CN115425007A - 一种芯片连接件及功率模块 - Google Patents

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刘卓然
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Abstract

本申请公开了一种芯片连接件及功率模块。该芯片连接件用于功率模块，功率模块包括芯片连接件、基板及设置在基板上的多个功率芯片，该芯片连接件包括：第一连接部，用于电连接多个功率芯片背离基板一侧的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接；第二连接部，一端与第一连接部电连接，另一端与基板连接。通过这种方式，能够改善通流性能及可靠性。

Description

一种芯片连接件及功率模块
技术领域
本申请涉及电子技术领域，特别是涉及一种功率模块。
背景技术
功率模块是指将多个功率半导体器件按照一定的电路拓扑结构进行连接，并与外围辅助电路集成在同一个绝缘树脂封装内而制成的特殊功率器件。目前，功率模块由于具有较高的可靠性、较小的体积、能够简化系统设计等优点，已被广泛应用于各种功率变换领域。
近年来，随着功率半导体技术的不断发展，功率模块技术也得到了实质性的提升和迅速发展。迄今为止，已研制出多种不同架构与工艺的功率模块，例如二极管功率模块、晶闸管功率模块、MOSFET功率模块和IGBT功率模块等，从而促使功率模块技术得以更快更好地发展。
但传统的功率模块的通流性能和可靠性还有待提高。
发明内容
本申请提供一种芯片连接件及功率模块，以改善通流性能及可靠性。
为解决上述技术问题，本申请提出一种芯片连接件。该芯片连接件用于功率模块，功率模块包括芯片连接件、基板及设置在基板上的多个功率芯片，该芯片连接件包括：第一连接部，用于电连接多个功率芯片背离基板一侧的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接；第二连接部，一端与第一连接部电连接，另一端与基板连接。
为解决上述技术问题，本申请提出一种功率模块。该功率模块包括：基板；多个功率芯片，设置在基板上，上述任一项的芯片连接件，设置在功率芯片背离基板的一侧上，且与多个功率芯片的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接。
区别于现有技术：本申请芯片连接件用于功率模块，该功率模块包括芯片连接件、基板及设置在基板上的多个功率芯片，该芯片连接件包括：第一连接部及第二连接部，其中，第一连接部用于电连接多个功率芯片背离基板一侧的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接；第二连接部的一端与第一连接部电连接，第二连接部的另一端与基板连接。本申请通过第一连接部连接多个功率芯片的顶部电极，通过第二连接部将第一连接部与基板连接，不仅能够实现多个功率芯片的并联连接，且相较于传统功率模块中采用键合线实现功率芯片的顶部电极的电连接，本申请能够提升通流能力和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本申请芯片连接件一实施例的结构示意图；
图2是本申请芯片连接件另一实施例的结构示意图；
图3是本申请功率模块一实施例的结构示意图；
图4是图3实施例中功率模块除芯片连接件外的其它结构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
在本申请实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
本申请首先提出一种功率模块，如图1所示，图1是本申请芯片连接件一实施例的结构示意图，本实施例的芯片连接件5用于功率模块，该功率模块包括芯片连接件5、基板及设置在基板上的多个功率芯片，本实施例的芯片连接件5包括：第一连接部51及第二连接部52，其中，第一连接部51用于电连接多个功率芯片背离基板一侧的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接；第二连接部52的一端与第一连接部51电连接，第二连接部52的另一端与基板连接。
本实施例通过芯片连接件5的第一连接部51连接多个功率芯片的顶部电极，通过第二连接部52将第一连接部51与基板连接，不仅能够实现多个功率芯片的并联连接，且相较于传统功率模块中采用键合线实现功率芯片的顶部电极的电连接，本实施例能够提升通流能力和可靠性。
可选地，本实施例的功率模块还包括电极层，设置在基板上，本实施例的芯片连接件5还包括第三连接部53，第三连接部53的一端与第一连接部51电连接，第三连接部53的另一端与第二连接部52的另一端电连接，即芯片连接件5包括依次电连接的第一连接部51、第二连接部52及第三连接部53，第一连接部51与功率芯片的顶部电极电连接，第三连接部53与电极层电连接，实现多个功率芯片的并联设置。
其中，第三连接部53与基板之间的距离大于第一连接部51及第二连接部52与基板之间的距离，第三连接部53在基板上的投影位于功率芯片与电极层之间的间隙处。
本实施例的芯片连接件5在与功率芯片与电极层之间的间隙处对应的部分做弯折设置，不仅可降低与基板连接部位，即第二连接部52形变引入的焊料应力，且该对应部分朝背离基板的一侧弯折，能够增加第二连接部52与基板之间的距离，以保证散热及与基板上的其它部件绝缘性能。
具体地，本实施例的第三连接部53可以呈拱形设置，便于加工。
可选地，电极层可以包括第一子电极层及第二子电极层，多个功率芯片沿第一方向设置，第一子电极、第二子电极沿第一方向设置在多个功率芯片的两侧，本实施例的第三连接部53包括：第一子连接部a1及第二子连接部a2，其中，第一子连接部a1的一端与第一连接部51的一端电连接；第二子连接部a2的一端与第一子连接部a1的另一端电连接；本实施例的第二连接部52包括：第三子连接部b1及第四子连接部b2，其中，第三子连接部b1的一端与第一子连接部a1的另一端电连接，第三子连接部b1的另一端与第一子电极层电连接；第四子连接部b2的一端与第二子连接部a2的另一端电连接，第四子连接部b2的另一端与第二子电极层电连接。
本实施例将多个功率芯片的顶部电极通过两侧的第一子电极层及第二子电极层引出，能够提高结构的对称性，能够减小多个上桥臂芯片9的换流回路面积之间的差异，减小寄生电感。
可选地，本实施例的第一连接部51、第二连接部52及第三连接部53呈板状，且一体设置，能够提高通流性能及可靠性。
可选地，本实施例的第一连接部51上设有开孔54，开孔54与相邻的两个功率芯片之间的间隔对应设置，即开孔54位于相邻设置的两个功率芯片之间的间隔的上方，能够降低温度循环过程中功率芯片及功率芯片的顶部焊料所受应力。
本实施例在第一连接部51上设置开孔54，能够改善大面积连接件因热膨胀系数较大，而在温度循环过程中形变较大，导致其与功率芯片之间焊接层承受较大应力，加速焊料层的疲劳损伤等问题，能够降低温度循环过程中功率芯片的顶部焊料所受的热应力以及与与基板的连接部位形变引入的焊料热应力，提高了功率模块的可靠性。
第一连接部51上的开孔54，其孔径和孔距尽可能小，实际尺寸取决于加工工艺。
可选地，本实施例的开孔54可以为圆形开孔，以便于加工。在其它实施例中，开孔还可以是楔形开孔或者方形开孔等。
可选地，本实施例的芯片连接件5可以为预成型金属片，如铜片或者铜钼合金片等。
其中，本实施例的芯片连接件5可以通过焊接等连接方式与功率芯片和基板(电极层)连接。
本申请进一步提出另一实施例的芯片连接件，如图2所示，图2是本申请芯片连接件另一实施例的结构示意图，本实施例的芯片连接件6与上述芯片连接件5的区别在于：上述芯片连接件5的第二连接部52及第三连接部53与第一连接部51沿同一个方向设置，而本实施例的芯片连接件6的第二连接部62及第三连接部63与第一连接部61沿垂直设置。
具体地，多个功率芯片沿第一方向排布，且电极层与多个功率芯片沿第二方向排布，第二方向与第一方向垂直设置，芯片连接件6包括：多个第二连接部62及多个第三连接部63，多个第二连接部62、多个第三连接部63及多个功率芯片一一对应设置，第三连接部63的一端与第一连接部61垂直电连接，第三连接部63的另一端与第二连接部62的一端电连接，第二连接部62的另一端电极层电连接。
本实施例的芯片连接件6能够实现垂直排布的功率芯片与电极层的电连接。
本申请进一步提出一种功率模块，如图3及图4所示，图3是本申请功率模块一实施例的结构示意图；图4是图3实施例中功率模块除芯片连接件外的其它结构的结构示意图，本实施例的功率模块包括：基板1、多个功率芯片及芯片连接件，其中，多个功率芯片设置在基板1上，芯片连接件设置在功率芯片背离基板1的一侧上，且与多个功率芯片的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接。
关于芯片连接件的具体结构可以参阅上述实施例。
具体地，本实施例的功率芯片包括：多个上桥臂芯片9及多个下桥臂芯片10，且功率模块还包括：上桥臂驱动金属层7、正电极层2、下桥臂驱动金属层8、负电极层3及交流侧电极层4，功率模块包括两个芯片连接件(即芯片连接件5及芯片连接件6)；多个上桥臂芯片9、上桥臂驱动金属层7、正电极层2、多个下桥臂芯片10、负电极层3、下桥臂驱动金属层8、交流侧电极层4均设置在基板1上；其中，上桥臂芯片9设有第一控制端、第一开关端及第二开关端；上桥臂驱动金属层7与上桥臂芯片9的第一控制端及上桥臂芯片9的第一开关端电连接；正电极层2与上桥臂芯片9的第二开关端连接；下桥臂芯片10设有第二控制端、第三开关端及第四开关端；下桥臂驱动金属层8与下桥臂芯片10的第二控制端及下桥臂芯片10的第三开关端电连接；负电极层3与下桥臂芯片10的第三开关端连接；交流侧电极层4与上桥臂芯片9的第一开关端及下桥臂芯片10的第四开关端连接；多个上桥臂芯片9、上桥臂驱动金属层7、正电极层2、多个下桥臂芯片10、负电极层3、下桥臂驱动金属层8、交流侧电极层4均设置在基板1上，且上桥臂驱动金属层7、正电极层2、下桥臂驱动金属层8、负电极层3及交流侧电极层4同层设置。
可选地，交流侧电极层4的交流引出端点位于相邻的两个上桥臂芯片9之间连线的垂直线上和相邻的两个下桥臂芯片10之间连线的垂直线上，正电极层2的正电极引出端点靠近上桥臂芯片9设置，负电极层3的负电极引出端点靠近下桥臂芯片10设置。
本实施例中，上桥臂芯片9对应的换流回路为：正电极引出端点-正电极层2-上桥臂芯片9-交流侧电极层4-交流引出端点(或反向)。下桥臂芯片10对应的换流回路为：交流侧电极层4-交流引出端点-下桥臂芯片10-负电极层3-负电极引出端点(或反向)。
因此，本实施例将交流侧电极层4的交流引出端点设置在相邻的两个上桥臂芯片9之间连线的垂直线上和相邻的两个下桥臂芯片10之间连线的垂直线上，能够使得相邻的两个上桥臂芯片9相对于交流引出端点对称，及相邻的两个下桥臂芯片10相对于交流引出端点对称，能够减小相邻的两个上桥臂芯片9的换流回路面积之间的差异，及减小相邻的两个下桥臂芯片10的换流回路面积之间的差异，从而使得各功率芯片(上、下桥臂芯片)的工作状况和使用寿命保持一致，提高功率模块的开关性能；且正电极层2的正电极引出端点靠近上桥臂芯片9设置，负电极层3的负电极引出端点靠近下桥臂芯片10设置，能够使得布局紧凑，缩小换流回路面积，从而能够缩小功率模块的寄生电感，进而减小开关损耗和开关时的电压尖峰，提高功率模块的开关性能。
在一应用场景中，本实施例的上桥臂芯片9可以包括IGBT器件，其栅电极作为上桥臂芯片9的第一控制端与上桥臂驱动金属层7电连接，其源极作为上桥臂芯片9的第一开关端与上桥臂驱动金属层7及交流侧电极层4电连接，其漏极作为上桥臂芯片9的第二开关端与正电极层2电连接；下桥臂芯片10可以包括IGBT器件，其栅电极作为下桥臂芯片10的第二控制端，其源极作为下桥臂芯片10的第三开关端与下桥臂驱动金属层8及负电极层3电连接，其漏极作为下桥臂芯片10的第四开关端与交流侧电极层4电连接。
本实施例的在其它实施例中，上述桥臂芯片还可以包括二极管，用于在电压或电流出现突变时，对桥臂芯片起保护作用。
在其它实施例中，还可以采用其它开关管代替IGBT器件，如三极管或者MOS管等。
本实施例实现的功率模块为全桥功率模块。
可选地，本实施例实现的功率模块可以是三相全桥功率模块。具体地，本实施例的功率模块包括三个下桥臂芯片10及三个上桥臂芯片9，三个下桥臂芯片10沿基板1的第二方向排布，三个上桥臂芯片9沿第二方向排布，且三个下桥臂芯片10与三个上桥臂芯片9一一对应设置，下桥臂芯片10与上桥臂芯片9沿基板1的第一方向设置，第一方向与第二方向垂直设置。
三个下桥臂芯片10与三个上桥臂芯片9组成功率模块的三相桥臂，每相桥臂包括一个下桥臂芯片10与一个上桥臂芯片9。每相桥臂的具体连接方式可以参阅上文描述。上述三相桥臂的排布方式，能够使得上下桥臂之间无干扰，且便于上桥臂驱动金属层7、正电极层2、负电极层3、下桥臂驱动金属层8、交流侧电极层4及对应的引出端点布局，使得功率模块内器件的整体布局更紧凑，进一步缩小换流回路面积。
当然，在其它实施例中，功率模块可以仅设置两组半桥臂，或者三组以上的半桥臂，具体不做限定。
可选地，本实施例的上桥臂驱动金属层7、正电极层2、交流侧电极层4及下桥臂驱动金属层8沿基板1的第一方向依次相邻排布，以使上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8位于基板1的两侧区域。
本实施例将上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8设置在基板1的两侧区域，不会对功率模块的主功率回路造成干扰。
进一步地，本实施例将上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8设置在基板1的垂直于下桥臂芯片10及上桥臂芯片9排列方向的两侧区域，且上桥臂驱动金属层7与上桥臂芯片9同侧设置，下桥臂驱动金属层8与下桥臂芯片10同侧设置，能够进一步减少对功率模块的主功率回路造成干扰，能够使得主功率回路的寄生电感相比传统布局显著减小，从而能够减小开关损耗和开关时的电压尖峰，提升功能模块开关性能。
可选地，本实施例的多个上桥臂芯片9设置在正电极层2背离基板1的一侧上，且沿第二方向排布，正电极层2的正电极引出端点靠近多个上桥臂芯片9中位于端部的上桥臂芯片9设置。
本实施例将多个上桥臂芯片9与正电极层2层叠设置，不仅能够缩小基板1的面积，而且还能够缩短上桥臂芯片9与正电极层2之间的连通路径，进一步减小换流回路面积。
其中，正电极层2上设有两个正电极引出端点，位于多个上桥臂芯片9沿第二方向设置的两侧，便于正电极层2的引出，且从两侧引出正电极层2，提高结构的对称性，能够减小多个上桥臂芯片9的换流回路面积之间的差异。
可选地，本实施例的负电极层3与交流侧电极层4沿基板1的第二方向排布；多个下桥臂芯片10设置在交流侧电极层4背离基板1的一侧上，且沿第二方向排布，负电极层3靠近多个下桥臂芯片10中位于端部的下桥臂芯片10设置，以使得负电极层3的负电极引出端点靠近多个下桥臂芯片10中位于端部的下桥臂芯片10设置。
具体地，负电极层3包括两个子负电极层，位于交流侧电极层4沿第二方向设置的两侧。
本实施例将多个下桥臂芯片10与交流侧电极层4层叠设置，不仅能够缩小基板1的面积，而且还能够缩短下桥臂芯片10与交流侧电极层4之间的连通路径，进一步减小换流回路面积。
具体地，本实施例的两个子负电极层、多个下桥臂芯片10及通过芯片连接件5连接，且从两侧的两个负电极引出端点引出负电极层3，提高结构的对称性，能够减小多个下桥臂芯片10的换流回路面积之间的差异。
芯片连接件6的多个第一连接部与多个上桥臂芯片9一一对应电连接，芯片连接件6的多个第三连接部与交流侧电极层4及对应的上桥臂芯片9电连接。
其中，本实施例的上桥臂驱动金属层7包括两个绝缘设置的子金属层，分别通过连接件(如键合线等)与上桥臂芯片9的第一控制端及第一开关端电连接，以分别为上桥臂芯片9的第一控制端及第一开关端提供驱动信号；下桥臂驱动金属层8包括两个绝缘设置的子金属层，分别通过连接件(如键合线等)与下桥臂芯片10的第二控制端及第三开关端电连接，以分别为下桥臂芯片10的第二控制端及第三开关端提供驱动信号。
其中，与多个上桥臂芯片9连接的上桥臂驱动金属层7中每个子金属层一体设置，与多个下桥臂芯片10连接的下桥臂驱动金属层8中每个子金属层一体设置。通过这种方式，能够提高多个上桥臂芯片9之间的驱动信号的一致性，及多个下桥臂芯片10之间的驱动信号的一致性。
可选地，本实施例的上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8可以是铜铝合金层或者同层等，能够增加导电性能。
在另一实施例中，功率模块还可以包括多个端子件，与上述端子引出点电连接。如多个端子件包括第一端子件及第二端子件，第一端子件的一端与正电极引出端点电连接，第一端子件的另一端延伸出基板的外侧，用于实现正电极引出端点从功率模块的外部接入正电压；第二端子件的一端与负电极引出端点电连接，第二端子件的另一端延伸出基板的外侧，用于实现负电极引出端点从功率模块的外部接入负电压或接地。
具体地，第一端子件的一端延伸有间隔设置的第一连接部及第二连接部，第一连接部与设置在正电极层上的一正电极引出端点电连接，第二连接部与另一正电极引出端点电连接，第一端子件的另一端设有安装孔，用于固定正电压的电源线。
具体的，第二端子件的一端延伸有间隔设置的第三连接部及第四连接部，第三连接部与设置在负电极层上的一负电极引出端点，第四连接部与另一负电极引出端点电连接，第二端子件的另一端设有安装孔，用于固定负电压的电源线或地线。
其中，第一端子件位于一端与另一端之间的中间部与基板之间的距离大于该一端及另一端与基板之间的距离；因两个正电极引出端点之间设有上桥臂芯片，因此，这种结构，能够增加第一端子件的另一端与两个正电极引出端点的连接电性能及稳定性，及第一端子件的一端与正电压的电源线的连接电性能及稳定性；
第二端子件位于一端与另一端之间的中间部与基板之间的距离大于该一端及另一端与基板之间的距离；因两个负电极引出端点之间设有下桥臂芯片，因此，这种结构，能够增加第二端子件的另一端与两个负电极引出端点的连接电性能及稳定性，及第二端子件的一端与负电压的电源线的连接电性能及稳定性可选地，本实施例的第二端子件与第二端子件从沿基板的平行面引出。这种引出布局，便于功率模块与承载功率模块的电路板连接，缩短二者之间的连接路径。
可选地，本实施例的第一端子件与第二端子件层叠设置，控制端子件引入的电感，且从基板的同一侧边引出，便于与同一供电设备的正、负极连接，缩短连接路径。
可选地，本实施例的多个端子件还包括：第三端子件，一端与交流引出端点电连接，另一端延伸出基板的外侧。
第三端子件的具体结构可以参阅上述第一端子件及第二端子件进行设置。
可选地，本实施例的多个端子件还包括：第四端子件，第四端子件的一端与上桥臂驱动金属层电连接，第四端子件的另一端延伸出基板的外侧。
其中，第四端子件包括两个绝缘设置的第一端子柱，分别与上桥臂驱动金属层的两个子金属层电连接，用于分别提供上桥臂芯片第一控制端的驱动信号及第一开关端的驱动信号。
本实施例的多个端子件还包括：第五端子件，第五端子件的一端与下桥臂驱动金属层电连接，第五端子件的另一端延伸出基板的外侧。
其中，第五端子件包括两个绝缘设置的第二端子柱，分别与下桥臂驱动金属层的两个子金属层电连接，用于分别提供下桥臂芯片的第二控制端的驱动信号及第三开关端的驱动信号。
本实施例的功率模块还包括：第六端子件，第六端子件的一端与正电极层电连接，第六端子件的另一端延伸出基板的外侧。第六端子件作为上桥臂芯片的第二开关端，即漏电极的检测端子，用于实现上桥臂芯片的过压保护及退饱和短路保护。
可选地，本实施例的上述所有端子件都沿基板的平行面引出，便于功率模块与承载功率模块的电路板连接，缩短二者之间的连接路径。
具体地，第一端子件、第二端子件及第五端子件沿第一方向从基板的一侧引出，第三端子件、第四端子件及第六端子件沿第一方向从基板的另一侧引出，使得有足够的空间设置端子件，且便于封装。
当然，在其它实施例中，可以基于其它电性能，将上述端子件沿基板的垂直方向引出，或者从基板的其它侧边引出。
区别于现有技术，本申请芯片连接件用于功率模块，该功率模块包括芯片连接件、基板及设置在基板上的多个功率芯片，该芯片连接件包括：第一连接部及第二连接部，其中，第一连接部用于电连接多个功率芯片背离基板一侧的顶部电极，以实现多个功率芯片的并联连接；第二连接部的一端与第一连接部电连接，第二连接部的另一端与基板连接。本申请通过第一连接部连接多个功率芯片的顶部电极，通过第二连接部将第一连接部与基板连接，不仅能够实现多个功率芯片的并联连接，且相较于传统功率模块中采用键合线实现功率芯片的顶部电极的电连接，本申请能够提升通流能力和可靠性。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种芯片连接件，其特征在于，用于功率模块，所述功率模块包括芯片连接件、基板及设置在所述基板上的多个功率芯片，所述芯片连接件包括：
第一连接部，用于电连接所述多个功率芯片背离所述基板一侧的顶部电极，以实现所述多个功率芯片的并联连接；
第二连接部，一端与所述第一连接部电连接，另一端与所述基板连接。
2.根据权利要求1所述的芯片连接件，其特征在于，所述功率模块还包括：电极层，设置在所述基板上，所述芯片连接件还包括：
第三连接部，一端与所述第一连接部电连接，另一端与所述第二连接部的另一端电连接；
其中，所述第三连接部与所述基板之间的距离大于所述第一连接部及所述第二连接部与所述基板之间的距离，所述第三连接部在所述基板上的投影位于所述功率芯片与所述电极层之间的间隙处。
3.根据权利要求2所述的芯片连接件，其特征在于，所述第三连接部呈拱形设置。
4.根据权利要求2或3所述的芯片连接件，其特征在于，所述电极层包括第一子电极层及第二子电极层，所述多个功率芯片沿第一方向设置，所述第一子电极、所述第二子电极沿所述第一方向设置在所述多个功率芯片的两侧，所述第三连接部包括：
第一子连接部，一端与所述第一连接部的一端电连接；
第二子连接部，一端与所述第一连接部的另一端电连接；
所述第二连接部包括：
第三子连接部，一端与所述第一子连接部的另一端电连接，另一端与所述第一子电极层电连接；
第四子连接部，一端与所述第二子连接部的另一端电连接，另一端与所述第二子电极层电连接。
5.根据权利要求2或3所述的芯片连接件，其特征在于，所述多个功率芯片沿第一方向排布，且所述电极层与所述多个功率芯片沿第二方向排布，所述第二方向与所述第一方向垂直设置，所述芯片连接件包括：
多个所述第二连接部及多个所述第三连接部，与多个所述功率芯片一一对应设置，所述第三连接部的一端与所述第一连接部垂直电连接，所述第三连接部的另一端与对应的所述第二连接部的一端电连接，所述第二连接部的另一端与所述电极层电连接。
6.根据权利要求1所述的芯片连接件，其特征在于，所述第一连接部上设有开孔，所述开孔与相邻的两个所述功率芯片之间的间隔对应设置。
7.根据权利要求6所述的芯片连接件，其特征在于，所述开孔为圆形开孔、楔形开孔或者方形开孔。
8.根据权利要求2所述的芯片连接件，其特征在于，所述第一连接部、所述第二连接部及所述第三连接部呈板状，且一体设置。
9.根据权利要求1所述的芯片连接件，其特征在于，所述芯片连接件为铜片或者铜钼合金片。
10.一种功率模块，其特征在于，包括：
基板；
多个功率芯片，设置在所述基板上，
权利要求1至9任一项所述的芯片连接件，设置在所述功率芯片背离所述基板的一侧上，且与所述多个功率芯片的顶部电极，以实现所述多个功率芯片的并联连接。
11.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于，所述功率芯片包括：多个上桥臂芯片及多个下桥臂芯片，所述功率模块还包括：上桥臂驱动金属层、正电极层、下桥臂驱动金属层、负电极层及交流侧电极层，所述功率模块包括两个所述芯片连接件；
其中，所述上桥臂芯片、所述上桥臂驱动金属层、所述正电极层、所述下桥臂芯片、所述下桥臂驱动金属层及所述负电极层均设置在所述基板上，所述上桥臂驱动金属层与所述上桥臂芯片的第一控制端及第一开关端电连接，所述正电极层与所述上桥臂芯片的第二开关端连接，所述下桥臂驱动金属层与所述下桥臂芯片的第二控制端及第三开关端电连接，所述负电极层通过一所述芯片连接件与所述下桥臂芯片的第四开关端连接，所述交流侧电极层通过另一所述芯片连接件与所述上桥臂芯片的第一开关端及所述下桥臂芯片的第四开关端连接。
12.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于，还包括：
端子件，一端与所述第一连接部连接，另一端延伸出至所述基板的外侧。
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