CN113194640A - 低翘曲高密度封装基板制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，包括如下步骤：将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理；对所述ABF层(12)进行未完全固化处理，使所述ABF层(12)固化度在50％～70％之间；在未完全固化处理后的ABF层(12)上制造外层线路(13)；重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板；将所述多层线路封装基板进行完全固化处理，使所述多层线路封装基板完全固化整平。本发明基于绝缘层材料未完全固化加工工艺，使利用ABF作为线路间绝缘材料的高密度封装基板在最后彻底固化整平后翘曲较少或没有翘曲。同时，封装基板的制造工艺更简单，提高了加工效率。
Description
技术领域
本发明涉及封装基板制造领域，尤其涉及一种低翘曲高密度封装基板的制造方法。
背景技术
目前CPU、GPU、FPGA芯片的SOC设计随着网络技术、AT技术以及计算技术的发展，芯片的功能越来越强大，功能越来越复杂，尺寸越来越大。大尺寸芯片封装需要更大尺寸的FCBGA封装基板与其配合，FCBGA基板的尺寸越大，翘曲的幅度和稳定性越差，后续封装的芯片可靠性问题越是严重。基于有机材料的大尺寸FCBGA基板，由于其高密度布线能力和加工制造的灵活性比陶瓷基板具有更大的优势。因此，有机材料是目前大尺寸FCBGA芯片主要的基板材料。
而基于有机材料的大尺寸FCBGA基板在尺寸不断增大，翘曲越发严重情况下，如何降低基板整体翘曲幅度，是保证大尺寸芯片封装的重要问题。目前FCBGA基板的厚度通常超过1mm，层数10-20层，不仅工艺复杂，成本极高，而且尺寸大单个单元的成本更高，翘曲更严重。大尺寸FCBGA基板在封装过程的倒装焊接回流过程中会产生较大的翘曲，导致无法焊接。较大的翘曲对于封装的芯片也会导致应力过大，在可靠性测试中极易产生失效。因此，大尺寸FCBGA封装基板翘曲问题是目前大尺寸芯片封装加工和可靠性的关键问题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明为了解决大尺寸FCBGA封装基板翘曲问题，提出了一种低翘曲高密度封装基板制造方法。
(二)技术方案
本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，包括如下步骤：
将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理；
对所述ABF层12进行未完全固化处理，使所述ABF层12固化度在50％～70％之间；
在未完全固化处理后的ABF层12上制造外层线路13；
重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板；
将所述多层线路封装基板进行完全固化处理，使所述多层线路封装基板完全固化整平。
可选地，在所述将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理之前，所述方法还包括：
将所述内层线路11表面进行粗化。
可选地，所述对所述ABF层12进行未完全固化处理包括：对所述ABF层12进行烘烤，以提高所述ABF层12的固化度。
可选地，针对于不同种类的ABF层12，采用不同的烘烤温度及时间对所述ABF层12进行烘烤。
可选地，所述在未完全固化后的ABF层12上制造外层线路13包括：
对所述ABF层12进行激光钻孔，在所述ABF层12中形成与内层线路11连通的盲孔20；在所述ABF层12和所述盲孔20中化学沉铜，形成电镀种子层21；在所述电镀种子层21光刻电镀掩膜图形22；在所述电镀种子层21未被所述电镀掩膜图形22覆盖的区域电镀形成电路图形并填充所述盲孔20；去除所述电镀掩膜图形22；去除所述电镀掩膜图形22覆盖的所述电镀种子层21，形成所述外层线路13。
可选地，所述在未完全固化处理后的ABF层12上制造外层线路13之后，所述方法还包括：在130℃下烘烤30min去除水汽。
可选地，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理之前，所述多层线路封装基板内层先压合的ABF层12仍处于未完全固化状态，最外层ABF层12固化度在50％～70％之间。
可选地，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理包括：采用真空环境，在190～210℃的温度下加大于1.5MPa的压力，使所述多层线路封装基板的所有ABF层12完全固化。
可选地，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理之后，所述方法还包括：在所述多层线路封装基板最外层制造绿油层30。
可选地，所述在所述多层线路封装基板最外层制造绿油层30之后，所述方法还包括：在所述多层线路封装基板最外层未被绿油层30覆盖区域涂覆NiPdAu、NiAu或OSP。
(三)有益效果
本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，基于绝缘层未完全固化加工工艺，使利用ABF作为线路间绝缘材料的高密度封装基板在最后彻底固化整平后翘曲较少或没有翘曲。同时，封装基板的制造工艺更简单，去除了提高了加工效率。
附图说明
图1示意性示出了低翘曲高密度封装基板制造方法流程图。
图2示意性示出了外层线路13的制造方法流程图。
图3示意性示出了多层线路封装基板进行完全固化处理之后还包括的处理过程的流程图。
【附图标记说明】
10-芯板；11-内层线路；12-ABF层；13-外层线路；
20-盲孔；21-电镀种子层；22-电镀掩膜图形；
30-绿油层；31-表面涂覆层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，参阅图1，包括如下步骤：
将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理；
对ABF层12进行未完全固化处理，使ABF层12固化度在50％～70％之间；
在未完全固化处理后的ABF层12上制造外层线路13；
重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板；
将多层线路封装基板进行完全固化处理，使多层线路封装基板完全固化整平。
以下将结合图1具体说明。
最内层线路11为芯板10上制造的内层线路11。
将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理。本发明采用ABF为线路层间绝缘材料，ABF是日本味之素公司开发的用于高密度布线的增层材料，材料主要用于在该材料表面采用半加成技术制造细线路。
将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理之前，还包括：将所述内层线路11表面进行粗化，以提高线路与ABF的结合力。
将封装基板内层线路11与ABF层12压合处理过程采用真空压膜机在低于常规温条件下压合ABF。
在压合处理过程完成后，对ABF层12进行未完全固化处理，提高ABF层12固化度，使其在50％～70％之间。当ABF层12处于未完全固化状态时，其具有一定的流动性，在后续制造过程中既可以保持一定的形态和强度，也能使后续的制造过程保留的内应力更少，降低发生严重翘曲的可能性。未完全固化处理采用低于常规温的烘烤的手段，控制较低的温度使其在一段时间内缓慢固化，更有利于控制ABF层12固化程度和内应力的释放。对于不同种类的ABF，采用不同的温度和时间处理，例如GX92，在预固化温度160℃下固化30min；GZ41，在预固化温度130℃下固化30分钟后，再在160℃下固化30分钟完成GZ41材料的预固化。
ABF层12未完全固化处理完成后，将未完全固化处理后的在ABF层12上制造外层线路13。外层线路13与内层线路11相互连通，中间夹有一层ABF，使上下两层除连接处外相互绝缘。
在未完全固化处理后的ABF层12上制造外层线路13完成后，烘烤去除工艺中水汽。本步工艺旨在去除水汽，未完全固化的ABF的固化度有稍许提高。优选地，烘烤温度和烘烤时间分别为130℃、30min。
重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板时，上述步骤制造的外层线路13将作为内层线路11，重复上述步骤，使线路层和ABF层12交替叠加，得到多层线路封装基板。在将多层线路封装基板进行完全固化处理之前，多层线路封装基板内层先压合的ABF层12仍处于未完全固化状态，最外层ABF层12固化度在50％～70％之间。内层ABF层12经过多次未完全固化处理，其固化度比原来的在50％～70％之间，有明显提高，但仍控制烘烤的温度和时间使最内层的ABF层12处于未完全固化状态，作为最后的整体固化整平的先决条件。
最后，将多层线路封装基板进行完全固化处理，使多层线路封装基板完全固化整平。多层线路封装基板完全固化处理过程采用真空环境，在190～210℃的温度下加大于1.5MPa的压力，使多层线路封装基板的所有ABF层12完全固化。该固化处理过程多层线路封装基板在层压机中高温高压固化，通过层压机的镜面隔离钢板，在较小内应力的条件下使整个多层线路封装基板平整而翘曲较少或者无翘曲。
参阅图2，本发明提供的低翘曲高密度封装基板制造方法中，制造外层线路13的过程包括：对ABF层12进行激光钻孔，在ABF层12中形成与内层线路11连通的盲孔20；在ABF层12和盲孔20中化学沉铜，形成电镀种子层21；在电镀种子层21光刻电镀掩膜图形22；在电镀种子层21未被电镀掩膜图形22覆盖的区域电镀形成电路图形并填充盲孔20；去除电镀掩膜图形22；去除电镀掩膜图形22覆盖的电镀种子层21，形成外层线路13。
以下将结合图2具体说明。
激光钻孔，使ABF层12中形成与内层线路11连通的盲孔20。
接着制造电镀种子层21，在ABF层12和盲孔20中化学沉铜，形成电镀种子层21。化学沉铜是利用化学沉积的方法，在ABF表面沉积一层薄薄的化学铜，为后续的电镀提供导电性。可选地，化学沉铜的厚度为0.2～1.0μm。
然后在电镀种子层21光刻电镀掩膜图形22。在电镀种子层21上压合干膜，经过曝光显影形成图形电镀用的电镀掩膜图形22。
之后进行图形电镀，在电镀种子层21未被电镀掩膜图形22覆盖的区域电镀形成电路图形并填充盲孔20。ABF由于不具有导电性，无法直接进行电镀，预先制造一层电镀种子层21，提高表面的导电性。
最后，去除电镀掩膜图形22并快速蚀刻去除电镀掩膜图形22覆盖的电镀种子层21，形成外层线路13。
参阅图3，本发明提供的低翘曲高密度封装基板制造方法中，将多层线路封装基板进行完全固化处理完成后，还包括：制造绿油和表面涂覆。
在最外层ABF上制造绿油层30。绿油即液态光致阻焊剂作为一种保护层，其涂覆在封装基板不需焊接的线路和基材上。绿油可以长期保护所形成的线路图形。
在最外层上涂覆NiPdAu、NiAu或OSP。在制造绿油层30后，对未涂覆绿油的外层电路或焊盘上涂覆一种有机保护膜，即表面涂覆层31，其既可以保护铜不被氧化，也提高了铜焊盘的可焊性。
本发明提供了一种低翘曲高密度封装基板制造方法，基于绝缘层未完全固化的加工工艺，使利用ABF作为线路间绝缘材料的高密度封装基板在最后彻底固化整平后翘曲较少或没有翘曲。同时，去除了每一层绝缘层的在常规温度下的较高温度的固化工艺，封装基板的制造工艺更简单，提高了加工效率。
以上的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，包括：
将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理；
对所述ABF层(12)进行未完全固化处理，使所述ABF层(12)固化度在50％～70％之间；
在未完全固化处理后的ABF层(12)上制造外层线路(13)；
重复上述三个步骤，得到多层线路封装基板；
将所述多层线路封装基板进行完全固化处理，使所述多层线路封装基板完全固化整平。
2.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，在所述将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理之前，所述方法还包括：
将所述内层线路(11)表面进行粗化。
3.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述对所述ABF层(12)进行未完全固化处理包括：
对所述ABF层(12)进行烘烤，以提高所述ABF层(12)的固化度。
4.根据权利要求3所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，针对于不同种类的ABF层(12)，采用不同的烘烤温度及时间对所述ABF层(12)进行烘烤。
5.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述在未完全固化后的ABF层(12)上制造外层线路(13)包括：
对所述ABF层(12)进行激光钻孔，在所述ABF层(12)中形成与内层线路(11)连通的盲孔(20)；
在所述ABF层(12)和所述盲孔(20)中化学沉铜，形成电镀种子层(21)；
在所述电镀种子层(21)光刻电镀掩膜图形(22)；
在所述电镀种子层(21)未被所述电镀掩膜图形覆盖的区域电镀形成电路图形并填充所述盲孔(20)；
去除所述电镀掩膜图形(22)；
去除所述电镀掩膜图形(22)覆盖的所述电镀种子层(21)，形成所述外层线路(13)。
6.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述在未完全固化处理后的ABF层(12)上制造外层线路(13)之后，所述方法还包括：
在130℃下烘烤30min去除水汽。
7.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理之前，所述多层线路封装基板内层先压合的ABF层(12)仍处于未完全固化状态，最外层ABF层(12)固化度在50％～70％之间。
8.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理包括：
采用真空环境，在190～210℃的温度下加大于1.5MPa的压力，使所述多层线路封装基板的所有ABF层(12)完全固化。
9.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述将所述多层线路封装基板进行完全固化处理之后，所述方法还包括：
在所述多层线路封装基板最外层制造绿油层(30)。
10.根据权利要求9所述的低翘曲高密度封装基板制造方法，其特征在于，所述在所述多层线路封装基板最外层制造绿油层(30)之后，所述方法还包括：
在所述多层线路封装基板最外层未被绿油层(30)覆盖区域涂覆NiPdAu、NiAu或OSP。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024103773A1 (zh) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | 华为技术有限公司 | 布线载板及其制造方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602333A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 積層板の製造法 |
| JPS6120728A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層板の製造方法 |
| CN103144378A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-06-12 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种pn固化体系的覆铜板、pcb板及其制作方法 |
| CN103179810A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 三星泰科威株式会社 | 制造多层电路板的方法和利用该方法制造的多层电路板 |
| TW201328468A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-07-01 | Samsung Techwin Co Ltd | 製造多層電路板之方法以及使用此方法所製造的多層電路板 |
| CN103456643A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | Ic载板及其制作方法 |
| CN103491732A (zh) * | 2013-10-08 | 2014-01-01 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种电路板增层结构的制造方法 |
| CN103987198A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种无辅助结构的无芯基板的制造方法 |
| CN103997862A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-08-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法 |
| CN104244616A (zh) * | 2014-08-27 | 2014-12-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种无芯板薄型基板的制作方法 |
| CN104538314A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板 |
| CN104538320A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-22 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 无芯板制造方法 |
| TW201524749A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-07-01 | Nat Inst Chung Shan Science & Technology | 低翹曲變形複合材料板製造方法 |
| JP2016129264A (ja) * | 2016-03-30 | 2016-07-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 多層積層板の製造方法、及び多層プリント配線板の製造方法 |
| CN206323639U (zh) * | 2016-11-09 | 2017-07-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种防翘曲的三层线路板 |
-
2021
- 2021-04-28 CN CN202110469453.9A patent/CN113194640B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602333A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 積層板の製造法 |
| JPS6120728A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層板の製造方法 |
| CN103179810A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 三星泰科威株式会社 | 制造多层电路板的方法和利用该方法制造的多层电路板 |
| TW201328468A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-07-01 | Samsung Techwin Co Ltd | 製造多層電路板之方法以及使用此方法所製造的多層電路板 |
| CN103456643A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | Ic载板及其制作方法 |
| CN103144378A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-06-12 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种pn固化体系的覆铜板、pcb板及其制作方法 |
| CN103491732A (zh) * | 2013-10-08 | 2014-01-01 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种电路板增层结构的制造方法 |
| TW201524749A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-07-01 | Nat Inst Chung Shan Science & Technology | 低翹曲變形複合材料板製造方法 |
| CN103987198A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种无辅助结构的无芯基板的制造方法 |
| CN103997862A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-08-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法 |
| CN104244616A (zh) * | 2014-08-27 | 2014-12-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种无芯板薄型基板的制作方法 |
| CN104538314A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板 |
| CN104538320A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-22 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 无芯板制造方法 |
| JP2016129264A (ja) * | 2016-03-30 | 2016-07-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 多層積層板の製造方法、及び多層プリント配線板の製造方法 |
| CN206323639U (zh) * | 2016-11-09 | 2017-07-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种防翘曲的三层线路板 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 袁欢欣等: "层压板热压释放残余应力对多层印制板品质的改善", 《印制电路信息》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024103773A1 (zh) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | 华为技术有限公司 | 布线载板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113194640B (zh) | 2022-07-08 |
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