CN113220063B - 一种低温漂、高精度的带隙基准电压源 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种低温漂、高精度的带隙基准电压源。包括I_PTAT电路、I_CTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路。本发明基于分段补偿技术，对一阶传统带隙基准进行温度补偿，降低温度系数，同时利用数字修调技术修调温度系数和电压幅值，以获得低温漂高精度的带隙基准电压源。

Description

一种低温漂、高精度的带隙基准电压源

技术领域

本发明涉及电路设计领域，尤其是一种低温漂、高精度的带隙基准电压源。

背景技术

带隙基准是模拟，数字或混合信号电路，例如模数转换器，数模转换器，低压差稳压器，锁相环和许多其他电子设备的重要模块。带隙基准提供一个明确的，稳定的电压，对电源电压和温度变化不敏感。这类基准的准确性和稳定性在后续电路的性能中起着重要作用。因此，具有高精度，低温度系数的曲率补偿带隙电压基准的研究具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，基于分段补偿技术，对一阶传统带隙基准进行温度补偿，降低温度系数，同时利用数字修调技术修调温度系数和电压幅值，以获得低温漂高精度的带隙基准电压源。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，包括依次连接的I_CTAT电路、I_PTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路；

所述I_PTAT电路包括第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁；A₁的同相端与M₁的漏极、R₁的一端连接，A₁的反相端与M₂的漏极、Q₂的发射极连接，A₁的输出端与M₁的栅极、M₂的栅极连接，Q₁的发射极与R₁的另一端连接，Q₁的基极与Q₁的集电极、Q₂的基极、Q₂的集电极相连接至GND，M₁的源极与M₂的源极相连接至VDD；

所述I_CTAT电路包括第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂；A₂的反相端与A₁的反相端连接，A₂的同相端经R₂连接至GND，A₂的同相端还与M_{3漏极连接}，A₂的输出端与M₃的栅极连接，M₃的的源极连接至VDD；

所述低温补偿电路包括第四场效应晶体管M₄，第五场效应晶体管M₅，第六场效应晶体管M₆，第七场效应晶体管M₇，第八场效应晶体管M₈，第九场效应晶体管M₉；M₄的源极与M₇的源极、M₈的源极、M₉的源极相连接至VDD，M₄的栅极与A₂的输出端连接，M₄的漏极与M₅的栅极、M₅的漏极、M₆的栅极相连接，M₅的源极、M₆的源极相连接至GND，M₆的漏极与M₇的漏极、M₈的漏极、M₈的栅极、M₉的栅极相连接，M₇的栅极与A₁的输出端连接；

所述高温补偿电路包括第十场效应晶体管M₁₀，第十一场效应晶体管M₁₁，第十二场效应晶体管M₁₂，第十三场效应晶体管M₁₃，第十四场效应晶体管M₁₄，第十五场效应晶体管M₁₅；M₁₀的栅极与A₁的输出端连接，M₁₀的源极、M₁₃的源极、M₁₄的源极、M₁₅的源极相连接至VDD，M₁₀的漏极与M₁₁的漏极、M₁₁的栅极、M₁₂的栅极相连接，M₁₁的源极、M₁₂的源极相连接至GND，M₁₂的漏极与M₁₃的漏极、M₁₄的漏极、M₁₄的栅极、M₁₅的栅极相连接，M₁₅的漏极与M₉的漏极相连接；

所述温度系数修调电路包括第十六场效应晶体管M₁₆，第十七场效应晶体管M₁₇，第十八场效应晶体管M₁₈，第十九场效应晶体管M₁₉；M₁₆的源极、M₁₈的源极相连接至VDD，M₁₆的栅极、M₁₈的栅极与A₁的输出端连接，M₁₆的漏极与M₁₇的源极连接，M₁₇的漏极与M₁₉的漏极相连接，M₁₈的漏极与M₁₉的源极连接；

所述电压幅值修调电路包括第三差分放大器A₃，第三双极型晶体管Q₃，第三电阻R₃，第四电阻R₄，第五电阻R₅，第六电阻R₆，第二十场效应晶体管M₂₀，第二十一场效应晶体管M₂₁，第二十二场效应晶体管M₂₂，第二十三场效应晶体管M₂₃，第二十四场效应晶体管M₂₄，第二十五场效应晶体管M₂₅；M₂₀的源极、M₂₁的源极、M₂₂的源极、M₂₄的源极相连接至GND，M₂₀的栅极与A₁的输出端连接，M₂₀的漏极与A₃的同相端、R₃的一端连接，M₂₁的栅极与A₃的输出端、M₂₂的栅极、M₂₄的栅极相连接、M₂₁的漏极与A₃的反相端、R₆的一端连接，M₂₂的漏极与M₂₃的源极连接，M₂₃的漏极与M₂₅的漏极相连接，M₂₄的漏极与M₂₅的源极相连接，R₃的另一端与R₄的一端、M₁₇的漏极连接，R₄的另一端与R₅的一端、M₉的漏极连接，R₅的另一端与Q₃的发射极连接，Q₃的基极、Q₃的集电极、R₆的另一端相连接至GND；

所述V_REF产生电路包括第四双极型晶体管Q₄，第二十六场效应晶体管M₂₆，第七电阻R₇，第八电阻R₈，第九电阻R₈；M₂₆的源极连接至VDD，M₂₆的栅极与A₁的输出端连接，M₂₆的漏极与R₇的一端、M₂₃的漏极相连接，R₇的另一端与R₈的一端、M₁₇的漏极相连接，R₈的另一端与R₉的一端、M₉的漏极相连接，R₉的另一端与Q₄的发射极连接，Q₄的基极与Q₄的集电极相连接至GND。

在本发明一实施例中，该电压源使用分段温度补偿电路，分别在低温补偿电路、高温补偿电路对带隙基准进行低温、高温补偿。

在本发明一实施例中，所述电阻R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉采用完全相同的材料制作，抵消了电阻温度对带隙基准的影响。

在本发明一实施例中，所述低温补偿电路中，M₄管的宽长比是M₃管的β₁倍，M₇管的宽长比是M₁管的β₂倍，M₆管的宽长比是M₅管的β₃倍。

在本发明一实施例中，所述高温补偿电路中，M₁₀管的宽长比是M₁管的β₅倍，M₁₃管的宽长比是M₃管的β₆倍，M₁₂管的宽长比是M₁₁管的β₇倍，M₁₅管的宽长比是M₁₄管的β₈倍。

在本发明一实施例中，所述温度系数修调电路中，M₁₆、M₁₈管的宽长比分别为M₁管的宽长比的β₉倍。

在本发明一实施例中，所述电压幅值修调电路中，M₂₂、M₂₄管的宽长比分别为M₂₁管的宽长比的β₁₀倍。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明电压源电路，结合分段补偿技术和数字修调技术，得到低温度系数、高精度的带隙基准源，保证整体系统的稳定性。

附图说明

图1为本发明高精度、低温漂带隙基准电路图。

图2为本发明一阶带隙基准电压V_REF的温度特性曲线图。

图3是本发明高阶V_REF，补偿电压V_NL1和V_NL2的温度特性曲线图。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。

本发明提供了一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，包括依次连接的I_CTAT电路、I_PTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路；

所述I_PTAT电路包括第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁；A₁的同相端与M₁的漏极、R₁的一端连接，A₁的反相端与M₂的漏极、Q₂的发射极连接，A₁的输出端与M₁的栅极、M₂的栅极连接，Q₁的发射极与R₁的另一端连接，Q₁的基极与Q₁的集电极、Q₂的基极、Q₂的集电极相连接至GND，M₁的源极与M₂的源极相连接至VDD；

所述I_CTAT电路包括第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂；A₂的反相端与A₁的反相端连接，A₂的同相端经R₂连接至GND，A₂的同相端还与M_{3漏极连接}，A₂的输出端与M₃的栅极连接，M₃的的源极连接至VDD；

所述低温补偿电路包括第四场效应晶体管M₄，第五场效应晶体管M₅，第六场效应晶体管M₆，第七场效应晶体管M₇，第八场效应晶体管M₈，第九场效应晶体管M₉；M₄的源极与M₇的源极、M₈的源极、M₉的源极相连接至VDD，M₄的栅极与A₂的输出端连接，M₄的漏极与M₅的栅极、M₅的漏极、M₆的栅极相连接，M₅的源极、M₆的源极相连接至GND，M₆的漏极与M₇的漏极、M₈的漏极、M₈的栅极、M₉的栅极相连接，M₇的栅极与A₁的输出端连接；

所述高温补偿电路包括第十场效应晶体管M₁₀，第十一场效应晶体管M₁₁，第十二场效应晶体管M₁₂，第十三场效应晶体管M₁₃，第十四场效应晶体管M₁₄，第十五场效应晶体管M₁₅；M₁₀的栅极与A₁的输出端连接，M₁₀的源极、M₁₃的源极、M₁₄的源极、M₁₅的源极相连接至VDD，M₁₀的漏极与M₁₁的漏极、M₁₁的栅极、M₁₂的栅极相连接，M₁₁的源极、M₁₂的源极相连接至GND，M₁₂的漏极与M₁₃的漏极、M₁₄的漏极、M₁₄的栅极、M₁₅的栅极相连接，M₁₅的漏极与M₉的漏极相连接；

所述温度系数修调电路包括第十六场效应晶体管M₁₆，第十七场效应晶体管M₁₇，第十八场效应晶体管M₁₈，第十九场效应晶体管M₁₉；M₁₆的源极、M₁₈的源极相连接至VDD，M₁₆的栅极、M₁₈的栅极与A₁的输出端连接，M₁₆的漏极与M₁₇的源极连接，M₁₇的漏极与M₁₉的漏极相连接，M₁₈的漏极与M₁₉的源极连接；

所述电压幅值修调电路包括第三差分放大器A₃，第三双极型晶体管Q₃，第三电阻R₃，第四电阻R₄，第五电阻R₅，第六电阻R₆，第二十场效应晶体管M₂₀，第二十一场效应晶体管M₂₁，第二十二场效应晶体管M₂₂，第二十三场效应晶体管M₂₃，第二十四场效应晶体管M₂₄，第二十五场效应晶体管M₂₅；M₂₀的源极、M₂₁的源极、M₂₂的源极、M₂₄的源极相连接至GND，M₂₀的栅极与A₁的输出端连接，M₂₀的漏极与A₃的同相端、R₃的一端连接，M₂₁的栅极与A₃的输出端、M₂₂的栅极、M₂₄的栅极相连接、M₂₁的漏极与A₃的反相端、R₆的一端连接，M₂₂的漏极与M₂₃的源极连接，M₂₃的漏极与M₂₅的漏极相连接，M₂₄的漏极与M₂₅的源极相连接，R₃的另一端与R₄的一端、M₁₇的漏极连接，R₄的另一端与R₅的一端、M₉的漏极连接，R₅的另一端与Q₃的发射极连接，Q₃的基极、Q₃的集电极、R₆的另一端相连接至GND；

所述V_REF产生电路包括第四双极型晶体管Q₄，第二十六场效应晶体管M₂₆，第七电阻R₇，第八电阻R₈，第九电阻R₈；M₂₆的源极连接至VDD，M₂₆的栅极与A₁的输出端连接，M₂₆的漏极与R₇的一端、M₂₃的漏极相连接，R₇的另一端与R₈的一端、M₁₇的漏极相连接，R₈的另一端与R₉的一端、M₉的漏极相连接，R₉的另一端与Q₄的发射极连接，Q₄的基极与Q₄的集电极相连接至GND。

以下为本发明一具体实施实例。

电路图结构如附图1所示，低温漂、高精度的带隙基准电压源，包括了I_CTAT电路、I_PTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路。

I_PTAT电路具体包括了第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁。M₁、M₂连接A₁的输出端，R₁连接A₁的正向输入。

I_CTAT电路具体包括了第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂。M₃的栅极连接A₂的输出端，A₂的反向输入端连接A₁的反向输入端。

低温补偿电路具体包括了第四场效应晶体管M₄，第五场效应晶体管M₅，第六场效应晶体管M₆，第七场效应晶体管M₇，第八场效应晶体管M₈，第九场效应晶体管M₉。M₅的栅极与漏极连接并且与M₄漏极连接。M₅的栅极连接到M₆的栅极，M₆漏极连接M₈、M₉的栅极，M₈栅极与M₉栅极连接，M₇的漏极连接M₈栅极。M₄管的宽长比是M₃管的β₁倍，M₇管的宽长比是M₁管的β₂倍，M₆管的宽长比是M₅管的β₃倍。

高温补偿电路具体包括了第十场效应晶体管M₁₀，第十一场效应晶体管M₁₁，第十二场效应晶体管M₁₂，第十三场效应晶体管M₁₃，第十四场效应晶体管M₁₄，第十五场效应晶体管M₁₅。M₁₁的栅极与漏极连接并且与M₁₀漏极连接，M₁₁的栅极连接到M₁₂的栅极。M₁₂漏极连接M₁₄、M₁₅的栅极，M₁₄栅极与M₁₅栅极连接，M₁₃的漏极连接M₁₄栅极。M₁₀管的宽长比是M₁管的β₅倍，M₁₃管的宽长比是M₃管的β₆倍，M₁₂管的宽长比是M₁₁管的β₇倍，M₁₅管的宽长比是M₁₄管的β₈倍。

温度系数修调电路具体包括了第十六场效应晶体管M₁₆，第十七场效应晶体管M₁₇，第十八场效应晶体管M₁₈，第十九场效应晶体管M₁₉。M₁₆漏极与M₁₇源极连接，M₁₈漏极与M₁₉源极连接，M₁₇漏极与M₁₉漏极连接并连接到R₄。M₁₆、M₁₈晶体管的宽长比分别为M₁晶体管的宽长比的β₉倍，修调网络接入电路的电流值M·I_PTAT可以通过2位二进制码来控制。当二进制码为0时，晶体管M₁₇、M₁₉导通。

电压幅值修调电路具体包括第三差分放大器A₃，第三双极型晶体管Q₃，第三电阻R₃，第四电阻R₄，第五电阻R₅，第六电阻R₆，第二十场效应晶体管M₂₀，第二十一场效应晶体管M₂₁，第二十二场效应晶体管M₂₂，第二十三场效应晶体管M₂₃，第二十四场效应晶体管M₂₄，第二十五场效应晶体管M₂₅。A₃的反向输入与M₂₀漏极、R₃、R₄、R₆相连，A₃的输出端与M₂₁、M₂₂、M₂₄的栅极相连，A₃的正向输入与M₂₁漏极相连，M₂₁的漏极与R₆相连，M₂₃漏极和M₂₅漏极、R₇相连。M₂₂、M₂₄晶体管的宽长比分别为M₂₁晶体管的宽长比的β₁₀倍。电流S·I_REF可以通过2位二进制码来控制，当二进制码为0时，晶体管M₂₃、M₂₅导通。

改进的传统带隙基准电压如图2所示。当传统带隙电压转变到负TC电压时，可以使用数字微调技术来调整。具有正温度系数电流M·IPTAT是由修调产生的。

对传统高阶分段补偿

低温补偿电路和高温补偿电路中，如图3所示，电流I_NL1作用在电阻R₅上的电压V_NL1随着温度升高而降低，电流I_NL2作用在电阻R₅上的电压V_NL2随着温度升高而升高。V_NL1和V_NL2表达式如下：

在本发明通过改变β₁～β₄参数，可以改变V_NL1的温度系数。在本发明通过改变β₅～β₈参数，可以改变V_NL2的温度系数。

电压V_NL1+V_NL2在-40℃～120℃范围内能补偿1阶温度补偿的带隙基准参考电压的温度高阶非线性，从而获得高阶温度补偿的带隙基准参考电压V_REF

此时高阶温·度补偿的带隙基准参考电压V_REF为：

对高阶带隙基准进行温度系数修调

本发明利用温度系数修调电路，可以减小非系统性误差产生的影响来改善基准电压的温度系数。当温度特性因为工艺角变化而变化，可以通过温度系数修调电路修调温度特性。修调电流M·I_PTAT作用在R₈和R₉上跨压为V_trim，表达式如下：

是二进制数S<0>–S<1>逻辑相反数。可以控制S<0>–S<1>控制电流大小。在本发明通过改变β₉～β₁₀参数，可以改变输出高阶带隙基准的温度系数

对高阶带隙基准进行电压幅值修调

本发明利用数字修调电路来修调电压幅度提高精度。修调电压幅度的电流需不受温度影响的带隙基准电流I_REF，表达式如下：

其中V_bg1是高阶带隙基准电压，表达式如下：

因此具有高精度，低温漂的带隙基准电压V_REF表达式如下：

是二进制数S<2>–S<3>逻辑相反数。可以控制S<2>–S<3>控制电流大小。在本发明通过改变β₁₁～β₁₂参数，可以改变输出参考电压V_REF的值，极大地改善了带隙基准源的精度。

以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，包括依次连接的I_PTAT电路、I_CTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路；

所述I_PTAT电路包括第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁；A₁的同相端与M₁的漏极、R₁的一端连接，A₁的反相端与M₂的漏极、Q₂的发射极连接，A₁的输出端与M₁的栅极、M₂的栅极连接，Q₁的发射极与R₁的另一端连接，Q₁的基极与Q₁的集电极、Q₂的基极、Q₂的集电极相连接至GND，M₁的源极与M₂的源极相连接至VDD；

所述I_CTAT电路包括第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂；A₂的反相端与A₁的反相端连接，A₂的同相端经R₂连接至GND，A₂的同相端还与M₃漏极连接，A₂的输出端与M₃的栅极连接，M₃的源极连接至VDD；

所述低温补偿电路包括第四场效应晶体管M₄，第五场效应晶体管M₅，第六场效应晶体管M₆，第七场效应晶体管M₇，第八场效应晶体管M₈，第九场效应晶体管M₉；M₄的源极与M₇的源极、M₈的源极、M₉的源极相连接至VDD，M₄的栅极与A₂的输出端连接，M₄的漏极与M₅的栅极、M₅的漏极、M₆的栅极相连接，M₅的源极、M₆的源极相连接至GND，M₆的漏极与M₇的漏极、M₈的漏极、M₈的栅极、M₉的栅极相连接，M₇的栅极与A₁的输出端连接；

所述高温补偿电路包括第十场效应晶体管M₁₀，第十一场效应晶体管M₁₁，第十二场效应晶体管M₁₂，第十三场效应晶体管M₁₃，第十四场效应晶体管M₁₄，第十五场效应晶体管M₁₅；M₁₀的栅极与A₁的输出端连接，M₁₀的源极、M₁₃的源极、M₁₄的源极、M₁₅的源极相连接至VDD，M₁₀的漏极与M₁₁的漏极、M₁₁的栅极、M₁₂的栅极相连接，M₁₁的源极、M₁₂的源极相连接至GND，M₁₂的漏极与M₁₃的漏极、M₁₄的漏极、M₁₄的栅极、M₁₅的栅极相连接，M₁₅的漏极与M₉的漏极相连接；

所述温度系数修调电路包括第十六场效应晶体管M₁₆，第十七场效应晶体管M₁₇，第十八场效应晶体管M₁₈，第十九场效应晶体管M₁₉；M₁₆的源极、M₁₈的源极相连接至VDD，M₁₆的栅极、M₁₈的栅极与A₁的输出端连接，M₁₆的漏极与M₁₇的源极连接，M₁₇的漏极与M₁₉的漏极相连接，M₁₈的漏极与M₁₉的源极连接；

所述电压幅值修调电路包括第三差分放大器A₃，第三双极型晶体管Q₃，第三电阻R₃，第四电阻R₄，第五电阻R₅，第六电阻R₆，第二十场效应晶体管M₂₀，第二十一场效应晶体管M₂₁，第二十二场效应晶体管M₂₂，第二十三场效应晶体管M₂₃，第二十四场效应晶体管M₂₄，第二十五场效应晶体管M₂₅；M₂₀的源极、M₂₁的源极、M₂₂的源极、M₂₄的源极相连接至VDD，M₂₀的栅极与A₁的输出端连接，M₂₀的漏极与A₃的反相端、R₃的一端连接，M₂₁的栅极与A₃的输出端、M₂₂的栅极、M₂₄的栅极相连接、M₂₁的漏极与A₃的同相端、R₆的一端连接，M₂₂的漏极与M₂₃的源极连接，M₂₃的漏极与M₂₅的漏极相连接，M₂₄的漏极与M₂₅的源极相连接，R₃的另一端与R₄的一端、M₁₇的漏极连接，R₄的另一端与R₅的一端、M₉的漏极连接，R₅的另一端与Q₃的发射极连接，Q₃的基极、Q₃的集电极、R₆的另一端相连接至GND；

所述V_REF产生电路包括第四双极型晶体管Q₄，第二十六场效应晶体管M₂₆，第七电阻R₇，第八电阻R₈，第九电阻R₉ ；M₂₆的源极连接至VDD，M₂₆的栅极与A₁的输出端连接，M₂₆的漏极与R₇的一端、M₂₃的漏极相连接，R₇的另一端与R₈的一端、M₁₇的漏极相连接，R₈的另一端与R₉的一端、M₉的漏极相连接，R₉的另一端与Q₄的发射极连接，Q₄的基极与Q₄的集电极相连接至GND。

2.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，该电压源使用分段温度补偿电路，分别在低温补偿电路、高温补偿电路对带隙基准进行低温、高温补偿。

3.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，所述电阻R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉采用完全相同的材料制作，抵消了电阻温度对带隙基准的影响。

4.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，所述低温补偿电路中，M₄管的宽长比是M₃管的β₁倍，M₇管的宽长比是M₁管的β₂倍，M₆管的宽长比是M₅管的β₃倍。

5.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，所述高温补偿电路中，M₁₀管的宽长比是M₁管的β₅倍，M₁₃管的宽长比是M₃管的β₆倍，M₁₂管的宽长比是M₁₁管的β₇倍，M₁₅管的宽长比是M₁₄管的β₈倍。

6.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，所述温度系数修调电路中，M₁₆、M₁₈管的宽长比分别为M₁管的宽长比的β₉倍。

7.根据权利要求1所述的一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，所述电压幅值修调电路中，M₂₂、M₂₄管的宽长比分别为M₂₁管的宽长比的β₁₀倍。

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