CN113241337A - 新型dfn支架引线结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种集成电路封装技术领域，尤其涉及一种新型DFN支架引线结构，包括第一内引脚、基岛及MOS芯片，所述MOS芯片设置在基岛上，所述第一内引脚的宽度W为0.5‑0.62mm。本发明的新型DFN支架引线结构通过增加第一内引脚的宽度，使得第一内引脚的宽度尺寸较大，可以既打铜线也可以打对宽度尺寸要求较高的铝带，有利于新型DFN支架引线结构朝降低封装内阻及热阻方向设计，提升信号的传输速度。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种集成电路封装技术领域，尤其涉及一种新型DFN支架引线结构。
【背景技术】
芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。MOSFEF是金属氧化物半导体场效应管的简称，作为一种电压控制元件，可用于开关电路，便携式设备，电源管理等多种不同的场景。随着工艺的进一步成熟，芯片尺寸越来越小，单个圆片上集成的管芯数量越来越多。
市面上的DFN3*3-8L引线支架，由于内引脚的宽度只有0.26mm，只适合打线径小的铜线，使得封装内阻无法进一步降低，导致信号传输速度无法进一步提升。
因此，现有技术存在不足，需要改进。
【发明内容】
为克服上述的技术问题，本发明提供了一种新型DFN支架引线结构。
本发明解决技术问题的方案是提供一种新型DFN支架引线结构，包括第一内引脚、基岛及MOS芯片，所述MOS芯片设置在基岛上，所述第一内引脚的宽度W为0.5-0.62mm。
优选地，所述新型DFN支架引线结构还包括铝带，所述铝带一端焊接在第一内引脚处，另一端焊接在MOS芯片的源极。
优选地，所述铝带的最大线宽为40mil。
优选地，所述新型DFN支架引线结构还包括第二内引脚，所述第二内引脚的宽度为0.5-0.62mm。
优选地，所述第二内引脚与MOS芯片的栅极通过外界铜线实现电性连接。
优选地，所述第一内引脚的宽度W为0.55mm。
优选地，所述第一内引脚向上折弯的高度H为0.14-0.19mm。
优选地，所述第一内引脚向上折弯的高度H为0.165mm。
优选地，所述第二内引脚向上折弯的高度为0.14-0.19mm。
优选地，所述第一内引脚靠近MOS芯片一边的相邻的两边呈平行设置且均与第一内引脚靠近MOS芯片的一边垂直。
相对于现有技术，本发明的新型DFN支架引线结构具有如下优点：
通过增加第一内引脚的宽度，使得第一内引脚的宽度尺寸较大，可以既打铜线也可以打对宽度尺寸要求较高的铝带，有利于新型DFN支架引线结构朝降低封装内阻及热阻方向设计，提升信号的传输速度。
第一内引脚与MOS芯片的源极通过铝带实现电性连接，相较于采用铜线连接，具有更低的封装内阻，有利于提升信号的传输速度。
第一内引脚向上折弯一定高度，使得铝带可以有更大的空间拉出线弧，有利于提升焊线品质。
第一内引脚靠近MOS芯片一边的相邻的两边呈平行设置且均与第一内引脚靠近MOS芯片的一边垂直，即第一内引脚的两端呈直线型，有利于不像铜线可以左右弯曲的铝带的键合，提升连接品质。
【附图说明】
图1是本发明新型DFN支架引线结构一视角的具体结构示意图。
图2是本发明新型DFN支架引线结构另一视角的具体结构示意图。
图3是本发明新型DFN支架引线结构又一视角的具体结构示意图。
附图标记说明：
10、新型DFN支架引线结构；11、第一内引脚；12、第二内引脚；13、基岛；14、MOS芯片；15、铝带；141、源极；142、栅极。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1-图3,本发明提供一种新型DFN支架引线结构10，包括第一内引脚11、第二内引脚12、基岛13、MOS芯片14及铝带15，MOS芯片14设置在基岛13上，第一内引脚11和第二内引脚12与基岛13相对设置，铝带15一端焊接在第一内引脚11处，另一端焊接在MOS芯片14的源极141，即MOS芯片14与第一内引脚11通过铝带15实现电性连接，第二内引脚12与MOS芯片14的栅极142通过外界铜线实现电性连接。
进一步地，第一内引脚11的宽度W为0.5-0.62mm。位于这个宽度的第一内引脚11尺寸较大，能够实现铝带15的焊接。在本发明中，第一内引脚11的宽度W具体为0.55mm。
进一步地，第二内引脚12的宽度为0.5-0.62mm，具体为0.55mm。
进一步地，第一内引脚11向上折弯的高度H与第二内引脚12向上折弯的高度均为0.14-0.19mm，向上折弯一定高度有利于提升焊线品质。
在本发明中，第一内引脚11向上折弯的高度H与第二内引脚12向上折弯的高度均为0.165mm。
优选地，本发明中的铝带15的最大线宽可为40mil，具体可根据实际进行设置。
优选地，所述第一内引脚11靠近MOS芯片一边的相邻的两边呈平行设置且均与第一内引脚11靠近MOS芯片的一边垂直，即边缘为直线型有利于第一内引脚11的面积最大化。
相对于现有技术，本发明的新型DFN支架引线结构具有如下优点：
通过增加第一内引脚的宽度，使得第一内引脚的宽度尺寸较大，可以既打铜线也可以打对宽度尺寸要求较高的铝带，有利于新型DFN支架引线结构朝降低封装内阻及热阻方向设计，提升信号的传输速度。
第一内引脚与MOS芯片的源极通过铝带实现电性连接，相较于采用铜线连接，具有更低的封装内阻，有利于提升信号的传输速度。
第一内引脚向上折弯一定高度，使得铝带可以有更大的空间拉出线弧，有利于提升焊线品质。
第一内引脚靠近MOS芯片一边的相邻的两边呈平行设置且均与第一内引脚靠近MOS芯片的一边垂直，即第一内引脚的两端呈直线型，有利于不像铜线可以左右弯曲的铝带的键合，提升连接品质。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述新型DFN支架引线结构包括第一内引脚、基岛及MOS芯片，所述MOS芯片设置在基岛上，所述第一内引脚的宽度W为0.5-0.62mm。
2.如权利要求1所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述新型DFN支架引线结构还包括铝带，所述铝带一端焊接在第一内引脚处，另一端焊接在MOS芯片的源极。
3.如权利要求2所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述铝带的最大线宽为40mil。
4.如权利要求1所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述新型DFN支架引线结构还包括第二内引脚，所述第二内引脚的宽度为0.5-0.62mm。
5.如权利要求4所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第二内引脚与MOS芯片的栅极通过外界铜线实现电性连接。
6.如权利要求1所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第一内引脚的宽度W为0.55mm。
7.如权利要求1所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第一内引脚向上折弯的高度H为0.14-0.19mm。
8.如权利要求7所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第一内引脚向上折弯的高度H为0.165mm。
9.如权利要求4所述的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第二内引脚向上折弯的高度为0.14-0.19mm。
10.如权利要求1所的新型DFN支架引线结构，其特征在于：所述第一内引脚靠近MOS芯片一边的相邻的两边呈平行设置且均与第一内引脚靠近MOS芯片的一边垂直。
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