259356B1 (zh) |
CN (1) | CN113253082B (zh) |
Citations (6)
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2020
- 2020-02-13 KR KR1020200017355A patent/KR102259356B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
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KR102259356B1 (ko) | 2021-06-02 |
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