CN113219314A - 一种半导体批量测试系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体批量测试系统，该系统包括：测试板以及直流特性测试装置；所述测试板包括：若干用于放置待检测半导体器件的老化座子以及与所述直流特性测试装置连接的金手指；每一所述老化座子内设置有若干用于为待测试半导体器件提供电压的金属触点；所述直流特性测试装置包括金手指插槽；所述直流特性测试装置通过所述金手指插槽与所述测试板的金手指连接；所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。通过实施本发明能够对半导体器件进行批量测试，提高测试效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种半导体批量测试系统。
背景技术
GaAs半导体器件在研发转量产阶段需要通过可靠性验证。可靠性验证需要对器件的直流特性进行测量，通过对比可靠性试验前后的特性变化，来评估GaAs半导体器件是否通过可靠性验证。
目前的GaAs半导体器件可靠性前测、后测都是手动测量，需要手动搭建电源、布置线路来进行器件的直流特性测量。每次只能测量单个器件，测量完成后将线路拆开，再重新装上另一颗器件，最后再进行测试，不断重复。在对大批量器件进行测试时，耗费时间长，效率低下。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体批量测试系统，能够对半导体器件进行批量测试，提高测试效率。
本发明一实施例提供了一种半导体批量测试系统，包括：测试板以及直流特性测试装置；
所述测试板包括：若干用于放置待检测半导体器件的老化座子以及与所述直流特性测试装置连接的金手指；每一所述老化座子内设置有若干用于为待测试半导体器件提供电压的金属触点；
所述直流特性测试装置包括金手指插槽；所述直流特性测试装置通过所述金手指插槽与所述测试板的金手指连接；
所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。
进一步的，所述预设测试参数包括：待测试老化座子参数以及测试电压参数；
所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试，具体为：
根据所述待测试老化座子参数获取需要施加测试电压的选定老化座子，继而根据所述测试电压参数对所述选定老化座子施加测试电压，对放置在所述选定老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。
进一步的，所述直流特性测试装置，还包括：可编程程控电源以及数据采集模块；
所述可编程程控电源，用于根据所述待测试老化座子参数以及所述测试电压参数，向所述选定老化座子施加测试电压；
所述数据采集模块，用于采集基于所述测试电压所产生的电流。
进一步的，还包括上位机；所述上位机与所述直流特性测试装置连接；
所述上位机，用于响应用户的设定操作生成所述待测试老化座子参数及所述测试电压参数，以及接收基于所述测试电压所产生的电流，根据所述测试电压及所述电流判断所述待检测半导体器件是否通过测试。
进一步的，所述根据所述测试电压及所述电流判断所述待检测半导体器件是否通过测试，具体包括：
将所述测试电压及所述电流与所述待检测半导体器件的标准规格参数进行比对，若在预设的误差范围内，则判定所述待检测半导体器件通过测试，否则判定所述待检测半导体器件测试不通过。
进一步的，所述直流特性测试装置与所述上位机通过通讯线连接。
进一步的，所述测试板还包括：防静电涂层以及覆盖在所述老化座子上的座子上盖。
通过实施本发明实施例具有如下有益效果，本发明提供了一种半导体批量测试系统，该系统包括测试板以及直流特性测试装置；测试板上设置有多个用于放置待检测半导体器件的老化座子以及与直流特性测试装置连接的金手指；每一老化座子内设置有若干用于为待测试半导体器件提供电压的金属触点；直流特性测试装置设置有金手指插槽；直流特性测试装置通过所述金手指插槽与所述测试板的金手指连接；所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。相比于现有技术，本发明在测试板上设置了多个老化座子，在进行半导体器件测试时，可以同时将多个待测半导体器件放置在测试板的老化座子上，然后由直流特性测试装置对测试板上各待测半导体器件进行直流测试，一次性实现多个待测半导体器件的测试，无需进行线路的拆卸和重组，从而提高的大批量器件测试的效率。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的一种半导体批量测试系统中测试板的结构示意图。
图2是本发明一实施例提供的一种一种半导体批量测试系统中直流特性测试装置的结构示意图。
图3是本发明一实施例提供的一种一种半导体批量测试系统的结构示意图。
附图标记说明：测试板1、老化座子11、金属触点12、金手指13、直流特性测试装置2、金手指插槽21、通讯线22、通讯端口23、供电线34以及供电端口25。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
同时参见图1和图3，本发明一实施例提供了一种基于半导体批量测试系统，包括：测试板1以及直流特性测试装置2；
测试板1包括：若干用于放置待检测半导体器件的老化座子11以及与直流特性测试装置2连接的金手指13；每一老化座子11内设置有若干用于为待测试半导体器件提供电压的金属触点12；
直流特性测试装置2包括金手指插槽21；直流特性测试装置2通过金手指插槽21与测试板1的金手指13连接；
直流特性测试装置2，用于根据预设的测试参数对各老化座子11上的待检测半导体器件进行直流测试。
相比于现有技术，本发明在测试板1上设置了多个老化座子11，在进行半导体器件测试时，可以同时将多个待测半导体器件放置在测试板1的老化座子11上，然后由直流特性测试装置2对测试板1上各待测半导体器件进行直流测试，一次性实现多个待测半导体器件的测试，无需进行线路的拆卸和重组，从而提高的大批量器件测试的效率。
在一个优选的实施例中，预设测试参数包括：待测试老化座子11参数以及测试电压参数；
直流特性测试装置2，用于根据预设的测试参数对各老化座子11上的待检测半导体器件进行直流测试，具体为：
根据待测试老化座子11参数获取需要施加测试电压的选定老化座子11，继而根据测试电压参数对选定老化座子11施加测试电压，对放置在选定老化座子11上的待检测半导体器件进行直流测试。需要说明的是上述老化座子参数可以理解为测试板上各老化座子的标号。
在一个优选的实施例中，直流特性测试装置2，还包括：可编程程控电源以及数据采集模块；可编程程控电源，用于根据待测试老化座子11参数以及测试电压参数，向选定老化座子11施加测试电压；数据采集模块，用于采集基于测试电压所产生的电流。
在一个优选的实施例中，还包括上位机；上位机与直流特性测试装置2连接；上位机，用于响应用户的设定操作生成待测试老化座子11参数及测试电压参数，以及接收基于测试电压所产生的电流，根据测试电压及电流判断待检测半导体器件是否通过测试。
在一个优选的实施例中，根据测试电压及电流判断待检测半导体器件是否通过测试，具体包括：将测试电压及电流与待检测半导体器件的标准规格参数进行比对，若在预设的误差范围内，则判定待检测半导体器件通过测试，否则判定待检测半导体器件测试不通过。
在一个优选的实施例中，直流特性测试装置2与上位机通过通讯线22连接。测试板1还包括：防静电涂层以及覆盖在老化座子11上的座子上盖。优选的，上述通讯线可以为RS485总线。
以下对本发明所公开的半导体批量测试系统进行进一步详细的说明：
首先是测试板1,如图1所示：优选的，每个老化座子11内部有6个金属触点12，用于与6Pin脚DFN塑封器件连接。6Pin塑封器件外观为黑色长方体，正面为黑色；背面有6个金属Pad，用于与老化座子11上金属触点12连接，为器件提供对应偏执电压。每个器件下面金属Pad有各自不同定义，需要给予对应电压才能正常测试。器件正面有白色小圆点作为标记点，用于定位芯片方向，防止芯片放置方向有误，导致器件无法正常测试。老化座子11上有座子上盖，用于扣紧芯片，防止接触不良。测试板1上有防静电涂层，防止上板前后、测试时产生静电，对器件造成损伤。作为一种举例，本发明半导体器件可以为GaAs塑封器件。
其次是直流特性测试装置2，优选的直流特性测试装置2，除了数据采集模块、可编程程控电源以及金手指插槽21之外，还设置有供电端口25和通讯端口23，供电端口25外接一条220V交流电供电线34，用于对整个直流特性测试装置2供电；通讯端口23外接一通讯线22，通过通讯线22进行连接，实现上位机对该电源输出的控制。此外输出干路上还设有限流保险丝，防止电源不稳定时产生的大电流冲击到器件。用户通过输入上下位机连接时所需要的串口参数，来实现直流特性测试装置2与上位机之间的通讯连接。
整个测试流程具体如下：
将若干个待检测半导体器件逐一插入测试板1的老化座子11中，然后将测试板1的金手指13插入直流特性测试装置2的金手指插槽21中，紧接着用户通过输入上下位机连接时所需要的串口参数，使得直流特性测试装置2与上位机保持连接。
完成上述操作后，用户在上位机的系统界面中先点击检测，系统会检测自身系统运行是否正常；系统自检完成后，用户再勾选需要施加的Vdd电压及Ven电压，并在旁边的方框中输入所需要施加的电压值。输入完成后再勾选需要测量的待检测半导体器件所对应的老化座子11，最后点击界面测试按钮，此时上位机会根据用户所输入的电压值生成测试电压参数，并将用户所勾选的待检测半导体器件所对应的老化座子的编号作为上述待测老化座子参数，生成上述预设的测试参数，然后通过通讯线22输入至直流特性测试装置2；
直流特性测试装置2的可编程程控电源，根据预设的测试参数向选定老化座子11施加测试电压；然后由直流特性测试装置2的数据采集模块采集各老化座子11上待检测半导体器件对应产生的电流值，在通过通讯线22将采集到的各电流值回传至上位机。
上位机接收到各老化座子11的电流值后，即可获悉各个老化座子11上待检测半导体器件在对应测试电压下的电流值，然后每个待检测半导体器件的测试电压和电流值与各自标准规格参数中规定的电流值和电压值进行比对，自动判断是否在预设的误差范围内，是，则通过测试，否，则测试不通过。从而实现半导体器件的批量自动化测试。
可以理解的是在对上述一待检测半导体器件进行测试时，可以设置多组不同的测试电压，从而可以获悉同一待测半导体器件在不同电压下所产生的电流值。此外，上位机会生成多个Excel文件，每个Excel文件对应存储有待检测半导体器件的各组测试电压和电流值。
通过实施本发明实施例，能够实现半导体器件的批量自动化测试，大幅度提高半导体器件的测试效率且保证了不同器件特性测量环境的前后一致性。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种半导体批量测试系统，其特征在于，包括：测试板以及直流特性测试装置；
所述测试板包括：若干用于放置待检测半导体器件的老化座子以及与所述直流特性测试装置连接的金手指；每一所述老化座子内设置有若干用于为待测试半导体器件提供电压的金属触点；
所述直流特性测试装置包括金手指插槽；所述直流特性测试装置通过所述金手指插槽与所述测试板的金手指连接；
所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。
2.如权利要求1所述的半导体批量测试系统，其特征在于，所述预设测试参数包括：待测试老化座子参数以及测试电压参数；
所述直流特性测试装置，用于根据预设的测试参数对各老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试，具体为：
根据所述待测试老化座子参数获取需要施加测试电压的选定老化座子，继而根据所述测试电压参数对所述选定老化座子施加测试电压，对放置在所述选定老化座子上的待检测半导体器件进行直流测试。
3.如权利要求2所述的半导体批量测试系统，其特征在于，所述直流特性测试装置，还包括：可编程程控电源以及数据采集模块；
所述可编程程控电源，用于根据所述待测试老化座子参数以及所述测试电压参数，向所述选定老化座子施加测试电压；
所述数据采集模块，用于采集基于所述测试电压所产生的电流。
4.如权利要求3所述的半导体批量测试系统，其特征在于，还包括上位机；所述上位机与所述直流特性测试装置连接；
所述上位机，用于响应用户的设定操作生成所述待测试老化座子参数及所述测试电压参数，以及接收基于所述测试电压所产生的电流，根据所述测试电压及所述电流判断所述待检测半导体器件是否通过测试。
5.如权利要求4所述的半导体批量测试系统，其特征在于，所述根据所述测试电压及所述电流判断所述待检测半导体器件是否通过测试，具体包括：
将所述测试电压及所述电流与所述待检测半导体器件的标准规格参数进行比对，若在预设的误差范围内，则判定所述待检测半导体器件通过测试，否则判定所述待检测半导体器件测试不通过。
6.如权利要求5所述的半导体批量测试系统，其特征在于，所述直流特性测试装置与所述上位机通过通讯线连接。
7.如权利要求1-6任意所述的半导体批量测试系统，其特征在于，所述测试板还包括：防静电涂层以及覆盖在所述老化座子上的座子上盖。
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|---|---|
| CN (1) | CN113219314A (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101140252A (zh) * | 2006-09-06 | 2008-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 |
| CN201138360Y (zh) * | 2007-12-13 | 2008-10-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 老化装置 |
| CN101315410A (zh) * | 2007-05-30 | 2008-12-03 | 京元电子股份有限公司 | 半导体元件的预烧测试装置 |
| CN101359020A (zh) * | 2007-08-03 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 老化测试基板 |
| TW200928390A (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | Multi-chamber for burn-in testing apparatus and test method thereof |
| CN101493493A (zh) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 京元电子股份有限公司 | 半导体元件的预烧装置及其预烧方法 |
| CN202421434U (zh) * | 2011-12-13 | 2012-09-05 | 湖南航天机电设备与特种材料研究所 | 一种3dk28g、3ck2e型晶体管动态老化装置 |
| US20160124019A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-05 | Nantong Fujitsu Microelectronics Co., Ltd. | Semiconductor testing fixture and fabrication method thereof |
| CN205427070U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-08-03 | 常熟理工学院 | 一种基于LabVIEW多变频器老化测试系统 |
| CN205582892U (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-14 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 老化测试板 |
| CN107271879A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体芯片老化测试装置及方法 |
| CN108519548A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-09-11 | 杭州可靠性仪器厂 | 集成电路老化试验装置 |
| CN209182450U (zh) * | 2018-10-26 | 2019-07-30 | 龙芯中科技术有限公司 | 一种老化测试板 |
| CN110320463A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-11 | 深圳安时达电子服务有限公司 | 一种实现待测设备智能老化控制的装置和方法 |
-
2021
- 2021-04-23 CN CN202110440869.8A patent/CN113219314A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101140252A (zh) * | 2006-09-06 | 2008-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 |
| CN101315410A (zh) * | 2007-05-30 | 2008-12-03 | 京元电子股份有限公司 | 半导体元件的预烧测试装置 |
| CN101359020A (zh) * | 2007-08-03 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 老化测试基板 |
| CN201138360Y (zh) * | 2007-12-13 | 2008-10-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 老化装置 |
| TW200928390A (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | Multi-chamber for burn-in testing apparatus and test method thereof |
| CN101493493A (zh) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 京元电子股份有限公司 | 半导体元件的预烧装置及其预烧方法 |
| CN202421434U (zh) * | 2011-12-13 | 2012-09-05 | 湖南航天机电设备与特种材料研究所 | 一种3dk28g、3ck2e型晶体管动态老化装置 |
| US20160124019A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-05 | Nantong Fujitsu Microelectronics Co., Ltd. | Semiconductor testing fixture and fabrication method thereof |
| CN205427070U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-08-03 | 常熟理工学院 | 一种基于LabVIEW多变频器老化测试系统 |
| CN205582892U (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-14 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 老化测试板 |
| CN107271879A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体芯片老化测试装置及方法 |
| CN108519548A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-09-11 | 杭州可靠性仪器厂 | 集成电路老化试验装置 |
| CN209182450U (zh) * | 2018-10-26 | 2019-07-30 | 龙芯中科技术有限公司 | 一种老化测试板 |
| CN110320463A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-11 | 深圳安时达电子服务有限公司 | 一种实现待测设备智能老化控制的装置和方法 |
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