CN116130467B - 一种对称布局的半桥功率模块 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种对称布局的半桥功率模块，包括：若干上桥臂芯片、上桥臂驱动金属层、正电极层、若干下桥臂芯片、下桥臂驱动金属层、负电极层、交流侧电极层、基板、第一端子件、第二端子件、第三端子件、第四端子件、第一连接件和若干第二连接件。本申请布局紧凑，缩小换流回路面积，从而能够缩小功率模块的寄生电感；同时还可以改善并联芯片的动态均流，提高功率模块的开关性能。功率模块内部芯片两个一组分布，且组与组之间位置对称分布，改善了多芯片的结温均衡，使得多芯片工作时每个芯片温度接近，改善了因芯片结温差异带来的不均流等问题。

Description

一种对称布局的半桥功率模块

技术领域

本申请涉及电子技术领域，具体涉及一种对称布局的半桥功率模块。

背景技术

随着现代交通运输、航空航天等领域的快速发展，电力电子功率模块(简称为功率模块)得到了广泛的应用。对功率模块的电性能和热性能都提出了更高的要求。

为了提升功率模块的效率，需要实现功率模块更高的开关频率，而传统的功率模块布局结构具有较高的寄生电感，功率芯片在开关过程中承受较高的过压，增加了功率芯片过压击穿的风险。为了提升功率模块的通流能力，需要在功率模块内并联多芯片，而多芯片会因寄生参数产生动态不均流问题。功率芯片在开关过程中会出现结温不平衡，增加了功率模块热失控的风向，降低了功率模块可靠性。为了提升功率模块的热可靠性，需要在功率模块内进行合理热设计，传统多芯片并联功率模块芯片结温不均衡，使得功率模块工作中内部芯片温度不一致，导致不均流，增加了热失控的风险。

因此，在高频、大功率应用场合，寄生电感、动态均流和热阻是功率模块需要克服的难题，需要降低寄生电感、实现动态均流和降低热阻，来保证功率模块可靠工作。

发明内容

为解决上述背景技术中存在的问题，本申请提出了一种功率模型用以减小寄生电感、改善动态均流和芯片结温均衡。

为实现上述目的，本申请提供了一种对称布局的半桥功率模块，包括：若干上桥臂芯片、上桥臂驱动金属层、正电极层、若干下桥臂芯片、下桥臂驱动金属层、负电极层、交流侧电极层、基板、第一端子件、第二端子件、第三端子件、第四端子件、第一连接件和若干第二连接件。

优选的，所述上桥臂芯片、所述上桥臂驱动金属层、所述正电极层、所述下桥臂芯片、所述下桥臂驱动金属层、所述负电极层和所述交流侧电极层均设置在所述基板上。

优选的，所述第一端子件和所述第二端子件的一端与所述负电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧；所述第三端子件，一端与所述正电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧；所述第四端子件，一端与所述交流侧电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧。

优选的，所述第一端子件、所述第二端子件和所述第三端子件层叠设置，且均具有沟槽用于减小机械应力。

优选的，所述第一端子件、所述第二端子件和所述第三端子件均从沿所述基板的平行面或者垂直面引出。

优选的，所述第一连接件分别与若干所述下桥臂芯片及所述负电极层连接；所述第二连接件与所述上桥臂芯片对应连接，所述第二连接件还与所述交流侧电极层连接。

优选的，所述上桥臂驱动金属层、所述正电极层、所述交流侧电极层和所述下桥臂驱动金属层沿所述基板的第一方向依次相邻排布，使所述上桥臂驱动金属层和所述下桥臂驱动金属层位于所述基板的两侧区域。

优选的，所述上桥臂芯片和所述下桥臂芯片为并联芯片且所述并联芯片的数量为偶数个；所述并联芯片每两个分为一组，每组两个芯片之间采用连接件连接，每组所述并联芯片沿基板第二方向排布，四组所述并联芯片在所述基板四个角落对称分布。

优选的，所述交流侧电极层的交流引出端点位于相邻的两个所述上桥臂芯片之间连线的垂直线上和相邻的两个所述下桥臂芯片之间连线的垂直线上，所述正电极层的正电极引出端点靠近所述上桥臂芯片设置，所述负电极层的负电极引出端点在靠近两组所述下桥臂芯片外侧和中垂线上设置，所述上桥臂芯片和所述下桥臂芯片在所述基板上对称排布。

与现有技术相比，本申请的有益效果如下：

本申请的功率模块为偶数个的多芯片并联模块，芯片两两分组，对称分布，正电极层的正电极引出端点靠近上桥臂芯片设置，负电极层的负电极引出端点靠近下桥臂芯片设置，能够使得布局紧凑，缩小换流回路面积，从而能够缩小功率模块的寄生电感，进而减小开关损耗和开关时的电压尖峰，提高功率模块的开关性能。交流引出端点在上桥臂每组内部芯片之间和组与组之间对称分布，能够减小相邻的两个上桥臂芯片的换流回路面积之间的差异。负电极引出端点关于下桥臂芯片对称排布设置，减小相邻的两个下桥臂芯片的换流回路面积之间的差异，从而使得各功率芯片(上、下桥臂芯片)的工作状况和使用寿命保持一致，改善并联芯片的动态均流，提高功率模块的开关性能。功率模块内部芯片两个一组分布，且组与组之间位置对称分布，改善了多芯片的结温均衡，使得多芯片工作时每个芯片温度接近，改善了因芯片结温差异带来的不均流等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例的半桥功率模块结构示意图；

图2为本申请实施例的半桥功率模块又一结构示意图；

图3为本申请实施例的第一端子件的结构示意图；

图4为本申请实施例的第二端子件的结构示意图；

图5为本申请实施例的第三端子件的结构示意图；

图6为本申请实施例的第四端子件、第五端子件、第六端子件和第七端子件的结构示意图；

图7为本申请实施例的第八端子件的结构示意图。

附图标记说明：1、基板；2、正电极层；3、负电极层；4、交流侧电极层；5、第一连接件；6、第二连接件；7、上桥臂驱动金属层；8、下桥臂驱动金属层；9、上桥臂芯片；10、下桥臂芯片；11、第三连接件；12、正电极引出点；13、负电极引出点；14、交流引出端点；15、NTC热敏电阻；16、第四端子件；17、第五端子件；18、第六端子件；19、第七端子件；20、第一端子件；21、第二端子件；22、第三端子件；23、第八端子件；201、第一沟槽；202、第一安装孔；203、第一端子件的焊点1；204、第一端子件的焊点2；211、第二沟槽；212、第二安装孔；213、第二端子件的焊点1；214、第二端子件的焊点2；221、第三沟槽；222、第三安装孔；223、第三端子件的焊点1；224、第三端子件的焊点2；231、第八安装孔；232、第五连接部；233、第六连接部；234、第七连接部；其中，3(a)、3(b)和3(c)均为负电极层；5(a)和5(b)均为第一连接件；6(a)和6(b)均为第二连接件；12(a)和12(b)均为正电极引出点；13(a)、13(b)和13(c)均为负电极引出点；14(a)、14(b)和14(c)均为交流引出端点。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

在本申请实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

实施例一

如图1所示，为本实施例的半桥功率模块的结构示意图，包括：若干上桥臂芯片9、上桥臂驱动金属层7、正电极层2、若干下桥臂芯片10、负电极层3(a)和3(b)、下桥臂驱动金属层8、交流侧电极层4、第三连接件11、NTC热敏电阻15及基板1；其中，上桥臂芯片9设有第一控制端、第一开关端及第二开关端，若干上桥臂芯片依次沿第二方向两两一组并联排列；上桥臂驱动金属层7通过第三连接件11与上桥臂芯片9的第一控制端及上桥臂芯片9的第一开关端电连接；正电极层2与上桥臂芯片9的第二开关端连接；下桥臂芯片10设有第二控制端、第三开关端及第四开关端，若干下桥臂芯片依次沿第二方向两两一组并联排列；下桥臂驱动金属层8通过第三连接件11与下桥臂芯片10的第二控制端及下桥臂芯片10的第三开关端电连接；负电极层3与下桥臂芯片10的第三开关端连接；交流侧电极层4与上桥臂芯片9的第一开关端及下桥臂芯片10的第四开关端连接；若干上桥臂芯片9、上桥臂驱动金属层7、正电极层2、若干下桥臂芯片10、负电极层3、下桥臂驱动金属层8、交流侧电极层4、NTC热敏电阻15均设置在基板1上，且各金属层同层设置；其中，交流侧电极层4的交流引出端点14位于相邻的两个上桥臂芯片9之间连线的垂直线上和相邻的两个下桥臂芯片10之间连线的垂直线上，正电极层2的正电极引出端点12靠近上桥臂芯片9设置，负电极层3的负电极引出端点13靠近下桥臂芯片10设置。

上述结构通过紧凑的布局减小换流回路的寄生电感；凭借高度对称布局减小各芯片回路之间的寄生电感差异，改善并联芯片的均流效果；利用多并联芯片两两一组的对称布局方式改善芯片的结温均衡，提高功率模块热的热可靠性。

本实施例中，功率模块对应的换流回路为：正电极引出端点12-正电极层2-上桥臂芯片9-交流侧电极层4-下桥臂芯片10-负电极层3-负电极引出端点13(或反向)。

因此，本实施例在交流测电极层4上设置多个交流引出端点14，且将交流侧电极层4的交流引出端点14设置在相邻的两个上桥臂芯片9之间连线的垂直线上和相邻的两个下桥臂芯片10之间连线的垂直线上，能够使得相邻的两个上桥臂芯片9相对于交流引出端点14对称。正电极引出端点12尽量靠近上桥臂芯片9；负电极引出端点13尽量靠近下桥臂芯片10。能够减小正电极引出端点12到上桥臂功率芯片9再到下桥臂功率芯片10最后到负电极引出端点13的换流回路长度，能够使得布局紧凑，缩小换流回路面积，从而能够缩小功率模块的寄生电感，进而减小开关损耗和开关时的电压尖峰，提高功率模块的开关性能。

本实例中上桥臂芯片9和下桥臂芯片10均通过第三连接件11进行Kelvin连接，降低了共源电感，将驱动回路和功率回路解耦，降低了功率回路对驱动回路的电磁干扰。其中，上桥臂芯片9和下桥臂芯片10被分为四组，上下桥臂各两组，每两个芯片为一组，每组采用第一连接件5、第二连接件6互连，且上、下桥臂的每组芯片对称布局，能够减小上桥臂每组内芯片第一开关端到交流引出端点和下桥臂每组内芯片第三开关端到负电极引出点13的寄生电感差异，从而改善各功率芯片的动态均流特性，从而使得各功率芯片(上桥臂芯片和下桥臂芯片)的工作状况和使用寿命保持一致，提高功率模块的开关性能。

本实例中每两个芯片一组分开对称排布，布局设计过程中保证了各组芯片之间和每组内各芯片之间的距离，能够改善了芯片间的热耦合，同时对称局部改善了芯片的结温均衡，提高了功率模块的可靠性。

此外，本实施例的上桥臂芯片9还可以包括：IGBT器件，其栅电极作为上桥臂芯片9的第一控制端与上桥臂驱动金属层7电连接，其源极作为上桥臂芯片9的第一开关端与上桥臂驱动金属层7及交流侧电极层4电连接，其漏极作为上桥臂芯片9的第二开关端与正电极层2电连接；下桥臂芯片10可以包括IGBT器件，其栅电极作为下桥臂芯片10的第二控制端，其源极作为下桥臂芯片10的第三开关端与下桥臂驱动金属层8及负电极层3电连接，其漏极作为下桥臂芯片10的第四开关端与交流侧电极层4电连接。

最后上述桥臂芯片9还可以包括：二极管，用于在电压或电流出现突变时，对桥臂芯片起保护作用。还可以采用其它开关管代替IGBT器件，如三极管或者MOS管等。

实施例二

上述实施例一中提到的半桥功率模块，不仅限于四芯片并联，可以是六芯片并联、八芯片并联等偶数个芯片并联的功率模块。

具体实施方式包括：在本实施例中，将上桥臂芯片9和四个下桥臂芯片10沿基板1的第二方向扩展排布，扩展偶数个芯片，每两个一组，下桥臂芯片10与上桥臂芯片9沿基板1的第一方向设置，第一方向与第二方向垂直设置。

其中，本实施例的交流侧电极层4设有三个交流引出端点14，即14(a)、14(b)和14(c)，交流引出端点14位于相邻的两个上桥臂芯片9之间连线的垂直线上和相邻的两个下桥臂芯片10之间连线的垂直线上。需要说明的是，交流侧电极层4设有交流引出端点14(a)、交流引出端点14(b)和交流引出端点14(c)，且沿基板1第二方向排布，四个上桥臂芯片9沿二方向排布，交流引出端点14(a)位于第一组并联芯片的垂直线上，交流引出端点14(b)位于第一组并联芯片和第二组并联芯片的垂直线上；交流引出端点14(c)位于第二组并联芯片的垂直线上。其交流引出端点14的排列方式可以改善上桥臂芯片9的每组内两个芯片的第一开关端到交流引出端点14的寄生电感相等，改善了并联芯片的动态均流特性。

此外，在基板1角落区域集成了NTC热敏电阻15，能够在功率模块运行时检测基板1的实施温度，以便外部拓展关于功率模块的过温保护功能等。

在本实施例中，上桥臂驱动金属层7、正电极层2、交流侧电极层4及下桥臂驱动金属层8沿基板1的第一方向依次相邻排布，以使上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8位于基板1的两侧区域。能够使驱动回路和主功率回路隔绝，避免主功率回路信号对驱动回路信号产生电磁干扰，引起误导通等问题。其中，多个上桥臂芯片9设置在正电极层2背离基板1的一侧上，每两个芯片一组，且沿第二方向排布。分别在靠近每组芯片的正电极层2设置正电极引出端点12，且正电极引出端点12对称排布，减小每组芯片之间的换流回路面积差异，改善动态均流。将多个上桥臂芯片9与正电极层2层叠设置，不仅能够缩小基板1的面积，而且还能够缩短上桥臂芯片9与正电极层2之间的连通路径，进一步减小换流回路面积。

负电极层3与交流侧电极层4沿基板1的第二方向排布；多个下桥臂芯片10设置在交流侧电极层4背离基板1的一侧上，且沿第二方向排布，负电极层3靠近多个下桥臂芯片10中位于端部的下桥臂芯片10和位于下桥臂芯片10的中间设置，以使得负电极层3的负电极引出端点13靠近多个下桥臂芯片10中位于端部的下桥臂芯片10和位于下桥臂芯片10的中间设置。

具体地，负电极层3包括子负电极层3(a)、子负电极层3(b)及子负电极层3(c)，位于交流侧电极层4沿第二方向设置的中间和两侧。其中，子负电极层3(a)上设有负电极引出端点13(a)、子负电极层3(b)上设有负电极引出端点13(b)、子负电极层3(c)上设有负电极引出端点13(c)。

通过将多个下桥臂芯片10与交流侧电极层4层叠设置，不仅能够缩小基板1的面积，而且还能够缩短下桥臂芯片10与交流侧电极层4之间的连通路径，进一步减小换流回路面积。

在本实施例中，半桥功率模块还包括：第一连接件5，分别与多个下桥臂芯片10及负电极层3电连接，实现多个下桥臂芯片10的并联连接，提高均流性及可靠性。

其中，子负电极层3(a)、多个下桥臂芯片10中的一组芯片及子负电极层3(b)通过第一连接件5(a)连接；子负电极层3(b)、多个下桥臂芯片10的一组芯片及子负电极层3(c)通过第一连接件5(b)连接且分别从左侧的负电极引出端点13(a)、中间的负电极引出端点13(b)和负电极引出端点13(b)、负电极引出端点13(c)引出两块直流负功率端子，提高结构的对称性，能够减小多个下桥臂芯片10的换流回路面积之间的差异。

此外，本实施例的功率模块还包括：多个第二连接件6(即6(a)和6(b))，与多个上桥臂芯片9电连接，第二连接件6与交流侧电极层4及对应的上桥臂芯片9电连接，且将每两个上桥臂芯片互连为一组。上述第一连接件5及第二连接件6可以是源极功率键合线等，第一连接件5及第二连接件6均包括多条源极功率键合线，以提升电性能。

需要说明的是，第一连接件及第二连接件还可以是不同材质的金属片，可以进一步减少回路寄生电感，改善功率模块散热和机械可靠性。

其中，上桥臂驱动金属层7包括两个绝缘设置的子金属层，分别通过连接件(如键合线等)与上桥臂芯片9的第一控制端及第一开关端电连接，以分别为上桥臂芯片9的第一控制端及第一开关端提供驱动信号，；下桥臂驱动金属层8包括两个绝缘设置的子金属层，分别通过连接件(如键合线等)与下桥臂芯片10的第二控制端及第三开关端电连接，以分别为下桥臂芯片10的第二控制端及第三开关端提供驱动信号。多个上桥臂并联芯片第一控制的和第一开关端分别连接同一金属层，提高了驱动信号的一致性，改善了并联效果。其中，上桥臂驱动金属层7及下桥臂驱动金属层8可以是铜铝合金层或者同层等，能够增加导电性能。

实施例三

在上述实施例的基础上，本实施例提出了一种改进后的半桥功率模块，如图2-7所示；其中，图3为第一端子件20的结构示意图；

图4为第二端子件21的结构示意图；图5为第三端子件22的结构示意图；图6为第四端子件16、第五端子件17、第六端子件18和第七端子件19的结构示意图；图7为第八端子件23的结构示意图。

本实施例的功率模块在上述实施例的功率模块的基础上进一步包括：第一端子件20、第二端子件21及第二端子件22；其中，第一端子件20的第一端子件的焊点1203和第一端子件的焊点2204与分别与负电极引出端点13(a)和13(b)电连接，第一端子件20的另一端延伸出基板1的外侧，第一端子件20的另一端设有第一安装孔202，用于固定负电压的电源线。第二端子件21的第二端子件的焊点1213和第二端子件的焊点2214与分别与负电极引出端点13(b)和13(c)电连接，第二端子件21的另一端延伸出基板1的外侧，第二端子件21的另一端设有第二安装孔212，用于固定负电压的电源线；第一端子件20和第二端子件21延伸出基板1外侧部分以实现外部负电极的引入。第三端子件22的第三端子件的焊点1223和第三端子件的焊点2224与分别与正电极引出端点12(a)和12(b)电连接，第三端子件22的另一端延伸出基板1的外侧，第三端子件22的另一端设有第三安装孔222，用于固定正电压的电源线；端子件22延伸出基板1外侧部分以实现外部正电极的引入。

其中，第一端子件20设有与第一安装孔202相连的第一沟槽201，能够减小第一端子件20的中间部分的机械应力；同理，第二端子件21设有与第二安装孔212相连的第二沟槽211；第三端子件22也设有与第三安装孔222相连的第三沟槽221。这样能够减小第二端子件21、第三端子件22的中间部分的机械应力。此外，第一端子件20、第二端子件21和第三端子件22即可以从沿基板1的平行面引出也可以从沿基板1的垂直面引出。第一端子件20、第二端子件21与第三端子件22的层叠设置利用互感抵消原理减小了端子引入的寄生电感。

由于第一端子件20和第二端子件21位于一端与另一端之间的中间部与基板1之间的距离大于该一端及另一端与基板1之间的距离；因此，负电极引出端点13(a)、负电极引出端点13(b)及负电极引出端点13(c)之间设有下桥臂芯片10；这种结构，能够增加第一端子件20和第二端子件21连接电性能及稳定性。

同理，第三端子件22位于一端与另一端之间的中间部与基板1之间的距离大于该一端及另一端与基板1之间的距离；因正电极引出端点12(a)及正电极引出端点12(b)之间设有上桥臂芯片9，因此，这种结构，能够增加第三端子件22的连接电性能及稳定性。

在本实施例中，还加入了第八端子件23，一端与交流引出端点14电连接，另一端延伸出基板1的外侧。其中，第八端子件23的一端延伸有间隔设置的第五连接部232、第六连接部233和第七连接部234，分别与设置在交流侧电极层4上的交流引出端点14(a)、交流引出端点14(b)和交流引出端点14(a)电连接，第八端子件23的另一端设有第八安装孔231，用于固定交流线。

同理，第八端子件23位于一端与另一端之间的中间部与基板1之间的距离大于该一端及另一端与基板1之间的距离；因交流侧电极层4上设有下桥臂芯片10，因此，这种结构能够增加第八端子件23的另一端与交流引出端点14(a)、交流引出端点14(b)和交流引出端点14(c)的连接电性能及稳定性，及第八端子件23的一端与交流线的连接电性能及稳定性。

此外，在本实施例中，还加入了第四端子件16、第五端子件17，分别与上桥臂驱动金属层7和下桥臂驱动金属层8电连接，另一端延伸出基板1的外侧。其中，第四端子件16和第五端子件17均包括两个绝缘设置的第一端子柱，分别与上桥臂驱动金属层7和下桥臂驱动金属层8的两个子金属层电连接；用于分别提供上桥臂芯片9第一控制端的驱动信号及第一开关端和下桥臂芯片10的第二控制端的驱动信号及第三开关端的驱动信号。

与此同时，本实施例还加入了第六端子件18，一端与NTC热敏电阻15电连接，另一端延伸出基板1的外侧。其中，第六端子件17包括两个绝缘设置的第一端子柱，分别与NTC热敏电阻15两端的金属层电连接，用于输出NTC热敏电阻15测量的的基板1控制信号及外部电路保护控制。

最后，本实施例还加入了第七端子件19，一端与正电极层2电连接，另一端延伸出基板1的外侧。其中，第七端子件18只有一个端子柱，与正电极层2电连接，用于输出功率模块正电极电位以实现上桥臂芯片9的过流保护功能。

需要说明的是，本实施例的上述所有端子件都沿基板1的平行面引出，便于功率模块与承载功率模块的电路板连接，缩短二者之间的连接路径。在其它实施例中，可以基于其它电性能，将上述端子件沿基板的垂直方向引出，或者从基板的其它侧边引出。

以上所述的实施例仅是对本申请优选方式进行的描述，并非对本申请的范围进行限定，在不脱离本申请设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本申请的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本申请权利要求书确定的保护范围内。

Claims (8)

1.一种对称布局的半桥功率模块，其特征在于，包括：若干上桥臂芯片、上桥臂驱动金属层、正电极层、若干下桥臂芯片、下桥臂驱动金属层、负电极层、交流侧电极层、基板、第一端子件、第二端子件、第三端子件、第四端子件、第一连接件和若干第二连接件；所述上桥臂芯片和所述下桥臂芯片为并联芯片且所述并联芯片的数量为偶数个；所述负电极层包括第一子负电极层、第二子负电极层及第三子负电极层，分别位于所述交流侧电极层沿第二方向设置的中间和两侧；所述并联芯片每两个分为一组，每组两个芯片之间采用连接件连接，每组所述并联芯片沿基板第二方向排布，四组所述并联芯片在所述基板四个角落对称分布。

2.根据权利要求1所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述上桥臂芯片、所述上桥臂驱动金属层、所述正电极层、所述下桥臂芯片、所述下桥臂驱动金属层、所述负电极层和所述交流侧电极层均设置在所述基板上。

3.根据权利要求1所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述第一端子件和所述第二端子件的一端与所述负电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧；所述第三端子件，一端与所述正电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧；所述第四端子件，一端与所述交流侧电极层的端点连接，另一端延伸出所述基板的外侧。

4.根据权利要求3所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述第一端子件、所述第二端子件和所述第三端子件层叠设置，且均具有沟槽用于减小机械应力。

5.根据权利要求4所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述第一端子件、所述第二端子件和所述第三端子件均从沿所述基板的平行面或者垂直面引出。

6.根据权利要求1所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述第一连接件分别与若干所述下桥臂芯片及所述负电极层连接；所述第二连接件与所述上桥臂芯片对应连接，所述第二连接件还与所述交流侧电极层连接。

7.根据权利要求1所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述上桥臂驱动金属层、所述正电极层、所述交流侧电极层和所述下桥臂驱动金属层沿所述基板的第一方向依次相邻排布，使所述上桥臂驱动金属层和所述下桥臂驱动金属层位于所述基板的两侧区域。

8.根据权利要求1所述的对称布局的半桥功率模块，其特征在于，所述交流侧电极层的交流引出端点位于相邻的两个所述上桥臂芯片之间连线的垂直线上和相邻的两个所述下桥臂芯片之间连线的垂直线上，所述正电极层的正电极引出端点靠近所述上桥臂芯片设置，所述负电极层的负电极引出端点在靠近两组所述下桥臂芯片外侧和中垂线上设置，所述上桥臂芯片和所述下桥臂芯片在所述基板上对称排布。